JPS604275A - 半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子Info
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- JPS604275A JPS604275A JP58110946A JP11094683A JPS604275A JP S604275 A JPS604275 A JP S604275A JP 58110946 A JP58110946 A JP 58110946A JP 11094683 A JP11094683 A JP 11094683A JP S604275 A JPS604275 A JP S604275A
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Classifications
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- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明は高光沢の反射面を右４る半導体発光素子に関り
るｂので、本素子＃、Ｌ ４ｅｊに光ファイバーどの光
結合などに使用される。
るｂので、本素子＃、Ｌ ４ｅｊに光ファイバーどの光
結合などに使用される。
［ブト明の技術的背與」
半導体発光素子は、発光踪の半導体発光素子ペレッ１〜
から放射される光をね効に外部に取り出すため、光反射
面が使用されている。
から放射される光をね効に外部に取り出すため、光反射
面が使用されている。
従来の金属ステ八本体に掘り込まれた光反射面を持つ半
導体発光素子の４ｊ、ｌｉ ３Ｘムと製造方法について
、従来例第１図を参照して説明Ｊる。 第１図（１１）
は、ボンディング用リード線孔（以下単に１リード孔」
という）２を右りる金属ステム本体１にプレス加工等に
より光反射面３を掘り込ｌｖｌごものを、金属ステム本
体１の中心線とリード孔２の中心線とを含む面で切断し
た断面図゛Ｃある。 金属スチーム本体１の材質は、そ
の酸化膜が刀ラスどよくなじむ鉄又は１ス合金であり、
プレス加」ニにまって製作される。 次にリード孔２の
内表面と外部取り出し用電極４（以下単に１リード線、
１という）の封着部の表面とに酸化ｌｌ５ｊを形成Ｊる
。 次に該金属ステム本体１どリード線４どカラス細銘
又（３１ガラス粉とをＮ、雰囲気のか中で数百”Ｃ〜・
壬数百℃の高温に加熱して、金属ステム本体１にリード
線４をガラス５を介して気密に溶着する。 次に他方の
リード線４′を溶接等−Ｃ金属ス−ｊム本体１に接続す
る。しかる後、メッキ舌の表面処理をＩＪ色して光反射
面３を掘り込まれた金属ス７ム本体１が完成り゛る［リ
ード線４おＪ：ひ４′を有し、かつメッキ処理された金
属ステへ水体１を以下単にステムという（第１図（ｂ）
参照１ｏ 該ステムに半う５・体発光ヌ１子ベレツ１へ
７を固盾し、ボンデイングワイ（７８を用い（ペレツｌ
＝ ’？とリード線４とを電気的に１ｑ続りる［以−］
二の■稈を終えたものを以下単に［ステｌ＼）’ｔンブ
リ」といつく第１図（Ｃ）参照）１６次にカラスレンス
を持つシ１ルを不活１イ［ガス例えばＮ、カスの雰囲気
中でステムアセンブリに気密溶接し℃半導体発光素子を
形成りる。
導体発光素子の４ｊ、ｌｉ ３Ｘムと製造方法について
、従来例第１図を参照して説明Ｊる。 第１図（１１）
は、ボンディング用リード線孔（以下単に１リード孔」
という）２を右りる金属ステム本体１にプレス加工等に
より光反射面３を掘り込ｌｖｌごものを、金属ステム本
