JPS6046913A - 二酸化硅素薄膜の微細加工法 - Google Patents
二酸化硅素薄膜の微細加工法Info
- Publication number
- JPS6046913A JPS6046913A JP15303783A JP15303783A JPS6046913A JP S6046913 A JPS6046913 A JP S6046913A JP 15303783 A JP15303783 A JP 15303783A JP 15303783 A JP15303783 A JP 15303783A JP S6046913 A JPS6046913 A JP S6046913A
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- JP
- Japan
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- thin film
- silicon dioxide
- dioxide thin
- etchant
- aqueous solution
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、集積回路製造工程に用いる二酸化硅素薄膜の
微細加工法に関するものである。
微細加工法に関するものである。
（従来例の構成とその問題点ン
第１図および第２図に基づいて、従来の二酸化硅素薄膜
の微細加工法を説明する。第１図は走査形電子顕微鏡（
ＳＥＭ）で見た二酸化硅素薄膜の断面を示す。■は基板
、２は微細加工を施すべき二酸化硅素（Ｓ １０２ ）
膜、３はレジスト膜、４は微細加工された二酸化硅素（
Ｓ １０２ ）膜である。二酸化硅素薄膜の微細加工は
、次の手順でなされる。すなわち、第１図で示すように
、二酸化硅素薄膜の上にレノスト・／ぞターンをフォト
・リン法で形成する。つぎに腐蝕液で二酸化硅素薄膜を
削ると、第２図に示すようになる。
の微細加工法を説明する。第１図は走査形電子顕微鏡（
ＳＥＭ）で見た二酸化硅素薄膜の断面を示す。■は基板
、２は微細加工を施すべき二酸化硅素（Ｓ １０２ ）
膜、３はレジスト膜、４は微細加工された二酸化硅素（
Ｓ １０２ ）膜である。二酸化硅素薄膜の微細加工は
、次の手順でなされる。すなわち、第１図で示すように
、二酸化硅素薄膜の上にレノスト・／ぞターンをフォト
・リン法で形成する。つぎに腐蝕液で二酸化硅素薄膜を
削ると、第２図に示すようになる。
従来、この腐蝕液としては、弗化アンモノ（ＮＨ，Ｆ）
の水溶液と弗化水素酸の混液からなる緩衝液が使用され
る。この二酸化硅素薄膜を腐蝕する際、第２図のＬに示
されるような望ましくない横方向の腐蝕、すなわち、サ
イド・エツチングが生じる。
の水溶液と弗化水素酸の混液からなる緩衝液が使用され
る。この二酸化硅素薄膜を腐蝕する際、第２図のＬに示
されるような望ましくない横方向の腐蝕、すなわち、サ
イド・エツチングが生じる。
この現象は、二酸化硅素薄膜に蝕刻すべき・ぞターンの
最小寸法を制約し、また第２図で示す状態において、し
ばしばレジスト膜３が、飛散してしまう事態も起こる。
最小寸法を制約し、また第２図で示す状態において、し
ばしばレジスト膜３が、飛散してしまう事態も起こる。
このように、従来の二酸化硅素薄膜の微細加工法では、
サイド・エツチング量が大きいという問題点が１＝りた
。
サイド・エツチング量が大きいという問題点が１＝りた
。
（発明の目的）
本発明の目的は、従来の欠点であったサイド・エツチン
グ量を小さくすることを可能とする二酸化硅素薄膜の微
細加工法を提供することである。
グ量を小さくすることを可能とする二酸化硅素薄膜の微
細加工法を提供することである。
（発明の構成）
本発明の二酸化硅素薄膜の微細加工法は、弗化水素（Ｈ
Ｆ ）酸水溶液と、弗化アンモノ（ＮＨ４Ｆ）水溶液の
混液に、α−ナフタリン・モノス）Ｉｉ−７、ｌン酸ソ
ーダ（Ｃ１ｏＨ，５Ｏ６Ｎａ）を添加、溶解せしめた腐
蝕液を用いて、二酸化硅素薄膜を微細加工するものでア
ク、これにより、サイド・エツチング量が非常に小さく
なるものである。
Ｆ ）酸水溶液と、弗化アンモノ（ＮＨ４Ｆ）水溶液の
混液に、α−ナフタリン・モノス）Ｉｉ−７、ｌン酸ソ
ーダ（Ｃ１ｏＨ，５Ｏ６Ｎａ）を添加、溶解せしめた腐
蝕液を用いて、二酸化硅素薄膜を微細加工するものでア
ク、これにより、サイド・エツチング量が非常に小さく
なるものである。
（実施例の説明）
本発明の実施例を次の表および第１図に基づいて説明す
る。
る。
表
＋比較例
表は実験例の結果であって、すべてのロットは次のよう
にして実験された。
にして実験された。
まず、日本シリコ／（Ｋ、に、）製砂素基板を発煙硝酸
に浸漬、そのあと水洗、乾燥させる。次に国際電気（Ｋ
、に、）製ＣＶＤ装置ＤＪ−８３００で二酸化硅素薄膜
を、前記基板に約６０００Ｘ沈積させる。
に浸漬、そのあと水洗、乾燥させる。次に国際電気（Ｋ
、に、）製ＣＶＤ装置ＤＪ−８３００で二酸化硅素薄膜
を、前記基板に約６０００Ｘ沈積させる。
つぎに、東京応化（Ｋ、に、）製ボッ型しジス） ０Ｆ
ＰＲ−８００で、レジスト膜の・ぐターンを、その二酸
化硅素薄膜上に、第１図で示すように形成する。同図に
おいて、Ｂ、Ｃの寸法はともにほぼ２μｍとした。
ＰＲ−８００で、レジスト膜の・ぐターンを、その二酸
化硅素薄膜上に、第１図で示すように形成する。同図に
おいて、Ｂ、Ｃの寸法はともにほぼ２μｍとした。
つぎに、市販の特級弗化アンモノ（ＮＨ４Ｆ）の４０Ｗ
１０水溶液を作り、これと市販の特級弗化水素酸を、容
