DE68912720T2 - Magnetoresistiver Magnetfeldsensor. - Google Patents
Magnetoresistiver Magnetfeldsensor.Info
- Publication number
- DE68912720T2 DE68912720T2 DE68912720T DE68912720T DE68912720T2 DE 68912720 T2 DE68912720 T2 DE 68912720T2 DE 68912720 T DE68912720 T DE 68912720T DE 68912720 T DE68912720 T DE 68912720T DE 68912720 T2 DE68912720 T2 DE 68912720T2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- strips
- magnetoresistive material
- magnetoresistive
- groups
- conductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims description 40
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 93
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 37
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 20
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000005347 demagnetization Effects 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 2
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01D5/00—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
- G01D5/12—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means
- G01D5/14—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage
- G01D5/142—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage using Hall-effect devices
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/09—Magnetoresistive devices
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/09—Magnetoresistive devices
- G01R33/096—Magnetoresistive devices anisotropic magnetoresistance sensors
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Description
- Die Erfindung befaßt sich mit auf magnetoresistivem Material basierenden Magnetfeldsensoren und insbesondere solchen, die eine geringe elektrische Stromaufnahme haben.
- Es gibt viele Fälle, wo die Messung eines Magnetfelds notwendig ist. Hierzu gehört die Messung der Position oder Nähe eines magnetisierten Teils einer Struktur, das Auslesen magnetisch gespeicherter Informationen, die Messung von Stromflüssen ohne das Erfordernis einer Meßvorrichtung im Stromweg und dergleichen.
- Viele der in solchen Situationen auftretenden magnetischen Effekte sind relativ gering und erfordern folglich einen empfindlichen Magnetsensor. Ein Magnetsensor, der solche schwachen Magnetfeldstörungen messen kann und wirtschaftlich herstellbar ist, läßt sich auf der Basis des magnetoresistiven Effekts realisieren. Solche auf magnetoresistivem Material basierende Magnetsensoren können in der Technik der Herstellung monolithisch integrierter Schaltungen produziert und somit nicht nur wirtschaftlich, sondern auch sehr klein hergestellt werden. Das magnetoresistive Material wird als Dünnschicht bei der Herstellung nach der Art monolitisch integrierter Schaltungen aufgebracht.
- Ein Magnetsensor basierend auf magneloresistivem Material entsteht durch Verwendung solchen Materials als elektrischer Widerstand. Ein Strom wird hindurchgeschickt, und die daran entstehende Spannung hängt vom effektiven Widerstand des Materials längs des Stromflußweges ab. Der Widerstandswert seinerseits ist vom Magnetisierungszustand des Materials abhängig. Liegt die Magnetisierung parallel zum Stromfluß, so zeigt das Material seinen maximalen Widerstand. Es hat einen minimalen Widerstand, wenn sich die Magnetisierung rechtwinkelig zum Stromfluß erstreckt.
- Im magnetoresistiven Material gibt es eine effektive Magnetisierung, die sich in erster Linie längs der Vorzugsachse des Materials erstreckt. Ein auf das magnetoresistive Material einwirkendes externes Feld dreht die Magnetisierungsrichtung im Material, um als Folge hiervon dessen Widerstand zu ändern. Der vom Strom durchflossene geänderte Widerstand erzeugt eine Änderung des Spannungsabfalls am Widerstand, der als Kennwert für die Stärke des externen magnetischen Feldes gemessen werden kann.
- Der effektive Widerstand einer solchen Schicht ändert sich mit dem Quadrat des Kosinus des Winkels zwischen der effektiven Magnetisierungsrichtung und der Stromflußrichtung durch das Material. Der Gesamtwiderstand ist üblicherweise jedoch nicht von Interesse, sondern die Widerstandsänderung in Abhängigkeit von einer Änderung des angelegten externen Magnetfeldes. Diese Änderung wird am besten an einem Punkt längs der quadrierten Kosinus- Kennlinie gemessen, an dem die Kurve angenähert linear verläuf.
- Um ein Arbeiten im linearen Bereich der Kennlinie zu ermöglichen, muß ein anfänglicher Winkel zwischen der Richtung des Stromflusses und der Nennrichtung der Magnetisierung ohne externes Magnetfeld vorhanden sein. Dies läßt sich auf verschiedene Weise durch eine Vormagnetisierungseinrichtung erzielen. Das magnetoresistive Material kann auf einem Substrat als durchgehender Widerstand in Form eines Fischgrätenmusters angebracht werden oder aus fortlaufend miteinander verbundenen zahlreichen Schräglinien, wobei der Neigungswinkel etwa 45º bezogen auf die Ausdehnungsrichtung des Widerstands beträgt. Es muß eine Quelle für eine magnetische Vormagnetisierung vorhanden sein, welche sich im Winkel von 90º zur Ausdehnungsrichtung des Widerstands erstreckt.
- Ein anderes Verfahren besteht in der Verwendung eines geraden Streifens aus magnetoresistivem Matenal und der Hinzufügung einzelner Leiter über jenem Streifen, die unter einem Winkel von 45º mit Bezug auf die Streifenrichtung ausgerichtet sind. Dies hat zur Folge, daß der Strom unter einem Winkel gegenüber der Längsausdehnung des Streifens durch diesen magnetoresistiven Streifen fließt. Eine solche Konfiguration wird wegen ihrer Gestalt oft als "Barber-Pole"-Magnetwiderstandskopf bezeichnet. Bei einer solchen Anordnung entfällt das Erfordernis einer externen Quelle für ein Vormagnetisierungsfeld.
- Für Anwendungen mit geringer Stromaufnahme ist ein solcher Widerstandsmagnetkopf-Fühler besonders wirkungsvoll, wenn der Streifen aus magnetoresistivem Material sehr lang im Vergleich zu seiner Breite ist. Hierdurch wird der Widerstand des magnetoresistiven Materialstreifens zwischen seinen Enden erhöht und damit die für seinen Betrieb erforderliche Leistung verringert. Darüber hinaus werden Entmagnetisierungseffekte innerhalb des magnetoresistiven Materialstreifens beträchtlich reduziert. Es gibt jedoch Grenzen hinsichtlich der Länge, die ein solcher Streifen auf einem monolithisch integrierten Schaltkreisbauelement fortlaufend haben kann, weshalb der Streifen oftmals in eine Serie paralleler Teile gefaltet wird. Jeder Teil wird dann als Reihenschaltung in bezug auf die vorangehende Reihenverbindung zurückgefaltet, um auf diese Weise eine kompaktere magnetoresistive Materialstruktur zu bilden.
