JPS60108338A - 光フアイバ母材の製造方法 - Google Patents
光フアイバ母材の製造方法Info
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- JPS60108338A JPS60108338A JP21320283A JP21320283A JPS60108338A JP S60108338 A JPS60108338 A JP S60108338A JP 21320283 A JP21320283 A JP 21320283A JP 21320283 A JP21320283 A JP 21320283A JP S60108338 A JPS60108338 A JP S60108338A
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01413—Reactant delivery systems
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4486—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by producing an aerosol and subsequent evaporation of the droplets or particles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/30—For glass precursor of non-standard type, e.g. solid SiH3F
- C03B2207/32—Non-halide
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/30—For glass precursor of non-standard type, e.g. solid SiH3F
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高速で製造が可能な光７アイパ母材の製造方
法に関する。
法に関する。
従来、光フアイバ母材を製造する方法としては、気相軸
付法（Ｖａｐｏｒ−Ｐｈａｓｅ Ａｘｉａｌ Ｄｅｐｏ
ｅｉ−ｔｉｏｎ 法、ＶＡＤ法）が知られている。第１
図に従来のＶＡＤ法による光フアイバ母材製造方法を模
式図で示す。第１図において符号１けガス導入口、２は
原料容器、３は酸水素炎バーナ、４はガラス微粒子、５
は多孔質母材、６は石英棒、７は排出口そして８は容器
を意味する。
付法（Ｖａｐｏｒ−Ｐｈａｓｅ Ａｘｉａｌ Ｄｅｐｏ
ｅｉ−ｔｉｏｎ 法、ＶＡＤ法）が知られている。第１
図に従来のＶＡＤ法による光フアイバ母材製造方法を模
式図で示す。第１図において符号１けガス導入口、２は
原料容器、３は酸水素炎バーナ、４はガラス微粒子、５
は多孔質母材、６は石英棒、７は排出口そして８は容器
を意味する。
通常のＶＡＤ法では、ガス導入口１から、例えばアルゴ
ンガスを導入して、原料容器２に導き、８１０４、Ｇ
ｏ Ｏ１４等の液体原料中の通過させて気化させ、酸水
素炎バーナ３に導入する。気化した塩化物原料（Ｓｉ０
４、Ｇｅ０４等）は酸水素炎中で高温加水分解され、ガ
ラス微粒子４を生じる。このガラス微粒子４を石英棒６
の端面に付着堆積させ、軸方向に成長させて、多孔質母
材５を得る。余分のすすや未反応の塩化物、あるいはＨ
ａｔ等が発生するため、反応系は容器８で覆われ、排出
ロアから排出される。一般にガラス原料は、主成分とな
る５ｉ０４と屈折率を変化させるドーパント（ＧａＣｌ
２やＰＯ２等）からなる。更に多孔質母材表面における
温度分布（炎により形成される）によってドーパントａ
度が異なることを利用して、屈折率分布を母材中に形成
することが行われている。その後、多孔質母材を塩素系
の脱水剤で脱水し、高温下で透明ガラス化する。＋−の
際多孔質の時読に５１０２とドーパント、例えばＧｅ０
２ とが固溶し、５ｉ−０−Ｇｅ の様に結合を有して
いることがドープするための必要条件であることが知ら
れている。
ンガスを導入して、原料容器２に導き、８１０４、Ｇ
ｏ Ｏ１４等の液体原料中の通過させて気化させ、酸水
素炎バーナ３に導入する。気化した塩化物原料（Ｓｉ０
４、Ｇｅ０４等）は酸水素炎中で高温加水分解され、ガ
ラス微粒子４を生じる。このガラス微粒子４を石英棒６
の端面に付着堆積させ、軸方向に成長させて、多孔質母
