JPS6040196B2 - 磁電変換装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、磁気抵抗効果を有する強磁性体から成る磁気
抵抗素を用いた磁電変換装置に関し、特に微少変位を検
出するための変位センサ等に適用するのに最適な磁電変
換装置を提供するものである。

従来より、モータ等の回転制御用周波数発生器や磁気ス
ケールの読み取り装置、あるいは無接点スイッチや無鞍
ボリュームなどを構成するために、通常半導体磁気抵抗
素子を用いた磁電変換装置が用いられている。

．ところで、半導体磁気抵抗素子は、ＧａＡｓやｌｎＳ
ｂ等の半導体材料から形成されているために、キャリア
の数及び易移度の温度依存性が高く、温度性が悪いとと
もに、素子毎の抵抗値のバラッキが大きいので、温度保
償や抵抗値のバラッキを補償するための外部保償回路を
必要とする。

また、半導体磁気抵抗素子は、磁界が４・さいとまには
磁界の強さの略２案に比例するような抵抗の磁界依存性
を有しているために、通常ＩＫＧ以上の磁気バイアスを
必要とし、また、大きな磁界領域においても充分な直線
性を得ることができない。従って、このような半導体磁
気抵抗素子を用いた磁電変換装置では、良好な直線性を
もって微少変位を検出するような変位センサを実現する
ことが極めて困難であった。そこで、本発明は、上述の
如き従来例における問題点に鑑み、外部補償回路を用い
ずとも、温度特性が良好で、且つ、抵抗値のバラッキが
小さく、任意の磁電変換特性の交換出力を得られるよう
な新規な構成の磁電変換装置を提供することを目的とす
るものである。

以下、本発明について一実施例を示す図面に従い詳細に
説明する。

なお、以下に説明する各実施例において共通な各構成要
素については、共通番号を用いて説明する。

本発明に係る磁電変換装置の第１の実施例について、原
理的な構成を第１図に示す。

この実施例において、磁気抵抗素子Ｍ旧は、ＮｉＣｏ合
金、ＮｉＦｅ合金、ＮｉＡＩ合金、ＮｉＭｎ合金あるい
はＮｉＺｎ合金等の磁気抵抗効果を有する異方性の強磁
性体から成る平板帯状の電流通路部ＩＣの長手方向の両
端に電源供給端子Ｔ，，Ｌ間には定電流源がＣＳが接続
されており、この定電流源ＣＳからバイアス用の定電流
１が電流通路部にに流されている。

なお、上記電源供給端子Ｔ，．Ｔ２の一方（電源供給素
子Ｌ）は接地されている。そして、上記磁気抵抗素子Ｍ
Ｒは、その電流通路部ＩＣを形成している強磁性体飽和
磁化させるに充分な強さを有し且つ該電流通路部ＩＣの
長手方向を横切る境界線１をもって方向の異なる第１の
磁界Ｈｓおよび第２の磁界Ｈｍを発生する発磁部ＭＧに
対向配設されている。上記第１の磁界Ｈｓの領域Ｍｓを
第１図中に破線で示し、また、上記第２の磁界Ｈｓの領
域Ｍｍを第１図中に一点鎖線で示す。ここで、第２図に
、境界線１をもって互いに方向の異なる第１の磁界Ｈｓ
の領域Ｍｓおよび第２の磁界Ｈｍの領域Ｍｍを有する発
磁部ＭＧの具体的な構成例を示す。

すなわち、第２図において、Ｎｓは上記第１の磁界Ｈｓ
を発生するためにＮ極に肴滋された着磁帯、Ｓｓは同ぢ
くＳ極に看滋された着磁帯であり、また、Ｎｍは上記第
２の磁界Ｈｍを発生するためにＮ極に着磁された着磁帯
、Ｓｍは同じくＳ極に着磁された着磁帯である。上記各
着磁帯Ｎｓ，Ｓｓは間隔Ｐをもって互いに平行し且つ交
互に配列されている。また、同様に、上記各着磁帯Ｎｍ
，Ｓｍは互いに平行し且つ交互に配列されている。そし
て、上記着磁帯Ｎｓ，Ｓｓと着磁帯Ｎｍ，Ｓｍとは、各
長手方向の各端部が境界線１に対して互いに異なる角度
ひ，および角度８２ をもって当綾されている。このよ
うな構成の発磁部ＮＧは、上記着磁帯Ｎｓ，Ｓｓに直交
する方向の第１の磁界Ｈｓを発生するとともに、上記着
磁帯Ｎｍ，Ｓｍに直交する方向の第２の磁界Ｈｍを発生
する。さらに、各着磁帯Ｎｓ，ＳｓおよびＮｍ，Ｓｍの
間隔Ｐを小さくすることによって、境界線１近傍におけ
る各磁界の相互作用を及ぼす範囲が狭くなるのでト第１
の磁界Ｈｓと第２の磁界Ｈｍとの境界を明確に与えるこ
とができる。そして、この実施例において、磁気抵抗素
子Ｍ蛇と発磁部ＭＧとは、電流通路部ＩＣの長手方向（
図中矢印Ｘ，×方向に相対移動自在に設けられており、
該発磁部ＭＧが移動されることによって、上記電流通路
部ＩＣを横切る境界線１の位置が移動する。

