JPS6047215B2 - 光フアイバ用母材の製造方法 - Google Patents
光フアイバ用母材の製造方法Info
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- JPS6047215B2 JPS6047215B2 JP55094735A JP9473580A JPS6047215B2 JP S6047215 B2 JPS6047215 B2 JP S6047215B2 JP 55094735 A JP55094735 A JP 55094735A JP 9473580 A JP9473580 A JP 9473580A JP S6047215 B2 JPS6047215 B2 JP S6047215B2
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01413—Reactant delivery systems
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4486—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by producing an aerosol and subsequent evaporation of the droplets or particles
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/30—For glass precursor of non-standard type, e.g. solid SiH3F
- C03B2207/34—Liquid, e.g. mist or aerosol
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- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光ファイバ用ガラス母材の製造方法に関するも
のてある。
のてある。
従来、光通信用に使用される低損失な光ファイバの製造
方法としては、ガラス形成原料の気相反応を適用した、
いわゆるＭＣＶＤ法（内付け法）およびＶＡＤ法（気相
軸付け法）が知られている。
方法としては、ガラス形成原料の気相反応を適用した、
いわゆるＭＣＶＤ法（内付け法）およびＶＡＤ法（気相
軸付け法）が知られている。
これらの方法は、四塩化ケイ素（ＳｉＣ１０）を主成分
とする気相のガラス形成原料をキャリアガスと共に高温
反応部に供給し、酸化物ガラスの層あるいは微粒子を形
成することにより光ファイバ用母材を製造する方法であ
る。この方法は低損失な光ファイバを得る方法としては
優れた方法であるが、ガラス形成原料としては蒸気圧が
大きく気化し易いものたとえば四塩化ケイ素（ＳｉＣ１
０）、四塩化ゲルマニウム（ＧｅＣ１０）などに限られ
、ガラス組成が限定されてしまうこと、単位時間当りの
ガラス形成原料の輸送量が少ないことなどの大きな欠点
があつた。また、多様なガラス組成を有する光ファイバ
として、いわゆる多成分系ガラスファイバが知られてい
るが、従来多成分系ガラスファイバを製造する方法にお
いては個々の原料を超高純度化処理した後、これらの原
料を混合し、しかる後溶融するプロセスを経ねばならず
、プロセスが煩雑で操作が面倒であつた。
とする気相のガラス形成原料をキャリアガスと共に高温
反応部に供給し、酸化物ガラスの層あるいは微粒子を形
成することにより光ファイバ用母材を製造する方法であ
る。この方法は低損失な光ファイバを得る方法としては
優れた方法であるが、ガラス形成原料としては蒸気圧が
大きく気化し易いものたとえば四塩化ケイ素（ＳｉＣ１
０）、四塩化ゲルマニウム（ＧｅＣ１０）などに限られ
、ガラス組成が限定されてしまうこと、単位時間当りの
ガラス形成原料の輸送量が少ないことなどの大きな欠点
があつた。また、多様なガラス組成を有する光ファイバ
として、いわゆる多成分系ガラスファイバが知られてい
