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Die Erfindung bezieht sich auf einen magnetischen Sensor mit
Magnetoresistenz-Effekt und insbesondere auf einen
magnetischen Sensor mit Magnetoresistenz-Effekt zur Verwendung im
Zusammenhang mit magnetischen Kodierern.
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Die JP-A 61091577 offenbart einen rotierenden
Magnetfeld-Detektor, der ein Paar magnetischer Widerstandselemente umfaßt,
die in rechten Winkeln zueinander angeordnet sind. Das
Potential entlang jedes Elements ist von dem Feld abhängig, so daß
durch Vergleich der Potentiale jedes Feldes die Größenordnung
des Feldes berechnet werden kann. Da jedes Element bezüglich
des intrinsischen (spezifischen oder inneren) Widerstandes
sich mit der Temperatur in gleicher Weise ändert, wird der
Ausgang Temperatur-kompensiert.
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Magnetische Sensoren mit Magnetoresistenz-Effekt sind
ebenfalls erläuternd dargelegt u.a. in dem japanischen Patent mit
der Veröffentlichungsnummer Sho 5067/1982 und in dem
japanischen Patent mit der Veröffentlichungsnummer Sho 41335/1979.
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Wie wohlbekannt, nimmt die Magnetoresistenz umgekehrt
proportional zum Temperaturanstieg ab. Aus diesem Grunde sind
magnetische Sensoren mit Magnetoresistenz-Effekt aus dem
Stand der Technik bei hohen Temperaturen unzuverlässig. Wie
erläutert, sind diese Sensoren nicht in der Lage, bei
Temperaturen über 700 Celsius effektive Ausgangssignale abzugeben.
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Ein Ziel der vorliegenden Erfindung ist es daher, einen
magnetischen Sensor mit Magnetoresistenz-Effekt
vorzuschlagen, der einen effektiven Ausgang in einer Hoch-Temperatur-
Atmosphäre durch Kompensation der durch Temperaturanstieg
verursachten Abnahme der Magnetoresistenz sicherstellt.
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Um das vorerwähnte Ziel zu erreichen, ist ein magnetischer
Sensor mit Magnetoresistenz-Effekt vorgesehen, der wenigstens
eine Einrichtung, die mit Strompfaden versehen ist, die auf
einer dünnen Magnetoresistenz-Effekt-Schicht gebildet sind,
umfaßt, wobei die Pfade mit einer Konstantstromschaltung
verbunden sind, und dadurch gekennzeichnet ist, daß die dünne
Schicht aus einem Material gebildet ist, dessen Verlustrate
an Magnetoresistenz bei Temperaturanstieg und dessen
Steigerungsrate des intrinsischen/spezifischen Widerstandes bei
Temperaturzunahme im wesentlichen gleich sind.
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Die Spannung über der Einrichtung wird als
magnet-empfindliches Ausgangssignal abgenommen. Das Verfahren basiert auf den
Feststellungen des Erfinders, daß, während die
Magnetoresistenz der Magnetoresistenz-Effekt-Einrichtung umgekehrt
proportional zum Temperaturanstieg abnimmt, der intrinsische/
spezifische Widerstand direkt proportional zum
Temperaturanstieg wächst und daß die Abnahme der Magnetoresistenz im
wesentlichen mit der Zunahme des intrinsischen/spezifischen
Widerstandes in numerischer Beziehung korrespondiert. Im
besonderen veranlaßt die Konstantstromschaltung einen
Konstantstrom, durch die Magnetoresistenz-Effekt-Einrichtung zu
fließen, so daß die Spannung korrellativ zu diesem Strom
abgegeben wird. Mit dem Anstieg der Magnetoresistenz,
hervorgebracht durch die Abnahme des intrinsischen/spezifischen
Widerstandes, wird der Temperaturfaktor des Sensors im
wesentlichen eliminiert. Im Ergebnis gewährleistet der
erfindungsgemäße magnetische Sensor mit Magnetoresistenz-Effekt ein
äußerst zuverlässiges Ausgangssignal gerade in
Hoch-Temperatur-Atmosphären.
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Bei einer bevorzugten Struktur nach der vorliegenden
Erfindung umfaßt der magnetische Sensor mit
Magnetoresistenz-Effekt eine Vielzahl von Magnetoresistenz-Effekt-Einrichtungen.