体１の中心線とリード孔２の中心線とを含む面で切断し
た断面図゛Ｃある。 金属スチーム本体１の材質は、そ
の酸化膜が刀ラスどよくなじむ鉄又は１ス合金であり、
プレス加」ニにまって製作される。 次にリード孔２の
内表面と外部取り出し用電極４（以下単に１リード線、
１という）の封着部の表面とに酸化ｌｌ５ｊを形成Ｊる
。 次に該金属ステム本体１どリード線４どカラス細銘
又（３１ガラス粉とをＮ、雰囲気のか中で数百”Ｃ〜・
壬数百℃の高温に加熱して、金属ステム本体１にリード
線４をガラス５を介して気密に溶着する。 次に他方の
リード線４′を溶接等−Ｃ金属ス−ｊム本体１に接続す
る。しかる後、メッキ舌の表面処理をＩＪ色して光反射
面３を掘り込まれた金属ス７ム本体１が完成り゛る［リ
ード線４おＪ：ひ４′を有し、かつメッキ処理された金
属ステへ水体１を以下単にステムという（第１図（ｂ）
参照１ｏ 該ステムに半う５・体発光ヌ１子ベレツ１へ
７を固盾し、ボンデイングワイ（７８を用い（ペレツｌ
＝ ’？とリード線４とを電気的に１ｑ続りる［以−］
二の■稈を終えたものを以下単に［ステｌ＼）’ｔンブ
リ」といつく第１図（Ｃ）参照）１６次にカラスレンス
を持つシ１ルを不活１イ［ガス例えばＮ、カスの雰囲気
中でステムアセンブリに気密溶接し℃半導体発光素子を
形成りる。
［背））ｊ技術の問題点］
００ｊホの従来構造のステムにおいては、リード線４を
金属ステム本体１にカラスを用いて気密に固着する場合
に、あらかじめリード線４の表面と金属ステ八本体１の
表面とには酸化膜が形成され、かつＮ、雰囲気中で゛敬
白℃・へ・千数自°Ｃの高温に加熱される。 このため
光反射面３を含む金属ステム本体１の表面は酸化等によ
つ（変質し、そのあと、メッキ処理等を行っても、光反
射面３は肌荒れを生じ、かつ金ＩＩバ光沢を失い、光反
ＱＪ １ｌｉ−ｉ ３を艮射率の高い高光沢の鏡面仕上
りにりることＩＪ非７＋’＋に困ｉｌｌ ｔ”ある。
このＩこめ発展Ｑ：Ｉ ｉｌｕ ３の光の反Ｑ’１率は
低下し、１ゼｂい外部発光効＋の？１′ξ’７ ｆＡ介
光累了が得られない。
金属ステム本体１にカラスを用いて気密に固着する場合
に、あらかじめリード線４の表面と金属ステ八本体１の
表面とには酸化膜が形成され、かつＮ、雰囲気中で゛敬
白℃・へ・千数自°Ｃの高温に加熱される。 このため
光反射面３を含む金属ステム本体１の表面は酸化等によ
つ（変質し、そのあと、メッキ処理等を行っても、光反
射面３は肌荒れを生じ、かつ金ＩＩバ光沢を失い、光反
ＱＪ １ｌｉ−ｉ ３を艮射率の高い高光沢の鏡面仕上
りにりることＩＪ非７＋’＋に困ｉｌｌ ｔ”ある。
このＩこめ発展Ｑ：Ｉ ｉｌｕ ３の光の反Ｑ’１率は
低下し、１ゼｂい外部発光効＋の？１′ξ’７ ｆＡ介
光累了が得られない。
［発明のＩ％１的１
本発明の目的は、金属スラム木（ホに掘り込まれた光反
射面を右Ｊるステムを使用しに丁）９体発光素子におい
で、金属光沢を失った発展ＩＩ面の表ａｆｊにプレス加
工処理を施し、高光沢劇の光反射面を右するステムとし
、該ステムを使用した外部光）を効率の高い半導体発光
素子を１ｊｔ供Ｊること（゛ある。。
射面を右Ｊるステムを使用しに丁）９体発光素子におい
で、金属光沢を失った発展ＩＩ面の表ａｆｊにプレス加
工処理を施し、高光沢劇の光反射面を右するステムとし
、該ステムを使用した外部光）を効率の高い半導体発光
素子を１ｊｔ供Ｊること（゛ある。。
［発明の１■要１
従来技術ど同一の製造工程で、金属スｉム本体１に掘り
込まれた光反射面３及び該金属スフム木体１にガラス５
により溶着された外部取り出し用電極４を有する第１図
（１））に示覆ようなステムを作成する。 次にステム
に土ツブング処ｊ！Ｉ＋ ２ｑを施したのち電気メッキ
