JPS604589B2 - 半導体ウエハの加熱処理方法 - Google Patents
半導体ウエハの加熱処理方法Info
- Publication number
- JPS604589B2 JPS604589B2 JP595474A JP595474A JPS604589B2 JP S604589 B2 JPS604589 B2 JP S604589B2 JP 595474 A JP595474 A JP 595474A JP 595474 A JP595474 A JP 595474A JP S604589 B2 JPS604589 B2 JP S604589B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- furnace
- heat treatment
- wafer
- oxidation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体ウェハの加熱処理方法に関するものであ
る。
る。
従来、半導体ウェハの拡散又は酸化をする場合にはそれ
に使用する加熱炉を一定の拡散又は酸化可能の温度に加
熱していたが、か）る方法ではウェハの加熱炉への出し
入れや、その出し入れの速度に左右されて、必ずしも全
部のゥェハを一定時間、一定温度に加熱することは不可
能であった。
に使用する加熱炉を一定の拡散又は酸化可能の温度に加
熱していたが、か）る方法ではウェハの加熱炉への出し
入れや、その出し入れの速度に左右されて、必ずしも全
部のゥェハを一定時間、一定温度に加熱することは不可
能であった。
特に大口蓬ゥェハになるにつれて、ゥェハの挿入及び取
り出しの場合はその移動速度を小さくしなければ温度差
の発生によりウェハが変形する。そのため移動速度を小
さくすると、治具に多数並べた先端部にあるウヱハと後
端部にあるゥェハとでは加熱炉内の均熱部での滞在時間
が大きく異なることになって拡散層および酸化層のバラ
ッキが生ずるという欠点がある。また、大量の大口径ウ
ェハを一挙に処理せんとする場合には、炉内温度の平衡
状態がくずれ、再び回復するまでに長時間か）る上に、
拡散および酸化のバラッキが生ずるという問題があった
。
り出しの場合はその移動速度を小さくしなければ温度差
の発生によりウェハが変形する。そのため移動速度を小
さくすると、治具に多数並べた先端部にあるウヱハと後
端部にあるゥェハとでは加熱炉内の均熱部での滞在時間
が大きく異なることになって拡散層および酸化層のバラ
ッキが生ずるという欠点がある。また、大量の大口径ウ
ェハを一挙に処理せんとする場合には、炉内温度の平衡
状態がくずれ、再び回復するまでに長時間か）る上に、
拡散および酸化のバラッキが生ずるという問題があった
。
そこで本発明はか）る欠点を解消することをねらって成
されたものである。本発明の目的は常に一定条件下でゥ
ェハの拡散、酸化を行うところにある。
されたものである。本発明の目的は常に一定条件下でゥ
ェハの拡散、酸化を行うところにある。
本発明はか）る目的を達成するために、その構成を複数
枚の半導体ウェハを加熱炉内において加熱処理する方法
において、上記加熱炉全体を上記所定の加熱処理に必要
な温度以下の温度に加熱する工程、上記加熱された加熱
炉中に上記複数のウェハを挿入する工程、上記加熱炉全
体の温度を上記所定の加熱処理に必要な温度にまで上昇
する工程、上記上昇した温度を一定時間給持し、上記複
数のウェハに所定の加熱処理を施す工程、上記加熱炉全
体の温度を上記所定の加熱処理に必要な温度以下に下げ
る工程、上記温度が下げられた加熱炉中より上記複数の
半導体ゥヱハを取り出す工程、より成るようにしたもの
であり、その結果以下の効果が得られる。
枚の半導体ウェハを加熱炉内において加熱処理する方法
において、上記加熱炉全体を上記所定の加熱処理に必要
な温度以下の温度に加熱する工程、上記加熱された加熱
炉中に上記複数のウェハを挿入する工程、上記加熱炉全
体の温度を上記所定の加熱処理に必要な温度にまで上昇
する工程、上記上昇した温度を一定時間給持し、上記複
数のウェハに所定の加熱処理を施す工程、上記加熱炉全
体の温度を上記所定の加熱処理に必要な温度以下に下げ
る工程、上記温度が下げられた加熱炉中より上記複数の
半導体ゥヱハを取り出す工程、より成るようにしたもの
であり、その結果以下の効果が得られる。
【１１ ウェハの加熱炉への出し入れ速度やウェハの処
