JPS6041472B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS6041472B2 JPS6041472B2 JP59023728A JP2372884A JPS6041472B2 JP S6041472 B2 JPS6041472 B2 JP S6041472B2 JP 59023728 A JP59023728 A JP 59023728A JP 2372884 A JP2372884 A JP 2372884A JP S6041472 B2 JPS6041472 B2 JP S6041472B2
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- emitting diodes
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- conductive substrate
- emitting diode
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、複数個の発光ダイオードを導電性基板に行お
よび列に配列するともに、電極配線を行毎の発光ダィオ
ード‘こ葵着腰を付着して行ない、ハイブリッド方式で
マトリックス状に構成することにより、工数削減、信頼
性向上および集積化を図るようにした半導体装置の製造
方法に関する。
よび列に配列するともに、電極配線を行毎の発光ダィオ
ード‘こ葵着腰を付着して行ない、ハイブリッド方式で
マトリックス状に構成することにより、工数削減、信頼
性向上および集積化を図るようにした半導体装置の製造
方法に関する。
一般に、多数の発光ダイオードをマトリックス状に配列
して各種の文字、数字および図形等を示する半導体装置
は、主にハイブリッド方式で構成されている。すなわち
、多数の発光ダイオードの発光の明るさを検査して同等
の明るさを有するものを選択し、この各発光ダイオード
をマトリックス状に配列してボンドするとともに、各発
光ダイオードをワイヤボンド方式により１個ずつ電極配
線している。そのため、表示の内容が複雑化すると、ベ
レットの数が増大してワイヤボンドの工数が大幅に増大
し、工数が非常に多くなり、コストアップとなる。また
、隣接する各ワイヤが接触する恐れがあり、信頼性が低
く、それを防止するには非常な熟練技術を要すると云う
問題点がある。本発明は、前記従来の問題点に留意し、
ハイブリッド方式により発光ダイオードをマトリックス
状に構成するとともに、蒸着膜の付着により電極配線を
施し、従来の問題点を解消するようにしたものであり、
つぎに本発明を、その１実施例を示した図面とともに詳
細に説明した。まず、各発光ダイオードは、第１図に示
すように、従来と同様の方法により形成する。
して各種の文字、数字および図形等を示する半導体装置
は、主にハイブリッド方式で構成されている。すなわち
、多数の発光ダイオードの発光の明るさを検査して同等
の明るさを有するものを選択し、この各発光ダイオード
をマトリックス状に配列してボンドするとともに、各発
光ダイオードをワイヤボンド方式により１個ずつ電極配
線している。そのため、表示の内容が複雑化すると、ベ
レットの数が増大してワイヤボンドの工数が大幅に増大
し、工数が非常に多くなり、コストアップとなる。また
、隣接する各ワイヤが接触する恐れがあり、信頼性が低
く、それを防止するには非常な熟練技術を要すると云う
問題点がある。本発明は、前記従来の問題点に留意し、
ハイブリッド方式により発光ダイオードをマトリックス
状に構成するとともに、蒸着膜の付着により電極配線を
施し、従来の問題点を解消するようにしたものであり、
つぎに本発明を、その１実施例を示した図面とともに詳
細に説明した。まず、各発光ダイオードは、第１図に示
すように、従来と同様の方法により形成する。
すなわち、同ａ図に示すＮ型化合物半導体基板１にイオ
ン注入法または拡散法により不純物を添加してＰ型層２
を形成し、このＰＮ接合が形成されたゥェハを、同ｂ図
に示すように、スクライブしてべレット化し、発光ダイ
オード３を得る。つぎに、第２図により製作工程につい
て説明すると、同ａ図に示すような導電性基板４の一面
に、同ｂ図に示すように、ポリィミドアミド等の樹脂か
らなる伸縮性を有する絶縁材料５を塗布して乾燥させる
。
ン注入法または拡散法により不純物を添加してＰ型層２
を形成し、このＰＮ接合が形成されたゥェハを、同ｂ図
