JPS6045227A - エレクトロクロミツク素子の製造方法 - Google Patents
エレクトロクロミツク素子の製造方法Info
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- JPS6045227A JPS6045227A JP58153422A JP15342283A JPS6045227A JP S6045227 A JPS6045227 A JP S6045227A JP 58153422 A JP58153422 A JP 58153422A JP 15342283 A JP15342283 A JP 15342283A JP S6045227 A JPS6045227 A JP S6045227A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrochromic
- layer
- electrode
- substrate
- glow discharge
- Prior art date
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/15—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect
- G02F1/1514—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material
- G02F1/1523—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material comprising inorganic material
- G02F1/1524—Transition metal compounds
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電気化学的発消色現象、即ち、エレクトロク
コミック現象を応用した素子を製造する方法に関するも
の・で、特にこのようなエレクトロクロミック素子にお
けるエレクトロクロミック層のパターニングに関するも
のである。
コミック現象を応用した素子を製造する方法に関するも
の・で、特にこのようなエレクトロクロミック素子にお
けるエレクトロクロミック層のパターニングに関するも
のである。
エレクトロクロミック現象を利用した全固体型エレクト
ロクロミック素子の２つの従来例を第１図および第２図
に示す。
ロクロミック素子の２つの従来例を第１図および第２図
に示す。
第１図に示すエレクトロクロミック素子は、透明な基板
ｌの上に、透明導電体膜よりなる第１電極２、陰極側発
色層であるエレクトロクロミック層３、絶縁層４、導電
体膜より成る第２電極５を順次積層してなるものである
。また、第２図に示すエレクトロクロミック素子は、第
１図に示す構造における絶縁層４と：ＪＳ２電極５との
間に、さらに、陽極側発色層である第２のエレクトロク
ロミック層６を積層したものである。
ｌの上に、透明導電体膜よりなる第１電極２、陰極側発
色層であるエレクトロクロミック層３、絶縁層４、導電
体膜より成る第２電極５を順次積層してなるものである
。また、第２図に示すエレクトロクロミック素子は、第
１図に示す構造における絶縁層４と：ＪＳ２電極５との
間に、さらに、陽極側発色層である第２のエレクトロク
ロミック層６を積層したものである。
上記の構造において、基板１は一般的にカラス板によっ
て形成されるが、これはガラス板に限らず、プラスチッ
ク板またはアクリル板等の如く無色透明な板であればよ
く、また、その位置に関しても、第１電極２の下ではな
く第２電極５の」二に設けてもよいし、１：１的に応じ
て（例えば、保護カバーにするなどの目的で）両側に設
けてもよい。電極２および５に関しても、どちらか−力
の′電極が透明であればよいし、両側か透明であれば透
過型の素子ができる。
て形成されるが、これはガラス板に限らず、プラスチッ
ク板またはアクリル板等の如く無色透明な板であればよ
く、また、その位置に関しても、第１電極２の下ではな
く第２電極５の」二に設けてもよいし、１：１的に応じ
て（例えば、保護カバーにするなどの目的で）両側に設
けてもよい。電極２および５に関しても、どちらか−力
の′電極が透明であればよいし、両側か透明であれば透
過型の素子ができる。
」−記の全固体型エレクトロクロミンク素子に一般的に
