JPS6044952A - 荷電粒子ビ−ム用多重間隙磁気イメ−ジレンズ - Google Patents
荷電粒子ビ−ム用多重間隙磁気イメ−ジレンズInfo
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- JPS6044952A JPS6044952A JP59138043A JP13804384A JPS6044952A JP S6044952 A JPS6044952 A JP S6044952A JP 59138043 A JP59138043 A JP 59138043A JP 13804384 A JP13804384 A JP 13804384A JP S6044952 A JPS6044952 A JP S6044952A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/10—Lenses
- H01J37/14—Lenses magnetic
- H01J37/141—Electromagnetic lenses
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、荷電粒子ビーム光学器に関するもので、詩に
、像の集束ヌは倍率に実質的に影響を与えることなく保
全回転させることのでさるイメージレンズに!lするも
のである。
、像の集束ヌは倍率に実質的に影響を与えることなく保
全回転させることのでさるイメージレンズに!lするも
のである。
レジスト破4にシた被加工物を選択的に照射するために
、′Ld子ビーム露光装[dが開業的に用層られている
。そのIJシ加工物はマスクプレートでも良く、半導体
ウェーッ・であっても良すものである。最終的に集束さ
れた電子ビームが所定のパターンを画成するために彼加
工物の表面にわたって偏向される。その電子ビームはi
% f+V度、妬速度で制御され、電子レジスト材中の
微小パターンを露光する。微小な円形スポットビームが
被加工物の表面全体にわたってラスター走査され、所望
のパターンを作るためにターンオン、ターンオフされ得
る。成るいは、そのスポットビームは、所望のパターン
領域に向けられ、ベクトル走査法でこれらのパターン領
域にわたって走査される。何れの方法もかなり遅い。何
故ならば、任意の時刻においてスポットと一ムによりカ
バーされる領域が1fitv Q:Mに小さいからであ
る。
、′Ld子ビーム露光装[dが開業的に用層られている
。そのIJシ加工物はマスクプレートでも良く、半導体
ウェーッ・であっても良すものである。最終的に集束さ
れた電子ビームが所定のパターンを画成するために彼加
工物の表面にわたって偏向される。その電子ビームはi
% f+V度、妬速度で制御され、電子レジスト材中の
微小パターンを露光する。微小な円形スポットビームが
被加工物の表面全体にわたってラスター走査され、所望
のパターンを作るためにターンオン、ターンオフされ得
る。成るいは、そのスポットビームは、所望のパターン
領域に向けられ、ベクトル走査法でこれらのパターン領
域にわたって走査される。何れの方法もかなり遅い。何
故ならば、任意の時刻においてスポットと一ムによりカ
バーされる領域が1fitv Q:Mに小さいからであ
る。
他の方法においては、電子ビームはいろいろな寸法や形
の長方形に整形される。整形されたビームは、所望のパ
ターンを露光するために、ステップアンドリピートモー
ドで利用することができる。
の長方形に整形される。整形されたビームは、所望のパ
ターンを露光するために、ステップアンドリピートモー
ドで利用することができる。
好適な整形電子ビームに′露光方法にお旨ては、細長い
長方形ビーム又はラインビームが、反軸方向に垂直な方
向に走査される。ビームが走査されると、そのラインの
長さは所望のパターンに対応して変化させられる。この
方法は、いろbろな形のパターンを一度の処理で露光を
可能にする。整形ビーム露光装置はスポットビーム装置
よシも一般的に速い動作速度て動作し、ウェーッ・に直
接書する装置には適したものとなっている。
長方形ビーム又はラインビームが、反軸方向に垂直な方
向に走査される。ビームが走査されると、そのラインの
長さは所望のパターンに対応して変化させられる。この
方法は、いろbろな形のパターンを一度の処理で露光を
可能にする。整形ビーム露光装置はスポットビーム装置
よシも一般的に速い動作速度て動作し、ウェーッ・に直
接書する装置には適したものとなっている。
整形ビーム全成形する際に、2開孔整形装置がしばしば
使用されている。2つの直交する縁を有する第1の開孔
の像がイメージレンズによって第2の方形開孔上に集束
される。第2の開孔を通過するビームが所釉の長さ及び
幅の断面に整形されるように、整形偏向器が、第1の開
孔の像を第2の開孔に関して動的に配置する。
使用されている。2つの直交する縁を有する第1の開孔
の像がイメージレンズによって第2の方形開孔上に集束
される。第2の開孔を通過するビームが所釉の長さ及び
幅の断面に整形されるように、整形偏向器が、第1の開
孔の像を第2の開孔に関して動的に配置する。
今日のマイクロリングラフ装置には高度の精度が要求さ
れて−る。最小の図形の寸法は1ミクロン又はそれ以下
のオーダで、図形の精度は通常不ミクロン以下である。
れて−る。最小の図形の寸法は1ミクロン又はそれ以下
のオーダで、図形の精度は通常不ミクロン以下である。
露光の変動は8%以下でなければならな因。上述した2
開孔ビーム整形方法により、最終的なビーム像は第1の
開孔の2つの縁及び第2の開孔の2つの縁によって形成
される。
開孔ビーム整形方法により、最終的なビーム像は第1の
開孔の2つの縁及び第2の開孔の2つの縁によって形成
される。
従って、第1の開口の像の第2の開孔に関するいかなる
回転も、長方形ではなく台形のビームを形成する。像の
回転は開孔同士の機械的々未整合又は磁気レンズ及び偏
向器によって誘動されるビームN1によって生じる。更
に、イメージレンズの磁場が第1の開孔の像を第2の開
孔へと集束させるために変化させられると、望ましくな
い回転が誘動される。典型的に、ビーム回転は機械的に
調節可能な開孔によってなされた。その開孔は、所望の
回転を与えるが、使用がむずかしく、複雑な電子ビーム
コラムの構成全必要とする。