積比で５＝１となるような緩衝液を作った。
１０水溶液を作り、これと市販の特級弗化水素酸を、容
積比で５＝１となるような緩衝液を作った。
表のロット番号１は、従来法に対応するものであり、前
記緩衝液を腐蝕液としたものである。
記緩衝液を腐蝕液としたものである。
ロット番号２は１０００ｃｃの前記緩衝液に、α−ナフ
タリン・モノスルフオン酸ソーダ（Ｃ１ｏＨ７ＳＯｓ、
Ｎ ａ ）を０．０２！ｙｒ添加したものを腐蝕液とし
た結果である。サイド・エツチング量の欄には、腐蝕が
進行して、基板の硅素面が露出した時点での、断面のＳ
ＥＭ写真から測定した結果が記入しである。
タリン・モノスルフオン酸ソーダ（Ｃ１ｏＨ７ＳＯｓ、
Ｎ ａ ）を０．０２！ｙｒ添加したものを腐蝕液とし
た結果である。サイド・エツチング量の欄には、腐蝕が
進行して、基板の硅素面が露出した時点での、断面のＳ
ＥＭ写真から測定した結果が記入しである。
前記時点は、これらの腐蝕液が、二酸化硅素は濡らすが
、硅素には撥水現象を起こすことから、あらかじめ実験
して決定しておいた。
、硅素には撥水現象を起こすことから、あらかじめ実験
して決定しておいた。
表から明らか々ように、α−ナフタリン・モノスルフオ
ン酸ソーダ（Ｃ１ｏＨ７ＳＯ３Ｎａ）の緩衝液への添加
は、サイド・エツチング量を小さくすることがわかる。
ン酸ソーダ（Ｃ１ｏＨ７ＳＯ３Ｎａ）の緩衝液への添加
は、サイド・エツチング量を小さくすることがわかる。
（発明の効果）
本発明によれば、弗化水素酸水溶液と、弗化アンモノ水
溶液との混液に、α−ナフタリン・モノスルフオン酸ソ
ーダを添加した腐蝕液を用いることにより、二酸化硅素
薄膜の微細加工においては、サイド・エツチング量の小
さい蝕刻が得られる効果がある。
溶液との混液に、α−ナフタリン・モノスルフオン酸ソ
ーダを添加した腐蝕液を用いることにより、二酸化硅素
薄膜の微細加工においては、サイド・エツチング量の小
さい蝕刻が得られる効果がある。
第１図および第２図は二酸化硅素の微細加工を説明する
だめの構成断面図である。 ■・・・基板、２・・・二酸化硅素薄膜、３・・・レジ
スト膜、４・・・微細加工された二酸化硅素薄膜。 特許出願人 松下電器産業株式会社 代理人星 野 恒 司 第１図 第２図
だめの構成断面図である。 ■・・・基板、２・・・二酸化硅素薄膜、３・・・レジ
スト膜、４・・・微細加工された二酸化硅素薄膜。 特許出願人 松下電器産業株式会社 代理人星 野 恒 司 第１図 第２図
Claims (1)
- 弗化水素酸水溶液と弗化アンモノ水溶液の混液に、α−
ナフタリン・モノスルフオン酸ソーダ（Ｃ，ｏＨ，５ｏ
５Ｎ＆）を添加、溶解せしめた腐蝕液を用いて、二酸化
硅素薄膜を腐蝕することを特徴とする二酸化硅素薄膜の
微細加工法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15303783A JPS6046913A (ja) | 1983-08-24 | 1983-08-24 | 二酸化硅素薄膜の微細加工法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15303783A JPS6046913A (ja) | 1983-08-24 | 1983-08-24 | 二酸化硅素薄膜の微細加工法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6046913A true JPS6046913A (ja) | 1985-03-14 |
Family
ID=15553590
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15303783A Pending JPS6046913A (ja) | 1983-08-24 | 1983-08-24 | 二酸化硅素薄膜の微細加工法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6046913A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014024737A1 (en) * | 2012-08-10 | 2014-02-13 | Fujifilm Corporation | Method of producing semiconductor substrate product and etching liquid |
-
1983
- 1983-08-24 JP JP15303783A patent/JPS6046913A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014024737A1 (en) * | 2012-08-10 | 2014-02-13 | Fujifilm Corporation | Method of producing semiconductor substrate product and etching liquid |
| EP2883241A4 (en) * | 2012-08-10 | 2016-03-23 | Fujifilm Corp | PROCESS FOR PRODUCING A PRODUCT COMPRISING A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND ETCHING LIQUID |
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