JPS6042939A - 電子チユ−ナ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 イ、産業上の利用分野 本発明は両面プリント基板を用いた電子チューナニオけ
る入出力間のアイソレーションの改善に関する。

口、従来技術 高周波チューナのシールド構造は、そのアイソレーショ
ン特性に与える影響が著しく大きい。例えば、入出力間
のアイソレーションは高周波チューナを動作させないと
きの入出力間の努離度で測定され、例えば１００ｄＢの
入力に対し２０ｄＢの出力が得られたとすると８０ｄＢ
のアイソレーションが得られたという。入出力間のアイ
ソレーションが悪（なるとイメージリジェクションやＩ
Ｆリジェクションを低下させる。これはＡＧＣ作動によ
りざらに悪化する。そしてイメージリジェクション及び
ＩＦリジェクションは、この入出力間のアイソレーショ
ン値を越えることができず、それ故、入出力間のアイソ
レーション特性はチューナ特性の改、善を図るため最も
基本的な特性となる。

従来この入出力間アイソレーションの改善を図るために
次に説明するような構造が採用されていた。

一般的なチューナシールド構造は、第１５図に示すよう
に、チューナ回路部品を組付けたプリン１−ハ板（１）
を金属筐体のシールドケース（２）内に組イ」け、プリ
ント基板（１）に立設したシールド板（３）（”３）・
−・により内部空間を仕切って、チューナ回路の各同調
回路毎にキャビティを設けている。ここで各シールド板
（３）（３）−の接地はシールドケース（２）の蓋部分
であるシールドカバー（２ａ）から切り起こした゛ｒ−
ス舌片（４）＜４）−を各シールド板（３）（３）−に
弾接させて行っている。

入出力間アイソレーション特性の改善は各キャビティ間
のアイソレーション特性を向上すればよい。このため従
来は第２図及び第３図に示すようにプリント基板（５）
の両面にアースランド（６）（７）を形成しその一部が
シールド板（３）の取付脚部（３ａ）附近に位置するよ
うに設け、シールド板（３）の取付脚部（３ａ）を両ア
ースランド（６）（７）に半田（８）で接続することに
より両アースランド（６）　（７）を電気的に接地して
いる。なおアースランド（７）の一部はシールドケース
（２）に直接半田（８）で接続される。このように両面
プリント基板（５）を用いた場合シールド板（３）の立
設側には高さのあるリード付き部品（９）が配置され、
その反対側の面には小型チップ状のリードレス部品（１
０）が配置される。上記構造によってシー）Ｊド１反（
３）及びシールドケース（２）に囲まれて形成されたキ
ャビティ内部空間（１１）は、リード付き部品（９）の
載置面倒のアースランド（６）の存在によりプリント基
板（５）の基材（５ａ）をその外側においている。従っ
て、点線で示すような基＋ｉｆ　（５ａ）を通過するキ
ャビティ間の電波漏洩がなくなる。またプリント基板（
５）の面でのシールドをその表裏面の二面で行うことが
でき、キャビティ間のアイソレーションが良くなり、入
出力間のアイソレーション特性が良好になる。

しかしながらこの従来の構成においてもアイソレーショ
ン特性の改善には限度があり、通富時のイメージリジェ
クション及びＩＦリジェクションは十分に改善できるが
、ＡＧＣ回路動作時のイメージリジェクションは十分な
特性が得られなかった。

この理由は部品挿入側のアースランド（６）の接地が十
分でないことである。

すなわち部品挿入側のアースランド（６）は、第４図に
示すようにチューナ回路を構成する電子部品（９）の配
線パターン（１２）を通すため一方の側がシールドケー
ス（２）に直接接地することができない。すなわちこれ
の主たる接地構造は、初めにシールド板（３）に半田（
８）で接続され、次にこのシールド板（３）がシールド
カバー（２ａ）のアース舌片（４）の弾接によってシー
ルドケース（２）に接続されるという二つの段階を踏ん
でシールドケース（２）に接地されるものである。この
結果部品挿入側のアースランド（６）は完全に接地され
ず十分なシールド効果が得られない。従って入出力間の
アイソレーションの改善効果には限度があったのである
。９ ハ６発明の目的 本発明はチューナ回路を組付けたプリント基板をシール
ドケース内に収納し、且つ上記プリント基板の両面にア
ースランドを設けた電子チューナにおいて、上記アース
ランドの接地を十分に行うことにより、入出力間のアイ
ソレーション特性を改善することを目的とする。

二０発明の構成 本発明は、特にＵＨＦチューナにおいて、プリント基板
の表裏両面に設けたアースランドを、それらがシールド
部分に接続された位置から離れた箇所でスルーホールに
よって接続した構成を有し、その一方が十分に接地され
ていない状態であっても他方によって十分なアースがと
れるようにしたものである。