等の方法にＪ、り光反射面３を含む金属ステム本体１に
金等のメッキ膜を形成づる。 次に光反射面３の形状と
ほぼ相似で、光反射面３の形状Ｊ、りひと回り大きいポ
ンチｌことえば第２図（ＩＩ＞、（Ｃ）に示ザような、
ボンデを、−ぞの端部側面がメッキされた光反射面３に
一致するように当Ｃたのｌ）プレス加」処理をするどｒ
−ｈ光沢の反射面３が４１７られる。 これはメッキさ
れた光反射面ζ３のメッキ金属が加Ｌ１−された状態で
、加月−された方向に、（の展１１によっ−Ｃ変位し、
新鮮’（１メツＡ−金属の面が露出し、その結果高光沢
の光の反部ｊ＄の高い光反射面３が１．Ｉられるものと
考えられる１゜ 光反射面３に高光沢度を生じしめるプレス加工処理（・
二おいて重要なのはプレス加工量（第２図（ｄ ）に示
Ｃノブレスブｊ向のポンプ変位早（１であられり）′Ｃ
′、あまり加工量を多くづるとメッキ割れが４１し光沢
の効果が薄れ、また加１吊が過少の場合にも光沢の効果
が１りられない。 高光沢面が１ｑられるブレス加工量
には一定の幅がある。 この幅は反射面のメッキ金属の
種類、メッキの厚さ等、および光反射面３の幾何学的形
状によって相界りるので具体的には試行を繰り返し、Ｉ
Ｉ光沢而面１！７られるプレス加］ニア１４ ｄを決定
すればよい。 メッキ金属の種類は金、銀、アルミニウ
ｌＸ等展１ノしか人ぎく、かつ可視光、赤外領域にＪｙ
ＬＪる反則率が高い金属がよい。
込まれた光反射面３及び該金属スフム木体１にガラス５
により溶着された外部取り出し用電極４を有する第１図
（１））に示覆ようなステムを作成する。 次にステム
に土ツブング処ｊ！Ｉ＋ ２ｑを施したのち電気メッキ
等の方法にＪ、り光反射面３を含む金属ステム本体１に
金等のメッキ膜を形成づる。 次に光反射面３の形状と
ほぼ相似で、光反射面３の形状Ｊ、りひと回り大きいポ
ンチｌことえば第２図（ＩＩ＞、（Ｃ）に示ザような、
ボンデを、−ぞの端部側面がメッキされた光反射面３に
一致するように当Ｃたのｌ）プレス加」処理をするどｒ
−ｈ光沢の反射面３が４１７られる。 これはメッキさ
れた光反射面ζ３のメッキ金属が加Ｌ１−された状態で
、加月−された方向に、（の展１１によっ−Ｃ変位し、
新鮮’（１メツＡ−金属の面が露出し、その結果高光沢
の光の反部ｊ＄の高い光反射面３が１．Ｉられるものと
考えられる１゜ 光反射面３に高光沢度を生じしめるプレス加工処理（・
二おいて重要なのはプレス加工量（第２図（ｄ ）に示
Ｃノブレスブｊ向のポンプ変位早（１であられり）′Ｃ
′、あまり加工量を多くづるとメッキ割れが４１し光沢
の効果が薄れ、また加１吊が過少の場合にも光沢の効果
が１りられない。 高光沢面が１ｑられるブレス加工量
には一定の幅がある。 この幅は反射面のメッキ金属の
種類、メッキの厚さ等、および光反射面３の幾何学的形
状によって相界りるので具体的には試行を繰り返し、Ｉ
Ｉ光沢而面１！７られるプレス加］ニア１４ ｄを決定
すればよい。 メッキ金属の種類は金、銀、アルミニウ
ｌＸ等展１ノしか人ぎく、かつ可視光、赤外領域にＪｙ
ＬＪる反則率が高い金属がよい。
なおリード線４は金属スラーム水４４＼１にガラスを介
して溶着されているので゛、ブレλ加１−処理のどきに
リード孔２に力が波及しガラス！′５がクランクし易い
。 封着ガラスのクラックは水素子の気ｈ９竹を損い、
外気が内部に侵入し、水素子の’ｌ、′］竹の不安定要
因どなる。 このためプレス加工処理に使用するボンデ
の形状はプレスしたどさり−１−几２にその力が直接影
響しないＪ：うに、たとえば第２図（ｂ）および（Ｃ）
に示１Ｊ、うに一部を切り欠いた形とげればよい。 こ
