JPS6042297A - 分子線エピタキシャル成長装置用の基板保持装置 - Google Patents
分子線エピタキシャル成長装置用の基板保持装置Info
- Publication number
- JPS6042297A JPS6042297A JP15135383A JP15135383A JPS6042297A JP S6042297 A JPS6042297 A JP S6042297A JP 15135383 A JP15135383 A JP 15135383A JP 15135383 A JP15135383 A JP 15135383A JP S6042297 A JPS6042297 A JP S6042297A
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- Japan
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- molecular beam
- plate
- beam epitaxial
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
- C30B23/02—Epitaxial-layer growth
- C30B23/06—Heating of the deposition chamber, the substrate or the materials to be evaporated
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は分子線エピタキシャル成長装置における化合
物半導体基板の保持装置に関する。
物半導体基板の保持装置に関する。
従来この基板の保持は専ら、インジウム、ガリウム等の
低融点金属を基板と基板保持台の間に敷いて熱を加え２
両者を接着する低触点金属接着法か。
低融点金属を基板と基板保持台の間に敷いて熱を加え２
両者を接着する低触点金属接着法か。
基板保持台上に基板を載せ、その縁端部の数ケ所で金属
の小片を使ってこれを圧接固定する金属小片固定法が採
用されて来たが、これらの方法には次の欠点がある。即
ち、低融点金属接着法では大面積の基板の裏面に均一に
低融点金属を敷き気泡を完全になくしてむらのない接着
を行なうことは困難であって、このため接着部が不純物
ガスの発生源となり易く、また接着剤の熱伝導度が高い
ため、気泡等混在の接着の不均一は熱伝導性にむらを生
じ、基板温度の面内分布の均一性が確保されないうらみ
がある。また接着に要する時間が長いため、その間の基
板表面の汚染が大きいという欠点がある。
の小片を使ってこれを圧接固定する金属小片固定法が採
用されて来たが、これらの方法には次の欠点がある。即
ち、低融点金属接着法では大面積の基板の裏面に均一に
低融点金属を敷き気泡を完全になくしてむらのない接着
を行なうことは困難であって、このため接着部が不純物
ガスの発生源となり易く、また接着剤の熱伝導度が高い
ため、気泡等混在の接着の不均一は熱伝導性にむらを生
じ、基板温度の面内分布の均一性が確保されないうらみ
がある。また接着に要する時間が長いため、その間の基
板表面の汚染が大きいという欠点がある。
更にエピタキシャル成長完了後の基板を半導体デバイス
製造プロセスに投入使用するためには、基板裏面の低融
点金属を完全に除去する必要があるが、この除去作業で
は低融点金属は酸で除去するため、成長膜表面がこの金
属で汚染する欠点がある。
製造プロセスに投入使用するためには、基板裏面の低融
点金属を完全に除去する必要があるが、この除去作業で
は低融点金属は酸で除去するため、成長膜表面がこの金
属で汚染する欠点がある。
更にまた。エピタキシャル膜成長中等に基板温度が例え
ば７５０Ｃを越えるとインジウムでは蒸発が起り、この
金属が基板中に不純物として取り込まれるおそれがあり
、厳重な温度管理を必要とする欠点もある。
ば７５０Ｃを越えるとインジウムでは蒸発が起り、この
金属が基板中に不純物として取り込まれるおそれがあり
、厳重な温度管理を必要とする欠点もある。
一方、金属小片固定法では、基板の縁端部の数ケ所を高
熱伝導性の金属小片で圧接固定するものであるため、圧
接固定部分の近傍にて著るしく１基板温度の不均一を生
ずる。また２機械的に圧接固定しているため、熱膨張・
収縮の際基板にストレス力を加わり、基板上の成長膜に
欠陥が入るという不都合も生じている。
熱伝導性の金属小片で圧接固定するものであるため、圧
接固定部分の近傍にて著るしく１基板温度の不均一を生
ずる。また２機械的に圧接固定しているため、熱膨張・
収縮の際基板にストレス力を加わり、基板上の成長膜に
欠陥が入るという不都合も生じている。
本発明は、これら従来の欠点を持たない基板保持装置の
提供を目的とする。本発明は従来よりもはるかに脱着の
容易な簡便で安価な基板保持装置の提供を目的とする。
提供を目的とする。本発明は従来よりもはるかに脱着の
容易な簡便で安価な基板保持装置の提供を目的とする。
更にまた２本発明は、ガス抜きが容易で、高温の処理に
もストレスを生ぜず。
もストレスを生ぜず。
基板に温度不均一を生むことのない新規の基板保持装置
の提供を目的とする。
の提供を目的とする。
以下図を用い、実施例によって本発明を説明する。
