JPS6043830A - フオトレジスト膜等の被膜の除去法 - Google Patents
フオトレジスト膜等の被膜の除去法Info
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 32
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 22
- 238000005422 blasting Methods 0.000 abstract description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical compound OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 5
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 21
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 14
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N nitrogen oxide Inorganic materials O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 3
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 241000123069 Ocyurus chrysurus Species 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- CMMUKUYEPRGBFB-UHFFFAOYSA-L dichromic acid Chemical compound O[Cr](=O)(=O)O[Cr](O)(=O)=O CMMUKUYEPRGBFB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011874 heated mixture Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011882 ultra-fine particle Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体工業等のホトエツチング工程等に適用し
得るフォトレジスト膜等の被膜の除去法に関する。
得るフォトレジスト膜等の被膜の除去法に関する。
従来、例えば半導体工業等において基板面にフォトエツ
チングを行なった後不要になったレジストに除去する方
法として１）加熱した重クロム酸と硫酸の混合液で酸化
せしめる、１１）酸素気流中で茜温に加熱して燃焼せし
める。 １ｉｉ）高温の剥離剤中に浸漬して膨潤させて
から剥がす、１■）低い圧力の酸素気流中で高周波によ
るグロー放電による加熱で酸化せしめる。などが行なわ
れているが、薬液レジストの酸化燃焼炭化による基板表
面の汚染、不純物の付着、加熱劣化損傷等が伴ない製造
ロス、不良製品の発生等をさけることができない不都合
がある。
チングを行なった後不要になったレジストに除去する方
法として１）加熱した重クロム酸と硫酸の混合液で酸化
せしめる、１１）酸素気流中で茜温に加熱して燃焼せし
める。 １ｉｉ）高温の剥離剤中に浸漬して膨潤させて
から剥がす、１■）低い圧力の酸素気流中で高周波によ
るグロー放電による加熱で酸化せしめる。などが行なわ
れているが、薬液レジストの酸化燃焼炭化による基板表
面の汚染、不純物の付着、加熱劣化損傷等が伴ない製造
ロス、不良製品の発生等をさけることができない不都合
がある。
本発明はか＼る従来の除去法を廃し、基材の汚染異物の
付着、熱による損傷等を防止してフォトレジスト等の被
膜を除去できるようにし急除去法を提供するもので、基
材面に直接又は間接ＩＩＣｌｆａした被膜にＣＯ２粒子
を噴射衝突せしめること全特徴とする。
付着、熱による損傷等を防止してフォトレジスト等の被
膜を除去できるようにし急除去法を提供するもので、基
材面に直接又は間接ＩＩＣｌｆａした被膜にＣＯ２粒子
を噴射衝突せしめること全特徴とする。
本発明の実施の１例を、半導体工業のフォトエツチング
工程に適用した場合で説明する。基板面に例えばシリコ
ン板に５ｉＯｚ コーティングを行ない、次でこの５ｉ
０２ 塗膜面上にフォトレジスト液を塗布した後、プレ
ベークで溶剤を除去し、その乾燥フォトレジスト膜上に
フォトマスクを重ねて露光させ所定のレジスト画像を形
成］−１次でスプレー法、浸漬法などで露光部を現像す