用いられている１１りの材料の代表例を列挙する。第１
電極２を構成する透明導電膜としては、ＩＴＯ膜（酸化
インジウムＩｎ２Ｏ３中に酸化錫５ｎ０２をドープした
もの）やネサ１模等が用いられる。
用いられている１１りの材料の代表例を列挙する。第１
電極２を構成する透明導電膜としては、ＩＴＯ膜（酸化
インジウムＩｎ２Ｏ３中に酸化錫５ｎ０２をドープした
もの）やネサ１模等が用いられる。
陰極側発色層であるエレクトロクロミック層３は、二酸
化タングステン（ＷＯ２）、二酸化タングステン（ｗｏ
３’）、二酸化モリブテン（Ｍ００□）、五酸化モリブ
テン（Ｍ２Ｏ３）、五酸化バナジウム（Ｖ２Ｏ３）等を
用いて形成する。
化タングステン（ＷＯ２）、二酸化タングステン（ｗｏ
３’）、二酸化モリブテン（Ｍ００□）、五酸化モリブ
テン（Ｍ２Ｏ３）、五酸化バナジウム（Ｖ２Ｏ３）等を
用いて形成する。
絶縁層４には、二酸化ジルコン（Ｚｒ０２ ） 、酸化
ケイ素（ＳｉＯ） 、二酸化ケイ素（Ｓｉ０２ ） 、
五酸化タンタル（Ｔａ２０５ ）等に代表される酸化物
、あるいはフッ化リチウム（ＬｉＦ） 、フ・ン化マグ
ネシウム（ＭｇＦ２） ４に代表されるフッ化物か用い
られるが、この絶縁層は誘電体のみでなく、固体電解質
等のようなものでよい。
ケイ素（ＳｉＯ） 、二酸化ケイ素（Ｓｉ０２ ） 、
五酸化タンタル（Ｔａ２０５ ）等に代表される酸化物
、あるいはフッ化リチウム（ＬｉＦ） 、フ・ン化マグ
ネシウム（ＭｇＦ２） ４に代表されるフッ化物か用い
られるが、この絶縁層は誘電体のみでなく、固体電解質
等のようなものでよい。
第２電極５には、例えばＡｕの半透明導電膜が使用され
る。また、第２図に示すものにおいて、陽極側発色層で
ある第２エレクトロクロミック層６は、三酸化クロム（
Ｃｒ２’３） 、水酸化イリジウム （Ｉｒ（０）１ｈ
） 、水酸化ニッケル（Ｎｉ（ＯＨｈ ）等を用いて
形成する。
る。また、第２図に示すものにおいて、陽極側発色層で
ある第２エレクトロクロミック層６は、三酸化クロム（
Ｃｒ２’３） 、水酸化イリジウム （Ｉｒ（０）１ｈ
） 、水酸化ニッケル（Ｎｉ（ＯＨｈ ）等を用いて
形成する。
この様な構造をもつ全固体型エレクトロクロミック素子
は、第１電４ｆＡ２と第２電極５の間に電圧を印加する
ことにより電気化学的反応が起き着色、消色をする。こ
の着色機構は、例えば、ｉｆのエレクトロクコミック層
３へのカチオンと′電子のタプルインジェクションによ
るブロンズ形成にあると一般的にＪわれでいる。例えば
、そのエレクトロクロミック物質にＷＯ３を用いる場合
には、次の（１）式で表わされる耐化還元反応が起き着
色する。
は、第１電４ｆＡ２と第２電極５の間に電圧を印加する
ことにより電気化学的反応が起き着色、消色をする。こ
の着色機構は、例えば、ｉｆのエレクトロクコミック層
３へのカチオンと′電子のタプルインジェクションによ
るブロンズ形成にあると一般的にＪわれでいる。例えば
、そのエレクトロクロミック物質にＷＯ３を用いる場合
には、次の（１）式で表わされる耐化還元反応が起き着
色する。
ＷＯ３＋ ｘＨ” ＋ ｘｅ−４： Ｈ２Ｏ２（１）（
］）式に従って、タングステンブロンスＨｘＷＯ３か形
成され着色するが、ここで、印加電圧を逆転すれば消色
状態となる。
］）式に従って、タングステンブロンスＨｘＷＯ３か形
成され着色するが、ここで、印加電圧を逆転すれば消色
状態となる。
（１）式のこの様な反応は、全固体型エレクトロクロミ
ック素子においては、素子内部の絶縁層によって、プロ
トンＨ＋が供給され着色するとされている。
ック素子においては、素子内部の絶縁層によって、プロ
トンＨ＋が供給され着色するとされている。
上記のようなエレクトロクロミック素子におけるエレク
トロクロミック層のパターニングをするには、従来、マ
スク７８Ｍやレジストエツチングによるパターニングが
なされてきた。しかし、このような従来のパターニング
では、下地とエレクトロクロミック層が形成された部分
とに段差が生じ、全固体型エレクトロクロミック素子の
タイプであると、段差の部分が見えてしまったり、液体
′屯解質型エレクトロクロミック素子のタイプであると
、エレクトロクロミンク層のない部分に、新らたに、絶
縁膜を付けるなどの工程が必要となる。
トロクロミック層のパターニングをするには、従来、マ
スク７８Ｍやレジストエツチングによるパターニングが
なされてきた。しかし、このような従来のパターニング
では、下地とエレクトロクロミック層が形成された部分