るが、従来多成分系ガラスファイバを製造する方法にお
いては個々の原料を超高純度化処理した後、これらの原
料を混合し、しかる後溶融するプロセスを経ねばならず
、プロセスが煩雑で操作が面倒であつた。
特に、原料を白金や、石英ガラスなどでできたルツボ等
で長時間かけて溶融する必要があるため不純物が混入す
る傾向があり、低損失の光ファイバを形成するのが困難
であつた。本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、
その目的は多様なガラス組成を有する低損失な光ファイ
バの形成を可能とし、さらに高速度で製造可能な光ファ
イバ用母材の製造方法を提供するにある。したがつて、
本発明による光ファイバ用母材のフ製造方法は、ガラス
形成原料を高温反応させる工程を含む光ファイバ用母材
の製造方法において、液相状態の前記ガラス形成原料を
加振粒子化させてた後、高温反応せしめることを特徴と
するものである。
で長時間かけて溶融する必要があるため不純物が混入す
る傾向があり、低損失の光ファイバを形成するのが困難
であつた。本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、
その目的は多様なガラス組成を有する低損失な光ファイ
バの形成を可能とし、さらに高速度で製造可能な光ファ
イバ用母材の製造方法を提供するにある。したがつて、
本発明による光ファイバ用母材のフ製造方法は、ガラス
形成原料を高温反応させる工程を含む光ファイバ用母材
の製造方法において、液相状態の前記ガラス形成原料を
加振粒子化させてた後、高温反応せしめることを特徴と
するものである。
このような本発明による光ファイバ用母材の製造方法に
よれは液相ガラス形成原料を直接粒子化するため、ガラ
ス形成原料を気化する必要がないので、蒸気圧の大きな
ガラス形成原料に限定されず、多くのガラス形成原料を
用いることができる。
よれは液相ガラス形成原料を直接粒子化するため、ガラ
ス形成原料を気化する必要がないので、蒸気圧の大きな
ガラス形成原料に限定されず、多くのガラス形成原料を
用いることができる。
このため、多種多様の組成の光ファイバ用母材を提供可
能となるばかりでなく、ガラス形成原料の気化速度に制
限されることなく、ガラス形成原料を高温反応部に搬送
しえるので、光ファイバ用母材の合成速度が著しく向上
すると言う利点もある。本発明をさらに詳しく説明する
と、本発明において用いられるガラス形成原料は基本的
には液相となりうるものであればいかなるものでもよい
。
能となるばかりでなく、ガラス形成原料の気化速度に制
限されることなく、ガラス形成原料を高温反応部に搬送
しえるので、光ファイバ用母材の合成速度が著しく向上
すると言う利点もある。本発明をさらに詳しく説明する
と、本発明において用いられるガラス形成原料は基本的
には液相となりうるものであればいかなるものでもよい
。
即ち液相のガラス形成原料のほか、この液相ガラス形成
原料に液相状態以外のガラス形成原料を溶解し、液相と
したものでもよく、溶媒に溶解して液相としたものでも
よい。たとえば、通常ガラス形成原料として用いる蒸気
圧の大きいＳｉＣｌ４、にＥＣｌ４、ＢＢｒ３、ＰＯＣ
ｌ３などのほか、有機ケイ素化合物（たとえばＳｉ（０
ＣＨ３）４など）、有機ゲルマニウム化合物（たとえば
Ｇｅ（０ＣＨ３）４など）、有機バリウム化合物（たと
えばＢａ（０ＣＨ３）２など）、ＣＳＮＯ３、Ｐｂ（Ｎ
Ｏ３）２なども用いることができる。即ち従来、困難で
あつたＰｂ．．ＮａＮＣＳ．．Ｂａ，．ＬｌｌＣｅ等を
含むガラス母材を合成することができる。このようなガ
ラス形成原料を加振粒子化する。
原料に液相状態以外のガラス形成原料を溶解し、液相と
したものでもよく、溶媒に溶解して液相としたものでも
よい。たとえば、通常ガラス形成原料として用いる蒸気
圧の大きいＳｉＣｌ４、にＥＣｌ４、ＢＢｒ３、ＰＯＣ
ｌ３などのほか、有機ケイ素化合物（たとえばＳｉ（０
ＣＨ３）４など）、有機ゲルマニウム化合物（たとえば
