RU2533747C1 - Магниторезистивный датчик тока - Google Patents

Магниторезистивный датчик тока Download PDF

Info

Publication number
RU2533747C1
RU2533747C1 RU2013112285/28A RU2013112285A RU2533747C1 RU 2533747 C1 RU2533747 C1 RU 2533747C1 RU 2013112285/28 A RU2013112285/28 A RU 2013112285/28A RU 2013112285 A RU2013112285 A RU 2013112285A RU 2533747 C1 RU2533747 C1 RU 2533747C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
magnetoresistors
strips
film
magnetization
control
Prior art date
Application number
RU2013112285/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2013112285A (ru
Inventor
Людмила Анатольевна Ажаева
Андрей Викторович Веселов
Алексей Борисович Грабов
Людмила Владимировна Сергеева
Владимир Иванович Суханов
Наталья Николаевна Суханова
Original Assignee
Открытое акционерное общество "Научно-производственное объединение измерительной техники"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Открытое акционерное общество "Научно-производственное объединение измерительной техники" filed Critical Открытое акционерное общество "Научно-производственное объединение измерительной техники"
Priority to RU2013112285/28A priority Critical patent/RU2533747C1/ru
Publication of RU2013112285A publication Critical patent/RU2013112285A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2533747C1 publication Critical patent/RU2533747C1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)
  • Measuring Magnetic Variables (AREA)

Abstract

Изобретение относится к измерительной технике, представляет собой магниторезистивный датчик тока и может быть использовано в устройствах бесконтактного контроля и измерения электрического тока. Датчик содержит замкнутую мостовую измерительную схему, проводники перемагничивания и управления. Мостовая схема состоит из четырех магниторезисторов, сформированных из пленки ферромагнитного металла в виде полосок, ориентированных под углом 45° к оси легкого намагничивания ферромагнитной пленки и расположенных парами в два ряда. Проводник перемагничивания выполнен в виде плоской прямоугольной петли, а проводник управления - в виде плоской прямоугольной катушки, рабочие полоски которых перпендикулярны друг другу. Проводники расположены над парами магниторезисторов так, что векторы магнитной индукции поля, возникающего в месте расположения магниторезисторов при прохождении тока по проводникам перемагничивания и управления, направлены в противоположные стороны, причем рабочие полоски проводника управления параллельны оси легкого намагничивания ферромагнитной пленки, из которой изготовлены магниторезисторы. Техническим результатом является уменьшение погрешности измерения тока, вызванной влиянием внешнего магнитного поля. 2 ил.