回転も、長方形ではなく台形のビームを形成する。像の
回転は開孔同士の機械的々未整合又は磁気レンズ及び偏
向器によって誘動されるビームN1によって生じる。更
に、イメージレンズの磁場が第1の開孔の像を第2の開
孔へと集束させるために変化させられると、望ましくな
い回転が誘動される。典型的に、ビーム回転は機械的に
調節可能な開孔によってなされた。その開孔は、所望の
回転を与えるが、使用がむずかしく、複雑な電子ビーム
コラムの構成全必要とする。
電気信号を印加することによって第1の開孔の像を回転
する能力をイメージレンズに組み入れることが望ましい
。ビームの回転調節で、像の集束も倍率も実質的に変化
させてはならない。逆に、イメージレンズは第1の開孔
の保を回転させることなく第2の開孔上に集束させるこ
とができなければならない。更に、ビームが整形偏向器
によって配置されるときには、イメージレンズによって
誘導される歪みは所定限度以内でなければならない。在
来の磁気レンズは上記必要条件を満すことができない。
する能力をイメージレンズに組み入れることが望ましい
。ビームの回転調節で、像の集束も倍率も実質的に変化
させてはならない。逆に、イメージレンズは第1の開孔
の保を回転させることなく第2の開孔上に集束させるこ
とができなければならない。更に、ビームが整形偏向器
によって配置されるときには、イメージレンズによって
誘導される歪みは所定限度以内でなければならない。在
来の磁気レンズは上記必要条件を満すことができない。
1つの間隙レンズでは、回転が変化するとビームの焦点
がほける。9重又は2つの間隙レンズでは、回転調節し
たときにビームの集束は維持されるが、倍率は変化する
0 〔問題を解決するための手段〕 本発明の一般的な目的は、荷電粒子ビーム用の新規な磁
気レンズを提供することである。
がほける。9重又は2つの間隙レンズでは、回転調節し
たときにビームの集束は維持されるが、倍率は変化する
0 〔問題を解決するための手段〕 本発明の一般的な目的は、荷電粒子ビーム用の新規な磁
気レンズを提供することである。
本発明の他の目的は、f2の集束及び倍率に実質的な変
化金しえることなく可変なビーム回転を訪2jすするこ
とができる磁気レンズを提供することである0 史に、本発明の他の目的は、レンズによって誘導される
ビュム回転を実質的に変化させることなく、東末を変化
させろことができる磁気レンズを提供することである。
化金しえることなく可変なビーム回転を訪2jすするこ
とができる磁気レンズを提供することである0 史に、本発明の他の目的は、レンズによって誘導される
ビュム回転を実質的に変化させることなく、東末を変化
させろことができる磁気レンズを提供することである。
(に、本発明の目的は、歪みが所定限度以内で焦点及び
回転を独立に調節可能な磁気レンズ金提供することであ
る。
回転を独立に調節可能な磁気レンズ金提供することであ
る。
本発明を実施することにより、これら目的や他の目的、
利点が、荷電粒子ビーム像を作るための磁気レンズにお
いて達成できる。レンズは第1の磁気手段及び第2の磁
気手段から成る。第1の磁気手段は第1の集束磁場全ビ
ームの軸線にそって形成する手段である。mgの磁気手
段は、第1の集束磁場とは反対の極性の第2の集束磁場
を形成する手段で、第1の磁気手段からビームの軸線に
そって間隔ケあけて配置される。第l及び第2の集束磁
場が作動し、共に変化すZ)と、ビーム回転に実質的な
変化を与えずにビームを集束する。レンズは、更に第8
の磁気手段全有する。その磁気手段は、倍率又は県東に
実質的に変化を与えずにビームを鵬転芒ぜるために変化
させることができる回転磁場をブレ成する手段で、第1
の磁気手段と第2の磁気手段との間で、ビームの軸線に
そって配置される。
利点が、荷電粒子ビーム像を作るための磁気レンズにお
いて達成できる。レンズは第1の磁気手段及び第2の磁
気手段から成る。第1の磁気手段は第1の集束磁場全ビ
ームの軸線にそって形成する手段である。mgの磁気手
段は、第1の集束磁場とは反対の極性の第2の集束磁場
を形成する手段で、第1の磁気手段からビームの軸線に
そって間隔ケあけて配置される。第l及び第2の集束磁
場が作動し、共に変化すZ)と、ビーム回転に実質的な
変化を与えずにビームを集束する。レンズは、更に第8
の磁気手段全有する。その磁気手段は、倍率又は県東に
実質的に変化を与えずにビームを鵬転芒ぜるために変化
させることができる回転磁場をブレ成する手段で、第1
の磁気手段と第2の磁気手段との間で、ビームの軸線に
そって配置される。
典型的には、各磁気手段は、磁極片及び巻線部金有する
。磁極片は中央レンズ孔f:取シ囲み、周囲間隙を画成
するために細繊方向に間隔があけられた部分を有する。
。磁極片は中央レンズ孔f:取シ囲み、周囲間隙を画成
するために細繊方向に間隔があけられた部分を有する。
巻線部は、電源からの電流に応答して極片及び間隙を付
勢する。典型的に、第2の集束磁場は第1の集束磁場と
同じ強度及び空間分布を実質的に有する。磁気レンズは
更に第1及び第2の磁シ1手段と結合する補償手段を有
する。
勢する。典型的に、第2の集束磁場は第1の集束磁場と
同じ強度及び空間分布を実質的に有する。磁気レンズは
更に第1及び第2の磁シ1手段と結合する補償手段を有
する。
この手段は、回転磁場が増加するときに、第1及び第2
の集束磁」ル)を減少さぜるべく動作する。
の集束磁」ル)を減少さぜるべく動作する。
r’、I:l(流側〕
基板12上にレジスト層lOを有する被加工物に選択的
に朋射するだめの荷電粒子ビーム露光装置が6H’l
] lyeに略示的に示されている。マスクプレート或
いは半将体ウェーハであっても良い基板1z+a、加工
テーブル】4又はステージ上に、荷電粒子ビームの方向
に訊Mhx及びy方向に可動的に載h)Iされて伝る。
に朋射するだめの荷電粒子ビーム露光装置が6H’l
] lyeに略示的に示されている。マスクプレート或
いは半将体ウェーハであっても良い基板1z+a、加工
テーブル】4又はステージ上に、荷電粒子ビームの方向
に訊Mhx及びy方向に可動的に載h)Iされて伝る。
との実施例においては、電子ビームがレジスト層lOを
露光するために利用される。イ5制御装置it (図示
せ−t″)が電子ビームコラムの各要素及び1アζ加工