に示すように、スクライブしてべレット化し、発光ダイ
オード３を得る。つぎに、第２図により製作工程につい
て説明すると、同ａ図に示すような導電性基板４の一面
に、同ｂ図に示すように、ポリィミドアミド等の樹脂か
らなる伸縮性を有する絶縁材料５を塗布して乾燥させる
。
この時、絶縁材料５の厚みは、前述のべレット状の発光
ダイオード３の厚みと同一に形成する。さらに、層状に
付着された絶縁材料５に、フオトマスク技術とエッチン
グ技術により、所定の行および列に配列して除去部６を
形成する。この除去部６の寸法１′は発光ダイオード３
の寸法１よりも若干小さく形成する。そして、この各除
去部６における導電性基板４の一面に、Ａｇペースト等
の導電性接着材（図示せず）を付着するとともに、同ｄ
図に示すように、各除去部６に発光ダイオード３を鉄入
して導電性接着材により導電性基板４の一面に電気的に
接続する。ここで、各発光ダイオード３は絶縁材料５の
伸縮性により固定され、かつ各発光ダイオード３の上面
と絶縁材料５の表面とが平らになる。つぎに、第３図お
よび第４図に示すように、行毎の発光ダイオード３に、
例えば金属マスク等を用いてアルミニュームの真空蒸着
等を行ない、メタルの蒸着膜７を帯状に付着して電極配
線を施す。
ダイオード３の厚みと同一に形成する。さらに、層状に
付着された絶縁材料５に、フオトマスク技術とエッチン
グ技術により、所定の行および列に配列して除去部６を
形成する。この除去部６の寸法１′は発光ダイオード３
の寸法１よりも若干小さく形成する。そして、この各除
去部６における導電性基板４の一面に、Ａｇペースト等
の導電性接着材（図示せず）を付着するとともに、同ｄ
図に示すように、各除去部６に発光ダイオード３を鉄入
して導電性接着材により導電性基板４の一面に電気的に
接続する。ここで、各発光ダイオード３は絶縁材料５の
伸縮性により固定され、かつ各発光ダイオード３の上面
と絶縁材料５の表面とが平らになる。つぎに、第３図お
よび第４図に示すように、行毎の発光ダイオード３に、
例えば金属マスク等を用いてアルミニュームの真空蒸着
等を行ない、メタルの蒸着膜７を帯状に付着して電極配
線を施す。
そして、第４図の斜線で示すように、発光ダイオード３
の列と列の間の導電性基板４を、導電性基板４の他面か
ら少なくとも導蟹性基板４と絶縁材料５の接合点までエ
ッチングする。すなわち、発光ダイオード３が列毎に分
離させるように導電性基板４をエッチングする。したが
って、各蒸着膜７が行電極となり、かつ導電性基板４の
分離された最尺状の部分が列電極となり、各発光ダイオ
ード３がハイブリッド方式でマトリックス状に構成され
た半導体装置が完成する。この半導体装置の動作は、電
気信号が印加された蒸着膜７と導蟹性基板４の長尺状の
部分との交叉する位置の発光ダイオード３が発光し、電
気信号の印加されていない発光ダイオード３は発光しな
く、電気信号を制御して任意の文字、数字等を表示する
ようになつている。以上のように、本発明によると、導
電性基板の一面に絶縁材料を付着するとともに、絶縁材
料に行および列に除去部を配設し、除去部に、複数個の
発光ダイオードを搬入して基板の一面に電気的に接続し
、行毎の発光ダィオード‘こメタルの漆着膜を付着して
電極配線し、基板の他面を、発光ダイオードが列毎に分
離するようにエッチングし、発光ダイオードをハイブリ
ッド方式でマトリックス状に作成できるので、ワイヤボ
ンド作業を要しなく、工数を〆和風こ削減することがで
きるとともに、信頼性が格段に向上し、かつ集積化され
る。
の列と列の間の導電性基板４を、導電性基板４の他面か
ら少なくとも導蟹性基板４と絶縁材料５の接合点までエ
ッチングする。すなわち、発光ダイオード３が列毎に分
離させるように導電性基板４をエッチングする。したが
って、各蒸着膜７が行電極となり、かつ導電性基板４の
分離された最尺状の部分が列電極となり、各発光ダイオ
ード３がハイブリッド方式でマトリックス状に構成され
た半導体装置が完成する。この半導体装置の動作は、電
気信号が印加された蒸着膜７と導蟹性基板４の長尺状の
部分との交叉する位置の発光ダイオード３が発光し、電
気信号の印加されていない発光ダイオード３は発光しな
く、電気信号を制御して任意の文字、数字等を表示する
ようになつている。以上のように、本発明によると、導
電性基板の一面に絶縁材料を付着するとともに、絶縁材
料に行および列に除去部を配設し、除去部に、複数個の
発光ダイオードを搬入して基板の一面に電気的に接続し