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Dort, wo der magnetische Sensor mit Magnetoresistenz-Effekt
bei einem Kodierer verwendet wird, ist es notwendig, das
magnet-sensitive Ausgangssignal in ein digitales Signal
umzuformen, das als ein Sinuswellen-Analogsignal ausgegeben wird.
Sollten Temperaturschwankungen den Nullpunkt der Sinuswellen
veranlassen, breiter zu schwanken als die Breite des
magnetsensiblen Ausgangssignals, würde ein kompliziertes Verfahren
für die Analog-Digital-Umwandlung erforderlich sein. Diese
potentielle Schwierigkeit wird durch Anwendung mindestens
einer der Mehrfach-Magnetoresistenz-Effekt-Einrichtungen für
Temperatur-Kompensationszwecke umgangen. Mit der Temperatur-
Kompensiereinrichtung im Verein mit einer anderen Einrichtung
des gleichen Typs wird die Differenz im Ausgang zwischen
diesen überwacht, um den Temperaturfaktor bei dem Ausgangssignal
früherer Einrichtungen auszuschalten, der mit dem
intrinsischen Widerstand der Einrichtung verbunden ist. Dies macht es
möglich, den Nullpunkt der Sinuswellen auf einer
vorbestimmten Referenzwelle konstant zu halten, wobei die
Analog-Digitalumwandlung leicht ausführbar ist.
KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
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Fig. 1 ist ein Schaltungsplan eines magnetischen Sensors mit
Magnetoresistenz-Effekt nach der vorliegenden Erfindung;
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Fig. 2 ist eine Draufsicht auf einen Detektorteil der
bevorzugten Ausführung nach Fig. 1;
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Fig. 3 ist eine Querschnittsansicht längs der Linie SA-SA in
Fig. 2;
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Fig. 4 ist eine Perspektivansicht, die zeigt, wie der
Detektorteil in Beziehung zu einem Leitungsteil in einem
Detektorkopf der bevorzugten Ausführung steht;
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Fig. 5 ist eine Perspektivansicht eines Linearkodierers, der
die bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung
verwendet;
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Fig. 6 ist eine Draufsicht auf ein in der bevorzugten
Ausführungsform verwendetes magnetisches Medium; und
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Fig. 7 ist eine Seitenansicht eines in der bevorzugten
Ausführungsform verwendeten magnetischen Mediums.
BEVORZUGTE AUSFÜHRUNGEN DER VORLIEGENDEN ERFINDUNG
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Eine bevorzugte Ausführung der Erfindung wird nun unter
Bezugnahme auf die begleitenden Zeichnungen beschrieben. Ein
die vorliegende Erfindung verkörpernder magnetischer Sensor
mit Magenoresistenz-Effekt ist erläuternd in einem linearen
Kodierer 1 gemäß Fig. 5 verwendet, wobei der Sensor an der
Positionssteuerung des Druckkopfes eines Punkt-Matrix-
Druckers teilnimmt. Der Linearkodierer 1 umfaßt einen
Detektorkopf 2, der den magnetischen Sensor mit Magnetoresistenz
Effekt darstellt, sowie ein magnetisches Medium 3 des
Rundstabtyps.
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Der Detektorkopf 2 umfaßt, wie in Fig. 4 gezeigt, einen
Detektorteil 4 sowie einen Leitungsteil 5 zur Verbindung des
Detektorteils 4 mit einer nicht gezeigten Steuereinrichtung.
Der Detektorteil 4 ist mit einem Führungszylinder 6 (Fig.5)
gekoppelt, der den Detektorteil 4 längs des magnetischen
Mediums 3 bewegt. Das magnetische Medium 3 vom Rundstabtyp
(Fig. 6) hat zahlreiche magnetische Abschnitte 7, die darauf
magnetisiert und in vorbestimmten Abständen zueinander
beabstandet sind. Der Detektorkopf 2 ermittelt den Magnetismus
der magnetischen Abschnitte 7, wenn er sich entlang des
magnetischen Mediums 3 bewegt, und gibt dementsprechend ein
Signal ab. Wie in Fig. 7 gezeigt, sind die magnetischen
Abschnitte 7 des magnetischen Mediums 3 in senkrechter Richtung
magnetisiert.
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Wie in Fig. 3 gezeigt, hat der Detektorteil 4 eine dünne
(Film-)Schicht 11 mit einer Stärke von circa 1µ auf einem
Glassubstrat 10, wobei die Schicht 11 aus einem
Magnetoresistenz-Effekt-Material wie Permalloy(-Metall) hergestellt ist.
