JPS604497B2 - 記憶装置 - Google Patents

記憶装置

Info

Publication number
JPS604497B2
JPS604497B2 JP52026215A JP2621577A JPS604497B2 JP S604497 B2 JPS604497 B2 JP S604497B2 JP 52026215 A JP52026215 A JP 52026215A JP 2621577 A JP2621577 A JP 2621577A JP S604497 B2 JPS604497 B2 JP S604497B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
information
write
error correction
ecc
read
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP52026215A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS53110433A (en
Inventor
秀彦 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Electric Co Ltd filed Critical Nippon Electric Co Ltd
Priority to JP52026215A priority Critical patent/JPS604497B2/ja
Publication of JPS53110433A publication Critical patent/JPS53110433A/ja
Publication of JPS604497B2 publication Critical patent/JPS604497B2/ja
Expired legal-status Critical Current

Links

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、電子計算機等で代表される情報処理装置のう
ちの記憶装置に関し、特に誤り訂正符号を用いて書込み
論出しがなされる記憶装置に関する。
従来、この種の誤り訂正符号を用いた記憶装置において
は、書込み情報符号から、誤り訂正符号を発生させた後
、書込み情報符号及び発生された誤り訂正符号を同時に
書込んでいたため、記憶装置のサイクルタイムが長くか
かっていた。
本発明は、書込み用情報符号と、誤り訂正符号の書込み
動作をそれぞれの符号が書込み可能状態になったときに
書込ませることにより、連続書込み時のサイクルタイム
を減少させると共に、書込みサイクルの後に読出しサイ
クルになった場合には、誤り訂正符号の謙出しサイクル
の開始は「前者の書込みサイクルが遅れて完了するため
に、読出される情報符号の議出しサイクルの開始よりも
遅れるが、あらかじめ読出された情報符号により可能な
限りパリティ検査を行なっておき、遅れて謙出された誤
り訂正符号を得てシンドロームを発生させることにより
、読出しアクセスタイムを増加させることのない記憶装
置を提供することにある。
本発明は、第1の情報符号から第1の誤り訂正符号を発
生させる第1の手段と、前記第1の誤り訂正符号を任意
の指定されたアドレスに記憶する第1の記憶回路と、前
記第1の情報符号を任意の指定されたアドレスに記憶す
る第2の記憶回路と、前記第1の記憶回路及び第2の記
憶回路の任意の指定されたアドレスにそれぞれ前記第1
の誤り訂正符号及び第1の情報符号を異なる書込み制御
信号により記憶させ、かつ任意の指定されたアドレスか
らすでに記憶されている第2の誤り訂正符号及び第2の
情報符号を異なる読出し制御信号により謙出させる第2
の手段と、前記第2の情報符号から前記第2の誤り訂正
符号を除いたシンドロームを発生させて、後に第2の誤
り訂正符号を付加してシンドロームを発生させる第3の
手段と、前記第2の情報符号及びシンドローム符号とか
ら訂正された情報符号を出力する誤り訂正回路とから構
成される。
本発明は、情報を記憶する情報記憶手段と、この情報記
憶回路に前記情報を書込む情報書込み手段と、この情報
書込み手段での書込みと並行して前記情報から誤り訂正
符号を発生させる訂正符号発生回路と、この誤り訂正符
号発生回路からの誤り訂正符号を記憶する誤り訂正符号
記憶回路と、前記誤り訂正符号発生回路で発生後前記誤
り訂正符号記憶回路に前記誤り訂正符号を書込む誤り訂
正符号書込み手段とを含むことを特徴とする記憶装置を
構成する。
次に本発明の原理について、図面を参照して説明する。
第2図は、誤り訂正符号を用いた記憶装置の従来の読出
/書込み動作と本発明の読出し/書込み動作との時間関
係を示したものである。先ず、従来の書込み動作は、第
2図のAに示すようであり、書込みサィクルーは、デー
タ受信1の後、このデータから誤り訂正符号(以後EC
Cと称す)の発生を行なう“ECC発生1”の期間と上
期データ及び発生されたECCの書込みを行なう“デー
タ及びECC書込み1”の期間とに分かれ、これらの2
つの動作は同時には行なわれず、以後“書込みサイクル
2及び3”が連続して行なわれる場合には、第2図Aに
示されるように、書込みサィクルーと同様に行なわれる
。次に、本発明の書込み動作の場合には、第2図のBに