ここで、一般の強磁性金属にあっては、電流と磁化方向
が平行になったときに最大の抵抗値ｐ−を呈し、直交し
たときに最小の抵抗値ｐ↓を呈するような、磁気抵抗効
果を有し、その単位長さ当りの抵抗値ｐ（ａ）を電流と
磁化方向とのなす角度８の関数ｐ（ａ）＝ｐ↓ｓｉぜひ
十ｐ〃ｃｏｓ２８・・・・・・第１式 なる第１式のＶｉｏｇ−Ｔｈｏｍｓｏｎの式にて表わす
ことができる。

そこで、上述の如き構成の実施例においては磁気抵抗素
子ＭＲの電流通路部ＩＣを形成している強磁性体が、該
電流通路部ＩＣを流れるバイアス電流１の方向に対して
角度ａ，を有する方向の第１の磁界Ｈｓにより、単位長
さ当りｒｓ＝ｙ↓ｓｉｎ８筈十ｙクｃｏｓ８亭 ……
第２式なる抵抗値ｒｓを呈し、また、同様に角度ａ２を
有する第２の磁界Ｈｍにより、単位長さ当りｒｍ＝ｙ↓
ｓｉｎ協十ｙ〃ｃｏｓ磯 ……第３式なる抵抗値ｒｍ
を呈することとなる。

このような磁気抵抗素子ＭＲの電流通路部ＩＣに定電流
源ＣＳから一定なバイアス電流１が流されているので、
該バイアス電流１の電流値をｉ、該電流通路割囚Ｃの長
手方向を全長をＬ、第２の磁界Ｈｍ中に位置される該電
流通路部ＩＣの長さをｘとすれば、上記電流通路部ＩＣ
の両端に設けられている端子Ｔ，，Ｔ２間には、ＶＸ＝
ｉ｛ｘ．ｒｍ＋（１−ｘ）・ｒＳ｝＝ｉ（Ｑ−１）・ｒ
ｓ・ｘ＋ｉ・１‘ｒｓ・・・・・・第４式 なる第４式で示される出力電圧Ｖｘが得られるここで、
上記第４式におけるＱは、ｒｍ
．・．．・．第５式Ｑ＝乙なる第５式にて表わされ
る定数である。

この定数Ｑは、電流１の方向に対して、各磁界Ｈｓ，Ｈ
ｍのうちの一方が直交し、他方が平行になっているとき
に最大値をとる。なお、本発明に係る実施例においては
、電流１の方向に対する各磁界Ｈｓ，Ｈｍの方向を異な
らしめてあるので、上記定数Ｑは１となることはない。
上言己第４式から明らかなように、各端子Ｔ，，Ｔ２間
に得られる出力電圧Ｖｘは、長さｘに比例した電圧値を
有し、第１および第２の磁界Ｈｓ，Ｈｍ間の境界線１が
磁気抵抗素子ＭＲの電流通路部ＩＣを横切る位置に対応
させて得ることができる。

また、強磁性体から成る電流通路部ＩＣは、その抵抗値
の温度特性が半導体磁気抵抗素子に比較して極めて小さ
く、且つ、直線性の良い温度特性を有し、さらに、強磁
性体薄膜の黍着とホトェッチングプロセスによって極め
て精度の高い形状に且つ簡単に製造することができるの
で、温度特性に優れ且つ素子の抵抗値のバラッキの小さ
な磁気抵抗素子ＭＲを形成することができる。従って、
上述の如き構成の実施例では、外部補償回路を用いずと
も、発磁部ＭＯと磁気抵抗素子ＭＲと微少相対変位を直
線性良い出力電圧Ｖｘに変換して各端子Ｔ，，Ｔ２間に
得ることができる。