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Die dünne Schicht 11 ist mit einer Schutzschicht 12
abgedeckt, die bespielsweise aus einem synthetischen Harz wie
Polyetheramid besteht. Dünne Isolationslinien 13 sind mittels
Laserstrahlen auf der dünnen Schicht 11 eingraviert. Diese
Anordnung bildet drei Einrichtungen 15 (15A, 15B, 15C), die
zickzack-gemusterte Strompfade 14 (14a,14b, 14c), wie in Fig.
2 gezeigt, aufweisen. Leitungspfade 17 (17a, 17b, 17c) sind
vorgesehen, um die Strompfade 14a, 14b und 14c der
Einrichtungen 15A, 15B und 15C mit den entsprechenden
Anschlußbereichen 16 (16a, 16b, 16b) zu verbinden. Um diese Bereiche herum
ist eine Erdung 18 vorhanden, die genügend großf lächig ist.
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Ein Grund dafür, daß die Einrichtungen 15 von der
ausgedehnten Erdung 18 umgeben sind, ist, Rauschen zu unterdrücken.
Ein anderer Grund ist, ein ausreichendes Erdungspotential für
Ströme in einer Konstantstrom-Struktur sicherzustellen, die
später zu diskutieren ist. Die Erdung 18 sieht eine
ausgedehnte äquipotentiale Zone vor, die verhindert, daß durch
externes Rauschen induzierte Ströme die Einrichtungen 15
erreichen und nachteilig beeinflussen, wodurch die
Rauschresistenz deutlich verbessert wird.
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Die Fähigkeit der Rauschunterdrückung wird teilweise durch
Offenlassen der Erdungsanschlußenden 19a, 19b und 19c der
Einrichtungen 15A, 15B und 15C direkt zur Erdung 18 hin
erreicht. In der Konstantstromstruktur fließen relativ hohe
Ströme weiter und tendieren dazu, die Massekorrosion zu
fördem. Gemäß der vorliegenden Erfindung verhindert die
großflächige Erdung 18 solche Korrosion wirkungsvoll.
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Vorzugsweise sollte die Summe der kleinsten Breiten Ws der
Strompfade 14a, 14b und 14c (d.h. 3w5) für die drei
Einrichtungen 15A, 15B und 15C in der folgenden Beziehung
hinsichtlich der Breite Wg eines Hauptstrompfades Wg der Erdung 18
stehen:
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Wg ≥ (3Ws)²
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Entlang drei der vier Seiten der Erdung 18 sind, wie in Fig.
2 und 3 gezeigt, fortlaufend schmale
Feuchtigkeits-Ableitrillen 21 ausgebildet. Die Rillen 21 stehen mit der
Schutzschicht 12 durch Umgeben letzterer in Eingriff. Mit dieser
Struktur ist beabsichtigt, doppelt abzusichern, daß das
Eintreten von Feuchtigkeit in die dünne Schicht 11 verhindert
wird.
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Noch genauer würden die Ränder der dünnen Schicht 11
Feuchtigkeit durchlassen, wenn sie an der Außenseite freiliegen
würden. Die eindringende Feuchtigkeit würde die dünne Schicht
11 korrodieren und dabei das Isolationsvermögen derselben mit
der Zeit verschlechtern. Um solche Korrosion und die daraus
folgende Isolationsstörung zu verhindern, ist es
erforderlich, daß die Ränder der dünnen Schicht 11 sicher mit der
Schutzschicht 12 oder mit einem anderen geeigneten
synthetischen Harz abgedeckt wird. Das Abdecken nur der schmalen
Ränder der dünnen Schicht 11 ist jedoch eine überraschend
schwierig auszuführende Aufgabe. Die Schwierigkeit wird
dadurch umgangen, daß die Schutzschicht 12, wie beschrieben,
in die Feuchtigkeit-Ableitrillen 21 paßt. Das ergibt einen
festen Überzug über die Ränder der dünnen Schicht 11 und
verhindert das Eindringen von Feuchtigkeit dorthinein.