示すようであり、“データ受信1…の後、このデータか
らECCが“ECC発生1…の期間で行なわれると共に
、データの書込みが、“データ書込み1…の期間で行な
われ、上記ECCの発生が完了すると、“ECC書込み
1…の期間において、ECCの書込みが行なわれ、以後
書込み動作の続く場合には、第2図のBの“書込みサイ
クル2′〜5′”に示すように、ECCの発生と、デー
タの書込みが同時に行なわれるために、実質的な書込み
サイクルが従来の書込み動作に比べて減少する。一方、
従来の読出し動作は、第2図のCに示すように、データ
及びECCの読出しが、“データ及びECC議出し1”
の期間で同時に行なわれた後、シンドローム発生及び検
査が、“シンドロ−ム発生及び検査1”の期間で行なわ
れ、“議出しサイクル1”が実行され、以後、連続して
謙出しが行なわれる場合には、第2図Cの“論出しサイ
クル2,3”のように“議出しサイクル1”と同様に行
なわれるが、特に、“論出しサイクル2”は、“シンド
ローム発生及び検査2”の期間にデータの誤りの発生が
確認されたので“誤り訂正”の期間だけ“議出しサイク
ル2”が“論出しサィクルー及び2”と比べて、長くな
っている。
次に、本発明の講出し動作は、第2図のDのように、デ
ータの議出しは、“データ議出し1…の期間に行なわれ
るが、ECCの講出しは、それより遅れて、“ECC議
出し1′”の期間で行なわれるため、シンドローム発生
及び検査は、“シンドローム発生及び検査1…の期間に
おいて、先ず、“データ議出し1′”完了後、データだ
けから一部のシンドロームの計算が行なわれ、その後“
ECC議出し1′”完了後、ECCが上記の一部のシン
ドロームに加えられて最終的にシンドローム発生とそれ
らの検査が行なわれる。“議出しサイクル1′”におい
て、“ECC読出し1…の期間が“データ謙出し1…の
期間に比べて遅れているのは、第2図のBに示した本発
明の書込み動作で明らかなように、データの書込みがE
CC書込みに比べて遅れるために、書込み動作の後に読
出し動作を行なっても議出し動作のサイクルタイムが長
くならないように、“ECC講出し”を遅らせているた
めであり、それにともなって“ECC読出し1′”の完
了が遅れるが“シンドローム発生及び検査1”は、あら
かじめ出力されたデータで一部のシンドロームを発生さ
せておき、これに遅れて読出されたECCを加えること
により、シンドローム発生及び検査の遅れをなくしてい
る。又、第2図Dの“議出しサイクル2′及び3′”は
、“謙出しサイクル1′”に続いてこれらの動作が連続
して行なわれる場合であり、“読出しサイクル1…と同
様であるが、“議出しサイクル2…の場合には、特に“
シンドローム発生及び検査2′”の期間において、デー
タの誤りが検出されたので、その後その誤りの訂正が行
なわれているため、議出しサイクルが長くなっている。
さらに、第3図に示したのは、本発明のシンドロームの
発生方法の1例であり、例えば議出しデータビットのう
ちの16ビットとECCビット1ビットのパリティ発生
を行なってシンドロームを得る場合、あらかじめ第3図
に示す排他的論理和田4段により16ビットのデータの
パリティを発生させておき、ECCが読出された後に、
このECCビットと上記のパリティとの排他的論理和を
とることにより、ECCビットの発生の遅れを少なくし
ている。次に本発明の一実施例について、第1図を用い
て説明する。
第1図を参照すれば、実施例は、書込み用情報11を入
力とし、ECC14を出力とするECC発生回路1と、
議出し書込み制御信号12及び外部から指定されるアド
レス13を入力とし、第1の読出し書込み制御信号15
、第2の読出し書込み制御信号16、第1のアドレス指
定信号17及び第2のアドレス指定信号18を出力Zと
する制御回路2と、ECC14、第1の読出し書込み信
号15及び第1のアドレス指定信号17を入力とし、E
CCI9を出力とするECC記憶回路3と、書込み情報
11、第2の読出し書込み制御信号16及び第2のアド
レス指定信号18を入力とし、記憶情報20を出力とす
る情報記憶回路4と、読出しECCI9及び記憶情報2
0を入力とし、シンドローム符号21を出力とするシン
ドローム発生回路5と、記憶情報20及びシンドローム
符号21を入力とし、誤り訂正情報22を出力とする誤
り訂正回路6とから構成される。次に本発明の一実施例
の動作について、第1図を用いて説明する。先ず、書込
み動作の場合には、外部から指定されたアドレス13及
び読出し書込み制御信号12が書込み指定の状態で与え
られると共に、書込み情報11が与えられると、第2の
議出し書込み信号16が情報記憶回路4に書込み指定を
行なうと共に、情報記憶回路4の任意の指定されたアド
レスが第2のアドレス指定信号18により与えられるの
で、書込み情報11が情報記憶回路4の指定されたアド
レスに書込まれ、一方書込み情報11がECC発生回路
1に与えられてECC14が発生されると、第1の読出
し書込み制御信号15がECC記憶回路3に対し書込み
指定を行なうと共に、ECC記憶回路3の任意の指定さ
れたアドレスが第1のアドレス指定信号17により与え
られるので、ECC14がECC記憶回路3の指定され
たアドレスへ書込まれる。
したがって、書込みサイクルの終了は、ECC記憶回路
3の方が、情報記憶回路4に比べてECC発生回路1の