材５を得る。余分のすすや未反応の塩化物、あるいはＨ
ａｔ等が発生するため、反応系は容器８で覆われ、排出
ロアから排出される。一般にガラス原料は、主成分とな
る５ｉ０４と屈折率を変化させるドーパント（ＧａＣｌ
２やＰＯ２等）からなる。更に多孔質母材表面における
温度分布（炎により形成される）によってドーパントａ
度が異なることを利用して、屈折率分布を母材中に形成
することが行われている。その後、多孔質母材を塩素系
の脱水剤で脱水し、高温下で透明ガラス化する。＋−の
際多孔質の時読に５１０２とドーパント、例えばＧｅ０
２ とが固溶し、５ｉ−０−Ｇｅ の様に結合を有して
いることがドープするための必要条件であることが知ら
れている。
（結合がない場合には透明ガラス化の際ドーパントの揮
発が生じる） さて、一方、反応効率を向上させ、更に母材の高速合成
を達成するため、塩化物原料に代ってアルコキシドＭ（
Ｏｎ）ｎ（Ｍ ： Ｓｉ、Ｇｅ、Ｐ等、Ｒ＝アルキル基
ＯＨ３、Ｏ，Ｂ５− ・・、ｎは整数）を用いることが
最近提案されている。これらの原料は分子構造中に可燃
物である炭素や水素を有するため、塩化物よシ反応効率
が向上することが期待できる。
発が生じる） さて、一方、反応効率を向上させ、更に母材の高速合成
を達成するため、塩化物原料に代ってアルコキシドＭ（
Ｏｎ）ｎ（Ｍ ： Ｓｉ、Ｇｅ、Ｐ等、Ｒ＝アルキル基
ＯＨ３、Ｏ，Ｂ５− ・・、ｎは整数）を用いることが
最近提案されている。これらの原料は分子構造中に可燃
物である炭素や水素を有するため、塩化物よシ反応効率
が向上することが期待できる。
また、出発原料にアルコキシドを用いることによシ、塩
化物原料の場合に混入していた塩素を全く含有しない光
フアイバ用母材を製造することができる。低損失化が達
成されている石英系ガラス光ファイバにおいては、屈折
率制御用ドーパント（例えばＧ ｅ ０２ ）がコア部
に含まれており、なおかつ塩素を含まない光ファイバが
実現されたという報告はない。塩素を含有しない光ファ
イバは、耐放射線や強度特性等において、特異な性質を
示すことが予想され、注目を集めている。
化物原料の場合に混入していた塩素を全く含有しない光
フアイバ用母材を製造することができる。低損失化が達
成されている石英系ガラス光ファイバにおいては、屈折
率制御用ドーパント（例えばＧ ｅ ０２ ）がコア部
に含まれており、なおかつ塩素を含まない光ファイバが
実現されたという報告はない。塩素を含有しない光ファ
イバは、耐放射線や強度特性等において、特異な性質を
示すことが予想され、注目を集めている。
ところが上記アルコキシドは、塩化物Ｂ ｉ ａ ｔ４
に比べて蒸気圧が低く大量に輸送する場合には、従来の
ように気化し、ガスとして輸送することが困難である。
に比べて蒸気圧が低く大量に輸送する場合には、従来の
ように気化し、ガスとして輸送することが困難である。
例えば表１１ｃ ５ｉ０４、Ｂ ｉ （ＯＯ！Ｈ，）。
の融点、沸点を示す。
表 １
これからもわかるように十分な量のｓ １（ｏＯ２ＵＳ
）４を送るためには第１図に示した原料容器２の温度を
少なくとも１００℃以上にしなければならない。このこ
とは途中での液化を防止するため、バーナに到るすべて
の配管系（一般にプラスチック製）を１００℃以上に常
に保たねばならないことを意味し、非常に困離性が増大
する。
）４を送るためには第１図に示した原料容器２の温度を
少なくとも１００℃以上にしなければならない。このこ
とは途中での液化を防止するため、バーナに到るすべて
の配管系（一般にプラスチック製）を１００℃以上に常
に保たねばならないことを意味し、非常に困離性が増大
する。
最近、これを解決する方法として、例えば特願昭５５−
１０６！１５６号明細書に開示されているように、超音
波振動によって霧状の液体微粒子を発生式せ、輸送ガス
で反応部まで輸送することが提案されている。この方法
によって大量にアルコキシドが輸送できるが、例えば主
成分となるＢ１（ｏａ２Ｈｓ）ａ とドーパントとなる
Ｇｅ（００４Ｈ＠）４ ｖｉ″同時に一台の超音波振動
器によって液体微粒子とし、バーナに導き酸水素炎によ
って高温加水分解すると、ＳｉＯ□ のみが発生するこ
とが本発明の実験によシ明らかとなった。
１０６！１５６号明細書に開示されているように、超音
波振動によって霧状の液体微粒子を発生式せ、輸送ガス
で反応部まで輸送することが提案されている。この方法
によって大量にアルコキシドが輸送できるが、例えば主
