CN107533114A - 具有增加的场范围的磁场传感器 - Google Patents

Abstract

在一种实施例中，TMR场传感器利用配置中现有的一个或多个自测电流线来扩展磁场测量范围而不牺牲测量灵敏度。当测得的磁场达到阈值时，自测电流线被通电以促进磁场测量。由自测线圈产生的磁场与被测量的外部磁场相反，以将净磁场保持在其中磁场传感器具有线性输出和期望灵敏度的期望范围内。

Description

具有增加的场范围的磁场传感器

对相关申请的交叉引用

本申请要求于2015年4月27日提交的美国临时申请No.62/153,066和于2016年4月14日提交的美国非临时申请No.15/098,560的优先权权益，所有这些申请都通过引用被结合于此。

技术领域

本发明一般而言涉及磁场传感器领域，并且更具体而言，涉及增加磁场传感器的场范围的方法。

背景技术

磁场传感器已经被广泛用于各种电子设备，诸如计算机、膝上型电脑、媒体播放器、智能电话等。存在几种可以用于检测磁场的技术/设备。隧道磁阻(Tunneling Magnetoresistance，TMR)是用于手持式应用的有前景的磁感测技术，因为与其它磁传感器相比，它在灵敏度、功率和工艺成本方面具有优点。磁场感测中的另一个紧密相关的技术是巨磁阻(Giant Magneto resistance，GMR)。

TMR元件由被非磁性绝缘隧道势垒(barrier)隔开的两个铁磁层组成。一个层具有在磁场中“自由”旋转的磁化方向。另一个层具有当在有兴趣感测的中等至低强度的磁场中时不旋转的“固定的”基准磁化。如果两个层的磁化方向彼此平行，那么隧道势垒的电阻低。相反，当磁化方向是反平行时，电阻高。因此，基于TMR的磁场传感器通过由于磁性自由层响应于场相对于固定层的角度变化而导致的电阻变化将磁场转换成电信号。

典型的磁传感器受到其可以测量的场范围的限制。磁传感器具有受诸如感测层厚度、形状和通量集中器几何形状的因素的影响的内置于设备中的灵敏度和测量范围。磁传感器具有与特定磁场范围对应的良好的灵敏度和线性输出。当磁场超出特定磁场范围时，磁传感器可能具有非线性输出并且变得较不灵敏。另一方面，具有较宽磁场测量范围的磁传感器可能不在整个测量范围内具有期望的高灵敏度。

因此，期望具有有效增加磁场传感器的磁场测量范围并维持高测量灵敏度的系统、设备和方法。

发明内容

本发明的某些实施例提供有效增加TMR磁场传感器的磁场测量范围并维持高测量灵敏度的系统、设备和方法。

根据本发明的各种实施例，TMR磁场传感器利用配置中现有的一个或多个自测电流线来扩展磁场测量范围而不牺牲测量灵敏度。TMR场传感器包括第一桥电路，其包括被配置为感测磁场的多个TMR元件。每个TMR元件包括被非磁性绝缘隧道势垒隔开的第一铁磁层(自由层)和第二铁磁层(固定层)。TMR场传感器还包括耦合到自测源以执行例如传感器的原位表征和校准的一个或多个自测电流线。自测电流线可以被布线为形成具有环绕TMR元件的多个匝的线圈。

在某些实施例中，当测得的磁场的幅度达到阈值时，自测电流线被通电以促进磁场测量。由自测线圈产生的磁场与被测量的外部磁场相反，以便将净磁场保持在其中磁场传感器具有线性输出和期望灵敏度的期望范围内。将由自测线圈产生的磁场来调节磁场传感器的输出，以允许计算实际的外部磁场。可以用固定电流向自测电流线通电以提供恒定的相反磁场。也可以用变化电流向自测电流线通电以提供变化的相反磁场，使得磁场传感器具有固定的输出。

在某些实施例中，磁场传感器还可以包括第二电路，该第二电路包括与第一桥电路的每个TMR元件的第二铁磁层(例如，固定层)相邻放置的多个内置电流线。电流线串联地或顺序地连接到场源，并且周期性双极性电流脉冲被施加到所有电流线以在TMR传感器内形成磁性1/f噪声和偏移降低。只有当测得的磁场(沿着一个或多个轴)低于特定阈值时，才施加周期性双极性电流脉冲。当测得的磁场高于特定阈值时，内置电流线以DC模式运行(即不斩波)。这允许低场高信噪比(SNR)运行，但是避免了过驱动或电感耦合在输出信号上添加噪声的可能性。

