JPS6042295A - 単結晶の製造方法 - Google Patents

単結晶の製造方法

Info

Publication number
JPS6042295A
JPS6042295A JP14062584A JP14062584A JPS6042295A JP S6042295 A JPS6042295 A JP S6042295A JP 14062584 A JP14062584 A JP 14062584A JP 14062584 A JP14062584 A JP 14062584A JP S6042295 A JPS6042295 A JP S6042295A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
crystal
melt
single crystal
crucible
contact
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP14062584A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshiharu Ito
伊藤　利晴
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP14062584A priority Critical patent/JPS6042295A/ja
Publication of JPS6042295A publication Critical patent/JPS6042295A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/20—Controlling or regulating
    • C30B15/22—Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は単結晶製造の際の結晶と融液の接触を検知す
る方法に関する。
従来単結晶引上げの際の種子結晶を融液へ付ける作業及
び作成終了時の育成結晶の融液からの切り離し作業は人
間の眼にたよるしかなく、高度の熟練が必要でｂった。
特に高融点物質の場合炉内が高輝度のため結晶と融液の
区別がつきにくく熟練していてもしばしば失敗する事が
あり、時間の損失、結晶のクラック等の歩留り低下を引
き起す原因となっていた。
と、の発明の目的は容易に確実に融液への種付け、作成
結晶の融液からの切り離しを行なえる単結晶の製造方法
を提供するものである。
種子結晶と融液物との間の電気信号（電圧及び電流）の
変化を検知する事によシ、結晶と融液の接触を検知する
ものである。
次に図面を参照して本発明方法を高融点物質ＬｔＴａＯ
，単結晶引上げに適用した実施例を説明する。種子結晶
（１）に導線例えばＩ　ＷＦ＋、φの白金のリード線（
２）をまきつける。このリード線（２）の一端を種子結
晶（１）に電気的に接続し、他端をテスタ（６）に接続
する。又ＴＪ　ｉ　Ｔ　ａ　ＯＢ単結晶−を引上げるた
めのルツボ（３）は例えばＩ　ｒ　９１７０１ｍ＄　Ｘ
　７０ｍｍｈ　Ｘ　］、ｍｍｔ有底円筒状でルツボ（３
）の底（７）又はルツボと同等として扱われるルツボ（
７）を固定する部材に導線例えば上記同様の１ｍｌ＋ｌ
φの白金線（２）の一端を熱圧着し、そのリード線（２
）の他端を炉の外部に取シ出し、テスタ（６）　Ｋ接続
する。ルツボ（３）の中にタンタル酸すチヱーム原料（
５）（出発物質、炭酸リチ二−ム、五酸化タンタル）を
入れ高周波加熱によル原料を融解しチョクラルスキー法
で作成を行なった。種子結晶（１）をＬｉＴａ０９の融
液（５）　Ｋ付ける際、種子結晶（１）及びルツボ（３
）の間に接続したテスター（６）で電流を測定しながら
種子結晶（１）を融液（５）に近づけた。融液（５）と
種子結晶（１）とが接触していない場合、テスター（６
）で検出される電流値は零（リーク電流等は無視した値
）であって接触と同時に１ｍＡ程度の電流（固定値）を
示す。又結晶を成長させて行くと電流が除去に少くなシ
、予め設定された電流値例えば０．５　ｍＡ程度の電流
値と同じになる。電流値が同じになれば所望の大きさの
結晶が成長したと判断される。この後ルツボの温度制御
等を行って単結晶の切シ離しを行ないながら電流値を検
知し、その電流値が零となれば結晶成長が終了したこと
になる。
この発明によって、困難だった融液への種子結晶（１）
付は及び引上げ単結晶を融液（５）から容易に切シ離し
が行え、しかも確実に行なえた。又、高温の炉内を見な
いでできる。又自動化にも応用できる。
岡上記実施例では種子結晶とルツボ間の電流変化をテス
タにょシ測定したが、電圧の変化を見て行っても同様で
ある。
１・・・種子結晶　２山種子結晶リード線３・・・ルツ
ボ　４・・・ルツボよシのリード線５・・・融液　６・
・テスター （７３１７）代理人　弁理士　則　近　憲　佑−乙

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ルツボに融液を収容し、この融液に種子結晶を接触させ
    、その種子結晶を引上げて単結晶を製造する際、前記ル
    ツボと種子結晶の間の電圧及び電流変化をテ・スタによ
    り測定し、その測定した電圧及び電流値が零より固定値
    に変化した時を結晶成長開始時とし、測定した電圧及び
    電流値が予め設定した電圧及び電流値と同じになった時
    点で融液から単結晶の切シ離し作業を行い、電圧及び電
    圧値が零となった時を結晶成長終了時とすることを特徴
    とする単結晶の製造方法。
JP14062584A 1984-07-09 1984-07-09 単結晶の製造方法 Pending JPS6042295A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14062584A JPS6042295A (ja) 1984-07-09 1984-07-09 単結晶の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14062584A JPS6042295A (ja) 1984-07-09 1984-07-09 単結晶の製造方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP52074401A Division JPS5848516B2 (ja) 1977-06-24 1977-06-24 単結晶の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6042295A true JPS6042295A (ja) 1985-03-06

Family

ID=15273052

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP14062584A Pending JPS6042295A (ja) 1984-07-09 1984-07-09 単結晶の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6042295A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012240854A (ja) * 2011-05-16 2012-12-10 Toyota Motor Corp 単結晶製造装置
WO2022047822A1 (zh) * 2020-09-03 2022-03-10 天通控股股份有限公司 一种大尺寸钽酸锂晶体的制备方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5848516A (ja) * 1981-09-18 1983-03-22 Toshiba Corp 弾性表面波装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5848516A (ja) * 1981-09-18 1983-03-22 Toshiba Corp 弾性表面波装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012240854A (ja) * 2011-05-16 2012-12-10 Toyota Motor Corp 単結晶製造装置
WO2022047822A1 (zh) * 2020-09-03 2022-03-10 天通控股股份有限公司 一种大尺寸钽酸锂晶体的制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS6042295A (ja) 単結晶の製造方法
JPS5848516B2 (ja) 単結晶の製造方法
TWI812512B (zh) 單晶矽拉晶控制方法及裝置、單晶矽拉晶爐
JPS5933559B2 (ja) 単結晶の製造方法
JPS6337080B2 (ja)
JPH05170588A (ja) 単結晶製造用るつぼおよび単結晶の製造方法
SU815090A1 (ru) Способ получени электрода
JPS5497584A (en) Single crsystal manufacturing apparatus
JP2975948B2 (ja) 結晶育成方法
JP2826364B2 (ja) 光学用単結晶の製造方法
JPS57106594A (en) Single crystal producing device
JPS5926996A (ja) 単結晶の製造方法
JPS606919B2 (ja) ３−５族化合物単結晶の製造方法
JPS5951156B2 (ja) 単分域化結晶の製造方法
JPS6395196A (ja) 単結晶の育成方法
JPS5933551B2 (ja) 単結晶の製造方法
JPS6050760B2 (ja) 酸化物単結晶引上げ方法
SU1240087A1 (ru) Способ контрол параметров процесса выращивани монокристаллов метаниобата лити
JPS5562893A (en) Single crystal growth observing device
JPS55126596A (en) Production of single crystal
JPS63288987A (ja) 単結晶成長用種結晶の取り付け構造
JPS61155285A (ja) 電気炉
JPS59102895A (ja) 単結晶の直径制御方法
JPS6058198B2 (ja) 単結晶の製造方法
JPS5812227B2 (ja) 単結晶製造方法