Description

Изобретение относится к устройствам, а именно к магниторезистивным датчикам, основанным на использовании анизотропного магниторезистивного эффекта, и может быть использовано в измерительной технике в устройствах бесконтактного контроля и измерения электрических токов.
Известен магниторезистивный датчик магнитного поля с нечетной передаточной характеристикой, содержащий мостовую измерительную схему из четырех магниторезисторов, сформированных из пленки магнитомягкого ферромагнитного металла (Патент US №4847584, МКИ H01L 43/00).
Магниторезисторы в таком датчике представляют собой полоски, изготовленные методами литографии из пленки магнитомягкого ферромагнитного металла, ориентированные вдоль оси легкого намагничивания (ОЛН) исходной пленки. С целью формирования нечетной передаточной характеристики на поверхности полосок нанесены, так называемые, полосы Барбера, представляющие собой низкорезистивные шунты из немагнитного металла, ориентированные под углом 45° к длине полоски. Благодаря наличию низкорезистивных шунтов электрический ток в полосках течет примерно под углом 45° к длине полоски и, соответственно, к ОЛН полоски. В соседних плечах мостовой схемы полосы Барбера в магниторезистивных полосках ориентированы под углом ±45° к длине полоски. Благодаря этому в отсутствие магнитного поля угол между направлением тока и намагниченностью полосок в соседних плечах моста составляет примерно ±45°. При появлении магнитного поля в направлении, перпендикулярном направлению ОЛН, угол между направлением тока и намагниченностью полосок в соседних плечах моста изменяется в разные стороны (в одних уменьшается, а в других увеличивается), что, в свою очередь, ведет к уменьшению и увеличению сопротивления магниторезисторов в соседних плечах и, соответственно, к изменению разбаланса мостовой схемы.
Недостатком такого датчика является технологическая сложность создания полос Барбера.
Прототипом предлагаемого технического решения является магниторезистивный датчик, содержащий следующие, электрически изолированные друг от друга и от подложки, функциональные элементы: замкнутую мостовую измерительную схему из четырех магниторезисторов, сформированных из пленки ферромагнитного металла в виде параллельных друг другу полосок, ориентированных под углом 45° к оси легкого намагничивания исходной пленки и закороченных последовательно перемычками из немагнитного металла, проводник перемагничивания, сформированный в виде меандра из пленки немагнитного металла, и проводник управления, сформированный в виде плоской катушки из пленки немагнитного металла (Патент РФ №2279737 С1, МКИ H01L 43/08). В этом датчике полоски ферромагнитного металла, образующие магниторезисторы, сгруппированы в четыре параллельных друг другу ряда, а четыре рабочие полоски меандра проводника перемагничивания расположены над четырьмя магниторезисторами. Благодаря такому решению после прохождения импульса тока по проводнику перемагничивания намагниченность полосок в соседних плечах моста устанавливается вдоль ОЛН и ориентирована в противоположные стороны. В отсутствие внешнего магнитного поля угол между направлением тока и намагниченностью полосок в соседних плечах моста составляет примерно ±45°, а при появлении внешнего магнитного поля в направлении, перпендикулярном ОЛН, начинает изменяться в противоположных направлениях, что, в свою очередь, ведет к изменению разбаланса мостовой схемы пропорционально значению напряженности магнитного поля.
Известный магниторезистивный датчик может использоваться не только для измерения внешнего магнитного поля, но и для бесконтактного измерения тока в проводнике (катушке) управления. При появлении в проводнике управления электрического тока, благодаря возникающему вокруг его рабочих полосок одноосному магнитному полю на выходной диагонали мостовой измерительной схемы появляется выходной сигнал (изменение разности потенциалов на диагонали мостовой схемы), пропорциональный значению тока в проводнике управления.
Недостатком такого датчика, при его использовании в качестве датчика тока, является большая погрешность, вызванная влиянием внешнего магнитного поля на результаты измерения тока.
Задачей, решаемой настоящим изобретением, является уменьшение погрешности измерения тока, вызванной влиянием внешнего магнитного поля.
Указанный технический результат достигается тем, что в магниторезистивном датчике тока, содержащем мостовую измерительную схему из четырех магниторезисторов, сформированных из пленки ферромагнитного металла в виде полосок, закороченных последовательно перемычками из низкорезистивного немагнитного металла и ориентированных под углом 45° к оси легкого намагничивания ферромагнитной пленки, имеющем проводники перемагничивапия и управления, сформированные из пленки немагнитного металла, магниторезисторы мостовой измерительной схемы расположены парами в два ряда, а проводники перемагничивания и управления выполнены в виде плоской прямоугольной петли или плоской прямоугольной катушки, рабочие полоски которых перпендикулярны друг другу и расположены над парами магниторезисторов так, что векторы магнитной индукции поля, возникающего в месте расположения магниторезисторов при прохождении тока по проводникам перемагничивания и управления, направлены в противоположные стороны, причем рабочие полоски проводника управления параллельны оси легкого намагничивания ферромагнитной пленки, из которой изготовлены магниторезисторы.
Сущность изобретения заключается в том, что в предлагаемом устройстве при прохождении тока по рабочим полоскам проводников управления и перемагничивания векторы магнитной индукции поля, создаваемого им, в местах расположения магниторезисторов взаимно перпендикулярны и направлены в противоположные стороны, причем магнитное поле, возникающее вокруг рабочих полосок проводника перемагничивания, параллельно ОЛН пленки, из которой изготовлены магниторезисторы. Благодаря такому техническому решению намагниченность магниторезисторов после прохождения импульса тока по проводнику перемагничивания устанавливается вдоль ОЛН исходной ферромагнитной пленки, причем в соседних плечах мостовой схемы она ориентирована в противоположные стороны. При появлении тока в проводнике управления магнитное поле вокруг его рабочих полосок ориентировано в противоположные стороны, благодаря чему оно, в свою очередь, разворачивает одинаково направленную намагниченность соседних магниторезиторов в противоположные стороны. В результате сопротивление магниторезисторов в соседних плечах моста также изменяется в противоположные стороны, что вызывает изменение выходного сигнала мостовой схемы пропорционально измеряемому току в проводнике. При этом, внешнее одноосное магнитное поле разворачивает одинаково направленную намагниченность соседних магниторезиторов в одну сторону и тем самым изменяет сопротивление магниторезисторов в одну сторону и практически не влияет на выходной сигнал мостовой схемы.
На фиг.1 представлена в разрезе структура датчика. На фиг.2 показан топологический рисунок датчика (вид сверху).
Магниторезистивный датчик тока (фиг.1) содержит подложку 1, на которой расположены следующие функциональные элементы магниторезистивного датчика: пленочные магниторезисторы, состоящие из слоя ферромагнитного металла 2 и защитных слоев 3 и 4, проводники перемагничивания 5 и управления 6, сформированные из пленки немагнитного металла. Все функциональные элементы изолированы диэлектриком 7 друг от друга и подложки.
Измерительная схема магниторезистивного датчика тока (фиг.2) представляет собой замкнутый мост, содержащий четыре магниторезистора R1, R2, R3 и R4 и контактные площадки 8-11. Магниторезисторы выполнены в виде коротких полосок ферромагнитного металла, соединенных низкорезистивными перемычками из немагнитного металла и ориентированных под углом 45° к оси легкого намагничивания (ОЛН) исходной пленки. Проводник перемагничивания 5 имеет контактные площадки 12 и 13 и сформирован в виде прямоугольной петли, рабочие полоски которой расположены над магниторезисторами так, что ток, протекающий над разными парами магнитрезисторов направлен в противоположные стороны. Проводник управления 6 сформирован в виде прямоугольной планарной катушки и содержит контактные площадки 14 и 15. Рабочие полоски проводника управления расположены над магниторезисторами и ориентированы вдоль ОЛН ферромагнитной пленки, из которой изготовлены магниторезисторы.
Предлагаемый магниторезистивный датчик тока работает следующим образом. Мостовая измерительная схема с помощью контактных площадок 8 и 10 подключается к генератору напряжения, а с помощью контактных площадок 9 и 11 к измерительному прибору (например, вольтметру). При отсутствии внешнего магнитного поля и тока в проводнике управления векторы намагниченности полосок, из которых состоят магниторезисторы, устанавливаются вдоль ОЛН (магнитными полями вокруг магниторезисторов, вызванными измерительным током, протекающим по плечам моста, можно пренебречь, в силу их малости).
При подаче через контактные площадки 12 и 13 в проводник перемагничивания 5 короткого импульса тока создаваемое им магнитное поле будет действовать вдоль ОЛН на полоски магниторезисторов R1 и R4 в одном направлении, а на полоски магниторезисторов R2 и R3 - в противоположном направлении. Под действием магнитного поля, созданного импульсом тока в проводнике перемагничивания, векторы намагниченности полосок в магниторезисторах R1 и R2 и магниторезисторах R3 и R4 установятся в противоположных направлениях. Установившийся после прохождения такого импульса тока выходной сигнал мостовой измерительной схемы является начальным выходным сигналом магниторезистивного датчика.
При появлении электрического тока в катушке управления, возникающее вокруг ее рабочих полосок магнитное поле разворачивает векторы намагниченности магниторезисторов в противоположные стороны. При этом сопротивление магниторезисторов R1 и R3 изменяется в одну сторону (например, увеличивается), магниторезисторов R2 и R4 - в другую сторону (например, уменьшается). В результате выходной сигнал магниторезистивного датчика изменяется пропорционально значению тока в проводнике управления.
Внешнее одноосное магнитное поле разворачивает намагниченность и, соответственно, изменяет сопротивление всех четырех магниторезисторов в одну сторону, благодаря чему практически не влияет на выходной сигнал магниторезистивного датчика. Заявляемое техническое решение позволяет на порядок уменьшить влияние внешнего магнитного поля на выходной сигнал магниторезистивного датчика.