- Dies führt jedoch zu relativ scharfen Kurven an den Stellen, wo das magnetoresistive Material im gefalteten Streifen einen der in Reihe geschalteten Teile beendet und um 180º gefaltet wird, um in einer Richtung parallel zum vorhergehenden Zwischenglied ein weiteres zu bilden. Diese scharf gebogenen Teile führen zur Bildung sogenannter magnetischer Enddomänen in und in der Nähe dieser gebogenen Regionen. Die Magnetisienungsrichtung in solchen Domänen kann sich in bezug auf die Magnetisierungsrichtung in den parallelen Teilen des fortlaufenden Streifens erheblich ändern. Die Magnetisierung der parallelen Teile selbst ist im wesentlicher in Ausdehnungsrichtung jedes Teils ausgerichtet, weil die Länge im Vergleich zur Breite zu verringerten Entmagnetisierungseffekten führt.
- Eine besondere Schwierigkeit bei solchen Enddomänen besteht darin, daß sie empfindlich sind für Temperaturänderungen und Schwankungen des externen magnetischen Feldes, wodurch sich die Magnetisierungsrichtung in den Enddomänen ändert. Dies hat zur Folge, daß unvorhersehbare Fluktuationen im Streifenwiderstand und folglich in der Spannung längs des magnetoresistiven Materials des Sensors auftreten, wenn dieser von einem vorgegebenen Strom durchflossen wird. Werden vier solcher Sensoren aus magnetoresistivem Material zu einer Brückenschaltung zusammengeschaltet, so führen diese Spannungsänderungen aufgrund von Temperaturänderungen in den Enddomänen zu sich zufällig ändernden Werten oder Fluktuationen in der Brückenspannung zwischen den Fühleranschlüssen und damit zu Meßfehlern eines eine solche Brückenschaltung verwendenden Magnetometers. Es besteht folglich der Wunsch nach einem magnetoresistiven Magnetsensor mit einer auch bei Temperaturschwankungen stabileren Spannung längs der Magnetwiderstände.
- In der am 19.3.1992 veröffentlichten und in der Zeitschrift "Patent Abstracts of Japan", Band 6, Heft 119 (E-116) (997) vom 3. Juli 1982 zusammengefaßten japanischen Patentveröffentlichung 57-48284 wird ein magnetisches Signalübeitragungselement beschrieben, welches die im Oberbegriff des Aspruchs 1 aufgeführten Merkmale umfaßt Dieses magnetische Signalübertragungselement besteht aus einem mit einer Isolierschicht bedeckten Siliziumsubstrat und einem hierauf gebildeten streifenförmigen Leitersegment. Die aus mehreren parallelen Leitern bestehende Leiterschicht ist von einer zweiten Isolierschicht bedeckt, und auf dieser Schicht befindet sich ein Mäander-Muster aus magnetoresistiven Elementen. Eine weitere Isolierschicht bedeckt dieses Muster, und eine obere Schicht mit weiteren Leitersegmenten wird auf der letztgenannten Isolierschicht hergestellt. Die unteren und die oberen Leitersegmente sind an ihren Enden miteinander verbunden, um hierdurch eine flache das magnetoresistive Muster umschließende Spule zu bilden. Ein die Spule durchfließender Strom erzeugt ein Magnetfeld.
- Die vorliegende Erfindung offenbart eine magnetoresistive Einrichtung mit mehreren Streifen aus magnetoresistivem Material, wobei ein erster Leiter über den Streifen in der Nähe von deren erstem Ende, aber vom Streifen isoliert, angeordnet ist und ein zweiter Leiter über den Streifen in der Nähe von deren zweitem Ende, aber wiederum gegenüber dem Streifen isoliert, vorgesehen ist. Die Streifen sind miteinander verbunden, um einen Strom hindurchzuleiten. Diese Verbindung kann für Streifen, welche parallel zueinander angeordnet sind, an deren Enden vorgesehen sein, so daß die Streifen elektrisch in Reihe geschaltet sind. Diese Enden können außerhalb der Leiter verjüngt ausgebildet sein. Mehrere solcher Einrichtungen können zur Bildung einer Sensorschaltung in Form einer Brückenschaltung zusammengeschaltet werden.
- Figur 1 zeigt teilweise ein Layout einer Ausführungsform der Erfindung,
- Figur 2 einen Querschnitt durch einen Teil der vorliegenden Erfindung, und
- Figur 3 einen Ausschnitt aus Figur 1.
- Figur 1 zeigt die Draufsicht auf einen monolitisch integrierten Schaltkreis für einen Magnetfeldsensor 10 vom Barber-Pole-Typ mit vier Gruppen 11, 12, 13 und 14 von Streifen aus einem magnetoresistiven Material. Jede der Gruppen 11, 12, 13 und 14 hat parallel zueinander ausgerichtete magnetoresistive Streifen, welche in noch zu schildernder Weise elektrisch in Reihe geschaltet sind. Die Punkte innerhalb jeder Gruppe zeigen an, daß nur einige der Streifen dargestellt sind. Nicht alle Schichten sind sichtbar und einige verborgene Linien sind der Deutlichkeit wegen weggelassen.
- Die Gruppen 11 und 13 sind durch eine zugeordnete Verbindungseinrichtung elektrisch sowohl miteinander verbunden als auch an einen Stromversorgungsanschlußbereich 15 angeschlossen. Die Gruppen 12 und 14 sind durch eine weitere zugeordnete Verbindungseinrichtung sowohl elektrisch miteinander verbunden als auch an einen Stromversorgungsanschlußbereich 16 angeschlossen. Die Verbindungseinrichtung mit dem Stromversorgungsanschlußbereich 16 enthält eine aus dem gleichen magnetoresistiven Material bestehende Widerstandsabgleichvorrichtung 16'. Die Gruppen 11 und 12 sind elektrisch über eine zugeordnete Verbindungseinrichtung miteinander elektrisch verbunden und auch an einen Fühlersignalausgangsbereich 17 geführt. Die Gruppen 13 und 14 sind mittels einer zugeordneten Verbindungseinrichtung miteinander verbunden und an einen Fühlerausgangsanschlußbereich 18 angeschlossen. Statt dessen könnten die Anschlußbereiche 17 und 18 für die Stromversorgung und die Anschlußbereiche 15 und 16 für die Fühlerausgangssignale verwendet werden.
- Der Fühler 10 in Figur 1 hat eine weitere Verbindungsanordnung, um magnetische Hilfsfelder in der Nähe der Enden der magnetoresistiven Streifen in jeder Gruppe zu erzeugen. Ein erster Stromversorgungsanschlußbereich mit Stromverteilungseinrichtung 19 verteilt den Strom auf vier Leiter, welche vier hieran angeschlossene Stromwege 20, 21, 22 und 23 bilden. Ein weiterer Stromversorgungsanschlußbereich mit Stromverteilungsvorrichtung 24 ist am anderen Ende dieser vier Leiter vorgesehen und mit ihnen elektrisch verbunden.