在某些实施例中，磁场测量电路包括第一类型的磁场传感器和第二类型的磁场传感器。第二类型的磁场传感器可以具有较宽的线性磁场范围，但是具有低于第一类型的磁场传感器的灵敏度。第一和第二类型传感器的输出耦合到多路复用器，当磁场在第一类型的磁场传感器的线性范围内时，多路复用器通常与第一类型的磁场传感器接合。当第一类型的磁场传感器开始进入非线性范围时，多路复用器切换为与第二类型的磁场传感器接合。

虽然以下使用具有TMR元件的TMR磁场传感器对本发明进行讨论，但是本发明的所有方面也将直接适用于基于巨磁阻(GMR)技术的设备。这里公开的发明也适用于利用软磁膜感测磁场的任何磁感测技术，例如各向异性磁阻(AMR)、磁通门和具有通量集中器的霍尔(Hall)传感器。为了简单和清楚起见，下面将以TMR技术作为示例来更详细地描述本发明。

附图说明

将参考附图中图示的本发明的示例性实施例。这些示意图旨在为说明性的而非限制性的。虽然通常在这些实施例的上下文中对本发明进行描述，但是并不旨在通过这样做将本发明的范围限制为所绘出和描述的实施例的特定特征。

图1是根据本发明的各种实施例的TMR磁场传感器的示例性结构概览。

图2是根据本发明的各种实施例的单个TMR元件的截面图。

图3A-3B绘出了根据本发明的各种实施例的具有自测电流线的用于测量磁场的X轴或Y轴的桥电路的示例性示意图。

图4A-4B绘出了根据本发明的各种实施例的具有自测电流线的用于测量磁场的Z轴的桥电路的示例性示意图。

图5A和5B绘出了根据本发明的各种实施例的与外部磁场相关的磁场传感器输出的示例性示意图。

图5C绘出了根据本发明的各种实施例的自测电流的应用的示例性示意图。

图6A绘出了根据本发明的各种实施例的与外部磁场相关的磁场传感器输出的另一个示例性示意图。

图6B绘出了根据本发明的各种实施例的自测电流的应用的另一个示例性示意图。

图7A绘出了根据本发明的各种实施例的具有多种类型的磁场传感器设计的磁场测量电路的示例性示意图。

图7B是根据本发明的各种实施例的与外部磁场相关的磁场传感器输出的示例性示意图。

本领域技术人员将认识到，本发明的各种实现方式和实施例可以根据说明书来实践。所有这些实现方式和实施例旨在包括在本发明的范围内。

如本文所使用的，术语“包括”、“包括有”或其任何其它变体旨在涵盖非排他性包括，使得包括元素列表的过程、方法、物品或装置不仅包括这些元素，而且还可以包括未明确列出的其它元素或者这些过程、方法、物品或装置固有的其它元素。术语“示例性”在“示例”的意义上使用，而不是在“理想”的意义上使用。

具体实施方式

在以下描述中，为了解释的目的，阐述了具体细节以便提供对本发明的理解。但是，本发明可以在没有这些细节中的一些或全部的情况下实践。下面描述的本发明的实施例可以被并入到多个不同的电气部件、电路、设备和系统中。框图中所示的结构和设备是对本发明的示例性实施例的说明，并不用作掩盖本发明的广泛教导的借口。各图中的部件之间的连接不旨在限于直接连接。相反，可以通过中间部件将部件之间的连接修改、重新格式化、重新布线或以其它方式更改。

当本说明书引用“一种实施例”或“实施例”时，这意味着结合正在讨论的实施例所描述的某些特征、结构、特性或功能被包括在本发明的至少一个构思的实施例中。因此，在本说明书中的不同地方出现的短语“在一种实施例中”并不构成对本发明的单个实施例的多次引用。

本发明的各种实施例用于有效地增加TMR磁场传感器的磁场测量范围并维持期望的测量灵敏度的系统、设备和方法。TMR磁场传感器以及其中的一个或多个TMR元件可以集成在单个部件上或包含分立部件。此外，本发明的实施例可应用于多种多样的技术和方法集。