ホ、実施例 本発明の一実施例を第５図に示す。この実施例の両面プ
リント基板（５）の表・裏面のアースランド（６）（７
）は、それらがシールド部分（シールドケース（２）又
はシールド板（３））に接続された位置から離れた箇所
でスルーホール（１３）によって電気的に接続される。

このスルーホール（１３）の数は出来るだけ多くするこ
とが好ましいが、最小の数で、その効果を得るには、ア
ースランド（６）（７）の接地が不充分で高周波的に最
も高い電位を持つホットな部分（シールド部分から最も
Ｆｔｔすれた位置）を選択して所要の数だけ設ければよ
い。例えば第４図に示すような配線パターン（６）　（
１２）を有する両面プリント基板（５）ではシールド部
分（２）　（３，）との接続位置から離れた×印（１４
）（１４）の位置に設ける。このスルーホール（１３）
は表裏面のアースランド（６）（７）を接続する機能を
有するものであればよい。例えば第５図に示す実施例の
如くその内周面に表裏面のアースランド（６’）　（７
）を接続する銅箔（１５）が被着形成されたもの、或い
は電子部品の接地側のリード等を挿入しそれを表裏面の
アースランド（６）（７）に夫々半田で接続するように
したもの（図示せず）等がある。

上記構成によって接地が不充分なアースランド（この実
施例では部品挿入側のアースランド（６））の高周波的
にホットな部分は、接地が十分な他面側のアースランド
（この実施例の場合ではリードレス部品（１０）の搭載
側のアースランド（７））に接続され、各キャビティの
シールド機能が改善される。この結果チューナの入出力
間のアイソレーションは従来例よりさらに改善される。

この改善された入出力間のアイソレーション特性を第６
図に示す。この図は、チューナを動作させないで、入力
側に所定レベル（ｄＢ）の高周波を周波数を変化させて
入力させたとき、出力側に現れる出力（ｄＢ）の変化を
示すもので、（ａ）は第２図に示した従来のチューナの
場合の特性、（ｂ）は第５図に示すようにスルーホール
（１３）を所要数設けた場合の特性を示す。

この測定結果から理解されるように本発明のチューナは
従来のチューナに比べて８５０ＭＩＩｚ以上の帯域にお
いてアイソレーションを３０ｄＢ改善することができた
。

なお本発明はＵ　Ｈ’　Ｆチューナに限′らず、Ｖ　Ｉ
（Ｆチューナ或いはＳＨＦのチューナにおいても実施で
き、上記効果を十分に発揮し得るものである。

へ１発明の効果 本発明は電子部品を組付けた両面プリント基板をシール
ドケース内に収容した電子チューナにおいて、両面プリ
ント基板の表裏面に設けたアースランドをスルーホール
によっ′ζ電気的に接続することにより、接地が不充分
な一方のアースランドを他方のアースランドに接続して
、その接地を充分なものにできる。従って電子チューナ
の入出力間のアイソレーションを改善し、特にＡＧＣ回
路が動作したときのイメージリジェクションをも良好な
特性に改善できる。また本発明のスルーホールは、両面
プリント基板のアースランドがその表裏面に形成されて
いる位置であれば任息に必要数だけ形成でき、設計が容
易である。

【図面の簡単な説明】

第１図は電子チューナの概略構成を示す斜視図である。 第２図乃至第４図は従来例を示し、第２図は電子チュー
ナの部分断面図、第３図は第２図のＡ−Ａ線に沿う断面
図、第４図はシールドカバーを外した状態の電子チュー
ナの部分斜視図である。第５図は本発明の一実施例を示
す電子チューナの部分断面図、第６図は従来例（第２図
）と本発明の一実施例（第５図）における入出力間の周
波数に対するアイソレーション特性を比較して示す図で
ある。 （２）　−シールドケース、（２ａ）　−シールドカバ
ー、（３）　−−一一一シールド板、（４’Ｌ−アース
舌片、（５）　−両面プリント法板、（６）（７）−ア
ースランド、（８）−・−半田、（１３）　−スルーホ
ール。 代　理　人　江　原　省　吾　し−Ｌ−、’、−４，，
’ｊ第１　ｃ、＾ 覧ル２Ｄ 第４図 第５　図 ｆ　６　ｎ 用造ち史

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１１両面にアースランドを形成したプリント基板に回
   路部品を実装し、シールドケースに収納し接地接続する
   ものであって、前記両面のアースランドを前記接地接続
   から！４１１間する位置でスルーホールにより接続した
   ことを特徴とする電子チューナ。