理量、ウェハの形状等に左右されずに均一な熱処理がで
きる。
理量、ウェハの形状等に左右されずに均一な熱処理がで
きる。
（２｝ ゥェハの出し入れ時の炉内温度は拡散、酸化温
度以下にしているためにそれらの時間のずれが少し位あ
っても同一条件下で処理ができる。
度以下にしているためにそれらの時間のずれが少し位あ
っても同一条件下で処理ができる。
（３｝ 常に一定条件下でゥェハを加熱処理できるので
、均質の拡散、酸化したウヱハを得ることができる。以
下にその実施の態様を添付図面にもとずき説明する。
、均質の拡散、酸化したウヱハを得ることができる。以
下にその実施の態様を添付図面にもとずき説明する。
先ず、従来の加熱方法を第１図に示したが、酸化又は拡
散温度Ｔを炉内の一定温度として設定しておき、か）る
温度においてＡの時点でゥェハを炉に挿入すると、その
挿入の影響をうけて炉内温度が図示せるごと〈一時的に
変動し、しかる後所定温度にて加熱され、Ｂの時点で炉
からウェハを取り出す。かくして一応所定温度に加熱さ
れることになる。一方、本発明は第２図に示すごとく、
拡散又は酸化せんとするウェハを加熱炉内に挿入して処
理するに際し、予め、炉内温度を時間の経過と共に第２
図に示す温度変化を呈するようにプログラムに組んでお
く、即ち、炉内温度を二段に設定し、Ｔ，は酸化又は拡
散温度よりも低い温度とし、Ｔ２は所望の酸化又は拡散
温度とする。
散温度Ｔを炉内の一定温度として設定しておき、か）る
温度においてＡの時点でゥェハを炉に挿入すると、その
挿入の影響をうけて炉内温度が図示せるごと〈一時的に
変動し、しかる後所定温度にて加熱され、Ｂの時点で炉
からウェハを取り出す。かくして一応所定温度に加熱さ
れることになる。一方、本発明は第２図に示すごとく、
拡散又は酸化せんとするウェハを加熱炉内に挿入して処
理するに際し、予め、炉内温度を時間の経過と共に第２
図に示す温度変化を呈するようにプログラムに組んでお
く、即ち、炉内温度を二段に設定し、Ｔ，は酸化又は拡
散温度よりも低い温度とし、Ｔ２は所望の酸化又は拡散
温度とする。
即ち、ウェハの炉内への挿入時点Ａ、および炉からの取
り出しの時点をＢとし、炉内での酸化又は拡散は温度Ｔ
２にて所定時間行うごとくプログラム加熱する。先ず、
炉内温度を酸化又は拡散温度Ｔ２より小さい温度Ｔ，に
しておき、その温度状態に炉内温度を設定しておいて、
Ａの時点で炉内にウェハを挿入する。
り出しの時点をＢとし、炉内での酸化又は拡散は温度Ｔ
２にて所定時間行うごとくプログラム加熱する。先ず、
炉内温度を酸化又は拡散温度Ｔ２より小さい温度Ｔ，に
しておき、その温度状態に炉内温度を設定しておいて、
Ａの時点で炉内にウェハを挿入する。
しかしてその影響による炉内温度の一時的変動が生ずる
が、この時の温度は酸化、拡散温度以下であるので酸化
、拡散の影響はない。次いで所定の時点に於て炉内温度
をＴ２まで上昇させて一定時間酸化又は拡散温度に維持
し、酸化又は拡散の終了した時点で先のＴ，まで炉内温
度を下げてからＢの時点で該ゥェハを炉から取り出すこ
とにより所定の酸化又は拡散がなされる。か）る構成か
らなる本発明は、特にプログラム加熱を採用し、ゥェハ
の出し入れ時の炉内温度を拡散、酸化温度より低い温度
に設定し、炉内の温度が所定の温度になった後、拡散、
酸化のための温度まで炉内温度を上昇させるために、ウ
ェハの出し入れに伴なつてウェハにより拡散、酸化の処
理条件がばらつくことはなくなる。なお、前記Ｔ，は酸
化又は拡散温度Ｌより低い領域ならどこでウェハを出し
入れしてもよく、また拡散、酸化その他半導体ウェハの
熱処理についても利用できることは勿論である。
が、この時の温度は酸化、拡散温度以下であるので酸化
、拡散の影響はない。次いで所定の時点に於て炉内温度
をＴ２まで上昇させて一定時間酸化又は拡散温度に維持
し、酸化又は拡散の終了した時点で先のＴ，まで炉内温
度を下げてからＢの時点で該ゥェハを炉から取り出すこ
とにより所定の酸化又は拡散がなされる。か）る構成か
らなる本発明は、特にプログラム加熱を採用し、ゥェハ
の出し入れ時の炉内温度を拡散、酸化温度より低い温度
に設定し、炉内の温度が所定の温度になった後、拡散、
酸化のための温度まで炉内温度を上昇させるために、ウ
ェハの出し入れに伴なつてウェハにより拡散、酸化の処
理条件がばらつくことはなくなる。なお、前記Ｔ，は酸
化又は拡散温度Ｌより低い領域ならどこでウェハを出し