成分となるＢ１（ｏａ２Ｈｓ）ａ とドーパントとなる
Ｇｅ（００４Ｈ＠）４ ｖｉ″同時に一台の超音波振動
器によって液体微粒子とし、バーナに導き酸水素炎によ
って高温加水分解すると、ＳｉＯ□ のみが発生するこ
とが本発明の実験によシ明らかとなった。
すなわちＧ ｅ０２ がドープされない問題点のあるこ
とがわかった。
とがわかった。
本発明はこれらの欠点を解決するためＫなされたもので
あシ、その目的は塩素を含有せず、屈折率制御用ドーパ
ントがドープされた光７アイパ用母材を高速で製造する
方法を提供することにある。
あシ、その目的は塩素を含有せず、屈折率制御用ドーパ
ントがドープされた光７アイパ用母材を高速で製造する
方法を提供することにある。
本発明を概説すれば、本発明は光フアイバ母材の製造方
法の発明であって、２種類以上の液体状アルコキシド又
はアルキル金属を出発原料とし、上記液体状アルコキシ
ド又はアルキル金属を超音波振動によって霧状となして
反応部へ輸送し、火炎加水分解反応によってガラス微粒
子を合成し、該ガラス微粒子を付着堆積して多孔質母材
を形成し、その後焼結透明化する光フアイバ母材の製造
方法において、該出発原料として、弐Ｒ４（ｏ Ｃ＋
Ｈ３）ｎ及びＭ（００２Ｈ５）ｎＣ式中ＭはＳｌ、Ｇｅ
、Ａｔ、Ｐ若しくはＳｌ示し、ｎは整数である）で表さ
れる化合物よシなる群から選択した少なくとも２１１ｉ
類のアルコキシド（但し、Ｍの少なくとも１種は８１
である）、あるいけ式Ｍ（ＯＨ３）ｎ及びＭ（ｃ２Ｈ６
）ｎＣ式中Ｍ及びｎけ前記と同義である）で表される化
合物よシなる群から選択した少なくとも２種類のアルキ
ル金属（但し、Ｍの少なくとも１種はｓｌ である）を
用いることを特徴とする。
法の発明であって、２種類以上の液体状アルコキシド又
はアルキル金属を出発原料とし、上記液体状アルコキシ
ド又はアルキル金属を超音波振動によって霧状となして
反応部へ輸送し、火炎加水分解反応によってガラス微粒
子を合成し、該ガラス微粒子を付着堆積して多孔質母材
を形成し、その後焼結透明化する光フアイバ母材の製造
方法において、該出発原料として、弐Ｒ４（ｏ Ｃ＋
Ｈ３）ｎ及びＭ（００２Ｈ５）ｎＣ式中ＭはＳｌ、Ｇｅ
、Ａｔ、Ｐ若しくはＳｌ示し、ｎは整数である）で表さ
れる化合物よシなる群から選択した少なくとも２１１ｉ
類のアルコキシド（但し、Ｍの少なくとも１種は８１
である）、あるいけ式Ｍ（ＯＨ３）ｎ及びＭ（ｃ２Ｈ６
）ｎＣ式中Ｍ及びｎけ前記と同義である）で表される化
合物よシなる群から選択した少なくとも２種類のアルキ
ル金属（但し、Ｍの少なくとも１種はｓｌ である）を
用いることを特徴とする。
第２図に本発明に関わる装置を模式的に示す。
すなわち第２図は本発明方法に使用する装置の一例の模
式図であシ、符号１．３．４．５．８け第１図と同義で
あり、９は定量ポンプ、１゜は容器、１１は超音波振動
子そして１２は超音波容器である。
式図であシ、符号１．３．４．５．８け第１図と同義で
あり、９は定量ポンプ、１゜は容器、１１は超音波振動
子そして１２は超音波容器である。
容器１０に定量ポンプ９１に用いて定まった圧力をかけ
て、アルコキシド原料を送り出す。容器１０には、主原
料となるＳｌ のアルコキシド及びドーパントとなるＧ
ｅ 等のアルコキッドを十分に混合した状態で充てんし
である。次に原料は、超音波容器１２に輸送嘔れ、超音
波振動子１１によシ霧化され、ガス導入口から導入され
た輸送ガスによって酸水素炎バーナに輸送される。原料
は、酸水素にょシ火炎加水分解てれ、微粒子を発生する
。発生した微粒子を石英ガラス種棒上に堆積烙せ、次に
電気炉中で透明ガラス化する。
て、アルコキシド原料を送り出す。容器１０には、主原
料となるＳｌ のアルコキシド及びドーパントとなるＧ
ｅ 等のアルコキッドを十分に混合した状態で充てんし
である。次に原料は、超音波容器１２に輸送嘔れ、超音
波振動子１１によシ霧化され、ガス導入口から導入され
た輸送ガスによって酸水素炎バーナに輸送される。原料
は、酸水素にょシ火炎加水分解てれ、微粒子を発生する
。発生した微粒子を石英ガラス種棒上に堆積烙せ、次に
電気炉中で透明ガラス化する。
本発明方法によれば、従来法のように塩素が多量に含有
きれることなく、しかもドーパントがドープされた光フ
アイバ用母材を製造することができる。
きれることなく、しかもドーパントがドープされた光フ
アイバ用母材を製造することができる。
以下、本発明を比較例及び実施例によシ更に具体的に説
