JPS6047199U - 表示用半導体記憶装置 - Google Patents

表示用半導体記憶装置

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JPS6047199U
JPS6047199U JP11982784U JP11982784U JPS6047199U JP S6047199 U JPS6047199 U JP S6047199U JP 11982784 U JP11982784 U JP 11982784U JP 11982784 U JP11982784 U JP 11982784U JP S6047199 U JPS6047199 U JP S6047199U
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JP
Japan
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display
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gate
transistor
inverter
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JP11982784U
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JPS6041039Y2 (ja
Inventor
陽一 今村
Original Assignee
セイコーエプソン株式会社
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は、従来のW素子RAMセルを示した図。第2図
り、本考案の7素子RAMセルを含む表示体駆動回路の
ブロック図。1. 2. 13. 18はインバータ。 3はI10バッファ、4は入出力制御回路、5は列選択
回路、6はRAM制御回  −路、7は列アドレスデコ
ーダ、8は行アドレスデコーダ、9は表示タイミング発
生回路、10は表示周行アドレスデ西−ダ、12はAN
D回路、1 −4は表示用出力制御回路、15は表示体
ドらイバ、16は平板型表示体、17.18はトライス
テートインバータ、Cは本考案の7素子RAMセルであ
る。    ・ WL        −−−− 1 帽 1λ 4 3 W −D%N 9ら

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 逆接続された2つのインバータよりなる2安定記憶素子
    の2つのドレイン出力を第1及び第2のビット線に伝達
    する第1と第2のゲートトランジスタより構成されるス
    タチックメモリセルよりなる表示用半導体記憶装置にお
    いて、前記スタチックメモリセルは行と列に配列され、
    前記第1と第2ゲートトランジスタは第1のワード選択
    線によ・   り第1及び第2のビット線に同時に前記
    2安定記憶素子のデータが読み出され、前記2つのドレ
    イン出力の一方のドレイン出力に第3のゲートトランジ
    スタを接続し、前記第3のゲートトランジスタのゲート
    には第2のワード選択線の信号が入力し表示のための第
    3のビット線に読み出され、前記第2のワード選択線は
    同一列に共通に入力され、前記第3のビット線は第1の
    トライステートインバータに入力し、前記第3のピッ1
    線と第1の電源の間に前記第3のビット線をセンスする
    ための第4のトランジスタが挿入され、前記4のトー 
     ランジスタのゲートには前記第1のトライステートイ
    ンバータ出力の信号が入力し、かつ互いに逆接続された
    第1のインバータと第2のトライステアトインバータよ
    りなる閉回路に前記第1のトライステートインバータ出
    力を入力し、前記第1と第2のトライステートインバー
    タのゲート開閉クロックは表示用アドレス信号と同期し
    ており、前記同一列のデータが同時に表示体ドライバー
    に出力し表示体に表示されることを特徴とする表示用半
    導体記憶装置。
JP11982784U 1984-08-02 1984-08-02 表示用半導体記憶装置 Expired JPS6041039Y2 (ja)

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JP11982784U JPS6041039Y2 (ja) 1984-08-02 1984-08-02 表示用半導体記憶装置

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JPS6047199U true JPS6047199U (ja) 1985-04-03
JPS6041039Y2 JPS6041039Y2 (ja) 1985-12-12

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JPS6041039Y2 (ja) 1985-12-12

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