如上所述，本文所要求保护的磁场传感器可以意味着TMR磁场传感器、GMR磁场传感器、AMR磁场传感器、磁通门磁场传感器和/或具有通量集中器的霍尔磁场传感器中的一种或多种。此外，本文所要求保护的磁阻感测元件可以意味着TMR元件、GMR元件、AMR元件、磁通门元件和/或具有通量集中器的霍尔元件中的一种或多种。

图1示出了根据本发明的各种实施例的TMR磁场传感器100的示意图。磁场传感器100包括由经由电压源连接300a连接的电压源300供电的第一桥电路200，以及由可选的复位场源500供电的第二电路400，该可选的复位场源500可以是经由复位场源连接500a连接的电流源。第一桥电路200包括多个TMR元件210。桥电路200可以是半桥电路、全桥电路或其任何组合。在一种实施例中，桥电路200是具有两个电路分支的桥电路，其中两个分支之间的桥输出信号260在沿着分支的某个中间点处。

磁场传感器100还包括形成由自测源600供电的自测电路的多个自测电流线610，自测源600可以是经由自测源连接600a连接的电流源。每个TMR元件210具有经由复位场源连接500a耦合到复位场源500的至少一个对应的内置电流线，以及经由自测源连接600a耦合到自测源600的至少一个对应的内置自测电流线。

自测电路通常用于灵敏度校准和功能测量。当结合在不同自测电流下的测量与在不同复位电流值下的测量时，可以提取固有传感器电偏移以获得更准确的外部磁场测量。

图2图示了根据本发明的各种实施例的单个TMR元件210的截面图。TMR传感器210由被非磁性绝缘隧道势垒216隔开的第一铁磁层212和第二铁磁层214组成。在一种实施例中，第一层212具有在磁场中自由旋转的磁化方向232。第二层214具有当在磁场中时不旋转的固定基准磁化方向234。如果两个层的磁化方向彼此平行，那么隧道势垒216的电阻相对低。相反，当磁化方向反平行时，电阻相对较高。

因此，TMR元件210通过由于磁性自由层的磁化方向232响应于场相对于固定层的基准磁化方向234的角度变化而导致的电阻变化将磁场转换成电信号。铁磁层212和214可以由任何合适的铁磁材料形成，诸如Ni、Fe、Co或其合金。绝缘隧道势垒216可以由诸如AlOx、MgOx、ZrOx、TiOx、HfOx或其任何组合的绝缘体材料组成。

在一种实施例中，第一铁磁层212通过第一触点222连接到第一导线224，并且第二铁磁层214通过可以从第二铁磁层214的上方以及下方接触的第二触点226连接到第二导线228。

在一种实施例中，第二电路400包括位于与每个TMR元件210的第二铁磁层214相邻的多个内置电流线410。电流线410被连接为使得电流脉冲被施加到每个TMR元件210的电流线。根据各种实施例，电流线410的连接可以是顺序的、串联的或时间多路复用的。在另一种实施例中，第二电路400还可以包括位于与第一铁磁层212相邻的第二多个内置电流线420。第一铁磁层212被图案化成具有长轴和短轴的形状。在零磁场中，第一铁磁层212的磁化方向沿着元件210的长轴排列，并且可以被引导在沿着该轴的两个方向中的任一个方向上。通过向电流线410和/或电流线420施加控制电流信号，在环绕电流线的环境区域中生成感应磁场。由于第一层212具有自由旋转和切换的磁化方向232，因此磁化方向232将切换为沿着感应磁场投射在其轴上的方向。

如图2中的示例性图示，当电流线410中的电流具有向外指向的方向并且电流线420中的电流具有向内指向的方向时，磁化方向232指向左侧，其具有与基准磁化方向234负向对准的分量，并且将把自由层的磁化方向232切换到左侧；当电流线410中的电流具有向内指向的方向和/或内置电流线420中的电流具有向外指向的方向时，磁化方向232指向右侧，其具有与基准磁化方向234正向对准的分量，并且将把自由层的磁化方向232切换到右侧。

在一种实施例中，自测电路可以包括位于与TMR元件210相邻的一个或多个自测电流线610。例如，电流线610a被沉积在内置电流线410的下方并且自测线610b被沉积在内置电流线420的上方。自测线610a和610b是当电流通过时生成磁场的金属导体。自测电流线610a和610b可以以各种方式布线。例如，自测电流线610a和610b可以被一起布线以形成围绕TMR元件210的自测环路。由自测环路生成的磁场与外部磁场方向的轴对准。例如，由X轴磁传感器的自测环路生成的磁场与X轴正向对准或者负向对准。