物の露光の間の加工テーブル14のiで勅を制御li、
lする。
露光するために利用される。イ5制御装置it (図示
せ−t″)が電子ビームコラムの各要素及び1アζ加工
物の露光の間の加工テーブル14のiで勅を制御li、
lする。
第1図の1u子ビームコラムは、コラムの軸線にそって
柚子ビーム18を射出する電子源16を有している。電
子ビーム18は、電子ビームをコラムの軸線に正確に整
合する心合コイルBOを通過する。ビーム18は、通過
する第1の開孔24を有する第1の開孔プレートz11
に射出される。コンデンサレンズ26 tj: 、整形
偏向器28のプレートの間に電子源16の像を形成する
ためにビーム18を集束する。次に、イメージレンズ8
0が、第1の開孔24の像を通過する第2の開孔84を
有する第2の開孔プレートへと集束する。整形偏向器4
8は、第2の開孔84に関して第1の開孔24の像を偏
向し、可変綜走査に適した断面のビームを形成する。更
に、ビーム18は整形偏向器28によってブランクオフ
(blank off) させることができる。次に、
電子ビーム18は縮小レンズ86、補正偏向器88、偏
向コイル4o及び射出レンズを通過する。縮小レンズ8
6及び射出レンズ4zは、ビーム18をその最終寸法へ
と縮小し、整形したビームのgi!’fr被加工物上に
射出する。
柚子ビーム18を射出する電子源16を有している。電
子ビーム18は、電子ビームをコラムの軸線に正確に整
合する心合コイルBOを通過する。ビーム18は、通過
する第1の開孔24を有する第1の開孔プレートz11
に射出される。コンデンサレンズ26 tj: 、整形
偏向器28のプレートの間に電子源16の像を形成する
ためにビーム18を集束する。次に、イメージレンズ8
0が、第1の開孔24の像を通過する第2の開孔84を
有する第2の開孔プレートへと集束する。整形偏向器4
8は、第2の開孔84に関して第1の開孔24の像を偏
向し、可変綜走査に適した断面のビームを形成する。更
に、ビーム18は整形偏向器28によってブランクオフ
(blank off) させることができる。次に、
電子ビーム18は縮小レンズ86、補正偏向器88、偏
向コイル4o及び射出レンズを通過する。縮小レンズ8
6及び射出レンズ4zは、ビーム18をその最終寸法へ
と縮小し、整形したビームのgi!’fr被加工物上に
射出する。
偏向コイル40は、被加工物上の予め定められた走査場
内の任意の特定の位置へと整形ビームを偏向する。補正
偏向器88.は、短い距離の間でビーム18を極めて高
速度で静電偏向する。電子16と被加工物との間で電子
ビームが横断する領域が処理の間誦真空に保持されるこ
とは理解されよう。
内の任意の特定の位置へと整形ビームを偏向する。補正
偏向器88.は、短い距離の間でビーム18を極めて高
速度で静電偏向する。電子16と被加工物との間で電子
ビームが横断する領域が処理の間誦真空に保持されるこ
とは理解されよう。
第1の開孔24は、正方形でもよ込が、好適には、装置
がh■変線走査を行うときにL字形であることが望゛ま
しい。第2の開孔84は好適には正方形でiわる。第1
の開孔2会、第2の開孔84、イメージレンズ80、並
びにビーム整成及びビームブランキングを行うだめの整
形偏向器28の動作は、g 2 A −S l)図に図
示されている。イメージレンズ80は、第2の開孔84
上に適当に拡大された第1の開孔の像を集束する。第2
人−2D図ノ各々は、電子ビームコラムの軸線で見た第
1の開孔の像50及び第2の開孔84の重なりを示して
いる。第1の開孔の像50と第8の開孔84の相対位置
は、整形偏向器28、典型的にはへ重靜′ば偏向器に印
加される電圧によって決定される。
がh■変線走査を行うときにL字形であることが望゛ま
しい。第2の開孔84は好適には正方形でiわる。第1
の開孔2会、第2の開孔84、イメージレンズ80、並
びにビーム整成及びビームブランキングを行うだめの整
形偏向器28の動作は、g 2 A −S l)図に図
示されている。イメージレンズ80は、第2の開孔84
上に適当に拡大された第1の開孔の像を集束する。第2
人−2D図ノ各々は、電子ビームコラムの軸線で見た第
1の開孔の像50及び第2の開孔84の重なりを示して
いる。第1の開孔の像50と第8の開孔84の相対位置
は、整形偏向器28、典型的にはへ重靜′ば偏向器に印
加される電圧によって決定される。
第2の開孔84を通過する電子ビームの部分は、第2の
開孔84とalの開孔の像50との間の重なりの量によ
って決定される。そしてその通過する電子ビームは、第
1iA−10図の斜線領域で示す垂直又は水平に向いた
中間ライン52の形状の断面を有する。中間ライン62
は、長さ及び幅が可変である。第2D図はビーム18の
ブランキングを図示している。
開孔84とalの開孔の像50との間の重なりの量によ
って決定される。そしてその通過する電子ビームは、第
1iA−10図の斜線領域で示す垂直又は水平に向いた
中間ライン52の形状の断面を有する。中間ライン62
は、長さ及び幅が可変である。第2D図はビーム18の
ブランキングを図示している。
中間ライン5zの像が、縮小レンズ86及び被加工物の
表面の上の射出レンズ42によって、第8図に示すよう
に被加工物に射出ライン58を形成する。第8図には、
可変長の射出ライン58の走査によシ、任意の形状のパ
ターン60の繕光がなされることが示されている。最初
に、ビーム18は第20図に示すように整形され、偏向
コイル40によって、パターン60の左pH1に耐錐さ
れる。次に、垂直射出ライン58は、偏向コイル40に
おける印加電流を増加することによシ右方に走査される
。同時に、整形イぎ号が、整形偏向器z8及び補正偏向
器88に印加され、ライン68の長さ及び垂直位置を変
化させる。ライン58がパターン60の右端に至ると、
ブランク・オフされ、シフトされ、次の走査パターンに
移る。
表面の上の射出レンズ42によって、第8図に示すよう
に被加工物に射出ライン58を形成する。第8図には、
可変長の射出ライン58の走査によシ、任意の形状のパ
ターン60の繕光がなされることが示されている。最初
に、ビーム18は第20図に示すように整形され、偏向
コイル40によって、パターン60の左pH1に耐錐さ
れる。次に、垂直射出ライン58は、偏向コイル40に