- Figur 2 zeigt den allgemeinen Aufbau des monolithischen integrierten Schaltkreises mit der Struktur nach Figur 1, obwohl nicht im gleichen Maßstab und aus Gründen der Übersichtlichkeit auch nicht notwendiger Weise in den gleichen Proportionen. Dieser monolithische integrierte Schaltkreis wird auf einem Halbleitersubstrat 30 aufgebaut, das typischerweise aus Silizium besteht, welches derart dotiert ist, um andere Schaltungsteile des monolitischen integrierten Schaltkreises zu tragen. Das Substrat 30 weist eine Isolierschicht 31, üblicherweise aus einem Oxyd des Siliziums, in erster Linie Siliziumdioxyd auf. Die Dicke der Schicht 31 beträgt typischerweise 1,0um. Hierauf ist eine weitere Isolierschicht 32 angebracht und besteht typischerweise aus Siliziumnitrid mit einer Dicke von 0,5um. Die Schicht 32 bildet eine geeignete Oberfläche zum Aufbringen des magnetoresistiven Materials
- Das magnetoresistive Material, welches auf der Schicht 32 eine dünne Schicht 33 bildet, ist üblicherweise eine ferromagnetische Dünnschicht mit einer Dicke von 200Å und besteht aus einer Legierung zusammengesetzt aus Nickel, Kobalt und Eisen. Als Beispiel kann dieses Schichtmaterial etwa 81% Nickel und 9% Eisen enthalten. In manchen Fällen werden der Legierung andere Stoffe in geringen Mengen zugefügt, um die ausgewählten Eigenschaften der Schicht zu verbessern. Die vorgeschlagene Zusammensetzung führt zu einer relativ geringen Magnetostriktion in der Schicht, aber zeigt einen bedeutenden magnetoresistiven Effekt und einachsige Anisotropie.
- Die Schichten können bei erhöhter Temperatur über mehrere Stunden in Ahwesenheit eines erheblichen magnetischen Feldes geglüht werden, welches in einer Richtung angelegt wird, die mit der Längsachse der magnetoresistiven Dünnschichtstreifen übereinstimmt. Hierdurch wird die Schichtstabilität verbessert. Dies geschieht durch Vergrößerung der Korngröße und Verbesserung der Koinzidenz der Vorzugsachse des Materials mit der formbedingten Vorzugsachse, um die magnetische Dispersion zu verringern.
- Eine Schicht 34 aus Tantalnitrid mit einer Dicke von nur 150Å wird über dem magnetoresistiven Material angebracht. Diese Schicht leitet bezogen auf Figur 2 in vertikaler Richtung, aber ist in Querrichtung wegen ihrer geringen Dicke und der Materialeigenschaften von hohem Widerstand. Eine Gruppe von stromleitenden Verbindungstücken 35 erstreckt sich in einem Winkel von 45º zur Längsrichtung der magnetoresistiven Materialstreifen auf der Oberfläche der Schicht 34 und beläßt diese Verbindungsstreifen (i) in elektrischem Kontakt mit der Schicht 33 aus magnetoresistivem Material, aber (ii) wirksam elektrisch isoliert voneinander wegen der Eigenschaften der Schicht 34. Die Verbindungsstreifien 35 haben eine Dicke von etwa 0,5um und bestehen aus Aluminium, welches mit etwa 4% Kupfer legiert ist. Die aufgrund der Winkelanordnung der Anschlußstreifen 35 bedingte seitliche Erweiterung dieser Streifen ist aus Gründen der Übersichtlichkeit in Figur 2 weggelassen.
- Diese Gruppe von Aluminiumanschlußstreifen ist mit einer weiteren Isolierschicht 36 bedeckt, welche auch die Bereiche zwischen den Aluminiumstreifen füllt. Die Isolierschicht 36 besteht üblicherweise aus Siliziumnitrid und erstreckt sich bis etwa 1,0um über die Oberfläche der Tantalnitridschicht 34. Die Schicht 36 schützt die Oberfläche der Aluminiumverbindungsstreifen und bildet eine isolierende Grenzschicht zwischen diesen und der darüber befindlichen nächsten Schicht.
- Diese auf die Nitridschicht 36 folgende nächste Schicht 37 ist üblicherweise eine weitere Schicht aus Aluminium legiert mit 4% Kupfer und bildet die Leiterbahnen 20, 21, 22, 23. Die Schicht 37 hat typischerweise eine Dicke von 1,0um. Sie ist von einer weiteren Isolier- und Schutzschicht 38 bedeckt, die wiederum üblicherweise aus Siliziumnitrid mit einer Dicke vor 0,5um besteht. Hierauf können Verbindungsanschlußbereiche gebildet werden wiederum aus Aluminium legiert mit 4% Kupfer, um im Bedarfsfall Anschlüsse herzustellen. Solche Bereiche sind in der Struktur gemäß Figur 2 nicht wiedergegeben.
- Die Bildung eines Siliziumsubstrats 30 mit den verschieden dotierten Bereichen darin, wie sie für andere Schaltkreisteile benötigt werden, wird in aus der Halbleiterherstellung bekannterweise durchgeführt. In ähnlicher Weise erfolgt die Anbringung der verschiedenen Schichten und der Verbindungsstreifen 35, d.h. generell aller Strukturen auf dem Siliziumsubstrat 30 nach in der Technik der Herstellung monolitisch integrierter Schaltungen bekannten Methoden.
- Die Gruppen 11, 12, 13 und 14 in Figur 1 bilden jeweils einen eigenen Magnetwiderstand, der, wie oben erläutert, aus vielen in Reihe geschalteten magnetoresistiven Streifen besteht. Hiermit und in der oben beschriebenen Weise mittels der Anschlußbereiche 15, 16, 17 und 18 untereinander verbunden bilden diese Widerstände eine in Figur 1 gezeigte, aus vier Zweigen bestehende Brückenschaltung. Im Betrieb kann Strom der Klemme 15 zugeführt und aus der Klemme 16 abgeleitet werden oder umgekehrt. Die Signalspannung wird differentiell zwischen den Anschlüssen 17 und 18 abgegriffen.
- Zum Abgleich des Brückenausgangssignals derart, daß dieses bei einem fehlenden externen Magnetfeld möglichst gleich Null ist, werden die Widerstandsteile 16' benutzt. Eine beträchtliche Anzahl langgestreckter Widerstände sind in der Anordnung 16' enthalten, die im Bedarfsfall unterbrochen werden können, um den Widerstandswert zwischen zwei abwechselnden Stromwegen zwischen den Anschlußbereichen 15 und 16 abzugleichen. Die Widerstände in der Anordnung 16' sind aus dem gleichen magnetoresistiven Material gebildet, wie die als Fühler benutzten Streifen.