なお、上述の実施例において、電流通路部ＩＣに流れる
電流１の方向に対して、第１の磁界Ｈｓおよび第２の磁
界Ｈｍのうちの一方の方向を垂直にし、他方の方向を平
行にするように、上記発磁部ＭＲを形成すると、発磁部
ＭＧと磁気抵抗素子ＭＲとの相対的の検出感度が最高に
なる。上記検出感度をさらに向上させるには、例えば、
第３図に示すように、折線パターン状の電流通路部ＩＣ
，を強磁性体で形成し、各端子Ｔ，，Ｔ２間のインピー
ダンスを高めるようにすれば良い。

なお、第３図に示す第２実施例については、その動作原
理は上述の第１の実施例と同様であるので、図面中に共
通部分の符号を附して、その詳細な説明を省略する。第
４図は、本発明に係る滋露変換装瞳の第３の実施例を示
す構成図である。

この実施例は、磁電変換特性の直線性あるいは曲線性を
設定するようにしたものであり、磁気抵抗素子ＭＲ２の
電流通路ＩＣ２が、長手方向の長さｕを漸増せしめた各
秦片ｉｃ，，ｌｃ２…・・・ｉｃｎによる折線パターン
状に形成されている。

物論、上記電流通路部ＩＣ２は、磁気抵抗効果を有する
強磁性体から成る。そして、上記騒流通路ＩＣ２は両端
に設けられた各電源供給端子Ｔ，，Ｌ間に定電流源ＣＳ
が接続されているとともに、各々方向の異なる第１およ
び第２の磁界Ｈｓ，Ｈｍ間の境界線１によって、その長
手方向が横切られるように配置されている。

このような構成の実施例においては、上記各素片ｉｃ，
，ｌｃ２，・・・・・・ｌｃｎの長手方向の長さの変化
によって与えられる関数〆（ｕ）（図中二点鎖線にて関
数曲線を示す。）特性をもって、上記電流通路部ＩＣ２
を横切る境界線１の変位に応じた滋露変換を行ない、各
端子Ｔ，，Ｔ２間に出力電圧Ｖｕを得ることができる。
上記関数‐「（ｕ）を直線となるように設定しておけば
、直線的な磁電変換特性を得られ、また、曲線となるよ
うに設定しておけば曲線的な磁電変換特性を得られ、該
関数〆（ｕ）に応じた任意の磁電変換特性を実現するこ
とができる。第５図は、本発明に係る磁霞変換装置の第
４の実施例を示す構成図である。

この実施例は、上述の第１図に示した磁気抵抗素子ＭＲ
の電流通路部ＩＣを２個直列接続し、その接続中点に出
力端子を設けることによって、ポテンショメータを構成
するようにしたものである。

すなわち、この実施例においては、第５図に示すように
、強磁性体から成る各々平面帯状の第１の電流通路部Ｉ
Ｃａと第２の電流通路部ＩＣｂとが直列接続されている
とともに、その接続中点に出力端子Ｔ３が設けられ、且
つ両端に電源供給端子Ｔ，，Ｔ２が設けられてなる磁気
抵抗素子ＭＲ３が用いられている。そして、上記磁気抵
抗素子ＭＲ３は、各電源供給端子Ｔ，．Ｔ２間に定電圧
源ＶＳが接続されているとともに、第１の電流通路部Ｉ
Ｃａを横切る第１の境界線ｌａと第２の電流通路部ＩＣ
ｂを横切る境界線ｌｂとの間の第１の領域Ｍ，では各電
流通路ＩＣａ，ＩＣｂの長手方向に直交する方向の第１
の磁界日，を発生し、上記各境界線１，，１２を介して
隣接する第２の領域地および第３の領域Ｍ３では各電流
通路部ＩＣａ，ＩＣｂに平行な方向の第２および第３の
磁界日，，日３を発生する発磁部ＨＧ，が相対位動自在
に対向配設されている。上記第１なし、し第３の磁界日
，，日２，日３を発生するには、例えば、第６図に示す
如き構成の発磁部ＭＧ，を用いる。