おける印加電流を増加することによシ右方に走査される
。同時に、整形イぎ号が、整形偏向器z8及び補正偏向
器88に印加され、ライン68の長さ及び垂直位置を変
化させる。ライン58がパターン60の右端に至ると、
ブランク・オフされ、シフトされ、次の走査パターンに
移る。
第2A図において、中間ラインの縁部6$1.64が開
孔24によシ決定される一方で、縁部66.68が開孔
84によって決定されることがわかるだろう。矩形の中
間ライン58を得るために、縁部112.68け平行で
なければならず、縁部64.66も平行でなければなら
ない。第1の開孔の像と8A2の開孔84との間のいか
なる相対的回転も、ライン52の非平行な縁部と々る。
孔24によシ決定される一方で、縁部66.68が開孔
84によって決定されることがわかるだろう。矩形の中
間ライン58を得るために、縁部112.68け平行で
なければならず、縁部64.66も平行でなければなら
ない。第1の開孔の像と8A2の開孔84との間のいか
なる相対的回転も、ライン52の非平行な縁部と々る。
歪んだ中間ライン5L従って企んだ射出ライン58は、
射出ライン58のいろいろな幅のために被加工物上のパ
ターンの形態に関して一様な露光を行うことができなく
なる。本発明全実施することにより、イメージレンズは
像50全回転させる能力を、像50の集束又は倍率に実
質的な変化を与えることなく与えることになる。
射出ライン58のいろいろな幅のために被加工物上のパ
ターンの形態に関して一様な露光を行うことができなく
なる。本発明全実施することにより、イメージレンズは
像50全回転させる能力を、像50の集束又は倍率に実
質的な変化を与えることなく与えることになる。
、〉94図には、本発明全実施した磁気レンズの略示t
6+面図が示されている。第4図のレンズは、第1図の
イメージレンズ80に対応している。レンズは一対の集
束要素70.71及び回転要素?!1を有し、これら全
てが円筒状レンズ孔74を取シ囲んでいる。レンズは軸
線75に関して回転対称となっている。作動させると、
電子ビーム18は整形偏向器によって引き出され、軸&
!75に関してビームの変動を有しながら、軸線75に
はほそってレンズを通過する。少なくとも、レンズ孔7
4は動作中高真空に保たれる。
6+面図が示されている。第4図のレンズは、第1図の
イメージレンズ80に対応している。レンズは一対の集
束要素70.71及び回転要素?!1を有し、これら全
てが円筒状レンズ孔74を取シ囲んでいる。レンズは軸
線75に関して回転対称となっている。作動させると、
電子ビーム18は整形偏向器によって引き出され、軸&
!75に関してビームの変動を有しながら、軸線75に
はほそってレンズを通過する。少なくとも、レンズ孔7
4は動作中高真空に保たれる。
集束要素70.71はレンズ孔74にそって軸線方向に
間隔があけられている。回転要素72は、集束要素70
と集束要素71の間で軸線にそって配置されている。集
束要素70は磁気外側極片76及び外側巻線77を有し
ている。極片76は、孔?4を取り囲み、孔?4の周囲
分取り囲む外側間隙78を形成するために軸線方向に間
隔があけられた対向部?6a、?6b(il有している
。集束要素71は磁気外側極片80及び外lllII巻
線81を有している。極片80 Fi、孔74を取り囲
み、孔74の周囲を取り囲む外4111間隙82゛テ形
成するために軸線方向に間隔があけられた対向部13.
0.a、 80bを有している。回転要素72は、磁気
内(I111極片84及び内側巻線85を有している。
間隔があけられている。回転要素72は、集束要素70
と集束要素71の間で軸線にそって配置されている。集
束要素70は磁気外側極片76及び外側巻線77を有し
ている。極片76は、孔?4を取り囲み、孔?4の周囲
分取り囲む外側間隙78を形成するために軸線方向に間
隔があけられた対向部?6a、?6b(il有している
。集束要素71は磁気外側極片80及び外lllII巻
線81を有している。極片80 Fi、孔74を取り囲
み、孔74の周囲を取り囲む外4111間隙82゛テ形
成するために軸線方向に間隔があけられた対向部13.
0.a、 80bを有している。回転要素72は、磁気
内(I111極片84及び内側巻線85を有している。
極片84fま、孔?4を取り囲み、孔?4の周囲を囲む
内番11間団186を形成するために軸線方向に間隔が
あけられた対向部”as ”b’e有して因る。極片7
6.80.84は、第8図に1つの一体的要素として略
示的に示されている。実際の実施例におしては、極片は
数111Aにして製造され、次に相互に組み立てられ、
巻線が5%1所に配置され、そして完全なレンズ組立体
が形成される。
内番11間団186を形成するために軸線方向に間隔が
あけられた対向部”as ”b’e有して因る。極片7
6.80.84は、第8図に1つの一体的要素として略
示的に示されている。実際の実施例におしては、極片は
数111Aにして製造され、次に相互に組み立てられ、
巻線が5%1所に配置され、そして完全なレンズ組立体
が形成される。
巻線77.81,85は多重巻き導線から成シ、電源か
ら′の電流によって付勢されると、極片76.80.8
4及び間隙78.82.8−6内に磁場を形成する。巻
線のIIL流の相対的な方向は、第4図に示す通p ×
又は ○ によって示される〇×は紙面に向って入る
方向を示し、○は紙面から出て行く方向を示す。集中要
素70は光学的補償巻線88′+−壱することができ、
集束要素71は光学的補償巻線89を有することができ
る。光学的補償巻線の目的は以下でれ明する。レンズは
、巻線77.81,85.88.89、を1つ又はそれ
以上の′電源に接続するためのコネクタのような手段?
有している。
ら′の電流によって付勢されると、極片76.80.8
4及び間隙78.82.8−6内に磁場を形成する。巻
線のIIL流の相対的な方向は、第4図に示す通p ×
又は ○ によって示される〇×は紙面に向って入る
方向を示し、○は紙面から出て行く方向を示す。集中要
素70は光学的補償巻線88′+−壱することができ、
集束要素71は光学的補償巻線89を有することができ
る。光学的補償巻線の目的は以下でれ明する。レンズは
、巻線77.81,85.88.89、を1つ又はそれ
以上の′電源に接続するためのコネクタのような手段?