- Die Widerstände in der Anordnung 16' in erster Linie links vom Anschlußbereich 16 sind einander parallelgeschaltet, und diese Gruppe ist mit den Gruppen 11 und 12 in Reihe geschaltet. Die schräge Verbindungsleitung von oben links nach unten rechts dieser Widerstände schließt die links davon liegenden Teile aus, um mehrere unterschiedliche Widerstandswerte parallel zueinander für einen genauen Abgleich zur Verfügung zu stellen. Die Widerstände rechts vom Anschlußbereich 16 in der Anordnung 16' sind parallelgeschaltet, und diese Parallelgruppe ist mit den Gruppen 13 und 14 in Reihe geschaltet. Auch hier findet die schräge Verbindungsanordnung Anwendung. Durch Ausbrechen ausgewählter Widerstandsspuren wird der Widerstandswert in jenem Zweig der Brücke erhöht, der die zugeordneten Gruppen aufweist.
- Die Streifen aus magnetoresistivem Material in Figur 1 sind genau in Figur 3 wiedergegeben wobei dieser Ausschnitt dem Bereich entspricht, der in Figur 1 mit einem Kreis 3 umgeben ist. Einer dieser Abschnitte umfaßt die Verbindungsanordnung für den Fühlersignalanschlußbereich 17 und diesen Anschlußbereich. Dies ist im Ausschnitt auf der linken Seite von Figur 3 wiedergegeben, wo er sich bis zu zwei Streifen 11' und 12' aus magnetischem Material erstreckt und mit diesen in Kontakt ist. Der eine gehört zur Gruppe 11 und der andere zur Gruppe 12. Jeder liegt auf einer Seite des Raums, der diese beiden Gruppen voneinander trennt. Dies ist die Stelle, wo diese beiden Gruppen durch die dargestellte Verbindungsanordnung in Reihe miteinander verbunden sind.
- Zusätzlich zu dieser Verbindung sind die Streifen 11' aus magnetoresistivem Material der Gruppe 11 jeweils miteinander in Reihe geschaltet wie dies oben angedeutet werde. Dies gilt auch für die magnetoresistiven Materialstreifen in den Gruppen 12, 13 und 14. Die Verbindungen auf der linken Seite der magnetoresistiven Materialstreifen 11' in der Gruppe 11 und für die Streifen 12' in der Gruppe 12 werden durch die kupferlegierten Aluminumverbindungen 40 hergestellt. Im linken Teil von Figur 3 sind Verbindungen 40 über den beiden Streifen 11' und 12' aus magnetoresistivem Material gezeigt und untereinander durch eine dem Fühlersignalanschlußbereich 17 zugeordnete Verbindungsanordnung verbunden. Aufeinanderfolgende Paare von Streifen sind in jeder Richtung durch eine Verbindung 40 aneinander angeschlossen.
- Die rechten Endteile der Streifen 11' und 12' aus magnetoresistivem Material sind zum Teil im rechten Ausschnitt in Figur 3 wiedergegeben, wo weitere Aluminiumlegierungs-Verbindungen 41 jeweils Paare von Streifen miteinander verbinden. Die beiden Streifen 11' und 12' aus magnetoresistivem Material sind durch die dem Fühlersignalanschlußbereich 17 zugeordnete Verbindungsanordnung und durch die Verbindung 40 miteinander verbunden, aber im rechten Teil von Figur 3 voneinander getrennt und nicht miteinander verbunden. Vielmehr ist jeder Streifen mit dem magnetoresisitiven Materialstreifen in seiner eigenen Gruppe verbunden, der ihm benachbart liegt. Wiederum sind danach aufeinanderfolgende Paare dieser magnetoresistiven Materialstreifen in jeder Gruppe durch Verbinder 41 aneinander angeschlossen. Somit kann man in den beiden Auschnitten gemäß Figur 3 die magnetoresistiven Materialstreifen jeder Gruppe untereinander in Reihe geschaltet erkennen. Weitere Verbinder 42 verbinden, wie dargestellt, die Enden der magnetoresisitiven Materialstreifen 13' und 14' der Gruppen 13 bzw. 14 im rechten Ausschnitt von Figur 3.
- Diese Verbindung aller der vielen magnetoresistiven Materialstreifen in jeder Gruppe zu einem einzigen Widerstand bestehen aus einer langen Folge miteinander verbundener Streifen in Form vielfacher Zweige im Widerstand erfolgt, wie oben erwähnt, zur Erzielung eines hohen Widerstandswertes für den Widerstand Diese Erhöhung des Widerstandswerts führt beim Betrieb des Fühlers zu einer wesentlich geringeren Leistungsaufnahme. Die Verwendung der Verbinder 40, 41 und 42 vermeidet gebogene Teile des magnetoresisitiven Materials, die zu Enddomänen führen könnten. Jedoch können abgeschnittene Streifen sogenannte geknickte (Buckling) Magnetdomänen an ihren Endstücken bilden. Geknickte Domänen sind ebenfalls eine Quelle von Schwierigkeiten, weil die Magnetisierung dort wiederum auf Temperaturänderungen und externe Magnetfeldänderungen reagiert.
- In Figur 3 sind unter 45º bezogen auf die Längsausdehnung der magnetoresisitven Materialstreifen 11', 12', 13' und 14' verlaufende Leiterstreifen 35 dargestellt. Sie haben eine positive Neigung für die magnetoresistiven Streifen der Gruppen 11 und 14 und haben eine negative Neigung für die Gruppen 12 und 13. Hierdurch entsteht ein auf den Fühler 10 einwirkendes externes Magnetfeld, welches versucht, den Widerstand in zwei der Gruppen zu erhöhen und in den beiden anderen Gruppen zu verringern. Als Ergebnis hiervon gerät die Brücke außer Gleichgewicht ihrer Widerstandswerte in den beiden Zweigen zwischen den Anschlußbereichen 15 und 16. Für einen hier durchfließenden Strom entsteht an den Signalanschlußbereichen 17 und 18 eine Spannungsdifferenz entsprechend der Stärke des externen Magnetfeldes und in gewissem Umfang abhängig von dessen Richtung.
- Die Richtung des Feldes wird in bezug auf die Achsen des Fühlers gemessen, von denen eine durch die Signalanschlußbereiche 17 und 18 verläuft und die andere sich hierzu senkrecht erstreckt. Die Magnetisierung der magnetoresistiven Materialstreifen erfolgt primär längs ihrer Längsausdehnung. Ein externes Feld ist in der Lage, die Magnetisierung in diesen Streifen zu drehen, wenn das Feld hierzu rechtwinklig steht. Sie kann die Magnetisierung nicht drehen, wenn das Feld parallel zu den Streifen verläuft.