第１図は本発明の実施例であって、１は環状の基板押え
板、２はその断面に段差２１を有する環状の基板支え板
、でありともに石英またはサファイアを素材として作ら
れている。３はモリブデン製の基板保持台、４は円板状
の化合物半導体基板。
板、２はその断面に段差２１を有する環状の基板支え板
、でありともに石英またはサファイアを素材として作ら
れている。３はモリブデン製の基板保持台、４は円板状
の化合物半導体基板。
５は基板加熱用ヒーター、９は分子線の飛来方向である
。１本発明では、基板保持台３の上に基板支え板２を熱
変化分以上の間隙を持たせて載置し。
。１本発明では、基板保持台３の上に基板支え板２を熱
変化分以上の間隙を持たせて載置し。
円板状基板４を段差２１内にやはり間隙をもたせて挿入
し、更にその上に基板押え板１を置き、この基板押え板
１及び基板支え板２０周縁部数ケ所に設けられた孔１０
及び２０を貫きビス８によってこの基板押え板１を基板
保持台３にネジ化めする１このとき基板４は、その面に
垂直な方向についても遊隙を与えられている。即ち２本
発明の基板保持は、板面に沿う方向についても、板面に
垂直な方向についても、すべて若干の間隙を有して無圧
力状態で行われるものである。従って、基板は自重で自
らの位置を占め、高温に加熱してもストレスを生ずるこ
とはなく、また１石英またはサファイアの低熱伝導度の
ために基板全面に亘ってはｙ均一な温度を確保すること
が容易となる。温度の均一性確保のためには、基板４に
接触乃至接近す半 る保持部材１．２の面は蟻滑で凹凸を持たないのを理想
とする。
し、更にその上に基板押え板１を置き、この基板押え板
１及び基板支え板２０周縁部数ケ所に設けられた孔１０
及び２０を貫きビス８によってこの基板押え板１を基板
保持台３にネジ化めする１このとき基板４は、その面に
垂直な方向についても遊隙を与えられている。即ち２本
発明の基板保持は、板面に沿う方向についても、板面に
垂直な方向についても、すべて若干の間隙を有して無圧
力状態で行われるものである。従って、基板は自重で自
らの位置を占め、高温に加熱してもストレスを生ずるこ
とはなく、また１石英またはサファイアの低熱伝導度の
ために基板全面に亘ってはｙ均一な温度を確保すること
が容易となる。温度の均一性確保のためには、基板４に
接触乃至接近す半 る保持部材１．２の面は蟻滑で凹凸を持たないのを理想
とする。
第２図には本発明の別の実施例を示す。この場合してい
る。基板４の面に垂直な方向については保持部材１．７
で挟持規制され、基板４０面に沿う方向については保持
部材６が挾持規制する。
る。基板４の面に垂直な方向については保持部材１．７
で挟持規制され、基板４０面に沿う方向については保持
部材６が挾持規制する。
この実施例の場合は基板４は基板支え板７を経由して間
接的にヒーター５で加熱されるようになっている。
接的にヒーター５で加熱されるようになっている。
なお２本発明の保持部材は実施例の石芙、サファイアを
素材とするものに限定されない。ガス抜きが容易で、高
温に耐え、熱伝導度の低いものであればすべて素材とす
ることができる。
素材とするものに限定されない。ガス抜きが容易で、高
温に耐え、熱伝導度の低いものであればすべて素材とす
ることができる。
また、保持部材の形状、構成２個数もこれら実施例のも
のに限定されるものではなく２本発明の趣旨を尊重した
応用変形が可能である。保持部材と基板保持台３との結
合法も同様であり、ビス１トめに拘束されるものではな
い。
のに限定されるものではなく２本発明の趣旨を尊重した
応用変形が可能である。保持部材と基板保持台３との結
合法も同様であり、ビス１トめに拘束されるものではな
い。
本発明の基板保持装置は上記の通りであるため。
高温の熱サイクルに対しても基板にストレスを発生せず
、均一に分布した基板温度を容易に確保できる。装置が
簡単であるため半導体デバイス製造プロセスでの基板の
取扱いが簡単になって自動化を可能にする利点もあり、
工業上極めて有益な発明ということができる。
、均一に分布した基板温度を容易に確保できる。装置が
簡単であるため半導体デバイス製造プロセスでの基板の
取扱いが簡単になって自動化を可能にする利点もあり、
工業上極めて有益な発明ということができる。
第１図、第２図はともに本発明の実施例の側断面図であ
る、。 １；基板押え板。２，７：基板支え板。６：基板位置規
制板。３：基板保持台。４：基板。 ５：ヒーター。 特許出願人 目′屯アネルバ株式会社 ＦＩＧ、Ｉ ＦＩＧ、２ 手続補正書（自発） 昭和５８年１１月１８日 昭和５８年特許願 第１５１３５３号 ２、発明の名称 分子線エピタキシャル成長装置用の基板保持装置。 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都府中市四谷５−８−１ ４、補正命令の日付 昭和４４年 月 日５、補正によ
り増加する発明の数 〇 補正の内容 １、明細書の特許請求の範囲を下記のものに補正する。 （１） 分子線エピタキシャル成長用の化合物半導体基
板を、耐熱性保持部材を用いて、該基板の面に沿う方向
及び面に垂直な方向の両方向につき、その自重で係止さ
れる如くして保持したことを特徴とする分子線エピタキ
シャル成長装置用の基板保持装置。
る、。 １；基板押え板。２，７：基板支え板。６：基板位置規