、行毎の発光ダィオード‘こメタルの漆着膜を付着して
電極配線し、基板の他面を、発光ダイオードが列毎に分
離するようにエッチングし、発光ダイオードをハイブリ
ッド方式でマトリックス状に作成できるので、ワイヤボ
ンド作業を要しなく、工数を〆和風こ削減することがで
きるとともに、信頼性が格段に向上し、かつ集積化され
る。
第１図ａ，ｂ図は発光ダイオードの製作工程の説明図、
第２図以下の図面は本発明の１実施例を示し、第２図ａ
ないしｄ図は製作工程を示す断面図、第３図は断面図、
第４図は平面図である。 ３・・・発光ダイオード、４・・・導竜性基板、５・・
・絶縁材料、６・・・除去部、７・・・葵着膜。 第１図第２図第３図 第４図
第２図以下の図面は本発明の１実施例を示し、第２図ａ
ないしｄ図は製作工程を示す断面図、第３図は断面図、
第４図は平面図である。 ３・・・発光ダイオード、４・・・導竜性基板、５・・
・絶縁材料、６・・・除去部、７・・・葵着膜。 第１図第２図第３図 第４図
Claims (1)
- １ 導電性基板の一面に絶縁材料を付着する工程、前記
絶縁材料に行および列に除去部を配設する工程、前記除
去部に複数個の発光ダイオードを嵌入して前記基板の一
面に電気的に接続する工程、前記行毎の前記発光ダイオ
ードのメタルの蒸着膜を付着して電極配設する工程、前
記基板の他面を、前記発光ダイオードが列毎に分離する
ようエツチングする工程からなることを特徴とする半導
体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59023728A JPS6041472B2 (ja) | 1984-02-09 | 1984-02-09 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59023728A JPS6041472B2 (ja) | 1984-02-09 | 1984-02-09 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59229885A JPS59229885A (ja) | 1984-12-24 |
| JPS6041472B2 true JPS6041472B2 (ja) | 1985-09-17 |
Family
ID=12118371
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59023728A Expired JPS6041472B2 (ja) | 1984-02-09 | 1984-02-09 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6041472B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62288281A (ja) * | 1986-06-06 | 1987-12-15 | 株式会社 大光電子研究所 | 窓の電動開閉装置 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4990988A (en) * | 1989-06-09 | 1991-02-05 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Laterally stacked Schottky diodes for infrared sensor applications |
| US6963119B2 (en) * | 2003-05-30 | 2005-11-08 | International Business Machines Corporation | Integrated optical transducer assembly |
-
1984
- 1984-02-09 JP JP59023728A patent/JPS6041472B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62288281A (ja) * | 1986-06-06 | 1987-12-15 | 株式会社 大光電子研究所 | 窓の電動開閉装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59229885A (ja) | 1984-12-24 |
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