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Die Einrichtung isa ist so gemustert, daß sich die
Isolationslinien 13 außen senkrecht an der Verbindung zwischen dem
Leitungspfad-Anschlußende 22a und dem Leitungspfad 17a
erstrecken. Von diesem Schema wird aus folgendem Grunde
ausgegangen: Wenn zugelassen würde, daß die das Zickzack-Muster
bildenden Isolationslinien 13 der Einrichtung 15A sich
unmodifiziert erstrecken könnten, um Leitungspfade zu bilden,
würde der resultierende Widerstand der Einrichtung 25A größer
werden als derjenige der anderen Einrichtungen 15B und 15C.
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So wie vorliegend gemustert hat die Einrichtung 15A einen
Widerstandswert, der mit dem der Einrichtungen 15B und 15C
vergleichbar ist.
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Wie in Fig. 1 gezeigt, sind die Enden an einer Seite der drei
Einrichtungen 15A, 15B und 15C mit Konstantstromschaltungen
23 und die Enden an der anderen Seite der Einrichtung
gemeinsam mit der Erdung 18 verbunden. Auf diese Weise fließt ein
konstanter Strom i durch jede Einrichtung. Spannungswechsel
über jede Einrichtung werden ermittelt und als magnetische
Detektionsinformation abgegeben.
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Bei der vorstehenden Anordnung, bei der die
Konstanstromschaltkreise 23 den Konstantstrom i veranlassen, durch die
Einrichtung 15 zu fließen, werden Spannungswechsel über jede
Einrichtung magnetisch ermittelt, so daß die Abnahme in der
Magnetoresistenzfähigkeit der Einrichtung aufgrund des
Temperaturanstiegs kompensiert wird. Als Ergebnis stellt der
magnetische Sensor mit Magnetoresistenz-Effekt gemäß der
vorliegenden Erfindung einen wirksamen Ausgang auch in
Hoch-Temperatur-Atmosphären sicher, in denen die Wirkungsweise der
magnetischen Sensoren mit Magnetoresistenz-Effekt nach dem
Stand der Technik nicht vorhersagbar ist. Insbesondere geht
die magnetische Detektion und die Kompensation wie folgt vor
sich:
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Wie erwähnt ist es bekannt, daß die Magnetoresistenzfähigkeit
S der Magnetoresistenz-Effekt-Einrichtung mit der
Temperaturerhöhung abnimmt und daß der spezifische, innere oder
intrinsische Widerstand RT der Einrichtung, d.h. der tatsächliche
Widerstand, wenn die Einrichtung frei von dem Einfluß
magnetischer Felder in einer Atmosphäre der Temperatur T ist,
einhergehend mit dem Temperaturanstieg zunimmt. Als Versuche in
Verbindung mit der Erfindung durchgeführt wurden, wurden
Daten der Abnahmerate Ks der Magnetoresistenzfähigkeit S und
der Zunahmerate des intrinsischen Widerstandes RT genommen.
Es ergab sich, daß
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KS =-0,223%/ºC
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und
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KT = 0,221%/ºC
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sind.
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Es sind diese Erkenntnisse, die zu dem Konzept der
Kompensation des Verlustes an Magnetoresistenzfähigkeit in bezug auf
den Temperaturanstieg führten.
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Der Widerstand R (TH) einer Einrichtung unter dem Einfluß
eines Magnetfeldes H in einer Atmosphäre der Temperatur T
ergibt sich aus
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R(TH) = R&sub0; + ΔRT + ΔRH = RT + ΔRH
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wobei R&sub0; der Referenzwiderstand der Einrichtung, d.h. der
tatsächliche Widerstand in einer Atmosphäre mit
Referenztemperatur, frei von Magnetfeld-Einflüssen; ΔRT der
Zunahmebetrag des Widerstandes der Einrichtung aufgrund des
Temperaturzuwachses; ΔRH der Zunahmebetrag des Widerstandes der
Einrichtung aufgrund des Magnetoresistenz-Effektes; und RT
der intrinsische/spezifische Widerstand der Einrichtung in
einer Atmosphäre einer vorgegebenen Temperatur T ist.
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So ergibt sich die Spannung V (TH) über die Einrichtung aus
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V(TH) = R(TH) i = (RT + ΔRH) i,
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und das magnet-sensitive Ausgangssignal ΔV(TH) wird
ausgedrückt als
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ΔV(TH) = ΔRH i.