れに、Ｊ、リカラスのクランクを防止できる。 第２図
（ａ ）に示リス１ムの光反射面３に前記高光沢プレス
加工処理を施したのら、従来技術と同一の製造１−稈に
Ｊ、り半２９体発光素子を形成する。
して溶着されているので゛、ブレλ加１−処理のどきに
リード孔２に力が波及しガラス！′５がクランクし易い
。 封着ガラスのクラックは水素子の気ｈ９竹を損い、
外気が内部に侵入し、水素子の’ｌ、′］竹の不安定要
因どなる。 このためプレス加工処理に使用するボンデ
の形状はプレスしたどさり−１−几２にその力が直接影
響しないＪ：うに、たとえば第２図（ｂ）および（Ｃ）
に示１Ｊ、うに一部を切り欠いた形とげればよい。 こ
れに、Ｊ、リカラスのクランクを防止できる。 第２図
（ａ ）に示リス１ムの光反射面３に前記高光沢プレス
加工処理を施したのら、従来技術と同一の製造１−稈に
Ｊ、り半２９体発光素子を形成する。
［発明の実施例１
木ブを明の実施例第２図を参照しＣｆｆ１２明づる。
ｆｉ １図と第２図とで同−符シＪの部分は半導体発光
素子のそれぞれハＩト一部分をあられす。
素子のそれぞれハＩト一部分をあられす。
ａ′８２図＜ａ ）は従来例第１図（ｂ）と同一テある
。 第２図（１１）は本発明にｉ１３い−Ｃ先位則面３
を高光沢（Ｊプレス加工処理を４るどぎ使用するポンプ
の側ＩＩ′１１図Ｃ・あり、ダ！２図（Ｃ）はその平面
図である。 前述のようにブ１ノス時の力が直接リード
孔２に影響を！ヲえないＪ、うポンプの形状は第２図（
ｂ）にＪ、び（Ｃ）に示り切欠部６を有し、切欠部６を
のぞいたボンデ端部側面の形状は光反射面３の形状と相
似形Ｃ光反射面３Ｊ、りわずか大きくなっている３、
第２図（（１）はプレス加工ｆ１を説明力るための断面
図である。 光反射面３を示Ｊ実線はプレス加に処理前
の光反射面３の断面の形状を示り−９一点鎖線の折れ心
線９はプレス加工直前にｄ３１ノるボンデｐＪ：部のイ
ー“ｌ置を示し、ボンデ端部側面（，１切欠部６をのぞ
き、光反射面３ど接触している。 一点鎖線の折れ曲線
１０はプレス加工処理後の光反射面３の断面の形状を示
す。
。 第２図（１１）は本発明にｉ１３い−Ｃ先位則面３
を高光沢（Ｊプレス加工処理を４るどぎ使用するポンプ
の側ＩＩ′１１図Ｃ・あり、ダ！２図（Ｃ）はその平面
図である。 前述のようにブ１ノス時の力が直接リード
孔２に影響を！ヲえないＪ、うポンプの形状は第２図（
ｂ）にＪ、び（Ｃ）に示り切欠部６を有し、切欠部６を
のぞいたボンデ端部側面の形状は光反射面３の形状と相
似形Ｃ光反射面３Ｊ、りわずか大きくなっている３、
第２図（（１）はプレス加工ｆ１を説明力るための断面
図である。 光反射面３を示Ｊ実線はプレス加に処理前
の光反射面３の断面の形状を示り−９一点鎖線の折れ心
線９はプレス加工直前にｄ３１ノるボンデｐＪ：部のイ
ー“ｌ置を示し、ボンデ端部側面（，１切欠部６をのぞ
き、光反射面３ど接触している。 一点鎖線の折れ曲線
１０はプレス加工処理後の光反射面３の断面の形状を示
す。
プレス加工処理のプレス＋１１１ ’、１吊は、ポンプ
９品ｉ ｒ’＋ｌｌの側面を光反射面３に一致さ１↓た
時のポンチ−底１菌の位置を基準としプレス（幾械によ
・）（（〕えら１′シるプレス革づなわちポンチ底面の
変４１′７． Ｃ７）値（第２［ズ１（ｄ ）の開Ｈ１
ｄ）をも・）−（あうねり（二ととしｌこ。
９品ｉ ｒ’＋ｌｌの側面を光反射面３に一致さ１↓た
時のポンチ−底１菌の位置を基準としプレス（幾械によ
・）（（〕えら１′シるプレス革づなわちポンチ底面の
変４１′７． Ｃ７）値（第２［ズ１（ｄ ）の開Ｈ１
ｄ）をも・）−（あうねり（二ととしｌこ。
本発明では最適のプレス加工１７１を決定りるＩこめ、