制板。３：基板保持台。４：基板。 ５：ヒーター。 特許出願人 目′屯アネルバ株式会社 ＦＩＧ、Ｉ ＦＩＧ、２ 手続補正書（自発） 昭和５８年１１月１８日 昭和５８年特許願 第１５１３５３号 ２、発明の名称 分子線エピタキシャル成長装置用の基板保持装置。 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都府中市四谷５−８−１ ４、補正命令の日付 昭和４４年 月 日５、補正によ
り増加する発明の数 〇 補正の内容 １、明細書の特許請求の範囲を下記のものに補正する。 （１） 分子線エピタキシャル成長用の化合物半導体基
板を、耐熱性保持部材を用いて、該基板の面に沿う方向
及び面に垂直な方向の両方向につき、その自重で係止さ
れる如くして保持したことを特徴とする分子線エピタキ
シャル成長装置用の基板保持装置。
Claims (2)
- （１）分子線エピタキシャル成長用の化合物半導体基板
を、低熱伝導度の耐熱性保持部材を用いて。 該基板の面に沿う方向及び面に垂直な方向の両方向につ
き゛、無正圧力状態挾持する如くして保持したことを特
徴とする分子線エピタキクヤル成長装置用の基板保持装
置、１ - （２）該保持部材が１石英またはサファイアを素材とす
るものである第１項記載の分子線エピタキシャル成長完
了後の基板保持装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15135383A JPS6042297A (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | 分子線エピタキシャル成長装置用の基板保持装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15135383A JPS6042297A (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | 分子線エピタキシャル成長装置用の基板保持装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6042297A true JPS6042297A (ja) | 1985-03-06 |
| JPH0427198B2 JPH0427198B2 (ja) | 1992-05-11 |
Family
ID=15516694
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15135383A Granted JPS6042297A (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | 分子線エピタキシャル成長装置用の基板保持装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6042297A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0227228A2 (en) * | 1985-12-19 | 1987-07-01 | Litton Systems, Inc. | Substrate holder for wafers during MBE growth |
| JP2012184489A (ja) * | 2011-03-08 | 2012-09-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 真空蒸着装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS565682A (en) * | 1979-06-25 | 1981-01-21 | Takeya Kk | Pinball air feeding dustproof device of pinball |
-
1983
- 1983-08-19 JP JP15135383A patent/JPS6042297A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS565682A (en) * | 1979-06-25 | 1981-01-21 | Takeya Kk | Pinball air feeding dustproof device of pinball |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0227228A2 (en) * | 1985-12-19 | 1987-07-01 | Litton Systems, Inc. | Substrate holder for wafers during MBE growth |
| JP2012184489A (ja) * | 2011-03-08 | 2012-09-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 真空蒸着装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0427198B2 (ja) | 1992-05-11 |
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