Claims (1)

  1. Магниторезистивный датчик тока, содержащий мостовую измерительную схему из четырех магниторезисторов, сформированных из пленки ферромагнитного металла в виде полосок, закороченных последовательно перемычками из низкорезистивного немагнитного металла и ориентированных под углом 45° к оси легкого намагничивания ферромагнитной пленки, проводники перемагничивания и управления, сформированные из пленки немагнитного металла, отличающийся тем, что магниторезисторы мостовой измерительной схемы расположены парами в два ряда, а проводники перемагничивания и управления выполнены в виде плоской прямоугольной петли или плоской прямоугольной катушки, рабочие полоски которых перпендикулярны друг другу и расположены над парами магниторезисторов так, что векторы магнитной индукции поля, возникающего в месте расположения магниторезисторов при прохождении тока по проводникам перемагничивания и управления, направлены в противоположные стороны, причем рабочие полоски проводника управления параллельны оси легкого намагничивания ферромагнитной пленки, из которой изготовлены магниторезисторы.
RU2013112285/28A 2013-03-19 2013-03-19 Магниторезистивный датчик тока RU2533747C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2013112285/28A RU2533747C1 (ru) 2013-03-19 2013-03-19 Магниторезистивный датчик тока

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2013112285/28A RU2533747C1 (ru) 2013-03-19 2013-03-19 Магниторезистивный датчик тока

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2013112285A RU2013112285A (ru) 2014-09-27
RU2533747C1 true RU2533747C1 (ru) 2014-11-20

Family

ID=51656243

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2013112285/28A RU2533747C1 (ru) 2013-03-19 2013-03-19 Магниторезистивный датчик тока

