JP4411319B2 - 角度又は位置決定用の磁気抵抗式センサー - Google Patents
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Description
この場合、HXはストリップの長手方向における磁場の成分であり、HYはこれに直角な方向における成分である。
の適用に対する上述の角度αと角度φとの間の適合は、Hx/H0とHY/HOとが極めて大きい値を取った状況においてのみ達成され、これは高磁場強度を使用するための上述の必要条件に相当する。第2の理由は次の通りである。即ち、限定された角度範囲及び永久磁石からの比較的弱い磁場のため、磁化の方向がドメインに、特にストリップの端部と縁とに分割され、これが理想的な挙動とは異なる抵抗に導き、かつ角度範囲のヒステリシスを導くためである。
ρa(α)=ρa0+(Δρa/2)(1−cos(2α))
である。ストリップ上の任意の点における抵抗決定角度はαである。抵抗は、同様に、電流Iの方向と磁化Mの方向とがストリップの長手方向xで変化するときは、xの関数である。
ここに、βはストリップ上の任意の点における抵抗決定角度である。抵抗は、磁化M1の方向と磁化M2の方向がストリップの長手方向xにおいて変動するとき、同様にxの関数である。
2 第1の縁
3 第2の縁
4 チップ表面
5 作動電圧接触片
6 作動電圧接触片
7 ブリッジ出力電圧接触片
8 ブリッジ出力電圧接触片
9 スケール
10 スケールの極の長さ
11 導電性層状ストリップ
12 GMRストリップ
13 縁の曲線の周期長
14 ストリップの幅
α 抵抗決定角度
β 抵抗決定角度
Hh 一様な磁場
M AMR層の磁化
M1 GMR層の第1の構成要素の磁化
M2 GMR層の第2の構成要素の磁化
I 電流
X,Y 層平面の座標
Claims (24)
- センサーに関して回転し得る磁場(Hh)に関するセンサー整列の角度を決定するため、又はセンサーに関して移動し得、且つ移動方向に周期的である磁場に関するセンサーの位置を決定するための磁気抵抗式センサーであって、位相のずれた周期的信号を供給する少なくも2個の半ブリッジ又は全ブリッジを備え、そしてその抵抗器は、抵抗値が電流の方向(I)と磁気(M)の方向との間の抵抗決定角度(α)により決定される異方性磁気抵抗(AMR)効果、或いは抵抗値が第1成分の、磁場で回転できる磁化(M1)と磁気抵抗材料の第2成分の、磁場内で一定である磁化(M 2 )との間の抵抗決定角度(β)により決定される巨大磁気抵抗(GMR)効果のいずれかを表わす磁気抵抗材料のストリップから形成される磁気抵抗式センサーにおいて、
信号中の調和関数を抑えるために、抵抗決定角度(α、β)は、
AMR効果の場合には、電流(I)の方向がストリップの長手方向の長さに沿って所々で連続的に変化するようにストリップが形成されるような状態か、或いは
GMR効果の場合には、磁気抵抗材料の第2成分の、磁場内で一定である磁化(M 2 )の方向が所々で連続的に変化するようにストリップの長手方向の長さ(X)に沿って調節されるような状態に、
ストリップの長手方向の長さ(x)に沿って連続的に変化されることを特徴とする磁気抵抗式センサー。 - 各々の場合のストリップ(1、12)の端部において、電流の方向又は一定の磁化(M 2 )が、長手方向の長さ(x)の方向と同じ大きさの角度を形成することを特徴とする請求項1による磁気抵抗式センサー。
- 長手方向の長さ(x)に対する電流(I)の角度又は長手方向の長さ(x)に対する一定の磁化(M 2 )の角度が、ストリップの中心に関して対称的に走ることを特徴とする請求項2による磁気抵抗式センサー。
- ストリップの長手方向の長さ(x)に対する電流(I)又は一定の磁化(M 2 )の角度が、ストリップの長手方向に周期的に走ることを特徴とする請求項1による磁気抵抗式センサー。
- 半ブリッジ又は全ブリッジの全ての抵抗器が、互いに平行であり且つ互いに同じ形状を有し、その長手方向が測定方向と直角に伸びるストリップ(1、12)により形成されることを特徴とする請求項1による位置決定用の磁気抵抗式センサー。
- 半ブリッジ又は全ブリッジの各抵抗器が、同じ形状を有する互いに平行なストリップ(1、12)により構成され、異なる抵抗器のストリップ(1、12)の長手方向が、特定のオフセット角度の回転により互いに関連することを特徴とする請求項1による、角度決定用の磁気抵抗式センサー。