るとともにマスクにかくされた未露光部全除去し友後ポ
ストベークで基板へのフォトレジスト露光部の接着性と
レジスト自身の耐食性を向上させ次で基板をエツチング
液に浸しレジストで被膜されていない不要部ｔ（６解し
、所定形状の凹凸面をもつ基板即ちエツチング加工基板
を得た後、その不要になったレジストを除去するノテあ
るが、この最終の７オトレジストの除去工程で行われて
いた前記従来の除去法を廃して、本発明は、そのレジス
ト面に炭火炭酸答りのボンベに接続した噴出用ノズルよ
りＣＯ２を噴出させその自由膨ｊ損によすＣＯｚ固形粒
子を生成させこれをその基板のレジストに噴射衝矢せし
めてこれを除去する。而してその粒子はＣＯｘであるの
で、基板面を汚染せしめるおそれがないと共に衝突後直
ちに気化し基板面に側管付着物として残らない。
工程に適用した場合で説明する。基板面に例えばシリコ
ン板に５ｉＯｚ コーティングを行ない、次でこの５ｉ
０２ 塗膜面上にフォトレジスト液を塗布した後、プレ
ベークで溶剤を除去し、その乾燥フォトレジスト膜上に
フォトマスクを重ねて露光させ所定のレジスト画像を形
成］−１次でスプレー法、浸漬法などで露光部を現像す
るとともにマスクにかくされた未露光部全除去し友後ポ
ストベークで基板へのフォトレジスト露光部の接着性と
レジスト自身の耐食性を向上させ次で基板をエツチング
液に浸しレジストで被膜されていない不要部ｔ（６解し
、所定形状の凹凸面をもつ基板即ちエツチング加工基板
を得た後、その不要になったレジストを除去するノテあ
るが、この最終の７オトレジストの除去工程で行われて
いた前記従来の除去法を廃して、本発明は、そのレジス
ト面に炭火炭酸答りのボンベに接続した噴出用ノズルよ
りＣＯ２を噴出させその自由膨ｊ損によすＣＯｚ固形粒
子を生成させこれをその基板のレジストに噴射衝矢せし
めてこれを除去する。而してその粒子はＣＯｘであるの
で、基板面を汚染せしめるおそれがないと共に衝突後直
ちに気化し基板面に側管付着物として残らない。
第１図は、不法全実施する装置の１例を示し、（１）は
液化炭酸ボンベ、（２）はこれから導出する接続管、（
３）にその先端の円径ｌＩ＋ｌｌ１１の噴出用ノズル・
（４）は接続管に介在させた流量計、（５）は流量調節
弁を示す。か＼るＣＯ２粒子ブラスト装置を使用し、そ
のノズル（３）の前面にエツチング処理後の基板ａを置
き、基板ａの表面に残るレジスト膜ｂ（厚さ０．４μｒ
ｒＬ）にノズル（３）をこれに対し直角に或は傾斜させ
て液化炭酸を噴出させその膨出時の自由膨張による急冷
で固化した炭酸粒子を３０ｆ程度吹き当てれば、全ての
レジスト膜すは除去される。その炭酸粒子は衝突後直ち
に気化しその基板面に全く残存せず、清浄にレジスト膜
すの除去が終了する。ノズルの基材面に対し、４５０の
角度が直角で同じＣＣｈ噴出量で噴出させた場合の１０
倍の除去効果があることが認められた。
液化炭酸ボンベ、（２）はこれから導出する接続管、（
３）にその先端の円径ｌＩ＋ｌｌ１１の噴出用ノズル・
（４）は接続管に介在させた流量計、（５）は流量調節
弁を示す。か＼るＣＯ２粒子ブラスト装置を使用し、そ
のノズル（３）の前面にエツチング処理後の基板ａを置
き、基板ａの表面に残るレジスト膜ｂ（厚さ０．４μｒ
ｒＬ）にノズル（３）をこれに対し直角に或は傾斜させ
て液化炭酸を噴出させその膨出時の自由膨張による急冷
で固化した炭酸粒子を３０ｆ程度吹き当てれば、全ての
レジスト膜すは除去される。その炭酸粒子は衝突後直ち
に気化しその基板面に全く残存せず、清浄にレジスト膜
すの除去が終了する。ノズルの基材面に対し、４５０の
角度が直角で同じＣＣｈ噴出量で噴出させた場合の１０
倍の除去効果があることが認められた。
第２図は、Ｃ０２粒子の噴出速度を加速させて。
レジスト膜の除去を行なうようにし７ヒダ形例を実施す
る装置を示し、（６）は、液体窒素が流通するジャケッ
ト弐周壁（７）をもつＣｏｔ粒子粒子用成用閉室を示し
４密閉室（６）の後壁にはこれを貫通してＣＯ！ガス導
入管（８）と−Ｃ（ｈ粒子搬送用のＮ２ ガス導入管（
９）とを備え、七〇前壁０Ｉには先方の処理室（ｌＩ内
に突出する噴出ノズル（３）を備え導入管（８）よシ密
閉室（６）内に導入した０ ０２ガスを液体窒素で冷却
凝結して無数のＣＯ２粒子を密閉室（６）内に生成せし
めると共にこれを導入管（９）により導入したＮ２ ガ
スでその生成ＣＯｚ粒子を攪拌担持し乍ら該ノズル（３
）内１ｃｃ０２粒子を送給しノズル（３）よｆ） ＣＯ
２粒子を噴出せしめるようにする。この場合その噴出流
全加速するためにノズル（３）の側面に加速用Ｎｚガス
導入管（１１）を接続し、これに加速用Ｎ２ガスを流入
せしめるようにした。