有している。
集束電流が外側巻線??、81に印加されると、集束磁
場90,91が、第5図のように、間隙18.82内に
、そしてレンズ孔74の隣接部分にそれぞれ形成される
。集束磁場9o、91は反対の極であり、同じ強度、同
じ場の分布を有している。
場90,91が、第5図のように、間隙18.82内に
、そしてレンズ孔74の隣接部分にそれぞれ形成される
。集束磁場9o、91は反対の極であり、同じ強度、同
じ場の分布を有している。
反対向きの磁場90.Qlによって電子ビームに分は与
えられる正味の回転はゼロでめる。回転電流が内側巻線
86に印加されると、回転磁場92は内側間隙86及び
レンズ孔?4の隣+i部分内に形成される。回転磁場9
2は、実質的に集束又は倍率に影皆を与えることなく、
nr望の1g1転を電子ビームに与える。回転磁・揚9
2は、必要な回転に依存して、極性全もっことも、ゼロ
になることもできる。集束磁場9o、91との間に回転
磁場全形成すると、倍率における1回転調節の影響が最
小化される。
えられる正味の回転はゼロでめる。回転電流が内側巻線
86に印加されると、回転磁場92は内側間隙86及び
レンズ孔?4の隣+i部分内に形成される。回転磁場9
2は、実質的に集束又は倍率に影皆を与えることなく、
nr望の1g1転を電子ビームに与える。回転磁・揚9
2は、必要な回転に依存して、極性全もっことも、ゼロ
になることもできる。集束磁場9o、91との間に回転
磁場全形成すると、倍率における1回転調節の影響が最
小化される。
本発明に従う磁気レンズの動作特性は、電子ビームが横
切る領域の磁場に依存する。極片部分76aと76b、
80aと80b、84’aと84bどの間の磁場が、間
隙?8.82、s6に限定されずに、それらが磁場と相
互作用するレンズ孔74の中に仰る。そして、場は、間
隙の幾何学形状、間隙の間の間隔−及び各間隙に印加さ
れる磁場の強度及び極性に依存する。
切る領域の磁場に依存する。極片部分76aと76b、
80aと80b、84’aと84bどの間の磁場が、間
隙?8.82、s6に限定されずに、それらが磁場と相
互作用するレンズ孔74の中に仰る。そして、場は、間
隙の幾何学形状、間隙の間の間隔−及び各間隙に印加さ
れる磁場の強度及び極性に依存する。
回転の調節がム”き束又は倍率に実質的に影響を与え々
いための条件を満すためには、間@78.821.11
3内の&k jamにおいて、その強度と空間分布に関
して限定が加んられなければなら:ケい。外側間隙78
.82の近傍の磁場は選択され、目的物の位IBs像の
位置及び必要な倍率に依存する所望の集束のIlIα囲
を与える。磁場の焦点距離の依存性は次のノ瓜りであz
o 焦点距IAIL” l/ f 13 t2(z ) d
つここで、 2二ビーム軸暢にそった距離 Bffz)−集束磁場 同様に、焦点距離の励磁への依存性は次の通りである。
いための条件を満すためには、間@78.821.11
3内の&k jamにおいて、その強度と空間分布に関
して限定が加んられなければなら:ケい。外側間隙78
.82の近傍の磁場は選択され、目的物の位IBs像の
位置及び必要な倍率に依存する所望の集束のIlIα囲
を与える。磁場の焦点距離の依存性は次のノ瓜りであz
o 焦点距IAIL” l/ f 13 t2(z ) d
つここで、 2二ビーム軸暢にそった距離 Bffz)−集束磁場 同様に、焦点距離の励磁への依存性は次の通りである。
焦点距離−1/(N、If)2
ここで、
Nf==各外側巻線?7.81の巻数
If=各外各巻側巻線、81の集束電流内側間隙の近傍
の磁場は、ビーム回転の必要範囲を与えるべく選択され
る。回転の磁場への依存性は次の通りである。
の磁場は、ビーム回転の必要範囲を与えるべく選択され
る。回転の磁場への依存性は次の通りである。
回転欠/B(z)dz
ここで、
B (z)一回転磁場
同様に、回転の励磁への依存性は次の通りである。
回転=N I
ここで、
Nr−、内側巻線85の巻数
I、=内側巻線85の回転直流
一般的に、開孔24.84(第1図)が最初から機緘的
に整合し、可能な限り接近させであることから、必要な
回転範囲は小さい。
に整合し、可能な限り接近させであることから、必要な
回転範囲は小さい。
外側巻線??、81の電流が典型的に寺しく且つ反対向
であることから、集束要素7o、71によって生じる正
味の回転はゼロである。集束が変化すると、電流は回転
が影響を受けないように等しく保たれる。外側巻11t
177.81の電流が一定時たけ変化でせることかでき
、従って一定のビーム同転を生じさせることができるこ
とは理解されよう。、ビーム回転の調節は回転磁場g2
を変化させることによって行われる。ビーム回転調節の
集束への形勢を最小化するために、焦点距離の式から次
のことがわかるだろう。
であることから、集束要素7o、71によって生じる正
味の回転はゼロである。集束が変化すると、電流は回転
が影響を受けないように等しく保たれる。外側巻11t
177.81の電流が一定時たけ変化でせることかでき
、従って一定のビーム同転を生じさせることができるこ
とは理解されよう。、ビーム回転の調節は回転磁場g2
を変化させることによって行われる。ビーム回転調節の
集束への形勢を最小化するために、焦点距離の式から次
のことがわかるだろう。
f [1r”(z)d z <0.01 f J2(z
)d zこの条件は満し得る。そして、回転磁場Br(
z)の9抑が比較的小さく、軸線方向の相互作用の距離
又は内側間隙の間隔が比較的大きいときに、必要な回転
が得゛られる。−例として、内側及び外側間隙が等しい
間隙であるとき、上記条件は次のように簡略化できる。
)d zこの条件は満し得る。そして、回転磁場Br(
z)の9抑が比較的小さく、軸線方向の相互作用の距離
又は内側間隙の間隔が比較的大きいときに、必要な回転
が得゛られる。−例として、内側及び外側間隙が等しい
間隙であるとき、上記条件は次のように簡略化できる。
B <O,lB。
ビーム回転の9周節の焦点への影善を最小化するための
榮件は次のようにも表することができる。
榮件は次のようにも表することができる。
N I <0.1N(II
内側間隙86が第4図に図示しであるとおり1つの間隙
であるが、回転磁場が、上記条件に従う磁場及び相互作
用を調製するために、1つ又はそれ以上の間隙の形状に
よって形成され得ることも理解されよう。
であるが、回転磁場が、上記条件に従う磁場及び相互作
用を調製するために、1つ又はそれ以上の間隙の形状に
よって形成され得ることも理解されよう。
一般的に、レンズは、個々の間隙からの磁場の重なりを
微小量以下に押えるように形状付けられており、それに
より、ビームが回転するときに倍率の変化全所定の限度
以内に保つ。特別に設計したレンズの性能は、上記の1
−1.0. OhuとE、Munr。
微小量以下に押えるように形状付けられており、それに
より、ビームが回転するときに倍率の変化全所定の限度
以内に保つ。特別に設計したレンズの性能は、上記の1
−1.0. OhuとE、Munr。
(Optllc 61. No、 2(1982)、
121J )のコンピューメブロクラムを利用すること
により計算することができる。磁場の重なシは、間隙の
直径I)(第4図参照)を小さく保つことにより減少す
る。
121J )のコンピューメブロクラムを利用すること
により計算することができる。磁場の重なシは、間隙の
直径I)(第4図参照)を小さく保つことにより減少す
る。
しかし、間隙の直径が減少すると、W6光を不一様にも
する歪みは増加することがら、間隙の匣径に下限が設定
される。間隙の直径をレンズの焦点距離の02から1.