Ｇｅ（０ＣＨ３）４など）、有機バリウム化合物（たと
えばＢａ（０ＣＨ３）２など）、ＣＳＮＯ３、Ｐｂ（Ｎ
Ｏ３）２なども用いることができる。即ち従来、困難で
あつたＰｂ．．ＮａＮＣＳ．．Ｂａ，．ＬｌｌＣｅ等を
含むガラス母材を合成することができる。このようなガ
ラス形成原料を加振粒子化する。
！加振粒子化の方法は特に限定されるものてはない。た
とえば、超音波発振器を用い、超音波により振動させて
もよく、電歪振動子により加振粒子化させてもよい。ま
た、もちろん他の方法も用いることができる。
ｊ加振粒子化の振動数は８０ＫＨ
ｚ以上が好ましい。８０ＫＨｚ未満であると、粒子径が
大きくなり反応に時間がかかるからである。
とえば、超音波発振器を用い、超音波により振動させて
もよく、電歪振動子により加振粒子化させてもよい。ま
た、もちろん他の方法も用いることができる。
ｊ加振粒子化の振動数は８０ＫＨ
ｚ以上が好ましい。８０ＫＨｚ未満であると、粒子径が
大きくなり反応に時間がかかるからである。
このように加振粒子化されたガラス形成原料を高温反応
部に搬入し、分解させてガラス母材と４し、さらにこれ
を高温に加熱し、中実化ないし透明化して光ファイバ用
母材を製造する。
部に搬入し、分解させてガラス母材と４し、さらにこれ
を高温に加熱し、中実化ないし透明化して光ファイバ用
母材を製造する。
次に、本発明を実施するための装置について説明する。
第１図は本発明による光ファイバ用母材の製造方法を実
施するための装置の一例の概略図であり、図中、１は液
相原料供給装置、２は原料溜め、３は液相ガラス形成原
料、４は超音波発振７器、５はキャリアガス用細孔、６
は原料供給用細孔、７は合成トーチ、８は可燃性ガス供
給管、９は助燃性ガス供給管、１０は火炎、１１は支持
棒、１２は多孔質ガラス焼結体である。これを動作させ
るには、液相原料供給装置１か９ら原料溜め２に液相ガ
ラス形成原料３を供給すると同時に超音波発振器４を駆
動し、原料溜め２を超音波（例えば周波数１Ｍ圧）によ
り振動させることにより、液相ガラス形成原料３を線状
の加振粒子とする。
施するための装置の一例の概略図であり、図中、１は液
相原料供給装置、２は原料溜め、３は液相ガラス形成原
料、４は超音波発振７器、５はキャリアガス用細孔、６
は原料供給用細孔、７は合成トーチ、８は可燃性ガス供
給管、９は助燃性ガス供給管、１０は火炎、１１は支持
棒、１２は多孔質ガラス焼結体である。これを動作させ
るには、液相原料供給装置１か９ら原料溜め２に液相ガ
ラス形成原料３を供給すると同時に超音波発振器４を駆
動し、原料溜め２を超音波（例えば周波数１Ｍ圧）によ
り振動させることにより、液相ガラス形成原料３を線状
の加振粒子とする。
次いで原料溜め２の上部に設けたキ７ヤリアガス用細孔
５からＮ等の不活性ガスを送入することにより、加振粒
子化した液相ガラス形成原料３を原料供給用細孔６を介
し、合成トーチ７へと輸送する。また合成トーチ７には
、可燃性ガス（たとえばＨ２ガス）、助燃性ガス（たと
えば０２ガス）を送り込むための可燃性ガス供給管８、
及び助燃性ガス供給管９があり、これにより供給される
可燃性ガス及び助燃性ガスにより酸水素炎１０を構成す
る。加振粒子化した液相ガラス形成原料３をこの火炎１
０により、火炎加水分解反応させ、酸化物ガラス微粒子
として支持棒１１の端部に付着堆積させて軸方向に成長
させ、多孔質ガラス焼結体１２を形成させる。次いで、
上記のように形成された多孔質ガラス焼結体１２を電気
炉中で加熱して透明ガラスロッドとする。
５からＮ等の不活性ガスを送入することにより、加振粒
子化した液相ガラス形成原料３を原料供給用細孔６を介
し、合成トーチ７へと輸送する。また合成トーチ７には
、可燃性ガス（たとえばＨ２ガス）、助燃性ガス（たと
えば０２ガス）を送り込むための可燃性ガス供給管８、
及び助燃性ガス供給管９があり、これにより供給される
可燃性ガス及び助燃性ガスにより酸水素炎１０を構成す
る。加振粒子化した液相ガラス形成原料３をこの火炎１