る装置を示し、（６）は、液体窒素が流通するジャケッ
ト弐周壁（７）をもつＣｏｔ粒子粒子用成用閉室を示し
４密閉室（６）の後壁にはこれを貫通してＣＯ！ガス導
入管（８）と−Ｃ（ｈ粒子搬送用のＮ２ ガス導入管（
９）とを備え、七〇前壁０Ｉには先方の処理室（ｌＩ内
に突出する噴出ノズル（３）を備え導入管（８）よシ密
閉室（６）内に導入した０ ０２ガスを液体窒素で冷却
凝結して無数のＣＯ２粒子を密閉室（６）内に生成せし
めると共にこれを導入管（９）により導入したＮ２ ガ
スでその生成ＣＯｚ粒子を攪拌担持し乍ら該ノズル（３
）内１ｃｃ０２粒子を送給しノズル（３）よｆ） ＣＯ
２粒子を噴出せしめるようにする。この場合その噴出流
全加速するためにノズル（３）の側面に加速用Ｎｚガス
導入管（１１）を接続し、これに加速用Ｎ２ガスを流入
せしめるようにした。
（１２１ｕ Ｌ’ｆｉ 入％’ （１１１１ｃ 介在（
Ｄ ＮＵ ｆｍ 弁、ｕｕｃｏ、ガス４人管（８）に介
入せしめた調節弁、■は搬送用Ｎ２ガス導入管（４）に
介入させた調節弁を示す。該処理室（１０）は真空排気
系（図示しない）に接続しその室（１０１内のガス等を
真空吸引排除するようにし。
Ｄ ＮＵ ｆｍ 弁、ｕｕｃｏ、ガス４人管（８）に介
入せしめた調節弁、■は搬送用Ｎ２ガス導入管（４）に
介入させた調節弁を示す。該処理室（１０）は真空排気
系（図示しない）に接続しその室（１０１内のガス等を
真空吸引排除するようにし。
その室（１０）の１側壁に操作杆（１５１を進退自在に
気密に貫通して設け、その先端に基板ａを保持して前記
ノズル（３）の前面に存せしめて基板ａの被膜すの除去
処理が行なわれるようにした。室（１αの図面で左側の
凹室（１０ａ）は処理すべき基板ａを積層しｆｃストッ
ク室としその右側の凹室（１０ｂ）を処理ずみのストッ
ク呈と、した。この装置を作動し末法を実施する具体例
は次の通りである。
気密に貫通して設け、その先端に基板ａを保持して前記
ノズル（３）の前面に存せしめて基板ａの被膜すの除去
処理が行なわれるようにした。室（１αの図面で左側の
凹室（１０ａ）は処理すべき基板ａを積層しｆｃストッ
ク室としその右側の凹室（１０ｂ）を処理ずみのストッ
ク呈と、した。この装置を作動し末法を実施する具体例
は次の通りである。
Ｃ（ｈ粒子生成’Ａ １６１ 内１ｃ ＣＯｘガス導入
ｇ＋ｓ）ｒ：ｇＣＯ２ガス’Ｔｈ Ｏ，３ｔＮＴＰ／―
（３０ｆ ／ｇ＃ ） の流量で導入し、１方搬送用Ｎ
３ガス導入′旨（９）よりｌｔｌ−の流量で導入する。
ｇ＋ｓ）ｒ：ｇＣＯ２ガス’Ｔｈ Ｏ，３ｔＮＴＰ／―
（３０ｆ ／ｇ＃ ） の流量で導入し、１方搬送用Ｎ
３ガス導入′旨（９）よりｌｔｌ−の流量で導入する。
然るときは、該罠（６）内に導入されたＣＯ２ガスは液
体窒素により急冷凝固して無数のＣＣｈ粒子が生成し、
該粒子集団は導入されたＮ２ガスで攪拌されながらノズ
ル（３）内に送給される。ノズル（３）内に送給さノし
たＣ（ｈ粒子流はその側方の加速用Ｎ２ガス導入ｖａＤ
より２０１７ｍで流入する加速用Ｎ２ガスにより加速さ
れてノズル（３）先端より勢い良く噴出しその先方正面
にセットした基板ａに衝突し、その表面の被膜ｂｆＩ：
破壊除去する。除去された被膜片はＮ２ガスと共に真空
吸引排気されるので、常に清浄で能率のよい被膜除去作
業を行なうことができる。末法のＣＣｈ粒子による被膜
の除去は、例えば、前記フォトレジスト工程【ておいて
レジスト膜露光、現像後の未露光部の除去段階力・ら使
用するときは、全くエツチング液の使用全廃止できる。
体窒素により急冷凝固して無数のＣＣｈ粒子が生成し、
該粒子集団は導入されたＮ２ガスで攪拌されながらノズ
ル（３）内に送給される。ノズル（３）内に送給さノし
たＣ（ｈ粒子流はその側方の加速用Ｎ２ガス導入ｖａＤ
より２０１７ｍで流入する加速用Ｎ２ガスにより加速さ
れてノズル（３）先端より勢い良く噴出しその先方正面
にセットした基板ａに衝突し、その表面の被膜ｂｆＩ：
破壊除去する。除去された被膜片はＮ２ガスと共に真空
吸引排気されるので、常に清浄で能率のよい被膜除去作
業を行なうことができる。末法のＣＣｈ粒子による被膜
の除去は、例えば、前記フォトレジスト工程【ておいて
レジスト膜露光、現像後の未露光部の除去段階力・ら使
用するときは、全くエツチング液の使用全廃止できる。
尚不法は、ンオトレジス）ＩＩＫに限うず、窒素酸化物
などの酸化被ｊ漠、有機高分子膜などの各種の被膜の除
去に利用できる。
などの酸化被ｊ漠、有機高分子膜などの各種の被膜の除
去に利用できる。
又不法の他の実施例として、ＣＯ２粒子と共にＮ２０の
氷の微粒子を適量混ぜて使用することができる。
氷の微粒子を適量混ぜて使用することができる。