すなわち第６図において、各境界線ｌａ，ｌｂに対する
直交方向を長手方向として各着磁帯Ｓ，．Ｎ，が互いに
平行且つ交互に配列されている領域Ｍ，では、上記各境
界線ｌａ，ｌｂに平行な第１の磁界日，が発生できる。
また、各境界線１１ａ，ｌｂに平行な方向を長手方向と
して各々着磁部Ｎ２，Ｓ２およびＮ３，Ｓ３が互いに平
行且つ交互に配列されている各領域Ｍ２，Ｍ３では、上
記各境界線ｌａ，ｌｂに対して直交する方向の第２およ
び第３の磁界比，日３を発生することができる。このよ
うな発滋部Ｍ○，により発生される第１なし、し第３の
磁界日，．日２，日３中に配置されている第１および第
２の電流通路部ＩＣａ，ＩＣｂは、上記各磁界日，，日
２，日３の境界線ｌａ，ｌｂの長手方向への移動に判な
い、一方の抵抗値Ｒ＾が増加すると、他方の抵抗値ＲＢ
が減少するような差動的な変化特性を呈し、端子Ｔ，，
Ｔ２間の全抵抗値（Ｒ＾＋ＲＢ）は変化しないので、定
電圧源ＶＳによって． Ｖｉｎ ．．
．．．・第６式１：にて馬なる第６式で示される電流値
ｉを有する定電流１が流されることになる。

ここで第６式にいて、Ｖｉｎは定電圧源ＶＳより磁気抵
抗素子ＭＲ３の両端子Ｔ，，Ｔ２間に印加される電圧、
Ｒ＾は第１の電流通路部ＩＣａにおける抵抗値、ＲＢは
第２の電流通路部ＩＣｂにおける抵抗値である。なお、
上記各抵抗値Ｒ＾，ＲＢは、上述の第１式によって求め
ることができる。そこで、上述の如き構成の実施例にお
いては、直列接続された各電流通路部ＩＣａ， ＩＣｂ
の接続中点に設けた出力端子ちと接地との間に、発磁部
ＭＧ，と磁気抵抗素子ＭＲ３との相対変位に応じて電圧
レベルの変化するような出力電圧Ｖ。

ｕｔを得ることができる。なお、上述の第３図に示した
第２の実施例における磁気抵抗素子Ｍ凪，の折線パター
ン状の電流通路ＩＣ，を直列接続し、その接続中点に出
力端子を設けるようにした磁気抵抗素子を上述の第５図
に示した第４の実施例に適用し得ることは云うまでもな
い。

また、第７図に示すように、各々折線パターン状の軍１
の電流通路部ＩＣ，ａと第２の電流通路部ＩＣ，ｂとを
、各長手方向が直交するように配置し直列接続して成る
磁気抵抗素子ＭＲを用いた第５の実施例においては、上
述の第２図に示した第１の磁界Ｈｓと第２の磁界Ｈｍと
発生する発磁部側Ｇを用いて、ポテンショメータを構成
することができる。

第８図は、本発明に係る磁電変換装置の第６の実施例を
示す構成図である。

この実施例は、直列接続された第１および第２の電流通
路から成るポテンショメータを一対用いて、ブリッジ回
路を構成し、発磁部と磁気抵抗素子との相対変化の検出
感度を向上するようにしたものである。

すなわち第８図に示す第６の実施例では、互いに平行に
の配列された第１なし、し第４の電流通路部ＩＣａ，，
ＩＣｂ，，ＩＣａ２，ＩＣｂ２のうち、第１および第２
の電流通路部ＩＣ小 ＩＣｂ，が直列接続され、第１の
ポテンショメータを形成し、また第３および第４の電流
通路部ＩＣ処， ＩＣｂ２が直列接続され第２のポテン
ショメー夕を形成するようにした磁気抵抗素子Ｍ町５が
用いられている。

上記第１の電流通路部ＩＣ山の一端には正側電源供給端
子Ｔ，ａが設けられ、また、第２の電流通路部ＩＣｂ，
の一端には負側電源供給端子Ｔ松が設けられ、さらに、
各電流通路部ＩＣａ，，ＩＣｂ，の各他端を接続した接
続中点には第１の出力端子Ｔ３ａが設けられている。ま
た、上記第３の電流通路部ＩＣ舷の一端には負側電源供
給端子Ｔ２ｂが設けられ、また第４の電流通路部ＩＣｂ
２の一端には正側電源供給端子Ｔ，ｂが設けられ、さら
に、各電流通路部ＩＣａ２，ＩＣぬの各他端を接続した
接続中点には第２の出力端子Ｔ３ｂが設けられている。
そして、上記各電流通路部に小 ＩＣａ２，ＩＣｂ，，
ＩＣｂ２を横切る境界線１，および第１および第２の電
流通路部ＩＣａ，，ＩＣｂ，間を分割する境界線１２を
もって互いに方向の異なる第１なし、し第４の磁界Ｈａ
，Ｈｂ，Ｈｃ，Ｈｄを発生する発滋部と上記磁気抵抗素
子Ｍ旧５とが図中矢印×−×方向に相対位移自在に対向
配設される。ここで、上記第１ないし第４の磁界Ｈａ，
Ｈｂ，Ｈｃ，Ｈｄを発生するには、第９図に示す如き構
成の発磁部ＭＧ２が用いられる。