- Anordnungen für eine solche Fühlereinrichtung mit Brückenschaltung wurden bisher in Form kontinuierlicher magnetoresistiver Materialstreifen vorgesehen. Wie oben erwähnt, führen die sich hierbei ergebenden scharfen Biegungen zur Bildung magnetischer Enddomänen in magnetoresistivem Material der Biegestellen. Die Domänen haben eine Magnetisierung, die sich bei Temperaturänderungen oder dergleichen ändert und damit zu einer sich ändernden Spannungsdifferenz zwischen den Ausgangsanschlußbereichen 17 und 18 führt, wenn kein externes Magnetfeld einwirkt.
- Die Verwendung der Verbinder 40, 41 und 42 in Figur 3 zur elektrischen Verbindung benachbarter magnetoresistiver Materialstreifen zu einem einzigen Serienwiderstand hilft bei der Beseitigung dieser Quelle von Ausgangssignaländerungen, indem man benachbarte magnetoresistive Materialstreifen mit einem nicht-magnetischen Verbindungsmaterial untereinander verbindet und damit scharf gebogenes, magnetoresistives Material vermeidet. Es bedeutet einen Gewinn, wenn man diese Vetindungen auf dem magnetoresistiven Materialstreifen an einer Stelle vorsieht, bevor das Ende der Streifen erreicht ist. Folglich werden die Verbindungen hergestellt, ehe diejenigen Teile der magnetoresistiven Materialstreifen erreicht sind, in denen geknickte Domänen aufzutreten drohen, und zwar sogar ohne Abbiegungen des magnetoresistiven Materials in der Nähe von dessen Enden. Die Anordnung der Verbinder 40, 41, und 42 stellt sicher, daß der Stromfluß durch die magnetoresistiven Materialstreifen nicht in den Endteilen erfolgt, in welchen geknickte Domänen gebildet werden können. Hierdurch vermeidet man aus dieser Fehlerquelle herrührende Spannungsabweichungen.
- Zumindest das letztgenannte Ergebnis gilt, wenn die an den Enden der magnetoresistiven Materialstreifen auftretenden geknickten Domänen auf Bereiche beschränkt sind, welche näher an den Endteilen der Streifen liegen als die Positionen der Verbinder 40, 41 und 42, und zwar bezogen auf die benachbarten Enden der magnetoresistiven Materialstreifen. Zwei weitere Maßnahmen werden im Fühler 10 angewandt, um sicherzustellen, daß solche geknickte Domänen an den Streifenenden außerhalb der Stellen der Verbindung der Streifen untereinander verbleiben. Die erste dieser Maßnahmen besteht darin, die Enden der magnetoresistiven Material streifen, wie in Figur 3, zu verjüngen. Es hat sich gezeigt, daß eine solche Verjüngung die Bildung von geknickten Domänen im Vergleich zu Streifen mit rechtwinklig abgeschnittenen Enden vermindert. Die Verjüngung verkleinert die Oberfläche der magnetischen Poldichte und scheint, einige Volumenpole im Material selbst zu bilden. Die Verjüngung sollte über einen Abstand erfolgen, der typischerweise viermal der Breite (oder mehr) eines magnetoresistiven Materialstreifens von üblicherweise 20,0um Breite entspricht.
- Die andere Maßnahme besteht in der Anbringung der Leiter 20 und 21 auf einer Seite in der Nähe der Enden der magnetoresistiven Materialstreifen 11' und 12' in den Gruppen 11 bzw. 12 sowie der Leiter 22 und 23 an jeder Seite in der Nähe der Enden der magnetoresistiven Materialstreifen 13' und 14' der Gruppen 13 bzw. 14. Die Stromrichtung durch diese Leiter ist derart, daß darunter ein Magnetfeld an den magnetoresistiven Materialstreifen erzeugt wird, dessen Richtung praktisch parallel zur gewünschten Magnetisierung in diesen Streifen verläuft. Damit versucht dieses zusätzliche Feld, die in jedem der magnetoresistiven Materialstreifen existierende Magnetisierung zu verstärken und letztendlich das Auftreten von Domänen darin zu verhindern, die eine Magnetisierung in Gegenrichtung zur gewünschten Richtung haben. Zu diesem Zweck können weitere Leiter über anderen Teilen des Innenbereichs dieser magnetoresistiven Materialstreifen vorgesehen werden.
- Zusätzlich versuchen die sich aus dem Stromfluß durch die Leiter ergebenden Magnetfelder die vorhandene Magnetisierung in der Mitte der Streifen festzuhalten oder zu verriegeln und sich damit nach unten fortzusetzen. Dies bildet im Ergebnis ein Hindernis dagegen, daß sich geknickte Domänen oder andere magnetische Instabilitäten von den Enden dieser Streifen nach innen in Richtung auf Teile der magnetoresistiven Materialstreifen fortpflanzen, welche dem Magnetfühler 10 als Fühlerteile dienen.
- Die Leiter 20, 21, 22 und 23 sind typischerweise 1,0um dick und haben, wie erwähnt, eine Breite die vergleichbar oder größer ist als die Breite der magnetoresistiven Materialstreifen. Streifen dieser Abmessungen können einen beträchtlichen Strom in der Größenordnung von 10,0mA oder mehr führen, um darunter ein Magnetfeld von 3 Oersted oder mehr zu erzeugen, ohne dabei eine elektrische Materialwanderung in den Leitern selbst zu verursachen.
- Diese Maßnahmen führen zu einer wesentlich verbesserten Stabilität der Arbeitsweise des Magnetsensors, in dem auch bei Temperaturänderungen eine wesentlich stabilere Spannung zwischen den Fühlerausgangsbereichen 17 und 18 auftritt. Dies führt zu geringeren Änderungen im Ausgangssignal über lange Zeiträume und zwischen Messungen, welche in großen Zeitabständen erfolgen. Damit wird die Unsicherheit hinsichtlich der Größe des zu messenden extern einwirkenden Magnetfeldes verringert.
Claims (11)
1. Magnetoresistive Einrichtung zum Erfassen
magnetischer Felder mit
a) ersten (15) sowie zweiten (16)
Stromversorgungsanschlußbereichen;
b) einer ersten Gruppe (11) von Streifen (11') aus
magnetoresistivem Material auf einem Substrat
(30), wobei jeder Streifen (11') ein erstes und
ein zweites Ende aufweist, um elektrischen Strom
zwischen den ersten und den zweiten
Stromversorgungsanschlußbereichen (15, 16)
fließen zu lassen;
c) einem ersten Leiter (20), der über jedem
Streifen (11') der ersten Gruppe (11) von
Streifen aus magnetoresistivem Material in der
Nähe von dessen erstem Ende, aber von diesem
isoliert angeordnet ist;
dadurch gekennzeichnet,
daß
d) der erste Leiter (20) für den Anschluß an eine
erste Stromquelle elektrisch mit einer ersten
Anschlußvorrichtung (19) verbunden ist; und
e) ein zweiter Leiter (21) für den Anschluß an eine
zweite Stromquelle mit einer zweiten
Anschlußvorrichtung (24) verbunden ist und der
zweite Leiter (21) über jedem Streifen (11') der
ersten Gruppe (11) von Streifen aus
magnetoresistivem Material in der Nähe von
dessen zweitem Ende, aber von diesem isoliert
angeordnet ist.
2. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß jeder Streifen (11')
aus magnetoresistivem Material in der Nähe seines
ersten Endes einen Teil aufweist, der an einen Teil
eines anderen in der Nähe von dessen erstem Ende
elektrisch angeschlossen ist, wobei selektiv die
ersten Enden von bis zu zwei solcher Streifen (11')
aus magnetoresistivem Material übersprungen sind.
3. Einrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, daß die ersten und
zweiten Enden jedes der Streifen (11') aus
magnetoresistivem Material zu ihrem Ende hin schmaler
werden.
4. Einrichtung nach Anspruch 3, dadurch
gekennzeichnet, daß die sich verjüngenden
Endstücke an beiden Enden der magnetoresistiven
Streifen (11') außerhalb des Raumes beginnen, der
zwischen Außenkanten des ersten (20) und des zweiten
(21) Leiters liegt.
5. Einrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß
elektrische Verbindungen (40, 41) zwischen
benachbarten Endteilen abwechselnder Paare von
Streifen (11') aus magnetoresistivem Material
innerhalb zwischen den Innenkanten des ersten (20)
und des zweiten (21) Leiters liegen.
6. Einrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß sie
eine zweite Gruppe (12, 13, 14) von Streifen (12',
13', 14') aus magnetoresistivem Material auf dem
Substrat (30) aufweist, wobei jeder Streifen (12',
13', 14') ein erstes und ein zweites Ende aufweist,
um einen weiteren elektrischen Strom fließen zu
lassen, wenn dieser den ersten und zweiten
Stromzufuhranschlußbereichen (15, 16) zugeführt wird.
7. Einrichtung nach Anspruch 6, dadurch
gekennzeichnet, daß ein dritter Leiter (22)
über der zweiten Gruppe (13) von Streifen (13') aus
magnetoresistivem Material in der Nähe von deren
erstem Ende, aber von diesem isoliert angeordnet ist
und ein vierter Leiter (32) über der zweiten Gruppe
(13) von Streifen (13') aus magnetoresistivem
Material in der Nähe von deren zweitem Ende, aber von
diesem isoliert angeordnet ist.
8. Einrichtung nach Anspruch 6, dadurch
gekennzeichnet, daß der erste Leiter (20)
über der ersten (11) und der zweiten (12) Gruppe von
Streifen aus magnetoresistivem Material in der Nähe
von deren erstem Ende, aber von diesem isoliert
angeordnet ist und der zweite Leiter (21) über der
ersten (11) und der zweiten (12) Gruppe von Streifen
aus magnetoresistivem Material in der Nähe von deren
zweitem Ende, aber von diesem isoliert angeordnet
ist.
9. Einrichtung nach Anspruch 8, dadurch
gekennzeichnet, daß die Streifen (11', 12',
13', 14') aus magnetoresistivem Material in den
Gruppen (11, 12, 13, 14) auf dem Substrat (30)
parallel zueinander vorgesehen sind, wobei das erste
Ende eines solchen Streifens aus magnetoresistivem
Material, ausgenommen die übersprungenen Enden,
elektrisch an das erste Ende eines benachbarten
Streifens aus magnetoresistivem Material
angeschlossen ist und mit einem zweiten Ende mit
einem zweiten Ende eines anderen hierzu benachbarten
Streifens aus magnetoresistivem Material elektrisch
verbunden ist.
10. Einrichtung nach Anspruch 6, 7, 8 oder 9,
dadurch gekennzeichnet, daß
a) die Einrichtung die erste (11), die zweite (12),
eine dritte (13) und eine vierte (14) Gruppe von
Streifen aus magnetoresistivem Material auf dem
Substrat (30) aufweist;
b) die magnetoresistiven Streifen der ersten (11)
und der zweiten (12) Gruppe in Reihe geschaltet
sind, um einen ersten elektrischen Strom durch
die erste und zweite Gruppe von Streifen aus
magnetoresistivem Material zu leiten, wenn
dieser den ersten und zweiten
Stromversorgungsanschlußbereichen (15, 16)
zugeführt wird;
c) die magnetoresistiven Streifen der dritten (13)
und der vierten (14) Gruppe in Reihe geschaltet
sind, um einen zweiten elektrischen Strom durch
die dritte und vierte Gruppe von Streifen aus
magnetoresistivem Material fließen zu lassen,
wenn dieser den ersten und zweiten
Stromversorgungsanschlußbereichen (15, 16)
zugeführt wird.