明するが、本発明はこれらに限定されない。
明するが、本発明はこれらに限定されない。
比較例１
原料としてＳ ｉ （ＯＣ！２ Ｈ５）４、Ｇ ｅ （
００４Ｈｇ）４ を１０：１の割合で混合した液体を用
い、第２図の構成で、原料を霧化して酸水素炎バーナに
導入した。ここで、混合した液体原料を１つの容器に入
れ、同時に霧化したのは、両方の原料を均一に分布させ
るよう配慮したためである。気化された原料の場合には
、両者側々に気化させ、輸送の途中で、均一に混合させ
ることが可能でちるが、超音波によシ霧化嘔せた場合は
、輸送途中での混合は、液滴が比較的大きいこともあシ
ネ均一を招き望ましくない。
００４Ｈｇ）４ を１０：１の割合で混合した液体を用
い、第２図の構成で、原料を霧化して酸水素炎バーナに
導入した。ここで、混合した液体原料を１つの容器に入
れ、同時に霧化したのは、両方の原料を均一に分布させ
るよう配慮したためである。気化された原料の場合には
、両者側々に気化させ、輸送の途中で、均一に混合させ
ることが可能でちるが、超音波によシ霧化嘔せた場合は
、輸送途中での混合は、液滴が比較的大きいこともあシ
ネ均一を招き望ましくない。
発生した微粒子を石英ガラス種棒上に堆積させ、次にこ
れ（ｉ−Ｈｅ 雰囲気の電気炉中で１５００℃の温度で
透明ガラス化した。得られたガラスの屈折率を測定した
が、１．４５８と純５１０２ ガラスと変らずＧｅＯ２
はドーグされていないことがわかった。
れ（ｉ−Ｈｅ 雰囲気の電気炉中で１５００℃の温度で
透明ガラス化した。得られたガラスの屈折率を測定した
が、１．４５８と純５１０２ ガラスと変らずＧｅＯ２
はドーグされていないことがわかった。
同様のΦ件で作製したすすを用い、ＫＢｒと混合してベ
レットを作り、赤外吸収スペクトルを測定した。
レットを作り、赤外吸収スペクトルを測定した。
第３図に、その赤外吸収スペクトルを示す。
第３図において横軸は波長（μｍ）を縦軸は透過率（９
ｇ）を表す。第３図によれば、波長９ｐｍ、１２−５
ｐｍ 、２１．３ ｐｍ にＳｉＯの基準振動に起因す
る吸収が見られるが、特にＧ ｅ ０２ に関する吸収
は見られず、すすの段階で、既にＧｅＯ２がドープ式れ
ていないことが明らかとなった。
ｇ）を表す。第３図によれば、波長９ｐｍ、１２−５
ｐｍ 、２１．３ ｐｍ にＳｉＯの基準振動に起因す
る吸収が見られるが、特にＧ ｅ ０２ に関する吸収
は見られず、すすの段階で、既にＧｅＯ２がドープ式れ
ていないことが明らかとなった。
実施例１
原料として９９．９９９９％純度のＳ ｉ （００２Ｈ
５）４、Ｇｅ（０（４ＨＩ、）４ ’ｆ： １０ ：
１の割合で混合して比較例１と同様の操作を行った。第
４図に発生したすすをＫＢｒと混合してペレットにし、
赤外吸収スペクトルを測定した結果を示す。第４図にお
いて、横軸及び縦軸は第３図と同義である。第４図から
、ＧｅＯ２が５ｉ０２と結合を作シなから（固溶しなが
ら）ドープされていることがわかる。
５）４、Ｇｅ（０（４ＨＩ、）４ ’ｆ： １０ ：
１の割合で混合して比較例１と同様の操作を行った。第
４図に発生したすすをＫＢｒと混合してペレットにし、
赤外吸収スペクトルを測定した結果を示す。第４図にお
いて、横軸及び縦軸は第３図と同義である。第４図から
、ＧｅＯ２が５ｉ０２と結合を作シなから（固溶しなが
ら）ドープされていることがわかる。
ドープ場れていることを明確にするため比較としてＧｅ
Ｏ２粉末の赤外吸収スペクトルを第５図に示す。第５図
において、横軸及び縦軸は第３図と同義である。このＧ
ｅＯ２粉末も第２図の方法で製造されたものである。
Ｏ２粉末の赤外吸収スペクトルを第５図に示す。第５図
において、横軸及び縦軸は第３図と同義である。このＧ
ｅＯ２粉末も第２図の方法で製造されたものである。
５１０２ では波長９μｍに見られた吸収が、ＧｅＯ２
では１１．６μｍに現われ、長波長に移動している。ま
た、更に１３．４μｍ ％ １ａ５μｍに吸収が見受け
られる。
では１１．６μｍに現われ、長波長に移動している。ま
た、更に１３．４μｍ ％ １ａ５μｍに吸収が見受け
られる。
第３図と第４図で示てれた赤外吸収スペクトルにおける
差は、１１〜１２μｍ１及び１４〜１５μｍ における
透過率を比較することにより明らかである。すなわち、
第３図では（１１〜１２μｍでの透過率）＞（１４〜１
５μｍ での透過率）であったのに対して、第４図では
（１１〜１２μｍでの透過率）く（１４〜１５μｍ で
の透過率）となっている。これは、第４図に示されるよ