とに段差が生じ、全固体型エレクトロクロミック素子の
タイプであると、段差の部分が見えてしまったり、液体
′屯解質型エレクトロクロミック素子のタイプであると
、エレクトロクロミンク層のない部分に、新らたに、絶
縁膜を付けるなどの工程が必要となる。
本発明の目的は、上記のような従来のノくターニングに
おける欠点を排除したエレクトロクロミック素子の製造
方法を提供することである。
おける欠点を排除したエレクトロクロミック素子の製造
方法を提供することである。
本発明によるエレクトロクロミ・ンク素子の製造方法は
、導電体膜より成る第１電極と、エレクトロクロミック
層と、絶縁層と、導電体膜より成る第２電極を含むエレ
クトロクロミ・ンク素子を製造するにあたって、第１電
極上にエレクトロクロミック層を積層したのちに、この
層をパターニングする際、エレクトロクロミ・ンク層と
して使用しない部分に、グロー放電によって励起させた
Ａｒ雰囲気をあてることにより、この部分にエレクトロ
クロミ・ンク機能を失なわせしめ、パターニングするこ
とを特徴とするものである。
、導電体膜より成る第１電極と、エレクトロクロミック
層と、絶縁層と、導電体膜より成る第２電極を含むエレ
クトロクロミ・ンク素子を製造するにあたって、第１電
極上にエレクトロクロミック層を積層したのちに、この
層をパターニングする際、エレクトロクロミ・ンク層と
して使用しない部分に、グロー放電によって励起させた
Ａｒ雰囲気をあてることにより、この部分にエレクトロ
クロミ・ンク機能を失なわせしめ、パターニングするこ
とを特徴とするものである。
本発明の方法によれば、エレクトロクロミ・ンク層自体
が、エレクトロクロミ・ンク現象を起こす所と、起こさ
ない所に別れる為に１段差のない、あるいはあっても、
ごくわずかしかな（、Ｘ層となる為、見えの点等が改善
されるのである。
が、エレクトロクロミ・ンク現象を起こす所と、起こさ
ない所に別れる為に１段差のない、あるいはあっても、
ごくわずかしかな（、Ｘ層となる為、見えの点等が改善
されるのである。
本発明で用いられるエレクトロクロミック材ホＪＪｉ々
あるが、好ましくは、酸化タングステンを用い、また、
グロー放電も、イオンブレーティング装置内で処理され
るのが好ましい。
あるが、好ましくは、酸化タングステンを用い、また、
グロー放電も、イオンブレーティング装置内で処理され
るのが好ましい。
このようにＡｒ零四囲内グロー放電を行うと、グロー放
電によって励起されたＡｒイオンが、絶縁層をアク・ア
クしながらこの層を通過し、エレクトロクロミック層を
アク・アクし、エレクトロクロミック層を構成する材料
の構造に変化をもたらし、この部分のエレクトロクロミ
ック機能を失わしめて、所望のパターニングを達成する
。
電によって励起されたＡｒイオンが、絶縁層をアク・ア
クしながらこの層を通過し、エレクトロクロミック層を
アク・アクし、エレクトロクロミック層を構成する材料
の構造に変化をもたらし、この部分のエレクトロクロミ
ック機能を失わしめて、所望のパターニングを達成する
。
本発明によるエレクトロクロミック素子を製造するのに
使用されるイオンブレーティング装置の一例を第３図に
示す。１Δ中、１１はイオンブレーティング装置６の本
体、１２は電子銃（ＥＢ’／ｊ’ン） 、ｌ ３ハ傘＜
Ｍ板ホ／ｌ／ グー ）、１４ハＤＣバイアスを印加す
るＤＣバイアス源、１５は高周波コイル（ＲＦ コイル
）、１６はＡｒ供給源、１７はニードルバルブ、１８は
基板（被蒸着体）を示す。
使用されるイオンブレーティング装置の一例を第３図に
示す。１Δ中、１１はイオンブレーティング装置６の本
体、１２は電子銃（ＥＢ’／ｊ’ン） 、ｌ ３ハ傘＜
Ｍ板ホ／ｌ／ グー ）、１４ハＤＣバイアスを印加す
るＤＣバイアス源、１５は高周波コイル（ＲＦ コイル
）、１６はＡｒ供給源、１７はニードルバルブ、１８は
基板（被蒸着体）を示す。
第３図に示す装置によってエレクトロクロミック素子を
製造する工程は歌の通りである。
製造する工程は歌の通りである。
先ず、ノ＾板ｌの上に適当な引出し電極部およびリード
部を備えた第１電極２を形成し、これを第３図の装置内
に１８で示す如く設置し法発材として例えば酸化タング
ステン（ＷＣｈ ）を用い、電子銃１２を用いた真空Ａ
着方法によりＷＯ３のエレクトロクロミンク層を形成し
、さらに、絶縁層４の膜形成する。これらのＩＩ！ｌ！
の形成後、この基板にマスクをかけ、Ａｒ供給源１６か
ら導入されるＡｒ零囲気内でグロー放電をさせる。