图3A和3B图示了根据本发明的各种实施例的具有自测电流线的用于测量磁场的X轴或Y轴的桥电路的示例性示意图。当向电流线410施加电流脉冲时，在第一铁磁层上生成具有磁化方向232的磁场脉冲。取决于施加的电流脉冲的极性，生成的磁场将自由层方向232切换为具有与第二铁磁层的基准磁化方向234正向对准或负向对准的分量。图3A示出了在第一铁磁层212中大致正向对准的磁化方向232，并且图3B示出了在第一铁磁层212中大致负向对准的磁化方向232。

自测电流线611、612、613和614被一起布线为形成围绕桥电路的多匝自测电流环路。自测电流线611和613(实线)被布置或沉积在第一铁磁层212的上方，并且自测电流线612和614(虚线)被布置或沉积在第二铁磁层214的下方。多匝自测电流环路生成沿着X轴或Y轴的磁场(对于X轴或Y轴磁传感器)。除了图3A和图3B所示的布线方式之外，自测电流线611、612、613和614还可以以其它图案布线。例如，布置或沉积在第一铁磁层212的上方的自测电流线611和613(实线)可以连接在一起。布置或沉积在第二铁磁层214的下方的自测电流线612和614(虚线)可以连接在一起。

图4A和4B图示了根据本发明的各种实施例的用于Z轴磁感测的桥电路的两种不同斩波状态的示例性示意图。对于Z轴磁感测，每个TMR元件210集成至少一个磁通引导器218。磁通引导器218是由高磁导率磁性材料制成的高纵横比垂直条，其端部终止于接近每个相应桥支路中的TMR元件的相对的边缘。在一种实施例中，磁通引导器可以放置或布置在第一(自由)铁磁层212的上方和/或下方。磁通引导器从取向为Z方向的施加场中捕获磁通量，并且将场线弯曲成具有靠近磁通引导器的端部的水平分量。图4A示出了在生成的磁化方向232与基准磁化方向234之间的+90度的交叉角，并且图4B示出了-90度的交叉角。

用于Z轴磁性测量的单个TMR元件210还可以包括在磁通引导器218的一侧或两侧上的自测电流线(诸如自测电流线615、616、617和/或618)。自测线615和616(也适用于自测电流线617和618)平行于磁通引导器218形成，并且优选地与第一铁磁层212等距。自测线615-618是导电材料，例如，铜(Cu)或铝(Al)。虽然自测线615-618被示为四条线，但是应当理解的是，它们可以是一个集成的线，或者是针对如由设备指定的最佳功率和电压要求的串联和并联布线的线的另一个子组。此外，由于自测线615和616与第一铁磁层212等距，因此在第一铁磁层212处生成的磁场的横向(X或Y)分量具有相等的值并且具有相反的方向，因此在感测元件中心处净值为零。自测电流线615、616、617和618沿着Z轴生成磁场。

如图4A和4B所示，自测电流线615、616、617和618被一起布线以在桥电路附近形成多路径自测电流环路。除了图4A和4B所示的布线方式之外，自测电流线615、616、617和618可以以其它图案布线。例如，自测电流线615和617(具有相同的电流方向)可以连接在一起，并且自测电流线616和618可以连接在一起。

图5A和5B绘出了与外部磁场相关的磁场传感器输出的示例性示意图，并且图5C绘出了根据本发明的各种实施例的示例性自测电流的应用。图5A是在外部磁场处的典型的磁场传感器输出。

图5B是在自测电流线通电的情况下外部磁场处的另一个磁场传感器输出。图5C示出了为了具有在图5B中识别出的输出，磁场传感器的(一个或多个)自测电流线中的电流。当外部磁场达到第一阈值H_T+时(或当磁场传感器具有与第一阈值H_T+对应的输出)时，