プレス機械にＪ、つ−Ｃｆ）λられる一／″レスへ＞
７．；） ４４９々弯化させて試行を重ね、最先沢ａを
生じしめるプレス加二［量ｄをめた。１ 本発明の実施例では第２図（ｄ）ｌこ示ηＪ、うに光反
射面３の開孔部の直径［〕、は２１ｎｌｌｌ 、顔面３
の底部の直径り、は１ｍｍ 、顔面３）の開孔部と底８
ｂとの距離１２は１ｍｍ 、リード孔２の白ｉ￥１）４
（ま１．５ｎｖ、また光反射面３の中心からリード孔２
のＣ１１）らまでの距離１．は２．５４ ｍ ｍ （゛
あり、光反射面３のメッキ面の金属は展性のよい金とし
、メッキ厚Ｉよ１品口１と覆る。 この実施例で゛最先
）１り度をηせしめろプレス加工量ｄは３０μｍ１〜５
０μｎ１の範囲Ｃあった。 使用したポンチ（第２図（
ｂ）Ｊ５よび（Ｃ）参照）は材質は普通の鋼を用い、ポ
ンチ端部の側面は精密イ１上どりる１、 ボンデ底部の
外径］〕、は光反射面３の底部の内径１つ、より３０μ
０１〜５０μｍ人きく、すなわら外径Ｉ−）、は１，０
３ｍｎ１−１ 、０５ ｍ ｍであり、まＩこボンデの
端部側面の形状は、切欠部６を除いて光反射面３３の形
状と相似である３゜切欠部６は第２図（ｂ）Ｊ７Ｊ、び
（Ｃ）に承り−にうに、ポンチ底面の直径上にあって底
面の中心よりの距離１１）が０，４ｎｖどイする点を通
り、かつポンチ中心線どの角度αが２５石となる平面を
切断面としＣボンデ端部を切り火いＣ’＋：’ｊられる
。
プレス機械にＪ、つ−Ｃｆ）λられる一／″レスへ＞
７．；） ４４９々弯化させて試行を重ね、最先沢ａを
生じしめるプレス加二［量ｄをめた。１ 本発明の実施例では第２図（ｄ）ｌこ示ηＪ、うに光反
射面３の開孔部の直径［〕、は２１ｎｌｌｌ 、顔面３
の底部の直径り、は１ｍｍ 、顔面３）の開孔部と底８
ｂとの距離１２は１ｍｍ 、リード孔２の白ｉ￥１）４
（ま１．５ｎｖ、また光反射面３の中心からリード孔２
のＣ１１）らまでの距離１．は２．５４ ｍ ｍ （゛
あり、光反射面３のメッキ面の金属は展性のよい金とし
、メッキ厚Ｉよ１品口１と覆る。 この実施例で゛最先
）１り度をηせしめろプレス加工量ｄは３０μｍ１〜５
０μｎ１の範囲Ｃあった。 使用したポンチ（第２図（
ｂ）Ｊ５よび（Ｃ）参照）は材質は普通の鋼を用い、ポ
ンチ端部の側面は精密イ１上どりる１、 ボンデ底部の
外径］〕、は光反射面３の底部の内径１つ、より３０μ
０１〜５０μｍ人きく、すなわら外径Ｉ−）、は１，０
３ｍｎ１−１ 、０５ ｍ ｍであり、まＩこボンデの
端部側面の形状は、切欠部６を除いて光反射面３３の形
状と相似である３゜切欠部６は第２図（ｂ）Ｊ７Ｊ、び
（Ｃ）に承り−にうに、ポンチ底面の直径上にあって底
面の中心よりの距離１１）が０，４ｎｖどイする点を通
り、かつポンチ中心線どの角度αが２５石となる平面を
切断面としＣボンデ端部を切り火いＣ’＋：’ｊられる
。
上記高光沢を４１−じしめるブ１ノス加二ｌ二処理を先
位ｑ・ｊ面３に施したスラムに従来技術と同一の方法に
より半導体発光索子ベレット７およびボ゛ンディングワ
イＶ７８をマウン１へし完成されたステムアセンブリを
形成し、次にガラスレンスを持つシェルと該ステムアセ
ンブリを気密浴］８して半導体発光素子を形成Ｊる。
位ｑ・ｊ面３に施したスラムに従来技術と同一の方法に
より半導体発光索子ベレット７およびボ゛ンディングワ
イＶ７８をマウン１へし完成されたステムアセンブリを
形成し、次にガラスレンスを持つシェルと該ステムアセ
ンブリを気密浴］８して半導体発光素子を形成Ｊる。
［発明の効果Ｊ
本発明にＪ、れば、金属ステム本体に掘り込まれたステ
ムの光反射面の光沢石は大幅に向上し、反射面の光の反
則率は従来の約７５％に比べ一約９５％に向上し、外部