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2533747C1 (ru)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2601281C1 (ru) * 2015-07-13 2016-10-27 Акционерное общество "Научно-производственное объединение измерительной техники" Магниторезистивный датчик тока
RU2601360C1 (ru) * 2015-07-14 2016-11-10 федеральное государственное бюджетное учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" МИЭТ Магниторезистивный элемент
RU2635330C1 (ru) * 2016-06-07 2017-11-10 Общество с ограниченной ответственностью "СПИНТЕК" Преобразователь магнитного поля с повышенной чувствительностью на анизотропных тонкопленочных магниторезисторах (варианты)
RU2738998C1 (ru) * 2019-07-10 2020-12-21 Общество с ограниченной ответственностью "Корпорация "Аксион" (ООО "Корпорация "Аксион") Магниторезистивный датчик магнитного поля

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4847568A (en) * 1986-06-02 1989-07-11 National Research Development Corporation Microwave apparatus
US4847584A (en) * 1988-10-14 1989-07-11 Honeywell Inc. Magnetoresistive magnetic sensor
RU2279737C1 (ru) * 2005-02-18 2006-07-10 Государственное учреждение Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского государственного института электронной техники (ГУ НПК "ТЦ" МИЭТ) Магниторезистивный датчик
RU2436200C1 (ru) * 2010-11-08 2011-12-10 Учреждение Российской академии наук Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова РАН Магниторезистивный датчик

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4847568A (en) * 1986-06-02 1989-07-11 National Research Development Corporation Microwave apparatus
US4847584A (en) * 1988-10-14 1989-07-11 Honeywell Inc. Magnetoresistive magnetic sensor
RU2279737C1 (ru) * 2005-02-18 2006-07-10 Государственное учреждение Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского государственного института электронной техники (ГУ НПК "ТЦ" МИЭТ) Магниторезистивный датчик
RU2436200C1 (ru) * 2010-11-08 2011-12-10 Учреждение Российской академии наук Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова РАН Магниторезистивный датчик

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2601281C1 (ru) * 2015-07-13 2016-10-27 Акционерное общество "Научно-производственное объединение измерительной техники" Магниторезистивный датчик тока
RU2601360C1 (ru) * 2015-07-14 2016-11-10 федеральное государственное бюджетное учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" МИЭТ Магниторезистивный элемент
RU2635330C1 (ru) * 2016-06-07 2017-11-10 Общество с ограниченной ответственностью "СПИНТЕК" Преобразователь магнитного поля с повышенной чувствительностью на анизотропных тонкопленочных магниторезисторах (варианты)
RU2738998C1 (ru) * 2019-07-10 2020-12-21 Общество с ограниченной ответственностью "Корпорация "Аксион" (ООО "Корпорация "Аксион") Магниторезистивный датчик магнитного поля

Also Published As

Publication number Publication date
RU2013112285A (ru) 2014-09-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10012707B2 (en) Magnetic field sensor with 3-axes self test
US9176203B2 (en) Apparatus and method for in situ current measurement in a conductor
JP6220971B2 (ja) 多成分磁場センサー
US10094891B2 (en) Integrated AMR magnetoresistor with large scale
EP2790030B1 (en) Magnetic field sensing device
US10184959B2 (en) Magnetic current sensor and current measurement method
US9766304B2 (en) Integrated AMR magnetoresistor with a set/reset coil having a stretch positioned between a magnetoresistive strip and a concentrating region
US11808790B2 (en) Contactless wideband magneto-resistive current sensor with low electromagnetic interference
JP6965161B2 (ja) 較正および初期化コイルを備えた単一チップ高磁界x軸線形磁気抵抗センサ
CN107533114A (zh) 具有增加的场范围的磁场传感器
JP6320515B2 (ja) 磁界センサ装置
RU2533747C1 (ru) Магниторезистивный датчик тока
JP2019516094A (ja) セット/リセットデバイスのない異方性磁気抵抗(amr)センサ
RU2436200C1 (ru) Магниторезистивный датчик
RU2495514C1 (ru) Магниторезистивный датчик
JP2014089088A (ja) 磁気抵抗効果素子
RU2279737C1 (ru) Магниторезистивный датчик
RU2561762C1 (ru) Магниторезистивный датчик
RU2601281C1 (ru) Магниторезистивный датчик тока
RU2453949C1 (ru) Магниторезистивный преобразователь-градиометр
RU2633010C1 (ru) Магниторезистивный датчик
RU2312429C1 (ru) Магниторезистивный датчик
RU2300827C2 (ru) Датчик магнитного поля
US20240255549A1 (en) Residual current detection device
JP2012073034A (ja) 電力計測装置および電力計測方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20200320