(一个或多个)自测电流线用固定电流620通电。由(一个或多个)自测线或自测线圈(如图3A、3B、4A和4B所示)产生的磁场与外部磁场相反，以将净磁场保持在其中磁场传感器具有线性输出和期望灵敏度的期望范围内(低于H_T+)。将由自测线圈产生的磁场来调节磁场传感器的输出，以计算实际的外部磁场。为了防止其中在切换点H_T+周围的小的场波动可能导致在运行模式之间快速来回切换的不稳定系统，在控制电路中建立磁滞是有用的。在这种情况下，当外部磁场下降到低于第二阈值H_T-(小于第一阈值H_T+)时，(一个或多个)自测电流线被断电，并且磁场传感器再次返回到线性功能区域。虽然在图5A、5B和5C中图示了单个阈值H_T+和单个阈值H_T-，但是应当理解的是，X轴、Y轴或Z轴的阈值H_T+和阈值H_T-可以是相同的或者可以是不相同的。此外，X轴、Y轴或Z轴的阈值H_T+和阈值H_T-可以是变量值而不是固定值。一个轴的阈值H_T+和阈值H_T-可能受到诸如其它轴上的实际磁场、施加在感测元件内的电流线上的电流、环境温度等因素的影响。在一种实施例中，第一阈值H_T+和第二阈值H_T-分开至少1至2个高斯(Gauss)，使得对于蜂窝电话中的磁传感器应用，在正常使用期间，扩展轴将不会在两个传感器输出模式之间切换。

图6绘出了与外部磁场相关的磁场传感器输出的另一个示例性示意图，并且图6B绘出了根据本发明的各种实施例的另一个示例性自测电流的应用。当外部磁场达到阈值H_T时(或当磁场传感器具有与阈值H_T对应的输出时)，(一个或多个)自测电流线被通电。与图5B和5C相比，自测电流线用变化的电流630通电，以提供变化的相反磁场，使得磁场传感器具有固定的输出。实际的外部磁场将通过把磁场传感器的固定输出与变化的相反磁场相加来获得。

在某些实施例中，周期性双极性电流脉冲被施加到所有内置电流线410和/或420，用于TMR磁场传感器内的磁性1/f噪声和偏移降低。只有当测得的磁场(沿着一个或多个轴)低于阈值H_T时，才施加周期性双极性电流脉冲。当外部磁场高于阈值时，内置电流线以DC模式运行(即，不进行双极性斩波)。这允许低场高信噪比(SNR)运行，但是避免了过驱动或电感耦合在输出信号上增加噪声的可能性。施加与每个TMR元件相邻的双极性电流的方法和技术在于2014年9月24日提交的、发表为美国专利申请公开No.2015/0331065A1的美国专利申请No.14/495,753中描述，其全部内容通过引入被结合于此。电流线410和/或420可以经由复位电流源连接500a串联地或顺序地连接到复位电流源500，以接收用于场传感器中的1/f噪声降低的双极性电流脉冲。

图7A和7B绘出了根据本发明的各种实施例的具有多种类型的传感器设计的磁场测量电路的示例性示意图。磁场测量电路700包括第一类型的磁场传感器710和第二类型的磁场传感器720。第二类型的磁场传感器720具有更宽的线性磁场范围，但是具有比第一类型的磁场传感器710更低的灵敏度。第一和第二类型传感器710和720的输出耦合到多路复用器730用于最终输出740。当外部磁场处于第一类型的磁场传感器710的线性磁场范围内(低于阈值H_T 712)时，多路复用器730与第一类型的磁场传感器710接合。当第一类型的传感器710开始进入非线性范围时，多路复用器730改为与第二类型的磁场传感器720接合，使得最终输出740仍然与外部磁场具有线性关系。最终输出740针对实际的外部磁场而被适当地处理。

虽然在图7A和7B中仅图示了两种不同类型的磁场传感器，但是应当理解的是，可以以类似的方式使用两种以上不同类型的磁场传感器，并且这些变化仍然在本发明的范围内。

在一种实施例中，第一和第二类型的传感器是相同类型的传感器，但是具有不同的规格。在另一种实施例中，第一类型和第二类型的传感器是不同的类型。例如，第一类型的传感器可以是TMR传感器，并且第二类型的传感器可以是GMR、AMR、霍尔、磁通门传感器等。本文中的一种优选实施例可以是使用TMR传感器作为第一类型的传感器并且使用霍尔传感器作为第二类型的传感器，因为霍尔传感器需要更高的功率但是也具有更大的测量范围。此外，可以容易地将霍尔传感器添加到与TMR传感器在同一片芯上的典型的硅工艺中。这种布置将能够覆盖宽的磁场范围，但是仅在相对高的磁场处具有相对较高的功率成本。