うに５ｉｎ２ の吸収（９μｍ ）にＧｅｍ２ の吸収
（１１，ｂｐｍ）が加わり、１１〜１２μｍの透過率の
山を引下げる働きをしたことによシ透過率の山の大小に
逆転が生じたものである。
差は、１１〜１２μｍ１及び１４〜１５μｍ における
透過率を比較することにより明らかである。すなわち、
第３図では（１１〜１２μｍでの透過率）＞（１４〜１
５μｍ での透過率）であったのに対して、第４図では
（１１〜１２μｍでの透過率）く（１４〜１５μｍ で
の透過率）となっている。これは、第４図に示されるよ
うに５ｉｎ２ の吸収（９μｍ ）にＧｅｍ２ の吸収
（１１，ｂｐｍ）が加わり、１１〜１２μｍの透過率の
山を引下げる働きをしたことによシ透過率の山の大小に
逆転が生じたものである。
更に第４図には、ＧｅＯ２の結晶に特有の吸収ピークが
見られないことから、ＧｅＯ２はＳｉｎ。
見られないことから、ＧｅＯ２はＳｉｎ。
と結合をつくり、ガラス状、微粒子となっていることが
わかる。
わかる。
次に得られた多孔質母材ｉＨｅ 算囲気下で、１５００
℃まで加熱して透明ガラス化し、石英ガラス管でジャケ
ットして光ファイバとして緑引きした。
℃まで加熱して透明ガラス化し、石英ガラス管でジャケ
ットして光ファイバとして緑引きした。
得られた光ファイバの屈折率分布の一例を第６図に示す
。第６図において、縦軸は△ｎ（％）を横軸は光ファイ
バの中心がらの距離を意味する。ジャフット管である石
英ガラスとの屈折率差（Δｎ）が約０．９％で通常のＶ
ＡＤ法と同様Ｋ Ｇ ｅ ＯＨがドープされていること
がわかる。
。第６図において、縦軸は△ｎ（％）を横軸は光ファイ
バの中心がらの距離を意味する。ジャフット管である石
英ガラスとの屈折率差（Δｎ）が約０．９％で通常のＶ
ＡＤ法と同様Ｋ Ｇ ｅ ＯＨがドープされていること
がわかる。
第７図に、得られた光７アイパ（長さ１ ｋｍ ）の光
損失（＋ｉＢ／ｋｍ ） （縦軸）と波長ｃμｍ）（横
軸）との関係のグラフを示す。波長α９５．１、２４．
１．３９ ｐｍ Ｋ、ＯＨに起因するピークが見られ
る。最低損失は１．０５ ｐｍ で５ｄＢ／ｋＩＩｌで
あった。
損失（＋ｉＢ／ｋｍ ） （縦軸）と波長ｃμｍ）（横
軸）との関係のグラフを示す。波長α９５．１、２４．
１．３９ ｐｍ Ｋ、ＯＨに起因するピークが見られ
る。最低損失は１．０５ ｐｍ で５ｄＢ／ｋＩＩｌで
あった。
以上の実施例では５ｉ（ｏａ２ａｓ）４、Ｇｏ（Ｏ１４
Ｈ６）４ｋ 用イｆｃ カ、同様１ｃ ５ｉ（ＯＯＨ３
）４とＧｅ（ＯＯＨり４あるいはａｅ（ＯＣ４Ｈｓ）４
、Ｓ ｉ （０（３，Ｈ，）４とＧ ｅ （０ＯＨ３）
４等の組合せによってもＧｅＯ２がドープされることを
確認した。他方、５ｉ（ＯＯＨ３）４とＧ ｅ （００
３Ｈ７）４．５ｉ（００２Ｈ５）４とＧ ｅ （００３
Ｈ７）４ との組合せではＧｅＯ２がドープされなかっ
た。
Ｈ６）４ｋ 用イｆｃ カ、同様１ｃ ５ｉ（ＯＯＨ３
）４とＧｅ（ＯＯＨり４あるいはａｅ（ＯＣ４Ｈｓ）４
、Ｓ ｉ （０（３，Ｈ，）４とＧ ｅ （０ＯＨ３）
４等の組合せによってもＧｅＯ２がドープされることを
確認した。他方、５ｉ（ＯＯＨ３）４とＧ ｅ （００
３Ｈ７）４．５ｉ（００２Ｈ５）４とＧ ｅ （００３
Ｈ７）４ との組合せではＧｅＯ２がドープされなかっ
た。
なぜ、以上の様なことが生じるかは、必ずしも明らかで
はないが次のように推定される。
はないが次のように推定される。
表２に代表的なアルコキシドの分子量及び粘性を示す。
表 ２
注： Ｃｐはセンチポアズ
括弧内は測定温度を示す。
表２から明らかな様に、お互いに炭素の数が等しいか近
いアルコキシド（例えばｓ １（ｏ ｒ、Ｈｓ）４とａ
ｅ（００２穐）４）は分子量、粘性共に近い値分有して
いる。ところが炭素の数が多くなるし例えばＧｅ（００
４Ｈｇ）４ ］に従い粘性、分子量共に増加する。
いアルコキシド（例えばｓ １（ｏ ｒ、Ｈｓ）４とａ
ｅ（００２穐）４）は分子量、粘性共に近い値分有して
いる。ところが炭素の数が多くなるし例えばＧｅ（００
４Ｈｇ）４ ］に従い粘性、分子量共に増加する。
超音波振動によシ液滴を発生させる場合、粘性が小石い
程、また、分子量が小さい８霧を発生させやすいことが
知られている。本実施例においてはこの効果が顕著に現
われたもので例えば、比較例１では５１（ｏＣ，馬）４
だけが選択的に霧化され、実施例２においてはｓ ｉ
（ｏｏｔＨｉ）４、Ｇｏ（００２Ｈｉ）４共に霧化され
たため各側の結果の差が生じたものと解釈することがで