- 抵抗器のストリップ(1)が、AMR効果を表わす材料から作られ、各半ブリッジ内のオフセット角度が90゜であり、2個の半ブリッジ又は全ブリッジの相互に対応している抵抗器間のオフセット角度が45゜であることを特徴とする請求項6による磁気抵抗式センサー。
- 抵抗器のストリップ(12)が、GMR効果を表わす材料から作られ、各半ブリッジ内のオフセット角度が180゜であり、2個の半ブリッジ又は全ブリッジの相互に対応している抵抗器間のオフセット角度が90゜であることを特徴とする請求項6による磁気抵抗式センサー。
- ストリップにおける電流の方向が所々で連続的に変化し、ストリップの縁(2、3)がストリップの長手方向にて連続的に変化する関数によって表わし得、電流が、少なくも縁に近い区域において縁(2、3)と平行であることを特徴とする、AMR効果を表わす材料から構成されるストリップ(1)を有する請求項1による磁気抵抗式センサー。
- 各ストリップ(1)の両方の縁(2、3)が同じ連続変化関数により表すことができ、従ってストリップの長手方向の各点において平行に走ることを特徴とする請求項9による磁気抵抗式センサー。
- 連続変化関数が周期的関数であることを特徴とする請求項9による磁気抵抗式センサー。
- 連続的な周期関数が、ストリップ(1)の幅(14)よりかなり大きい周期長(13)を有することを特徴とする請求項11による磁気抵抗式センサー。
- 周期的関数が正弦関数として表し得ることを特徴とする請求項12による磁気抵抗式センサー。
- 周期的関数が、代替曲線の円弧の連鎖として表し得ることを特徴とする請求項12による磁気抵抗式センサー。
- 周期的関数が、代替曲線の2次及び4次の放物線の和の連鎖として表し得ることを特徴とする請求項12による磁気抵抗式センサー。
- センサーに関する磁場(H h )の回転における出力電圧のできるだけ大きな振幅を有する半ブリッジ又は全ブリッジの出力電圧の低い調波関数に関する最適化によって、周期的関数の振幅が決定されることを特徴とする請求項12による磁気抵抗式センサー。
- ストリップ(1)内の電流の方向(I)がストリップ(1)の縁(2、3)と異なる角度を形成し、磁気抵抗材料のストリップ(1)に、互いにある距離を置いて多数の導電性層状ストリップ(11)が設けられ、該導電性層状ストリップが磁気抵抗ストリップの幅(14)と同じ幅を有し、その長手方向が磁気抵抗ストリップ(1)の長手方向に沿って所々に且つこの長手方向によって異なった中間の角度を形成することを特徴とする、真っすぐな縁(2、3)により境界を定められ且つ一定の幅(14)を有するストリップ(1)を備えた、請求項1による磁気抵抗式センサー。
- 磁気抵抗ストリップ(1)の長手方向(X)における電流の方向(I)が、正弦関数により表し得るように、中間角度が選択されることを特徴とする請求項17による磁気抵抗式センサー。
- 磁気抵抗ストリップ(1)の長手方向における電流の方向(I)が、代替曲線の2次及び4次の放物線の和によって表し得るように、中間角度が選択されることを特徴とする請求項17による磁気抵抗式センサー。
- ストリップの両側の縁(2、3)が、ストリップの長手方向で連続的に変化する同様な関数により表され得て、及び第2の構成要素の磁化方向(M2)がストリップを通る電流(I)の磁場により調節され、このため磁化方向(M2)が常にそれぞれの縁(2、3)に直角であることを特徴とするGMR効果を表す材料から作られた抵抗器のストリップを有する請求項1による磁気抵抗式センサー。
- 連続的に変化している関数が、正弦曲線で表し得ることを特徴とする請求項20による磁気抵抗式センサー。
- 連続的に変化している関数が、代替曲線の円弧の連鎖として表し得ることを特徴とする請求項20による磁気抵抗式センサー。
- 周期的な関数が、代替曲線の2次及び4次の放物線の和の連鎖として表わし得ることを特徴とする請求項20による磁気抵抗式センサー。
- 第2の構成要素の磁化方向(M2)が、外部から適用された均質な磁場(Hh)と関連してストリップ(12)を通る電流の磁場により調節されることを特徴とする請求項20による磁気抵抗式センサー。
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