入力情報である書込み情報11から出力符号であるEC
C14が発生される時間だけ遅れるが、次の書込みサイ
クルの開始も、ECC記憶回路3のそれは、情報記憶回
路4のそれに比べて、上記の時間だけ遅れるので、EC
Cを付加したことにより書込みサイクルタイムは増加し
ない。次に読出し動作の場合には、当該動作の前が書込
みサイクルであるとすれば、回路3に対する議出し動作
は情報記憶回路4に対するそれよりも上記の時間だけ遅
らせる必要があり、外部から指定されたアドレス13及
び読出し書込み制御信号12が読出し指定の状態で与え
られると、第2の続出し書込み制御信号16が情報記憶
回路4に対し書込み指定を行なうと共に、情報記憶回路
4の任意の指定されたアドレスが第2のアドレス指定信
号18により与えられるので情報記憶回路4の指定され
たアドレスから記憶情報20が読出され、シンド。
ーム発生回路5に入力されて第3図に示されるような読
出しECCI9を除く記憶情報20によりパリティ検査
がされてシンドロームの一部分が発生され、一方、第1
の議出し書込み制御信号15が第2の論出し書込み制御
信号16よりも上記の時間だけ遅れてECC記憶回路3
に対し議出し指定を行なうと共に、ECC記憶回路3の
任意の指定されたアドレスが第1のアドレス指定信号1
7により与えられるので、ECC記憶回路3の指定され
たアドレスから論出しECCI9がタ読出され、シンド
ローム発生回路5に与えられて直ちにシンドローム符号
21が発生されて、記憶情報2川こ誤りがあれば、誤り
訂正回路6において訂正されて出力される。ここで、シ
ンドローム発生回路5へ記憶情報20が入力されて上記
シン0ドロームの一部が発生される迄の時間は、前記E
CC発生回路1へ書込み情報11が入力されて、ECC
14が出力される迄の時間と回路構成が全く等しいので
ほぼ等しく、上記シンドロームの一部分が発生されてか
ら、議出しECCI9が夕与えられてからシンドローム
が発生される迄は、排他的論理和、1段の遅れであるか
ら講出しサイクルタイムはほとんど増加しない。以上説
明したように、ECC記憶回路3と情報記憶回路4の議
出し、書込み動作を別々に行なわ0せることにより、書
込み動作時の誤り訂正符号発生に要する時間だけサイク
ルタイムを減少させる効果がある。
これを第4図を用いて説明する。
この例では、第3図に示したような書込み動作の連続で
はなく書込み動作と読出し動作とが交互に表われる状態
を示している。この図で従来技術の一例Aでは、書込み
動作サイクルWC1,WC2が終了した後読出し動作サ
イクルRC1,RC2が発生する。
これに対し、本発明の一実施例ではECC記憶回路3と
情報記憶回路4とを別個に有し、この指示信号をそれぞ
れ別にしたことにより、最小限の時間で書込み謙出しの
時間をとれば、それぞれ書込み読出しの後連続して書込
み謙出しが可能となる。この結果書込動作サクルWCI
′と読出し動作サイクルRCI′とが重複するため、図
からも明らかなように書込み読出し動作が総合的に短縮
される効果をもたらす。
図面の簡単な説明第1図は本発明の一実施例を示す図で
ある。
第2図は、第1図において連続的に書込みのみ、又は議
出しのみが行なわれた場合の動作B,Dと従釆技術の一
例である動作A,Cとを対比した動作図、第3図は、第
1図で示されたシンドローム発生回路の詳細図、第4図
は、第1図において書込み読出しが連続的に行なわれた
場合の動作Bと従来技術の一例の動作Aとを対比した動
作図である。1・・・・・・ECC発生回路、2・・・
・・・制御回路、3・・・・・・ECC記憶回路、4・
・・・・・情報記憶回路、5…・・・シンドローム発生
回路、6・・・・・・誤り訂正回路、由・・・・・・排
他的論理和。
発Z図髪′図 努3図 多4図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 情報を記憶する情報記憶回路と、 この情報記憶回路に前記情報を書込む情報書込み手段
    と、 この情報書込み手段での書込みと並行して前記情
    報から誤り訂正符号を発生させる誤り訂正符号発生回路
    と、 この誤り訂正符号発生回路からの誤り訂正符号を
    記憶する誤り訂正符号記憶回路と、 前記誤り訂正符号
    発生回路で発生後前記誤り訂正符号記憶回路に誤り訂正
    符号を書込む誤り訂正符号書込み手段とを含むことを特
    徴とする記憶装置。
JP52026215A 1977-03-09 1977-03-09 記憶装置 Expired JPS604497B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP52026215A JPS604497B2 (ja) 1977-03-09 1977-03-09 記憶装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP52026215A JPS604497B2 (ja) 1977-03-09 1977-03-09 記憶装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS53110433A JPS53110433A (en) 1978-09-27
JPS604497B2 true JPS604497B2 (ja) 1985-02-04