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Der Wert ΔRH, der die Basis für den magnet-sensitiven
Ausgang ΔV(TH) darstellt, ergibt sich aus
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ΔRH = S RT
= S&sub0; (1 + KS T) R&sub0; (1 + KT T)
= S&sub0; R&sub0; (1 + Ks T) (1 + KT T)
= S&sub0; R&sub0; (1 + Ks T + KT T + KS KT T²),
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wobei S&sub0; die Magnetoresistenzfähigkeit der Einrichtung in der
Referenz-Temperatur-Atmosphäre ist. Da der Quardrat-Ausdruck
Ks Kt T² vernachlässigbar ist, erhält man die Beziehung
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ΔRH = S&sub0; R&sub0; (1 + (Ks + KT) T).
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Da, wie erwähnt, KS ÷ -KT ist, erhält man schließlich
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ΔRH = S&sub0; R&sub0;
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D.h.: ΔRH ist unabhängig von der Temperatur. So ist auch der
magnet-sensitive Ausgang ΔV(TH) frei von
Temperatureinflüssen.
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Die Signifikanz des vorstehenden Themas wird weiter
unterstrichen durch Vergleich mit dem Ergebnis dessen, was in der
obenerwähnten japanischen Offenlegungsschrift Nr. Sho
5067/1982 offenbart ist. Diese bekannte Technik sieht den
Ausgang ΔV des folgenden Ausdrucks wie folgt vor:
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ΔV = -(Δ /4 &sub0;) cos2Θ V
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worin Δ in dem obigen Ausdruck dem ΔRH der vorliegenden
Erfindung entspricht. Der Wert Δ ist frei von
Temperatureinflüssen, und zwar aus dem gleichen Grunde, wie oben
beschrieben. Der intrinsische Widerstand po jedoch d.h. der
tatsächliche Widerstand ohne Anlegen eines magnetischen Feldes,
wächst bei einer Temperatur T entsprechend der Beziehung:
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o
(T) = &sub0; (1 + KT T)
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Als Ergebnis fällt das Ausgangsignal ΔV. Das bedeutet, daß
die bekannte Technik anders als bei der vorliegenden
Erfindung keinen Temperatur-Kompensationseffekt hervorbringt.
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1von den drei Einrichtungen 15A, 15B und 15C werden zwei (15A,
15B) zum Zwecke der Magnetdetektion benutzt. Die Zickzack-
Muster der Einrichtungen 15A und 15B sind zusammen
schwalbenschwanzförmig ausgelegt und um eine halbe Teilung verschoben,
d.h. um 90º in bezug auf das magnetisierte Muster des
magnetischen Mediums 3. Das ist eine bei Kodierern häufig
angewendete Technik: Je nachdem, welche der beiden Einrichtungen ihr
Ausgangssignal eher abgibt als die andere, bestimmt die
Richtung, in der sich der Detektorkopf bewegt. Auf diese Weise
stellen die Einrichtungen 15A und 15B ihre Ausgangssignale,
wie in Fig. 1 gezeigt, getrennt bereit.
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Die Länge L jeder der Einrichtungen isa und isb wird 1 bis 1.
mal dem Durchmesser des magnetischen Mediums 3 ausgeführt.
Diese Länge erhält man empirisch als eine solche, die die
magnetische Sensitivität der Einrichtungen 15A und 15B in
bezug auf das magnetische Medium 3 vom Rundstabtyp maximiert.
Im allgemeinen wird die magnetische Sensitivität der
Einrichtungen 15 maximiert, wenn ihre Länge L in konstanter
Beziehung zur magnetischen Feldbreite der magnetischen Abschnitte
7 des magnetischen Mediums 3 steht. Diese Beziehung ließe
sich leicht durch Berechnung ermitteln, wenn das magnetische
Medium vom Rechteckstab-Typ wäre, dessen magnetische
Abschnitte in einer Geraden ausgebildet sind. So wie es ist,
ist das magnetische Medium 3 vom Rundstab-Typ für bekannte
Techniken zur Berechnung der obigen Beziehungen nicht
geeignet. So wiederholte der Erfinder Versuche mit Einrichtungen
verschiedener Längen und fand heraus, daß die Einrichtungen
ihre maximale magnetische Sensitivität erreichen, wenn ihre
Länge 1 bis 1.5 mal dem Durchmesser des magnetischen Mediums
3 ist.