0倍の間の範囲のものにすることが望ましい。磁場の重
なシを減少する付加的な因子が、間隙の間隔Sと間隙の
直径りとの比である。
する歪みは増加することがら、間隙の匣径に下限が設定
される。間隙の直径をレンズの焦点距離の02から1.
0倍の間の範囲のものにすることが望ましい。磁場の重
なシを減少する付加的な因子が、間隙の間隔Sと間隙の
直径りとの比である。
外側間隙78.82に対して、8/Dの値は、0125
から1.5の間の範囲のもので満足のいくものであるが
、好適には026から06の間の範囲が良い。内側間隙
86に関し、僅かに焦点のぼけが伴うが大きな範囲を与
えるためには、s/Dは、磁場の4yりをなくすか又は
最小にするという制限内で、比較的大きな値を取る必要
がるる。内側間隙86に対して、S/Dの値は0.26
から20の範ILiJが好適である。更に、磁場の麓な
りをなくすか又は7長J・にするだめの因子は、間隙の
間の距離L(1)間隙の直径1)に対する比でおる。L
/Dは1から会の間にめることが望ましい。上限として
は、レンズは実施不一」11目に長くなる。必要条件で
はないが、名レンズの要素?(1、−/l、?20間隙
は同じで4−)ることが望−ましい。この仁とにより、
円1.3〕状孔74・のil!径は一定となり、レンズ
の製造を容易にする。更に、必ず必要ではないが、内側
間1原80が外1i111間隙78.82から等距離に
あけらイ」−」゛ることか′¥i−マしい0上述したよ
うに、回転磁場は、1つ又はでれ以上の間隙の形状によ
つ−C形成することができる。
から1.5の間の範囲のもので満足のいくものであるが
、好適には026から06の間の範囲が良い。内側間隙
86に関し、僅かに焦点のぼけが伴うが大きな範囲を与
えるためには、s/Dは、磁場の4yりをなくすか又は
最小にするという制限内で、比較的大きな値を取る必要
がるる。内側間隙86に対して、S/Dの値は0.26
から20の範ILiJが好適である。更に、磁場の麓な
りをなくすか又は7長J・にするだめの因子は、間隙の
間の距離L(1)間隙の直径1)に対する比でおる。L
/Dは1から会の間にめることが望ましい。上限として
は、レンズは実施不一」11目に長くなる。必要条件で
はないが、名レンズの要素?(1、−/l、?20間隙
は同じで4−)ることが望−ましい。この仁とにより、
円1.3〕状孔74・のil!径は一定となり、レンズ
の製造を容易にする。更に、必ず必要ではないが、内側
間1原80が外1i111間隙78.82から等距離に
あけらイ」−」゛ることか′¥i−マしい0上述したよ
うに、回転磁場は、1つ又はでれ以上の間隙の形状によ
つ−C形成することができる。
本発明に従う磁気レンズの一実施例の算出された性能は
第6図に示されている。この例では1)=15.2ミリ
メートル、L−24ミリメートル、各間隙78.82.
86に対してS / D = 0.25でおる。
第6図に示されている。この例では1)=15.2ミリ
メートル、L−24ミリメートル、各間隙78.82.