部を備えた第１電極２を形成し、これを第３図の装置内
に１８で示す如く設置し法発材として例えば酸化タング
ステン（ＷＣｈ ）を用い、電子銃１２を用いた真空Ａ
着方法によりＷＯ３のエレクトロクロミンク層を形成し
、さらに、絶縁層４の膜形成する。これらのＩＩ！ｌ！
の形成後、この基板にマスクをかけ、Ａｒ供給源１６か
ら導入されるＡｒ零囲気内でグロー放電をさせる。
このグロー放電によって所望のパターニング作用が達成
される。
される。
次に、該絶縁層４の上に第２電極５の膜を形成しく第１
図に示すエレクトロクロミック素子の場合）、或いは該
絶縁層４の上に、陽極側発色層であるニレクロドロクロ
ミック層６を真空 １を 蒸着法で形成した上、第２電極５の１１９を形成する（
Ｅｉ：Ｓ ２図に示すエレクトロクロミンク素子の場
合）。
図に示すエレクトロクロミック素子の場合）、或いは該
絶縁層４の上に、陽極側発色層であるニレクロドロクロ
ミック層６を真空 １を 蒸着法で形成した上、第２電極５の１１９を形成する（
Ｅｉ：Ｓ ２図に示すエレクトロクロミンク素子の場
合）。
次に本発明によるエレクトロクロミック素子を製造する
方法の実施例について説明する。
方法の実施例について説明する。
実施例１
厚み０．８ｍｍのガラス（Ｃａｒｎｉｎｇ ７０５９）
の板よりなる基板１上に、適当な引き出し部及びリード
部を備えた ＩＴＯ膜の第１７１ｆ＆ｉ２を形成し、電
子銃１２を用いた真空蒸着方法により、上記の第１電極
２上に、エレクトロクロミンク層３として１１１０３膜
、絶縁層４としてＴａ７Ｃ１５ＩＩりを形成した。ＩＩ
！、！厚は、それぞれ、４０００Ａ、３０００Ａであっ
た。
の板よりなる基板１上に、適当な引き出し部及びリード
部を備えた ＩＴＯ膜の第１７１ｆ＆ｉ２を形成し、電
子銃１２を用いた真空蒸着方法により、上記の第１電極
２上に、エレクトロクロミンク層３として１１１０３膜
、絶縁層４としてＴａ７Ｃ１５ＩＩりを形成した。ＩＩ
！、！厚は、それぞれ、４０００Ａ、３０００Ａであっ
た。
、ノー記膜形成後、この基板にマスクをかけＡ「供給源
より導入されるＡｒ零四気内で、高周波グロー放電をか
けた。このときの条件は。
より導入されるＡｒ零四気内で、高周波グロー放電をか
けた。このときの条件は。
Ａｒ導導接後真空度、５Ｘ １０− Ｔｏｒｒ、グロー
放゛屯時間は、 ３．０ ｍｉｎ 、 ＲＦパワー２５
０ ｗテあった。
放゛屯時間は、 ３．０ ｍｉｎ 、 ＲＦパワー２５
０ ｗテあった。
この処理後、上記膜」ニへ、第２電極５としてＡｕ膜を
付けた。膜厚は３００Ａであった。
付けた。膜厚は３００Ａであった。
２、Ｏｖで駆動したところ、パターニングの跡が見えな
い、見栄えの良いエレクトロクロミンク素子ができた。
い、見栄えの良いエレクトロクロミンク素子ができた。
実施例２
厚み０ 、８ｍｍのガラス（ｆｌ：ｏｒｎｉｎｇ ７０
５９）の板よりなる基板ｌ上に、適当な引き出し部及び
リード部を備えた ＩＴＯ膜の第１電極２を形成し、電
子銃１２を用いた真空蒸着方法により、上記の第１電極
２上に、エレクトロクコミック層３としてＷＯ２膜、絶
縁層４としてＴａ２０５膜を形成した。この膜厚は、４
０００Ａ、３０００Ａであった。
５９）の板よりなる基板ｌ上に、適当な引き出し部及び
リード部を備えた ＩＴＯ膜の第１電極２を形成し、電
子銃１２を用いた真空蒸着方法により、上記の第１電極
２上に、エレクトロクコミック層３としてＷＯ２膜、絶
縁層４としてＴａ２０５膜を形成した。この膜厚は、４
０００Ａ、３０００Ａであった。
上記膜形成後、この基板にマスクをかけＡｒ供給源工６
より導入されるＡｒ零囲気内で、高周波グロー放電をか
けた。このときの条件は、Ａｒ導入後の真空度、５ Ｘ
ＩＮ’ Ｔｏｒｒ、グロー放電時間は、４．０ ｍｉ
ｎ 、 ＲＦパワー２００ｗであった。
より導入されるＡｒ零囲気内で、高周波グロー放電をか
けた。このときの条件は、Ａｒ導入後の真空度、５ Ｘ
ＩＮ’ Ｔｏｒｒ、グロー放電時間は、４．０ ｍｉ
ｎ 、 ＲＦパワー２００ｗであった。
この処理後、」二足膜」二へ、第２のエレクトロクロミ
ンク層６としてＮ１（０）１）２を８０ＯＡ。
ンク層６としてＮ１（０）１）２を８０ＯＡ。
第２電極５としてＡ ｕ ＩＩＭを３００Ａ伺けた。２
．ＯＶで駆動したところ、パターニングの跡が見えない
、見栄えの良いエレクトロクロミック素子かできた。
．ＯＶで駆動したところ、パターニングの跡が見えない
、見栄えの良いエレクトロクロミック素子かできた。