入れしてもよく、また拡散、酸化その他半導体ウェハの
熱処理についても利用できることは勿論である。
第１図は従来の均一加熱法による時間一温度曲線を示し
、第２図は本発明にか）る加熱プログラム曲線を示す。 Ａ・・・・・・ウェハの炉内への挿入時点、Ｂ・・・・
・・ウェハの炉からの取出し時点、Ｔ，Ｔ２…・・・酸
化、拡散温度、Ｔ，……ウェハの炉からの出し入れ温度
。第１図 第２図
、第２図は本発明にか）る加熱プログラム曲線を示す。 Ａ・・・・・・ウェハの炉内への挿入時点、Ｂ・・・・
・・ウェハの炉からの取出し時点、Ｔ，Ｔ２…・・・酸
化、拡散温度、Ｔ，……ウェハの炉からの出し入れ温度
。第１図 第２図
Claims (1)
- １ 複数枚の半導体ウエハを加熱炉内において加熱処理
する方法において、上記加熱炉全体を上記所定の加熱処
理に必要な温度以下の温度に加熱する工程、上記加熱さ
れた加熱炉中に上記複数のウエハを挿入する工程、上記
加熱炉全体の温度を上記所定の加熱処理に必要な温度に
まで上昇する工程、上記上昇した温度を一定時間維持し
、上記複数のウエハに所定の加熱処理を施す工程、上記
加熱炉全体の温度を上記所定の加熱処理に必要な温度以
下に下げる工程、上記温度が下げられた加熱炉中より上
記複数の半導体ウエハを取り出す工程、より成ることを
特徴とする半導体ウエハの加熱処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP595474A JPS604589B2 (ja) | 1974-01-11 | 1974-01-11 | 半導体ウエハの加熱処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP595474A JPS604589B2 (ja) | 1974-01-11 | 1974-01-11 | 半導体ウエハの加熱処理方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23321685A Division JPS6193620A (ja) | 1985-10-21 | 1985-10-21 | 半導体ウエハの加熱処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS50103271A JPS50103271A (ja) | 1975-08-15 |
| JPS604589B2 true JPS604589B2 (ja) | 1985-02-05 |
Family
ID=11625273
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP595474A Expired JPS604589B2 (ja) | 1974-01-11 | 1974-01-11 | 半導体ウエハの加熱処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS604589B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0444638Y2 (ja) * | 1986-11-13 | 1992-10-21 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6193620A (ja) * | 1985-10-21 | 1986-05-12 | Hitachi Ltd | 半導体ウエハの加熱処理方法 |
| JPH03212933A (ja) * | 1990-01-18 | 1991-09-18 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理方法 |
-
1974
- 1974-01-11 JP JP595474A patent/JPS604589B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0444638Y2 (ja) * | 1986-11-13 | 1992-10-21 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS50103271A (ja) | 1975-08-15 |
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