０により、火炎加水分解反応させ、酸化物ガラス微粒子
として支持棒１１の端部に付着堆積させて軸方向に成長
させ、多孔質ガラス焼結体１２を形成させる。次いで、
上記のように形成された多孔質ガラス焼結体１２を電気
炉中で加熱して透明ガラスロッドとする。
しかる後、透明ガラスロッドに所定の処理を施して光フ
ァイバを形成する、例えばコアとなる透明ガラスロッド
を形成した場合には、これをクラッドとなる透明ガラス
管中に挿入して紡糸するいわゆるロッドインチューブ法
により光ファイバを形成できる。また、コアとなる多孔
質ガラス焼結体を形成し、これを透明ガラス化した場合
には、この透明ガラスロッドを延伸して直接紡糸して光
ファイバを形成することもできる。また酸化物ガラス微
粒子の支持棒１１の付着堆積は、その先端のみならず外
周に形成させても良い（この方法は外付け法あるいは０
ＶＰ０法として知られている）。第２図は本発明の方法
を実施するための装置の他の例の概略図てあり、図中、
２１は液相原料供給装置、２２は原料溜め、２３は液相
ガラス形成原料、２４は超音波発振器、２５はキャリア
ガス供給管、２６は原料供給管、２７は石英ガラス管、
２８は酸化用ガス供給管、２９は接続端、２１０ａ，ｂ
は軸受、２１１は酸水素バーナであｊる。
ァイバを形成する、例えばコアとなる透明ガラスロッド
を形成した場合には、これをクラッドとなる透明ガラス
管中に挿入して紡糸するいわゆるロッドインチューブ法
により光ファイバを形成できる。また、コアとなる多孔
質ガラス焼結体を形成し、これを透明ガラス化した場合
には、この透明ガラスロッドを延伸して直接紡糸して光
ファイバを形成することもできる。また酸化物ガラス微
粒子の支持棒１１の付着堆積は、その先端のみならず外
周に形成させても良い（この方法は外付け法あるいは０
ＶＰ０法として知られている）。第２図は本発明の方法
を実施するための装置の他の例の概略図てあり、図中、
２１は液相原料供給装置、２２は原料溜め、２３は液相
ガラス形成原料、２４は超音波発振器、２５はキャリア
ガス供給管、２６は原料供給管、２７は石英ガラス管、
２８は酸化用ガス供給管、２９は接続端、２１０ａ，ｂ
は軸受、２１１は酸水素バーナであｊる。
この装置を動作させるには、液相原料供給装置２１より
原料溜め２２に液相ガラス形成原料２３を供給し、超音
波発振器２４を駆動させて液相ガラス形成原料２３を加
振粒子化する。
原料溜め２２に液相ガラス形成原料２３を供給し、超音
波発振器２４を駆動させて液相ガラス形成原料２３を加
振粒子化する。
加振粒子化Ｊされた液相ガラス形成原料２３はキャリア
ガス供給管２５よりのキャリアガス（たとえば０２ガス
）により原料供給管２６を介し、石英ガラス管２７内に
搬送される。酸化用ガス（たとえば０２）は酸化用ガス
供給管２８を通り、原料供給管２６をへて、前記液相ガ
ラス原料２３と共に接続端２９を介し、石英ガラス管２
７内に送入される。石英ガラス管２７は回転自在に軸受
２１０ａ，２１０ｂに支持されており、酸水素バーナ２
１１は所望速度て左右に移動可能になつている。
ガス供給管２５よりのキャリアガス（たとえば０２ガス
）により原料供給管２６を介し、石英ガラス管２７内に
搬送される。酸化用ガス（たとえば０２）は酸化用ガス
供給管２８を通り、原料供給管２６をへて、前記液相ガ
ラス原料２３と共に接続端２９を介し、石英ガラス管２
７内に送入される。石英ガラス管２７は回転自在に軸受
２１０ａ，２１０ｂに支持されており、酸水素バーナ２
１１は所望速度て左右に移動可能になつている。
このため、石英ガラス管２７に搬入された液相ガラス形
成原料２３は酸水素バーナ２１１により加熱分解され、
回転している石英ガラス管２７内壁にほぼ一様にガラス
膜を形成させる。酸水素バーナ２１１を繰り返し往復さ
せてガラス膜を形成させた後、酸水素バーナ２１１の火
力を強めて石英ガラス管２７を中実化させる。次に本発
明の実施例について説明する。
成原料２３は酸水素バーナ２１１により加熱分解され、
回転している石英ガラス管２７内壁にほぼ一様にガラス