きる。
程、また、分子量が小さい８霧を発生させやすいことが
知られている。本実施例においてはこの効果が顕著に現
われたもので例えば、比較例１では５１（ｏＣ，馬）４
だけが選択的に霧化され、実施例２においてはｓ ｉ
（ｏｏｔＨｉ）４、Ｇｏ（００２Ｈｉ）４共に霧化され
たため各側の結果の差が生じたものと解釈することがで
きる。
更に、炭素の数が小さい程粘性、分子量共に小さくなる
ため霧化に際して有利になることがわかる。
ため霧化に際して有利になることがわかる。
以上のことはアルコキシド、例えば５ｉ（００）１３）
４等を対象としているが、アルコキシ基ＲＯがアルキル
基Ｒ〔例えば、５ｉ（ｃａｎ）４．５ｉ（０２Ｈｓ）ｎ
、Ｇ ｅ （（！Ｈ３）４、ａｅ（ｃ４Ｈｓ）４等〕に
変っても全く同じ現象が現われた。
４等を対象としているが、アルコキシ基ＲＯがアルキル
基Ｒ〔例えば、５ｉ（ｃａｎ）４．５ｉ（０２Ｈｓ）ｎ
、Ｇ ｅ （（！Ｈ３）４、ａｅ（ｃ４Ｈｓ）４等〕に
変っても全く同じ現象が現われた。
また、日ｉ０２と０θ０２を実施例で説明してきたが、
一般に光ファイバに用いられているドーパント剤、例え
ばＡｔ、Ｐ、Ｂ、等のアルコキシド、アルキル金属につ
いても同様に原料を選択使用（Ｍ（ＯＣＨ３）ｎ％ 、
Ｍ（００ｚＨｓ）ｎ％ Ｍ（ＯＨｓ：）Ｈ％ Ｍ（Ｏｘ
Ｈｓ）ｎの中から２種以上を選択使用）することがドー
パントがドープ場れるための必須条件である。
一般に光ファイバに用いられているドーパント剤、例え
ばＡｔ、Ｐ、Ｂ、等のアルコキシド、アルキル金属につ
いても同様に原料を選択使用（Ｍ（ＯＣＨ３）ｎ％ 、
Ｍ（００ｚＨｓ）ｎ％ Ｍ（ＯＨｓ：）Ｈ％ Ｍ（Ｏｘ
Ｈｓ）ｎの中から２種以上を選択使用）することがドー
パントがドープ場れるための必須条件である。
〔発明の効果］
以上説明したように、液体アルコキシド原料を超音波振
動によって液状微粒子化（錫化）し、これを加熱源に輸
送する光フアイバ母材の製造方法においては炭素数が少
なく、しかも炭素数が近いＭ（ＯＯＨ，）ｎ若しくけＭ
（ＯＯｚＨｓ）ｎ又はＭ（ＣＨ３）ｎ若しくはＭＣ０ｘ
Ｈｓ）ｎ’を主原料及びドーパント剤として選択使用す
ることによって、初めて屈折率制御用ドーパントがドー
プされる。
動によって液状微粒子化（錫化）し、これを加熱源に輸
送する光フアイバ母材の製造方法においては炭素数が少
なく、しかも炭素数が近いＭ（ＯＯＨ，）ｎ若しくけＭ
（ＯＯｚＨｓ）ｎ又はＭ（ＣＨ３）ｎ若しくはＭＣ０ｘ
Ｈｓ）ｎ’を主原料及びドーパント剤として選択使用す
ることによって、初めて屈折率制御用ドーパントがドー
プされる。
本発明方法を適用することによυ従来法のように塩素が
多葉に含有されることなく、シかも従来と同様に屈折率
ドーパントがドープされた光フアイバ用母材を製造する
ことができる。
多葉に含有されることなく、シかも従来と同様に屈折率
ドーパントがドープされた光フアイバ用母材を製造する
ことができる。
第１図は従来のＶＡＤ法による光フアイバ母材製造方法
の模式図、第２図は本発明による超音波振動によって原
料を霧化して酸水素炎バーナに送る光フアイバ母材の製
造方法を示した装置の概要図、第３図はＳ ｉ （ＱＣ
２Ｈｓ）４、Ｇｅ（ｏｃ、ａｓ）＊を原料として発生さ
せたすすの赤外吸収スペクトル、第４図は［３１（００
，１１Ｂ）４、Ｇｅ（００２Ｈｓ）４に原料として発生
させたすすの赤外臥収スペクトル、第５図はＧｅＯ２ガ
ラス微粒子の赤外吸収スペクトル、第６図は得られた光
ファイバの屈折率分布を示す図、第７図は得られた光フ
ァイバの損失波長特性を示す図である。 １：ガス導入口、２：原料容器、３：酸水素炎バーナ、
４．ガラス微粒子、５：多孔質母材、６：石英棒、７：
排出口、８：容器、９：定量ポンプ、１０：容器、１１
：超音波振動子、１２：超音波容器 ハル 第 ６ 図 シ皮 長 （ハｒｒＬ） 第７図
の模式図、第２図は本発明による超音波振動によって原
料を霧化して酸水素炎バーナに送る光フアイバ母材の製
造方法を示した装置の概要図、第３図はＳ ｉ （ＱＣ
２Ｈｓ）４、Ｇｅ（ｏｃ、ａｓ）＊を原料として発生さ
せたすすの赤外吸収スペクトル、第４図は［３１（００
，１１Ｂ）４、Ｇｅ（００２Ｈｓ）４に原料として発生
させたすすの赤外臥収スペクトル、第５図はＧｅＯ２ガ
ラス微粒子の赤外吸収スペクトル、第６図は得られた光
ファイバの屈折率分布を示す図、第７図は得られた光フ
ァイバの損失波長特性を示す図である。 １：ガス導入口、２：原料容器、３：酸水素炎バーナ、