尚、ＣＯｚの徽粒度は、適当１ｃ選択できるが、そのブ
ラスト粒子により被膜がエツチング除去されて今や基板
の表面が露われる肉薄の最終の除去段階においては、特
に０．１μ以下の超微粒子のものを使用することが好ま
しい。
ラスト粒子により被膜がエツチング除去されて今や基板
の表面が露われる肉薄の最終の除去段階においては、特
に０．１μ以下の超微粒子のものを使用することが好ま
しい。
このように本発明によるときは、ＣＯ２粒子のブラスト
によｐ基材上の被膜を除去するようにしたので、基材面
を全く汚染せしめることがなく、又ブラスト後は気化す
るので従来のサンドブラストのように、基材面にそのブ
ラスト粒子が付這することが全くなく、作業を円滑にし
、又微細な表面処理に有用である等の効果を有する。
によｐ基材上の被膜を除去するようにしたので、基材面
を全く汚染せしめることがなく、又ブラスト後は気化す
るので従来のサンドブラストのように、基材面にそのブ
ラスト粒子が付這することが全くなく、作業を円滑にし
、又微細な表面処理に有用である等の効果を有する。
第１図は不法を実施する１例の装置の１部を截除した断
４面図、第２図は他側の装置の断面図を示す。 ｆｉ＋・・・液化炭酸ｌンペ （３）・・・ノズルａ１
０．基材 ｂ・・・被膜 （６）・・・ＣＯ２粒子生成室 （８）・・・ＣＯ２ガ
ス導入管（９）・・・搬送用Ｎ２ガス導入管（ｌ］ｌ・
・・加速用Ｎ２ガス導入管（１４１・・・操作杆
４面図、第２図は他側の装置の断面図を示す。 ｆｉ＋・・・液化炭酸ｌンペ （３）・・・ノズルａ１
０．基材 ｂ・・・被膜 （６）・・・ＣＯ２粒子生成室 （８）・・・ＣＯ２ガ
ス導入管（９）・・・搬送用Ｎ２ガス導入管（ｌ］ｌ・
・・加速用Ｎ２ガス導入管（１４１・・・操作杆
Claims (1)
- 基材面に直接又は間接に施した被膜にＣ（ｈ粒子′ｆ、
噴射衝突せしめることを特徴とするフォトレジスト膜等
の被膜の除去法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15095283A JPS6043830A (ja) | 1983-08-20 | 1983-08-20 | フオトレジスト膜等の被膜の除去法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15095283A JPS6043830A (ja) | 1983-08-20 | 1983-08-20 | フオトレジスト膜等の被膜の除去法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6043830A true JPS6043830A (ja) | 1985-03-08 |
Family
ID=15508009
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15095283A Pending JPS6043830A (ja) | 1983-08-20 | 1983-08-20 | フオトレジスト膜等の被膜の除去法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6043830A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6092537A (en) * | 1995-01-19 | 2000-07-25 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Post-treatment method for dry etching |
| JP2001177136A (ja) * | 1999-10-05 | 2001-06-29 | Fuji Electric Co Ltd | 薄膜太陽電池の製造方法ならびに粉体噴射法による薄膜基板貫通孔加工装置およびパターニング装置 |
| JP2001250773A (ja) * | 1999-08-12 | 2001-09-14 | Uct Kk | レジスト膜除去装置及びレジスト膜除去方法 |
| WO2005084831A1 (ja) * | 2004-03-08 | 2005-09-15 | Jipukomu Kabushiki Kaisha | アルカリ可溶型感光性樹脂の剥離方法 |
| JP2009085537A (ja) * | 2007-10-01 | 2009-04-23 | Kobelco Eco-Solutions Co Ltd | 廃棄物供給装置およびそのシール方法 |
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