すなわち、発磁部ＭＧ２は、直交する境界線１，，１２
により四分割された第１なし、し第４の領域Ｎね，ＭＤ
， Ｍｃ，Ｍｄのうちの第１および第３の領域Ｍａ，Ｍ
ｃには、Ｎ極の着磁帯ＮａｃとＳ極の着磁帯Ｓａｃとを
境界線に対して平行で且つ交互に配列し、また第２およ
び第４の領域Ｍｂ，Ｍｄに、Ｎ極の看滋帯ＮｂｄとＳ極
の春磁帯Ｓｂｄとを境界線１，に直交し且つ交互に配列
して成る。

このような構成の発磁部ＭＧ２は、上記各境界線１，，
１２を境に隣接する各領域Ｍａ，Ｍ瓜 Ｍｃ，Ｍｄにお
いて互いに直交する方向の第１なし、し第４の磁界比，
Ｈｂ，Ｈｃ，Ｈｄを発生することができる。なお、第１
の磁界Ｈａおよび第３の磁界Ｈｃの各方向は互いに平行
であり、また、第２の磁界Ｈｂおよび第４の磁界Ｈｄの
各方向は互いに平行であり、さらに、上記第１および第
３の磁界舷，Ｈｃの各方向と第２および第４の磁界Ｈｂ
，Ｈｄの各方向と互いに直交している。そこで、上述の
如き発磁部ＭＧ２によって発生される各磁界比，Ｈｂ，
Ｈｃ，Ｈｄの境界線１，が磁気抵抗ＭＲ５の各電流通路
部ＩＣａ２，ＩＣａ，，ＩＣｂ，，ＩＣ蛇を横切る位置
を、該発磁部ＭＧ２と磁気抵抗素子ＭＲ５との相対移動
により変位せしめると、その変位量に応じて、第１の電
流通路部ＩＣａ，および第２の電流通路部ＩＣｂ，で形
成される第１のポテンショメータと第３の電流通路部Ｉ
Ｃ２および第４の電流通路部ＩＣ地で形成される第２の
ポテンショメータとが差動的に動作し、第１の出力端子
Ｔ３ａと第２の出力端子Ｔ３ｂとの間に上記変位量に応
じた出力電圧Ｖ。

止を得ることができる。このような構成の実施例におい
ては、第１および第２のポテンショメータ間の差動出力
として出力電圧Ｖ。

ｕｔを得ているので、各ポテンショメ−夕における温度
特性が相殺され磁気抵抗素子ＭＲ５としての温度特性を
向上せしめることができるとともに、上述の第５図や第
７図に示した各実施例に比較して、変位量の検出感度を
倍増することができる。なお、第１０図に示す第７の実
施例のように、第１の電流通路部ＩＣ，＾と第２の電流
通路部ＩＣ，Ｂとを長手方向の配列し、また、露３の電
流通路ＩＣ，＾′と第４のＩＣ，Ｂ′とを長手方向に配
列し、さらに上記第１の電流通路部ＩＣ，＾と第４の電
流通路部ＩＣ，＾′とが互いに対向するとともに第２の
電流通路部ＩＣ，Ｂと第３の電流通路部ＩＣ，Ｂ′とが
対向するように、上記各第１および第２の電流通路部Ｉ
Ｃ，＾，ＩＣ，Ｂと第３および第４の電流通路部ＩＣ，
＾′，ＩＣ，８′とを平行に配列して成る磁気抵抗素子
ＭＲ６を用いることによって、上述の第６図に示した如
き構成の発磁部ＭＧ，と該磁気抵抗素子ＭＲ６との相対
変位を検出するようにしても、上述の第６の実施例と同
様な動作を行なうことができる。