ゐ）１図および第２図は、本発明に係る方法によって製
造されるエレクトロクロミック素子の２つの例を示す断
面図、第３図は本発明素子を製造するのに使用されるイ
オンブレーティング装；６を示す概略図である。 １・・・基板 ２・・・第１電極 ３・・・エレクトロクロミック層 ４・・・絶縁層 ５・・・第２電極 ６・・・エレクトロクロミック層 １１・・・イオンブレーティング装置本体１２・・・電
子銃（ＥＢガン） １３・・・傘（基板ホルダー） １４・・・ＤＣバイアス源 １５・・・高周波コイル（ＲＦコイル）１ ６ ・・・
Ａｒｔ共給ｒＡ ｌ ７ −・・ニー ド ノｌ／ １
＜７し ブ１８・・・基板（被蒸着体）
造されるエレクトロクロミック素子の２つの例を示す断
面図、第３図は本発明素子を製造するのに使用されるイ
オンブレーティング装；６を示す概略図である。 １・・・基板 ２・・・第１電極 ３・・・エレクトロクロミック層 ４・・・絶縁層 ５・・・第２電極 ６・・・エレクトロクロミック層 １１・・・イオンブレーティング装置本体１２・・・電
子銃（ＥＢガン） １３・・・傘（基板ホルダー） １４・・・ＤＣバイアス源 １５・・・高周波コイル（ＲＦコイル）１ ６ ・・・
Ａｒｔ共給ｒＡ ｌ ７ −・・ニー ド ノｌ／ １
＜７し ブ１８・・・基板（被蒸着体）
Claims (1)
- 導電体膜より成る第１電極と、エレクトロクロミック層
と、絶縁層と、導電体膜より成る第２電極を含むエレク
トロクロミック素子を製造するにあたって、第１電極上
にエレクトロクロミンク層を積層したのちに、この層を
パターニングする際、エレクトロクロミック層として使
用しない部分に、グロー放′准によって励起させたＡｒ
雰囲気をあてることにより、この部分にエレクトロクロ
ミック機能を失なわせしめ、パターニングすることを特
徴としたエレクトロクロミック素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58153422A JPS6045227A (ja) | 1983-08-23 | 1983-08-23 | エレクトロクロミツク素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58153422A JPS6045227A (ja) | 1983-08-23 | 1983-08-23 | エレクトロクロミツク素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6045227A true JPS6045227A (ja) | 1985-03-11 |
Family
ID=15562155
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58153422A Pending JPS6045227A (ja) | 1983-08-23 | 1983-08-23 | エレクトロクロミツク素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6045227A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0594971U (ja) * | 1992-06-01 | 1993-12-24 | 株式会社シーエーティブイ基盤技術研究所 | 同軸ケーブル用コネクタ |
| JPH0621174U (ja) * | 1992-03-27 | 1994-03-18 | 中島通信機工業株式会社 | 同軸ケーブル用コネクター |
-
1983
- 1983-08-23 JP JP58153422A patent/JPS6045227A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0621174U (ja) * | 1992-03-27 | 1994-03-18 | 中島通信機工業株式会社 | 同軸ケーブル用コネクター |
| JPH0594971U (ja) * | 1992-06-01 | 1993-12-24 | 株式会社シーエーティブイ基盤技術研究所 | 同軸ケーブル用コネクタ |
| JPH084711Y2 (ja) * | 1992-06-01 | 1996-02-07 | 株式会社シーエーティブイ基盤技術研究所 | 同軸ケーブル用コネクタ |
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