４．ガラス微粒子、５：多孔質母材、６：石英棒、７：
排出口、８：容器、９：定量ポンプ、１０：容器、１１
：超音波振動子、１２：超音波容器 ハル 第 ６ 図 シ皮 長 （ハｒｒＬ） 第７図
Claims (1)
- １．２種類以上の液体状アルコキシド又はアルキル金属
を出発原料とし、上記液体状アルコキシド又はアルキル
金属を超音波振動によって霧状となして反応部へ輸送し
、火炎加水分解反応によってガラス微粒子を合成し、該
ガラス微粒子を付着堆積して多孔質母材を形成し、その
後焼結透明化する光フアイバ母材の製造方法において、
該出発原料として、式Ｍ（ＯＣＨ３）ｎ及びＭ（００，
Ｈ５）ｎ（式中Ｍは日１、Ｇθ、Ａｔ、Ｐ若しくはＢを
示し、ｎは整数である）で表される化合物よシなる群か
ら選択した少なくとも２種類のアルコキシド（但し、Ｍ
の少なくとも１種はＳｌである）、あるいは弐Ｍ（ＣＨ
３）ｎ及びＭ（ＯｚＨｓ）ｎＣＣ式中尺びｎは前記と同
義である）で表される化合物よシなる群から選択した少
なくとも２種類のアルキル金属（但し、Ｍの少なくとも
１種は日１である）を用いることを特徴とする光フアイ
バ母材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21320283A JPS60108338A (ja) | 1983-11-15 | 1983-11-15 | 光フアイバ母材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21320283A JPS60108338A (ja) | 1983-11-15 | 1983-11-15 | 光フアイバ母材の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60108338A true JPS60108338A (ja) | 1985-06-13 |
Family
ID=16635222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21320283A Pending JPS60108338A (ja) | 1983-11-15 | 1983-11-15 | 光フアイバ母材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60108338A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01145345A (ja) * | 1987-11-30 | 1989-06-07 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 光ファイバ用無塩素ガラスの製造方法 |
| EP0529189A2 (en) * | 1991-08-26 | 1993-03-03 | Corning Incorporated | Method of making fused silica |
| EP0709487A1 (en) * | 1994-10-31 | 1996-05-01 | AT&T Corp. | Aerosol process for the manufacture of planar waveguides |
| WO1996023564A1 (de) * | 1995-01-31 | 1996-08-08 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren und vorrichtung zur überführung eines flüssigkeitsstromes in einen gasstrom |
| EP0689618A4 (en) * | 1993-03-24 | 1998-01-21 | Georgia Tech Res Inst | METHOD AND DEVICE FOR COMBUSTION CVD OF FILMS AND COATINGS |
| EP0946436A1 (en) * | 1996-12-16 | 1999-10-06 | Corning Incorporated | Organometallics for lightwave optical circuit applications |