86に対してS / D = 0.25でおる。
第6図において、レンズの倍率及び像の回転はXの関数
でグ5ノにされている。ここで、Xは各外側間隙に関す
る内側間隙の公邸励磁(fract 1onalexc
itation)である。また、第6図において、集束
を維持するために必要な外all 11jjl’iAの
アンペア−ターン(ampere turn) A T
がグラフにされている。大きな回転の変化に対して、集
束を維持するために外側間隙のアンペア−ターン71−
減少させる必要があることがわかるだろう。しかし、必
要な回転の範囲は僅かな程度に限定され、装置は、集束
の理想的な深さを有している。これら条件が満されると
、内側間隙の励磁は小さく保つことができ、回転調節が
焦点をIまかずことなくおこない得る。この典型的な動
作範囲は、第6図に示す通り、Xs とX、の間の範囲
の餉Xである。この範囲において、集束に対応するAT
の変化、及び倍率の変化は共に最小である。補償巻線8
8.89は第6図の曲線を計p゛する上で使用されてい
々い。。
でグ5ノにされている。ここで、Xは各外側間隙に関す
る内側間隙の公邸励磁(fract 1onalexc
itation)である。また、第6図において、集束
を維持するために必要な外all 11jjl’iAの
アンペア−ターン(ampere turn) A T
がグラフにされている。大きな回転の変化に対して、集
束を維持するために外側間隙のアンペア−ターン71−
減少させる必要があることがわかるだろう。しかし、必
要な回転の範囲は僅かな程度に限定され、装置は、集束
の理想的な深さを有している。これら条件が満されると
、内側間隙の励磁は小さく保つことができ、回転調節が
焦点をIまかずことなくおこない得る。この典型的な動
作範囲は、第6図に示す通り、Xs とX、の間の範囲
の餉Xである。この範囲において、集束に対応するAT
の変化、及び倍率の変化は共に最小である。補償巻線8
8.89は第6図の曲線を計p゛する上で使用されてい
々い。。
第7図において、本発明を実施した磁気レンズの他の実
施例の性能が図示されている。この実施例にお^て、間
隙の直径りは17.8ミリメートルまで増加し、従って
、内側間隙の磁場と外側間隙の磁場との間の重なりが小
さくなる。間隙の間の間隔は24ミリメートルでS/D
の値は0211である。
施例の性能が図示されている。この実施例にお^て、間
隙の直径りは17.8ミリメートルまで増加し、従って
、内側間隙の磁場と外側間隙の磁場との間の重なりが小
さくなる。間隙の間の間隔は24ミリメートルでS/D
の値は0211である。
この小さな場の重なυによって、アンベアーターンAT
曲線に関して倍率曲線のずれが生じる。この特性を利′
用して、AT曲線の補正を行り、それにより回転駒部の
より広い範囲を得る一方で、集束への影Wを最小にする
。補償巻線88.89を集束要素70.71の有効アン
ベアーターンを減少させるために付勢し、内側巻線86
による内側間l!X186の励磁を増加させる。これに
より、第7図のATaiKの一部に近似した直線が与え
られる。
曲線に関して倍率曲線のずれが生じる。この特性を利′
用して、AT曲線の補正を行り、それにより回転駒部の
より広い範囲を得る一方で、集束への影Wを最小にする
。補償巻線88.89を集束要素70.71の有効アン
ベアーターンを減少させるために付勢し、内側巻線86
による内側間l!X186の励磁を増加させる。これに
より、第7図のATaiKの一部に近似した直線が与え
られる。
好適な実施例としては、補償巻線88,8Gは内111
1巻馳85と直列に接続される。補償88.89τ使用
することによシ、ビームがレンズの集束又は倍率に実質
的に影響を与えることなく回転可能となる範囲が増加す
る。
1巻馳85と直列に接続される。補償88.89τ使用
することによシ、ビームがレンズの集束又は倍率に実質
的に影響を与えることなく回転可能となる範囲が増加す
る。
第8図において、本発明を実施した8間隙レンズ及び2
間隙集束レンズに対して、倍率が回転の関数としてグラ
フにされている。2間隙レンズの場合に、回転は、1つ
の巻線の電流を増加し、他の巻線の電流を減少すること
によって得られる。
間隙集束レンズに対して、倍率が回転の関数としてグラ
フにされている。2間隙レンズの場合に、回転は、1つ
の巻線の電流を増加し、他の巻線の電流を減少すること
によって得られる。
このことは集束を維持するが、しかし倍率に許容しかた
1変化をもたらす。それは、非対称な励磁がレンズの主
面をシフトするからである。8間隙の場合の回転は、内
側間隙の磁場を変化させ、2つの外側間隙の励磁を一定
に保つことによって得られる。第8図に示すとおシ、倍
率は、8間隙の場合に対してほぼ一定である。
1変化をもたらす。それは、非対称な励磁がレンズの主
面をシフトするからである。8間隙の場合の回転は、内
側間隙の磁場を変化させ、2つの外側間隙の励磁を一定
に保つことによって得られる。第8図に示すとおシ、倍
率は、8間隙の場合に対してほぼ一定である。
第9図においでは、本発明を実施したレンズが間隙の直
径の関数で歪むことを示している。嬉9図に示す歪みを
計算する際は、第1の開孔と第2の開孔84との間の間
隔Lt(第1図参照)を20ctn 、必要な倍率を0
5、第B、の開孔84の全偏向場を160ミクロン、間
隙距離りを24ミリメートル、8/Dを0.25と仮定
している。許容可能な歪み及び♂f容5I能な磁場の屯
なシを有する動作領域が示されている。また、比較のた
めに、第9図には、1つの間隙レンズに関連した歪みを
も図示されている。
径の関数で歪むことを示している。嬉9図に示す歪みを
計算する際は、第1の開孔と第2の開孔84との間の間
隔Lt(第1図参照)を20ctn 、必要な倍率を0
5、第B、の開孔84の全偏向場を160ミクロン、間
隙距離りを24ミリメートル、8/Dを0.25と仮定
している。許容可能な歪み及び♂f容5I能な磁場の屯
なシを有する動作領域が示されている。また、比較のた
めに、第9図には、1つの間隙レンズに関連した歪みを
も図示されている。
本発明の好適実施例は本発明全説明するためのもσ)で
、当条省であれば特Wf蛸求の部門から逸脱することな
くいろいろな弧形、変更を加えられることは明らかであ
る。
、当条省であれば特Wf蛸求の部門から逸脱することな
くいろいろな弧形、変更を加えられることは明らかであ
る。
第1図は、ビーム整形全利用した電子ビームリソグラフ
装置ばの略示図である。 第2A−RD図は、1j変な長さ、幅及び方向を有する
ビーム断面を形成する第1図の装置の動作の説明図であ
る。 m 8 bAは、第1図の装置uによるパターン走査を
図示する。 第4図は、本発明を実施した磁気イメージレンズの断面
図である。 第5図は、第4図に示すレンズの磁場を図示するO 第6図は、第4図のレンズの一実施例の性能を図示する
グラフである。 第7図は、第4図のレンズの他の実施例の性能全図示す
るグラフである。 第8図は、レンズの倍率全回転の関数として図示するグ