膜を形成させる。酸水素バーナ２１１を繰り返し往復さ
せてガラス膜を形成させた後、酸水素バーナ２１１の火
力を強めて石英ガラス管２７を中実化させる。次に本発
明の実施例について説明する。
例１
第１図に示した装置を用い、光ファイバを製造した。
液相ガラス形成原料としては、高純度のＳＩ（０ＣＨ３
）４（液体）とＢａ（０ＣＨ３）２（固体）を重量比１
５：２の割合で混合し、さらにこれをメチルアルコール
で希釈してＢａ（０ＣＨ３）２を完全に溶解させたもの
を用いた。
）４（液体）とＢａ（０ＣＨ３）２（固体）を重量比１
５：２の割合で混合し、さらにこれをメチルアルコール
で希釈してＢａ（０ＣＨ３）２を完全に溶解させたもの
を用いた。
これを原料溜め２に供給し、超音波発振器４において、
１ＭＨｚの超音波をかけたところ液相ガラス形成原料３
は霧状粒子化さわた。これをＡｒガス０．５ｅＩｍｉｎ
とともに合成トーチ７へ送り込んだところ、酸水素炎１
０中でガラヌ微粒子が合成され支持棒１１の先端に多孔
質ガクス焼結体１２が形成された。次いで前記多孔質ガ
ラス焼結体１２を電気火（図示せず）中で約１５００℃
に加熱して透明ガラスロッドとし、延伸して石英ガラス
管内に挿入一体化した後、温度２０００℃に加熱して紡
糸することにより、コアとクラッドから成る光ファイバ
を製造した。
１ＭＨｚの超音波をかけたところ液相ガラス形成原料３
は霧状粒子化さわた。これをＡｒガス０．５ｅＩｍｉｎ
とともに合成トーチ７へ送り込んだところ、酸水素炎１
０中でガラヌ微粒子が合成され支持棒１１の先端に多孔
質ガクス焼結体１２が形成された。次いで前記多孔質ガ
ラス焼結体１２を電気火（図示せず）中で約１５００℃
に加熱して透明ガラスロッドとし、延伸して石英ガラス
管内に挿入一体化した後、温度２０００℃に加熱して紡
糸することにより、コアとクラッドから成る光ファイバ
を製造した。
得られた光ファイバは第３図に示すようにステップ型の
屈折率分布を有し、中心部の屈折率は１．４８であつた
。また、液相ガラス形成原料として、Ｓｉ （０Ｃ２Ｈ５）４（液体）とＴａ（０Ｃ２Ｈ５）５（液
体）の混合液を用いて同様の実験を行なつたところ、Ｓ
ｉＯ２−Ｔａ２Ｏ．系の透明ガラスロッドが得られた。
屈折率分布を有し、中心部の屈折率は１．４８であつた
。また、液相ガラス形成原料として、Ｓｉ （０Ｃ２Ｈ５）４（液体）とＴａ（０Ｃ２Ｈ５）５（液
体）の混合液を用いて同様の実験を行なつたところ、Ｓ
ｉＯ２−Ｔａ２Ｏ．系の透明ガラスロッドが得られた。
以上のように、本発明においては液相状態にある多様な
ガラス形成原料および固相のガラス形成原料を適当な溶
媒に溶解した多様な溶液に超音波をかけて形成された霧
状の加振粒子をキャリアガスとともに高温反応部に供給
することにより酸化物ガラス微粒子を形成し、光ファイ
バ用ガラス母材を得ている。従つて、従来気相反応法で
供給が困難であつた？、Ｔａ．．Ｎｄ，．Ｐ蒔を含む多
様なガラスの合成が可能である。また、不純物が事実上
混入しないため、低損失の光ファイバを確実に形成でき
る。例２ 第２図に示した装置を使用して光ファイバ用ガーラス母
材を製造した。
ガラス形成原料および固相のガラス形成原料を適当な溶
媒に溶解した多様な溶液に超音波をかけて形成された霧
状の加振粒子をキャリアガスとともに高温反応部に供給
することにより酸化物ガラス微粒子を形成し、光ファイ
バ用ガラス母材を得ている。従つて、従来気相反応法で
供給が困難であつた？、Ｔａ．．Ｎｄ，．Ｐ蒔を含む多
様なガラスの合成が可能である。また、不純物が事実上
混入しないため、低損失の光ファイバを確実に形成でき
る。例２ 第２図に示した装置を使用して光ファイバ用ガーラス母
材を製造した。
液相ガラス形成原料としては、高純度のＳ１（０ＣＨ３
）４（液体）とＴａ（０ＣＨ３）５（液体）を重量比２
０：１の割合で混合したものを用い、超音波振動により
加振粒子化する。これをキャリア用の０２ガス（１５０
ｍ１Ｉｍ１ｎ）に９より原料溜め２２から送り出し、酸