| US5979185A (en) * | 1997-07-16 | 1999-11-09 | Corning Incorporated | Method and apparatus for forming silica by combustion of liquid reactants using a heater |
| JP2000502040A (ja) * | 1995-12-19 | 2000-02-22 | コーニング インコーポレイテッド | 液状反応物の燃焼により溶融シリカを作成する方法および装置 |
| EP1067595A2 (en) * | 1999-07-08 | 2001-01-10 | Air Products And Chemicals, Inc. | Liquid precursor mixtures for deposition of multicomponent metal containing materials |
| US6214473B1 (en) | 1998-05-13 | 2001-04-10 | Andrew Tye Hunt | Corrosion-resistant multilayer coatings |
| EP1146141A2 (en) * | 2000-04-10 | 2001-10-17 | Air Products And Chemicals, Inc. | Liquid precursor mixtures for deposition of multicomponent metal containing materials |
| US6312656B1 (en) | 1995-12-19 | 2001-11-06 | Corning Incorporated | Method for forming silica by combustion of liquid reactants using oxygen |
| WO2004065314A1 (de) * | 2003-01-24 | 2004-08-05 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur herstellung von synthetischem quarzglas |
| CN107663010A (zh) * | 2016-07-29 | 2018-02-06 | 信越化学工业株式会社 | 光纤用玻璃母材的制造方法 |
-
1983
- 1983-11-15 JP JP21320283A patent/JPS60108338A/ja active Pending
Cited By (20)
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| US6214473B1 (en) | 1998-05-13 | 2001-04-10 | Andrew Tye Hunt | Corrosion-resistant multilayer coatings |
| EP1067595A3 (en) * | 1999-07-08 | 2002-01-16 | Air Products And Chemicals, Inc. | Liquid precursor mixtures for deposition of multicomponent metal containing materials |
| EP1067595A2 (en) * | 1999-07-08 | 2001-01-10 | Air Products And Chemicals, Inc. | Liquid precursor mixtures for deposition of multicomponent metal containing materials |
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| JP2002146532A (ja) * | 2000-04-10 | 2002-05-22 | Air Products & Chemicals Inc | 多成分金属含有物質の堆積のため液体前駆体混合物 |
| KR100399478B1 (ko) * | 2000-04-10 | 2003-09-29 | 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드 | 다성분 금속 함유 재료 증착용 액상 전구체 혼합물 |
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