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Die übrige Einrichtung 15C wird ausschließlich zum Zwecke der
Temperatur-Kompensation verwendet: Wenn die Einrichtung in
Kombination mit einem Kodierer verwendet wird, macht sie es
für den Kodierer leichter, die benötigten digitalen
Wellenformen auszugeben. Der spezifische Widerstand der Einrichtung
15C ist der gleiche wie der der Einrichtungen 15A oder 15B.
Bei der Konstruktion wird die Einrichtung 15C so nah wie
möglich an den Einrichtungen 15A und 15B plaziert, so daß
sich die drei Einrichtungen so weitgehend wie möglich
zusammen in der Atmosphäre gleicher Temperatur befinden.
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Die Signifikanz der Temperatur-Kompensation, die durch die
Einrichtung LSC erreicht wird, liegt darin, daß der dem
intrinsischen Widerstand (RT = R&sub0; + ΔRT) für die Magnetismus-
Detektor-Einrichtungen 15A und 15B zugehörige
Temperaturfaktor ΔRT durch Überwachung des Unterschiedes zwischen den
Einrichtungen 15B und 15C im Hinblick auf ihren Ausgang
beseitigt wird, wobei keine komplizierten Berechnungen
durchgeführt werden.
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Im speziellen wird der Unterschied zwischen dem Ausgang V(TH)
der Einrichtung 15A (oder 15B) und dem Ausgang V(T) der
Einrichtung 15C wie folgend erhalten:
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V(TH) - V(T) = (R&sub0; + ΔRT + ΔRH) i - (R&sub0; + ΔRT) i
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= i (R&sub0; + ΔRT + ΔRH - R&sub0; + ΔRT)
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Das Beseitigen (d.h. Kompensieren) von ΔRT aus dem Ausgang
beläßt allein ΔRH, das die Gesamtänderung des Widerstandes
darstellt, der durch den Magnetismus verursacht wird. Im
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Ergebnis wird die Analog/Digital-Umwandlung zum Erhalt des
Kodier-Ausgangs leichter durchführbar, wie dies zwar schon
erwähnt worden ist.
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Die Einrichtung 15C wird aus einem besonderen Grund nur für
Tempereratur-Kompensation und nicht für Magnetismus-Detektion
benutzt, nämlich um zu helfen, die speziellen Erfordernisse
zur Positionssteuerung des Druckkopfes zu erfüllen. In
allgemeinen ist es nicht zwingend, solche Mittel wie die
Einrichtung 15C ausschließlich zu Zwecken der
Temperatur-Kompensation zu verwenden.
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Alle aus der Mehrzahl der verfügbaren Einrichtungen können
zum Zwecke der Magnetismus-Detektion verwendet werden. In
diesem Falle wird die Temperatur-Kompensation durch zunächst
Versetzen eines Paares von Einrichtungen um einen Schritt
bzw. eine Stufe durchgeführt, d.h. um 180º in bezug auf das
magnetisierte Muster. Die Differenz D im Ausgang zwischen den
um 180º entfernten Einrichtungen ergibt aus
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D = (R&sub0; + ΔRT + ΔRH) i - (R&sub0; + ΔRT - ΔRH) i
= i 2ΔRH
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Auf diese Weise wird ΔRT aus dem Ausgang eliminiert. Hier
wird die Gesamtänderung des Widerstandes aufgrund Magnetismus
verdoppelt, wodurch der Ausgang des Sensors stärker gemacht
wird, als dies konventionell möglich gewesen ist.
INDUSTRIELLER ANWENDUNGSBEREICH
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Der magnetische Sensor mit Magnetoresistenz-Effekt nach der
vorliegenden Erfindung hat eine
Magnetoresistenz-Effekt-Einrichtung, die mit einem konstanten Strom beaufschlagt wird,
und es wird eine über die Einrichtung anliegende Spannung in
Korrelation zu diesem konstanten Strom ausgegeben. Das Schema
kompensiert die Abnahme des Magnetoresistenz-Effektes
aufgrund des Temperaturanstieges und erlaubt dem Sensor, einen
effektiven Ausgang auch in Atmosphären höherer Temperatur
vorzusehen als in jenen, die bei magnetischen Sensoren mit
Magnetoresistenz-Effekt nach dem Stand der Technik geeigent
sind. Auf diese Weise macht die vorliegende Erfindung, wenn
sie wie beschrieben ausgeführt wird, den Anwendungsbereich
für magnetische Sensoren weiter, als dies je zuvor der Fall
war.