11. Einrichtung nach Anspruch 10,
gekennzeichnet durch
a) einen ersten Fühleranschlußbereich (17) an der
Verbindung zwischen der ersten und der zweiten
Gruppe (11, 12) von Streifen aus
magnetoresistivem Material; sowie
b) einen zweiten Fühleranschlußbereich (18) an der
Verbindung zwischen der dritten und vierten
Gruppe (13, 14) von Streifen aus
magnetoresistivem Material.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/258,300 US4847584A (en) | 1988-10-14 | 1988-10-14 | Magnetoresistive magnetic sensor |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE68912720D1 DE68912720D1 (de) | 1994-03-10 |
DE68912720T2 true DE68912720T2 (de) | 1994-07-21 |
Family
ID=22979977
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE68912720T Expired - Lifetime DE68912720T2 (de) | 1988-10-14 | 1989-10-10 | Magnetoresistiver Magnetfeldsensor. |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4847584A (de) |
EP (1) | EP0369160B1 (de) |
JP (1) | JP2936140B2 (de) |
CA (1) | CA1306009C (de) |
DE (1) | DE68912720T2 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10014779B4 (de) * | 2000-03-27 | 2011-11-10 | Nxp B.V. | MR-Winkelsensor |
Families Citing this family (57)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5509022A (en) * | 1991-09-20 | 1996-04-16 | The University Of Melbourne | Self-tuned mode-locked laser |
US5247278A (en) * | 1991-11-26 | 1993-09-21 | Honeywell Inc. | Magnetic field sensing device |
DE4233332C2 (de) * | 1992-10-05 | 1995-10-19 | Inst Mikrostrukturtechnologie | Magnetoresistive Sensoranordnung auf einem Chip zur Messung örtlicher Verteilungen von Magnetfeldgradienten |
DE4319146C2 (de) * | 1993-06-09 | 1999-02-04 | Inst Mikrostrukturtechnologie | Magnetfeldsensor, aufgebaut aus einer Ummagnetisierungsleitung und einem oder mehreren magnetoresistiven Widerständen |
US5351028A (en) * | 1993-06-14 | 1994-09-27 | Honeywell Inc. | Magnetoresistive proximity sensor |
US5435070A (en) * | 1993-07-26 | 1995-07-25 | Honeywell Inc. | Simplified compass with multiple segment display capability |
US5502380A (en) * | 1994-04-28 | 1996-03-26 | Rosemount Inc. | Analog weighted binary absolute position encoder including an array of sense resistors each having material responsive to FWX and nonresponsive to flux |
US5561368A (en) * | 1994-11-04 | 1996-10-01 | International Business Machines Corporation | Bridge circuit magnetic field sensor having spin valve magnetoresistive elements formed on common substrate |
JP2655106B2 (ja) * | 1994-12-07 | 1997-09-17 | 日本電気株式会社 | 磁気抵抗センサ |
US6166539A (en) * | 1996-10-30 | 2000-12-26 | Regents Of The University Of Minnesota | Magnetoresistance sensor having minimal hysteresis problems |
US5747997A (en) * | 1996-06-05 | 1998-05-05 | Regents Of The University Of Minnesota | Spin-valve magnetoresistance sensor having minimal hysteresis problems |
US5952825A (en) * | 1997-08-14 | 1999-09-14 | Honeywell Inc. | Magnetic field sensing device having integral coils for producing magnetic fields |
US6529114B1 (en) * | 1998-05-27 | 2003-03-04 | Honeywell International Inc. | Magnetic field sensing device |
US6297628B1 (en) * | 1998-11-17 | 2001-10-02 | Honeywell Inc | Magnetoresistive bridge array |
US6850057B2 (en) * | 2001-07-19 | 2005-02-01 | Honeywell International, Inc. | Barber pole structure for magnetoresistive sensors and method of forming same |
US6700371B2 (en) * | 2001-09-05 | 2004-03-02 | Honeywell International Inc. | Three dimensional conductive strap for a magnetorestrictive sensor |
JP2003198002A (ja) * | 2001-12-25 | 2003-07-11 | Fujitsu Ltd | 磁気抵抗効果膜および強磁性積層構造体 |
US6667682B2 (en) | 2001-12-26 | 2003-12-23 | Honeywell International Inc. | System and method for using magneto-resistive sensors as dual purpose sensors |
US7259545B2 (en) * | 2003-02-11 | 2007-08-21 | Allegro Microsystems, Inc. | Integrated sensor |
US7016163B2 (en) * | 2003-02-20 | 2006-03-21 | Honeywell International Inc. | Magnetic field sensor |
US7265543B2 (en) * | 2003-04-15 | 2007-09-04 | Honeywell International Inc. | Integrated set/reset driver and magneto-resistive sensor |
US7206693B2 (en) * | 2003-04-15 | 2007-04-17 | Honeywell International Inc. | Method and apparatus for an integrated GPS receiver and electronic compassing sensor device |
US7239000B2 (en) * | 2003-04-15 | 2007-07-03 | Honeywell International Inc. | Semiconductor device and magneto-resistive sensor integration |
DE10327390B4 (de) * | 2003-06-18 | 2008-11-13 | Sensitec Gmbh | Anordnung zur Vermeidung von Elektromigration |
US7141964B2 (en) * | 2004-01-06 | 2006-11-28 | Honeywell International Inc. | Adaptive integrated circuit for magnetoresistive sensors |
US7126330B2 (en) * | 2004-06-03 | 2006-10-24 | Honeywell International, Inc. | Integrated three-dimensional magnetic sensing device and method to fabricate an integrated three-dimensional magnetic sensing device |
US7777607B2 (en) * | 2004-10-12 | 2010-08-17 | Allegro Microsystems, Inc. | Resistor having a predetermined temperature coefficient |
US7271587B2 (en) * | 2004-12-16 | 2007-09-18 | Honeywell International Inc. | High resolution and low power magnetometer using magnetoresistive sensors |
US8438957B2 (en) * | 2005-10-19 | 2013-05-14 | Brown Line Metal Works, Llc | Digital beam torque wrench with an electronic sensor |
US7768083B2 (en) | 2006-01-20 | 2010-08-03 | Allegro Microsystems, Inc. | Arrangements for an integrated sensor |
US7420365B2 (en) * | 2006-03-15 | 2008-09-02 | Honeywell International Inc. | Single chip MR sensor integrated with an RF transceiver |
US20080117081A1 (en) * | 2006-11-17 | 2008-05-22 | Peter Jerome Radusewicz | Portable traffic analyzer |
US7795862B2 (en) | 2007-10-22 | 2010-09-14 | Allegro Microsystems, Inc. | Matching of GMR sensors in a bridge |
US8711524B2 (en) * | 2008-02-05 | 2014-04-29 | Headway Technologies, Inc. | Patterned MR device with controlled shape anisotropy |
US7816905B2 (en) * | 2008-06-02 | 2010-10-19 | Allegro Microsystems, Inc. | Arrangements for a current sensing circuit and integrated current sensor |
US20090315554A1 (en) * | 2008-06-20 | 2009-12-24 | Honeywell International Inc. | Integrated three-dimensional magnetic sensing device and method to fabricate an integrated three-dimensional magnetic sensing device |
JP2011027683A (ja) * | 2009-07-29 | 2011-02-10 | Tdk Corp | 磁気センサ |
KR101093776B1 (ko) * | 2010-01-21 | 2011-12-19 | 충남대학교산학협력단 | 자기 센서 |
US8525514B2 (en) * | 2010-03-19 | 2013-09-03 | Memsic, Inc. | Magnetometer |
US20110234218A1 (en) * | 2010-03-24 | 2011-09-29 | Matthieu Lagouge | Integrated multi-axis hybrid magnetic field sensor |