上述の各実施例の説明から明らかなように、本発明によ
れば、磁気抵抗効果を有する強磁性体から成りバイアス
電流が流されている電流通路を有する磁気抵抗素子を、
上記電流通路を横断する境界をもって磁界の方向を異な
らしめてある発磁部の磁場中に配置し、上記境界により
二分割される電流通路の分割比に応じた磁電変換特性を
呈するようにしたことを特徴としたことによって、外部
補償回路を用いずとも、温度特性が良好で、且つ変換出
力電圧のバラッキが小さく、さらに、任意の磁電変換特
性の変換出力を得ることのできる磁電変換装置を提供す
ることができる。特に、方向の異なる各磁界の境界によ
り横切られる２個の電流通路からポテンショメータを構
成したり、さらに上記ポテンショメータを一対用いてブ
リッジ回路を構成することによって、磁気抵抗素子と発
磁部との微少相対変位を高感度で且つ直線性良く検出す
ることができるので、微少変位センサとして適用するに
最適な磁電変換装置を実現することができ、所期の目的
を十分に達成することができる。

【図面の簡単な説明】 第１図は、本発明の第１の実施例を示す構成図である。 第２図は、第１の実施例に適用される発磁部の具体的な
構成を示す要部平面図である。第３図は、本発明の第２
の実施例を示す構成図である。第４図は、本発明の第３
の実施例を示す構成図である。第５図は、本発明の第４
の実施例を示す構成図である。第６図は、第４の実施例
に適用される発磁部の具体的な構成を示す平面図である
。第７図は、本発明の第５の実施例を示す構成図である
。第８図は、本発明の第６の実施例を示す構成図である
。第９図は、第６の実施例に適用される発磁部の具体的
な構成を示す平面図である。第１０図は、本発明の第７
の実施例を示す礎成図である。１……バイアス電流、Ｉ
Ｃ，ＩＣ，，ＩＣ２，ＩＣａ，１Ｃｂ，ＩＣ・ａ，１Ｃ
Ｉｂ，ＩＣＩ＾，１ＣＩ８，１Ｃａｌ，ＩＣｂｌ，ＩＣ
２， ＩＣｂ２……電流通路、ＭＲ，Ｍ旧．，ＭＲ２，
Ｍ旧３，ＭＲ４，ＭＲ５…・・・磁気抵抗素子、１，ｌ
ａ，ｌｂ，１，……境界線、ＭＧ，ＭＧ，，ＭＧ２・・
…・発磁部、Ｈｓ，Ｈｍ，日，，日２，＆，世，Ｈｂ，
Ｈｃ，Ｈｄ・・・・・・磁界。 第１図第２図 第５図 第３図 第４図 第６図 第７図 第８図 第９図 第１０図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 磁気抵抗効果を有する強磁性体から成りバイアス電
   流が流されている電流通路を有する磁気抵抗素子を、上
   記電流通路を横断する境界をもつて磁界の方向を異なら
   しめてある発磁部の磁場中に配置し、上記境界により二
   分割される電流通路の分割比に応じた磁電変換性特性を
   呈するようにしたことを特徴とする磁電変換装置。 ２ 特許請求の範囲第１項に記載の磁電変換装置におい
   て、前記磁気抵抗素子は、前記磁場における磁界の境界
   に交叉する方向を長手方向とする折線パターン状の電流
   通路を有して成ることを特徴とする磁電変換装置。 ３ 特許請求の範囲第２項に記載の磁電変換装置におい
   て、前記磁気抵抗素子の電流通路の長手方向を各通路素
   片の長さを異ならしめたことを特徴とする磁電変換装置
   。 ４ 各々磁気抵抗効果を有する強磁性体から成る第１お
   よび第２の電流通路が直列接続され、上記第１の電流通
   路と第２の電流通路の接続点に出力端子が設けられると
   ともに各他端に設ける電源供給端子からバイアス電流が
   供給されている磁気抵抗素子を、上記第１の電流通路を
   横断する第１の境界と上記第２の電流通路を横断する第
   ２の境界とをもつて磁界の方法を異ならしめてある発磁
   部からの磁場中に配置し、上記磁気抵抗素子と発磁部と
   の相対位置に対応した分圧比の出力を上記出力端子から
   得るようにしたことを特徴とする磁電変換装置。 ５ 特許請求の範囲第４項に記載の磁電変換装置におい
   て、前記第１および第２の電流通路を有する磁気抵抗素
   子を一対備え、各磁電変換素子に逆極性の電源を供給し
   て各出力端子間に差動出力信号を得るようにしたことを
   特徴とする磁電変換装置。