Family

ID=12187187

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP52026215A Expired JPS604497B2 (ja) 1977-03-09 1977-03-09 記憶装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS604497B2 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4528666A (en) * 1983-01-03 1985-07-09 Texas Instruments Incorporated Memory system with built in parity
US4604750A (en) * 1983-11-07 1986-08-05 Digital Equipment Corporation Pipeline error correction
JPS60133599A (ja) * 1983-12-21 1985-07-16 Nec Corp 半導体メモリ装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPS53110433A (en) 1978-09-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2006190425A (ja) 半導体記憶装置
KR100566162B1 (ko) 버스트 동작에 의해 데이터 및 패리티 데이터를입출력하는 반도체 기억 장치
JPS604497B2 (ja) 記憶装置
JPS6129024B2 (ja)
JP5446931B2 (ja) 誤り検出訂正装置及びメモリ装置
JPH01194046A (ja) メモリアクセス方式
JP3036442B2 (ja) メモリ監視方式
JP3248315B2 (ja) 誤り訂正装置
JPS63197122A (ja) エラ−訂正及びチエツク装置
JPH05225717A (ja) Datの誤謬訂正のためのアドレス発生回路
JPS5870500A (ja) 半導体記憶回路
JP2768371B2 (ja) ランダムアクセスメモリの検査方法
JPH06301604A (ja) 記憶再生システム
JP2586072B2 (ja) 記憶装置
JP2594563B2 (ja) 誤り訂正回路
JP3153063B2 (ja) マイクロプログラム制御装置
JP3259688B2 (ja) データ処理回路
JPS61110247A (ja) 記憶装置
JPS63231553A (ja) 部分書込み方式
JP2000010871A (ja) メモリパトロールの方法と方式
JP3270357B2 (ja) 記憶装置の診断システム
JPH04332998A (ja) 障害処理システム
JPS63214840A (ja) エラ−検出訂正回路
JPH0855063A (ja) 記憶装置のデータ保証方法
JPH01236735A (ja) 誤り検出・訂正方式