IT1402178B1 (it) | 2010-09-09 | 2013-08-28 | St Microelectronics Srl | Circuito di lettura a compensazione automatica dell'offset per un sensore di campo magnetico e relativo metodo di lettura a compensazione automatica dell'offset |
US9013175B2 (en) | 2010-11-26 | 2015-04-21 | Stmicroelectronics S.R.L. | Reading circuit for a magnetic field sensor with sensitivity calibration, and related reading method |
IT1403409B1 (it) | 2010-12-20 | 2013-10-17 | St Microelectronics Srl | Circuito di polarizzazione per un sensore di campo magnetico, e relativo metodo di polarizzazione |
IT1403433B1 (it) | 2010-12-27 | 2013-10-17 | St Microelectronics Srl | Sensore magnetoresistivo con capacita' parassita ridotta, e metodo |
IT1403434B1 (it) | 2010-12-27 | 2013-10-17 | St Microelectronics Srl | Sensore di campo magnetico avente elementi magnetoresistivi anisotropi, con disposizione perfezionata di relativi elementi di magnetizzazione |
US8947082B2 (en) | 2011-10-21 | 2015-02-03 | University College Cork, National University Of Ireland | Dual-axis anisotropic magnetoresistive sensors |
US20130207645A1 (en) * | 2012-02-09 | 2013-08-15 | Xiao-Qiao KONG | Magnetic sensor apparatus |
US20130207646A1 (en) * | 2012-02-09 | 2013-08-15 | Xiao-Qiao KONG | Magnetic sensor apparatus |
ITTO20120614A1 (it) | 2012-07-11 | 2014-01-12 | St Microelectronics Srl | Sensore magnetoresistivo integrato multistrato e relativo metodo di fabbricazione |
RU2533747C1 (ru) * | 2013-03-19 | 2014-11-20 | Открытое акционерное общество "Научно-производственное объединение измерительной техники" | Магниторезистивный датчик тока |
RU2561762C1 (ru) * | 2014-04-30 | 2015-09-10 | Акционерное общество "Научно-производственное объединение измерительной техники" | Магниторезистивный датчик |
RU2635330C1 (ru) * | 2016-06-07 | 2017-11-10 | Общество с ограниченной ответственностью "СПИНТЕК" | Преобразователь магнитного поля с повышенной чувствительностью на анизотропных тонкопленочных магниторезисторах (варианты) |
CN108333538A (zh) * | 2018-03-29 | 2018-07-27 | 美新半导体(无锡)有限公司 | 一种磁电阻传感器 |
US10935612B2 (en) | 2018-08-20 | 2021-03-02 | Allegro Microsystems, Llc | Current sensor having multiple sensitivity ranges |
US11187764B2 (en) | 2020-03-20 | 2021-11-30 | Allegro Microsystems, Llc | Layout of magnetoresistance element |
US11567108B2 (en) | 2021-03-31 | 2023-01-31 | Allegro Microsystems, Llc | Multi-gain channels for multi-range sensor |
US11994541B2 (en) | 2022-04-15 | 2024-05-28 | Allegro Microsystems, Llc | Current sensor assemblies for low currents |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3949346A (en) * | 1973-11-17 | 1976-04-06 | Sony Corporation | Magnetoresistive element |
JPS576962Y2 (de) * | 1974-07-26 | 1982-02-09 | ||
US4024489A (en) * | 1975-11-18 | 1977-05-17 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive sandwich including sensor electrically parallel with electrical shunt and magnetic biasing layers |
CA1126818A (en) * | 1978-03-27 | 1982-06-29 | Hiroyuki Ohkubo | Apparatus for sensing an external magnetic field |
JPS6041474B2 (ja) * | 1980-08-15 | 1985-09-17 | ロ−ム株式会社 | 信号伝達素子 |
US4517515A (en) * | 1981-06-03 | 1985-05-14 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Magnetometer with a solid-state magnetic-field sensing means |
JPS584992A (ja) * | 1981-07-01 | 1983-01-12 | Hitachi Ltd | 磁気電気変換素子 |
US4533872A (en) * | 1982-06-14 | 1985-08-06 | Honeywell Inc. | Magnetic field sensor element capable of measuring magnetic field components in two directions |
GB2202635B (en) * | 1987-03-26 | 1991-10-30 | Devon County Council | Detection of magnetic fields |
-
1988
- 1988-10-14 US US07/258,300 patent/US4847584A/en not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-09-05 CA CA000610292A patent/CA1306009C/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-10-10 EP EP89118793A patent/EP0369160B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-10-10 DE DE68912720T patent/DE68912720T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-10-12 JP JP1266077A patent/JP2936140B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10014779B4 (de) * | 2000-03-27 | 2011-11-10 | Nxp B.V. | MR-Winkelsensor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0369160B1 (de) | 1994-01-26 |
JPH02129576A (ja) | 1990-05-17 |
CA1306009C (en) | 1992-08-04 |
JP2936140B2 (ja) | 1999-08-23 |
EP0369160A2 (de) | 1990-05-23 |
DE68912720D1 (de) | 1994-03-10 |
EP0369160A3 (de) | 1991-04-17 |
US4847584A (en) | 1989-07-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE68912720T2 (de) | Magnetoresistiver Magnetfeldsensor. | |
DE3878281T2 (de) | Sensor mit einem magneto-elektrischen messwandler. | |
DE69534013T2 (de) | Magnetfeldfühler und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE102008054314B4 (de) | Integrierter lateraler Kurzschluss für eine vorteilhafte Modifizierung einer Stromverteilungsstruktur für magnetoresistive XMR-Sensoren und Verfahren zur Herstellung | |
DE3854457T2 (de) | Stromdetektoranordnung mit ferromagnetischem Magnetwiderstandselement. | |
DE19933244C2 (de) | Potentiometer mit Magnetowiderstandselementen | |
EP0905523B1 (de) | Sensoreinrichtung zur Richtungserfassung eines äu eren Magnetfeldes mittels eines magnetoresistiven Sensorelementes | |
DE69532396T2 (de) | Magnetfeldmessgerät | |
DE2614165C2 (de) | Magnetowiderstandsmagnetkopf | |
DE2851330A1 (de) | Magnetoresistives halbleiterelement | |
EP0030041A1 (de) | Messwandler zum Messen eines insbesondere von einem Messstrom erzeugten Magnetfeldes | |
WO1994029740A1 (de) | Magnetfeldsensor, aufgebaut aus einer ummagnetisierungsleitung und einem oder mehreren magnetoresistiven widerständen | |
EP0807827A2 (de) | Magnetfeldempfindliche Sensoreinrichtung mit mehreren GMR-Sensorelementen | |
EP0111698A2 (de) | Magnetfeldsensor | |
DE102006062750A1 (de) | Konzept zum Erfassen einer Änderung einer physikalischen Grösse mittels einer Stromleiterstruktur | |
DE19649265C2 (de) | GMR-Sensor mit einer Wheatstonebrücke | |
DE69112939T2 (de) | Magnetoresistiver Effekt verwendender Lesemagnetkopf. | |
DE4208927A1 (de) | Magnetischer sensor und damit ausgeruesteter positionsdetektor | |
DE2409323C3 (de) | ||
DE19933243A1 (de) | Codierer mit Magnetowiderstandselementen | |
EP2992342B1 (de) | Magnetfeldsensorvorrichtung | |
DE69825031T2 (de) | Magnetfeldsensor mit spin tunnelübergang | |
DE69736463T2 (de) | Vorrichtung zum erfassen eines magnetfeldes | |
DE19650078A1 (de) | Sensorelement zur Bestimmung eines Magnetfeldes oder eines Stromes | |
DE19810218A1 (de) | Magnetfeldsensor auf Basis des magnetoresistiven Effektes |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8364 | No opposition during term of opposition |