ラフでおる。 第0図は、磁極片の直径に対するレンズの歪みを図示す
るグラフである。 〔主要符号の説明〕 70.71−一集束要素 72−一回転要素74−−レ
ンズ孔 ?6.80.84−一極片76a、 i6b、
80g、 80b、 84a、 84b−一対向部分
?’/、 81.85−一巻線 78.82−一外側曲
隙88.89=−補償巻M 86一−内側間隙90.9
1−一磁場 9g−一回転磁場FIG、 l FIG2
A FIG、3 ヒl(j、6 回転C度)
装置ばの略示図である。 第2A−RD図は、1j変な長さ、幅及び方向を有する
ビーム断面を形成する第1図の装置の動作の説明図であ
る。 m 8 bAは、第1図の装置uによるパターン走査を
図示する。 第4図は、本発明を実施した磁気イメージレンズの断面
図である。 第5図は、第4図に示すレンズの磁場を図示するO 第6図は、第4図のレンズの一実施例の性能を図示する
グラフである。 第7図は、第4図のレンズの他の実施例の性能全図示す
るグラフである。 第8図は、レンズの倍率全回転の関数として図示するグ
ラフでおる。 第0図は、磁極片の直径に対するレンズの歪みを図示す
るグラフである。 〔主要符号の説明〕 70.71−一集束要素 72−一回転要素74−−レ
ンズ孔 ?6.80.84−一極片76a、 i6b、
80g、 80b、 84a、 84b−一対向部分
?’/、 81.85−一巻線 78.82−一外側曲
隙88.89=−補償巻M 86一−内側間隙90.9
1−一磁場 9g−一回転磁場FIG、 l FIG2
A FIG、3 ヒl(j、6 回転C度)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、荷電粒子ビーム像を作るための磁気レンズであって
、 a)前記ビームの軸線にそって第1の集束磁動を形成す
る蕗1の磁気手段と、 b)該IAlの磁気手段から前記ビームの軸線にそって
間隔をあけて配置され、前記第1の集束磁場とは反対の
極性を有する第2の集束磁場を形成する第2の磁気手段
と、C)前記第1の磁気手段と前記第2の磁気手段との
間で前記ビームの軸線にそって配置され、倍率又は集束
に実質的変化を与えずに前記ビームを回転させるために
変化させることができる回転磁場を形成する第8の磁気
手段と、 から成り、 前記第1及び第2の集束磁場が、共に変化するときに、
ビームの回転に実質的な変化を与えずにビームを集束す
べく動作するところのレンズ。 2、特許請求の範囲第1項に記載されたレンズであって
、 前記各磁気手段が、中央レンズ孔を取り囲み、間隙を画
成するために軸線方向に間隔が6けられた部分を有する
磁極片、及び電冴がら受信した1M、#Lに応答して前
記他片及び前記間腺を付勢する巻線部を有するところの
レンズ0 8 特許請求の範囲第1項に記載さt’−fcレンズで
あって、 /B:(zldz((101/B(”(zldzここで
、2−前記ビーム軸線にそった距離B (zl=前記回
転磁場 B t k)−各前記集束磁場 であるところのレンズ。 4 特許請求の範囲第8項に記載されたレンズであって
、 T′8i+記第1及び第2の磁気手段と結合し、Ail
記回転磁場が増加したときに、前記第1及び第2の集束
イl杼場を減少させるべく動作する補償手段を更に有す
るところのレンズ。 5 、特許1.請求の範囲・)% 31rliiに記載
されたレンズであって、 [)u記2′4↓2の集束磁場が、前記第1の磁場と同
じ強度及び空間分布を実質的に有するところのレンズ。 6 荷′α粒子ビーム像を作るだめの磁気レンズであつ
゛て、 a)+iil記<’I ′it R々子ビームが通過す
る1/ンズ孔にそって軸線方向に間隔があけられた一対
の集束要素と、 b)該集束要素との間に軸線方向に配置d芒れた回転要
素と、 から成り、 前記集束要素の各々が、 Ail記孔を取り囲み、周囲外側間隙を画成するために
軸線方向(C間隔があけられた対向する部分を有する外
側極片と、 核外側極片を付勢L7、集束電流に応答して前記外側間
隙の近傍に集束磁場を形成する外側巻線部を有し、 前記回転要素が、 前記孔を取り囲み、周囲外側間隙を画成するために軸線
方向に間隔があけられた対向する部分を有す内側極片と
、 該内側極片を付勢し、回転ta流に応答して前記内側間
隙の近傍に回転磁場を形成する内側巻線部を有する、 ところの磁気レンズ。 7、 特許請求の範囲第6項に記載されたレンズであっ
て、 前記外f111間隙の近傍の集束11<、’J場は、強
度が等しく、方向が逆であるところのレンズ。 8 特許請求の範囲第6項に記載されたレンズでおって
、 前記列側巻線部の前記集束電流の強度が等しいところの
レンズ。 9 特許請求の範囲第6項に記載されたレンズであって
、 前記外側間隙の個1線方向の寸法ど前記外側間隙の内側
直径との間の比が、0185から15の間の範囲にある
ところのレンズ。 IO特許請求の範囲第6項に4己載されたレンズであっ
て、 前記夕j側間隙の’1fill =x方向の寸法と前記
外側間βλの内直径どの比が、025から05の間の範
囲にあるところのレンズ。 11、特許請求の範囲第10項に記載されたレンズぐで
あって、 前%i′:内伸間隙と前記外側間隙との間の間隔の前記
孔のvr径との比が、■から手の間の範囲にあるところ
のL/ンズ。 L2. q4許栢*の範囲第11項1にOlシ載された
レンズであって、 前N己内仰1間隙のll’iil紡方向の寸法と前記内
側聞IQの内直径との比が、025から2の間の範囲に
あるところのレンズ。 18 特許請求の範囲第6項に記載されたレンズであっ
て、 N、 I ’、<0.1NfI 1 ここで Nr=前記内側巻線部の巻数 Nf−前記外側巻線部の巻数 I(−前記集束電流 でちるところのレンズ。 14、特許請求の範囲第18項に記載されたレンズであ
って、 前記内−側極片及び前記外側極片が中空トロイド゛形状
体であシ、 前記各巻線部が前記中空トロイド形状体内に配置されて
いるところのレンズ。 IL 特許請求の範囲第6項に記載8れたレンズであっ
て、 前記各集束要素が、更に、前記回転磁場が増加したとき
に、前記外側巻線部によって形成される前記集束磁場を
減少さぜろべく動作する神イlh巻紗都を有するところ
のレンズ。 15 特訂誼求の帥囲第15項に記載されたレンズでl
しって、 111S記補償巻線部が、前記内仙1巻線部と直列に龜
1;iされ、n’l S[3回転イ磁場と同於だけ前記
集束6・)(場を誠少するところのレンズ。
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- 1984-07-24 EP EP84305033A patent/EP0133016A3/en not_active Withdrawn
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EP0133016A3 (en) | 1986-04-16 |
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