発光効率の高い半榎体ざＬ光索ｊ′を提供Ｊることがで
きる。 又価格面からは従来価格の約５％増程度で、他
の方法に比へ価格増が少ないにもかかわらず光出方向上
に効果か上がった。
ムの光反射面の光沢石は大幅に向上し、反射面の光の反
則率は従来の約７５％に比べ一約９５％に向上し、外部
発光効率の高い半榎体ざＬ光索ｊ′を提供Ｊることがで
きる。 又価格面からは従来価格の約５％増程度で、他
の方法に比へ価格増が少ないにもかかわらず光出方向上
に効果か上がった。
第１図は従来技術を説明りるための図面Ｃ１同図（ａ）
は金属ステム本体に掘り込まれた反射面を右り−る金属
ステムの…１面図であり、同図（１））は該金属ステム
本体にガラスにＪ、り溶着された外部取り出し用電極を
有Ｊ−るステムの断面図、ｌｌ−１品１図（Ｃ）はベー
ン１−等を固着したスフムアレンｊりの断面図である。 第２図は本発明を説明りるための図面（、同図＜ａ＞は
第１図（ｂ）と−１７ｉｌ−−−’ｉｘある。 第２図
（ｂ）および（Ｃ）は高光沢庶を／ＩＩ！シめるプレス
加工処理に使用覆るポンチの外形の一例を示づもので同
図＜ｂ ＞は側面図、同図（Ｃ）は５１７面図て゛ある
。 第２図（ｄ ）はプレス加工処理にＪｅｔプるプレ
ス加工量を説明Ｊるｌ〔めのステム中心部の断面図であ
る１゜ １・・・金属ステム水イホ、 ３・・・光層射面、 ４
・・・外部取り出し電極、 ５・・・ガラス、 ９・・
・プレス加工処理直前のボンｆの位置を示りＩＪｉれ直
線、１０・・・プレス加工処理後の先位１１１＝Ｉ而の
断面を示り折れ曲線。 持直出願人 東京芝浦電気株］ｒ℃会苔第 １ 図 第２（支）
は金属ステム本体に掘り込まれた反射面を右り−る金属
ステムの…１面図であり、同図（１））は該金属ステム
本体にガラスにＪ、り溶着された外部取り出し用電極を
有Ｊ−るステムの断面図、ｌｌ−１品１図（Ｃ）はベー
ン１−等を固着したスフムアレンｊりの断面図である。 第２図は本発明を説明りるための図面（、同図＜ａ＞は
第１図（ｂ）と−１７ｉｌ−−−’ｉｘある。 第２図
（ｂ）および（Ｃ）は高光沢庶を／ＩＩ！シめるプレス
加工処理に使用覆るポンチの外形の一例を示づもので同
図＜ｂ ＞は側面図、同図（Ｃ）は５１７面図て゛ある
。 第２図（ｄ ）はプレス加工処理にＪｅｔプるプレ
ス加工量を説明Ｊるｌ〔めのステム中心部の断面図であ
る１゜ １・・・金属ステム水イホ、 ３・・・光層射面、 ４
・・・外部取り出し電極、 ５・・・ガラス、 ９・・
・プレス加工処理直前のボンｆの位置を示りＩＪｉれ直
線、１０・・・プレス加工処理後の先位１１１＝Ｉ而の
断面を示り折れ曲線。 持直出願人 東京芝浦電気株］ｒ℃会苔第 １ 図 第２（支）
Claims (1)
- １ 全屈スＩム本体に掘り込まれた光反射面及び該金属
ステム本体にガラスにより溶着された外部取り出し用電
極を右りるステムにおいで、上記光反射面にメッキ処理
と高光沢瓜をと１：ぜしめるプレス加二ｌｌ処理とが施
されていることを特徴とづるステムを用いた半導体発光
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58110946A JPS604275A (ja) | 1983-06-22 | 1983-06-22 | 半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58110946A JPS604275A (ja) | 1983-06-22 | 1983-06-22 | 半導体発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS604275A true JPS604275A (ja) | 1985-01-10 |