化用の０２ガス（２０００Ｔｎ１Ｉｍｉｎ）とともに、
接続端２９から石英ガラス管２７中に導入した。石英ガ
ラス管２７を１６００℃程度に加熱して、管内の原料を
加熱分解させ、管内壁面にガラス膜を形成させることが
で５きた。酸水素バーナ２１１を繰り返し往復させてガ
ラス膜を堆積させた後、酸水素バーナ２１１の火力を高
めて石英ガラス管２７の中実化を行なうことにより、Ｓ
ｌＯ２−Ｔａ２Ｏ．系ガラスのコアとＳｉＯ２ガラスの
クラッドから成る光ファイバ用ガラス母！θ材を得るこ
とができた。これを紡糸して得られた光ファイバは実施
例１の光ファイバを同様にステップ型の屈折率分布を有
しており、コア部の屈折率は１．４７であつた。また、
液相ガラス形成原料として、ＳｌＣＩ４（９０モル％）
、ＧｅＣｌ４（１０モル％）を混合したものを用い、混
合原料を超音波で加振粒子化し、バーナより噴き出すこ
とにより単位時間当りのガラス微粒子合成速度を高める
ことも可能てある。
）４（液体）とＴａ（０ＣＨ３）５（液体）を重量比２
０：１の割合で混合したものを用い、超音波振動により
加振粒子化する。これをキャリア用の０２ガス（１５０
ｍ１Ｉｍ１ｎ）に９より原料溜め２２から送り出し、酸
化用の０２ガス（２０００Ｔｎ１Ｉｍｉｎ）とともに、
接続端２９から石英ガラス管２７中に導入した。石英ガ
ラス管２７を１６００℃程度に加熱して、管内の原料を
加熱分解させ、管内壁面にガラス膜を形成させることが
で５きた。酸水素バーナ２１１を繰り返し往復させてガ
ラス膜を堆積させた後、酸水素バーナ２１１の火力を高
めて石英ガラス管２７の中実化を行なうことにより、Ｓ
ｌＯ２−Ｔａ２Ｏ．系ガラスのコアとＳｉＯ２ガラスの
クラッドから成る光ファイバ用ガラス母！θ材を得るこ
とができた。これを紡糸して得られた光ファイバは実施
例１の光ファイバを同様にステップ型の屈折率分布を有
しており、コア部の屈折率は１．４７であつた。また、
液相ガラス形成原料として、ＳｌＣＩ４（９０モル％）
、ＧｅＣｌ４（１０モル％）を混合したものを用い、混
合原料を超音波で加振粒子化し、バーナより噴き出すこ
とにより単位時間当りのガラス微粒子合成速度を高める
ことも可能てある。
以上説明したように、本発明においては液相のガラス形
成原料あるいは固相のガラス形成原料を適当な溶媒に溶
かした溶液を超音波により加振粒子化して高温反応部へ
供給しているため、原料として多様なガラス形成原料を
用いることができ多様なガラス組成が可能となるだけで
なく、従来の気相反応法に比べて原料の供給速度を容易
に増加させガラス合成速度を高めることもできる。
成原料あるいは固相のガラス形成原料を適当な溶媒に溶
かした溶液を超音波により加振粒子化して高温反応部へ
供給しているため、原料として多様なガラス形成原料を
用いることができ多様なガラス組成が可能となるだけで
なく、従来の気相反応法に比べて原料の供給速度を容易
に増加させガラス合成速度を高めることもできる。
また、本発明においては加振粒子化したガラス形成原料
を高温の気体雰囲気中で反応させて酸化物ガラス化して
いるため、不純物が混入せず気相反応法と同程度の低損
失な光ファイバ製造が可能となるという効果を有する。
さらに、本発明は従来用いられているＳｉＣＩ４、Ｇｅ
Ｃｌ４などの液体原料を液相で輸送することができるた
め、高速輸送も可能であり、ＶＡＤｌＯＶＰＯ．．ＭＣ
ＶＤ法のどの方法においても従来以上の高速合成を可能
とするなどの利点もある。
を高温の気体雰囲気中で反応させて酸化物ガラス化して
いるため、不純物が混入せず気相反応法と同程度の低損
失な光ファイバ製造が可能となるという効果を有する。
さらに、本発明は従来用いられているＳｉＣＩ４、Ｇｅ
Ｃｌ４などの液体原料を液相で輸送することができるた
め、高速輸送も可能であり、ＶＡＤｌＯＶＰＯ．．ＭＣ
ＶＤ法のどの方法においても従来以上の高速合成を可能
とするなどの利点もある。
第１図は本発明の光ファイバ用母材の製造方法を実施す
るための装置の概略図、第２図は本発明の方法を実施す
るための他の装置の概略図、第３図は本発萌の方法によ