Family
ID=14548553
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58110946A Pending JPS604275A (ja) | 1983-06-22 | 1983-06-22 | 半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS604275A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5055892A (en) * | 1989-08-29 | 1991-10-08 | Hewlett-Packard Company | High efficiency lamp or light accepter |
| JPH0488179A (ja) * | 1990-07-30 | 1992-03-23 | Tokyo Gas Co Ltd | 既設埋設管の電食防止工法 |
| JPH05320960A (ja) * | 1992-05-18 | 1993-12-07 | Nkk Corp | 埋設配管電気防食用陽極の縦型設置工法 |
| JP2003304000A (ja) * | 2002-04-08 | 2003-10-24 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオード用パッケージの製造方法 |
| EP1686631A2 (en) | 2005-01-31 | 2006-08-02 | Toshiba Lighting & Technology Corporation | Light-emitting diode apparatus |
-
1983
- 1983-06-22 JP JP58110946A patent/JPS604275A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5055892A (en) * | 1989-08-29 | 1991-10-08 | Hewlett-Packard Company | High efficiency lamp or light accepter |
| JPH0488179A (ja) * | 1990-07-30 | 1992-03-23 | Tokyo Gas Co Ltd | 既設埋設管の電食防止工法 |
| JPH05320960A (ja) * | 1992-05-18 | 1993-12-07 | Nkk Corp | 埋設配管電気防食用陽極の縦型設置工法 |
| JP2003304000A (ja) * | 2002-04-08 | 2003-10-24 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオード用パッケージの製造方法 |
| EP1686631A2 (en) | 2005-01-31 | 2006-08-02 | Toshiba Lighting & Technology Corporation | Light-emitting diode apparatus |
| EP1686631A3 (en) * | 2005-01-31 | 2008-01-23 | Toshiba Lighting & Technology Corporation | Light-emitting diode apparatus |
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