り得られた光ファイバの屈折率分布図である。 １，２１・・・・・液相原料供給装置、２，２２・・原
料溜め、３，２３・・・・・液相ガラス形成原料、４，
２４・・・・・・超音波発振器、７・・・・・・合成ト
ーチ、１１・・・・・・支持棒、１２・・・・・・多孔
質ガラス焼結体、２７・・・・・・石英ガラス管、２１
１・・・・・・酸水素バーナ。
るための装置の概略図、第２図は本発明の方法を実施す
るための他の装置の概略図、第３図は本発萌の方法によ
り得られた光ファイバの屈折率分布図である。 １，２１・・・・・液相原料供給装置、２，２２・・原
料溜め、３，２３・・・・・液相ガラス形成原料、４，
２４・・・・・・超音波発振器、７・・・・・・合成ト
ーチ、１１・・・・・・支持棒、１２・・・・・・多孔
質ガラス焼結体、２７・・・・・・石英ガラス管、２１
１・・・・・・酸水素バーナ。
Claims (1)
- １ ガラス形成原料を高温で反応させる工程を含む光フ
ァイバ用母材の製造方法において、液相状態の前記ガラ
ス形成原料を加振粒子化させた後、高温反応せしめるこ
とを特徴とする光ファイバ用母材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55094735A JPS6047215B2 (ja) | 1980-07-11 | 1980-07-11 | 光フアイバ用母材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55094735A JPS6047215B2 (ja) | 1980-07-11 | 1980-07-11 | 光フアイバ用母材の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5722136A JPS5722136A (en) | 1982-02-05 |
| JPS6047215B2 true JPS6047215B2 (ja) | 1985-10-21 |
Family
ID=14118365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55094735A Expired JPS6047215B2 (ja) | 1980-07-11 | 1980-07-11 | 光フアイバ用母材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6047215B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5110335A (en) * | 1990-06-25 | 1992-05-05 | At&T Bell Laboratories | Method of glass soot deposition using ultrasonic nozzle |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5614438A (en) * | 1979-07-18 | 1981-02-12 | Hitachi Ltd | Manufacture of optical fiber base material |
-
1980
- 1980-07-11 JP JP55094735A patent/JPS6047215B2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5614438A (en) * | 1979-07-18 | 1981-02-12 | Hitachi Ltd | Manufacture of optical fiber base material |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5722136A (en) | 1982-02-05 |
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