本领域技术人员将认识到，可以在所描述的体系架构内实现各种实现方式，所有这些实现方式都落入本发明的范围内。例如，可以实现各种自测电流通电方法来抵消在TMR磁场传感器中测量的磁场。自测电流通电方法可以不限于上述固定电流方法或线性电流方法。

为了清楚和理解起见，已经描述了本发明的前述描述。这并不旨在将本发明限制为所公开的精确形式。在应用的范围和等同性内可以进行各种修改。

Claims (20)

1.一种磁场传感器，包括：

多个磁阻感测元件，耦合在一起作为感测磁场的第一电路，其中所述第一电路被配置为当所述第一电路感测到在第一幅度范围内的磁场时产生线性输出；以及

第二电路，包括第一多个电流线，其中所述第一多个电流线中的每个电流线与所述多个磁阻感测元件中的对应的磁阻感测元件相邻，其中，当通电时，所述第一多个电流线中的至少一个电流线被配置为生成与由所述第一电路感测到的磁场相反的第二磁场，并且其中，在存在所述第二磁场时，所述磁场传感器被配置为当所述第一电路感测到在第二幅度范围内的磁场时产生线性输出。

2.如权利要求1所述的磁场传感器，其中所述至少一个电流线以固定电流通电。

3.如权利要求2所述的磁场传感器，其中所述第二磁场是恒定磁场。

4.如权利要求1所述的磁场传感器，其中所述第二幅度范围大于所述第一幅度范围，并且其中所述第一范围和所述第二范围共享至少一个幅度。

5.如权利要求1所述的磁场传感器，其中所述第一电路包括磁滞控制。

6.如权利要求1所述的磁场传感器，其中所述至少一个电流线以可变电流通电。

7.如权利要求1所述的磁场传感器，其中所述多个磁阻感测元件中的每个磁阻感测元件包括由非磁性绝缘势垒隔开的第一铁磁层和第二铁磁层。

8.如权利要求7所述的磁场传感器，其中每个磁阻感测元件的所述第一铁磁层包括在磁场中自由旋转的磁化方向，并且其中每个磁阻感测元件的所述第二铁磁层包括固定的磁化方向。

9.如权利要求1所述的磁场传感器，其中所述多个磁阻感测元件包括一个或多个隧道磁阻感测元件、巨磁阻感测元件和/或各向异性磁阻感测元件。

10.如权利要求1所述的磁场传感器，其中所述第一多个电流线中的一个或多个电流线被布线为形成围绕所述多个磁阻感测元件中的至少一个磁阻感测元件的环路。

11.如权利要求10所述的磁场传感器，其中所述第一多个电流线中的至少一个电流线定位在磁阻感测元件的下方。

12.如权利要求10所述的磁场传感器，其中所述第一多个电流线中的至少一条电流线定位在磁阻感测元件的上方。

13.如权利要求1所述的磁场传感器，还包括：

包括第二多个电流线的第三电路，其中所述第二多个电流线中的每个电流线与所述多个磁阻感测元件中的对应的磁阻感测元件相邻，

其中所述第三电路被配置为施加与所述多个磁阻感测元件中的每个磁阻感测元件相邻的双极性电流信号，并且其中所述双极性电流信号使得能够消除由所述多个磁阻感测元件中的至少一个磁阻感测元件生成的1/f噪声的至少一部分。

14.如权利要求13所述的磁场传感器，其中所述第二多个电流线中的至少一个电流线定位在所述第一多个电流线中的电流线的下方。

15.如权利要求13所述的磁场传感器，其中所述第二多个电流线中的至少一个电流线定位在所述第一多个电流线中的电流线的上方。

16.如权利要求1所述的磁场传感器，其中所述多个磁阻感测元件中的至少一个磁阻感测元件包括至少一个磁通引导器。

17.如权利要求16所述的磁场传感器，其中所述至少一个磁通引导器是包括高磁导率磁性材料的高纵横比垂直条，其端部终止于接近相应的磁阻感测元件的边缘。

18.如权利要求16所述的磁场传感器，其中所述至少一个磁通引导器定位在相应的磁阻感测元件的上方。

19.如权利要求16所述的磁场传感器，其中所述至少一个磁通引导器定位在相应的磁阻感测元件的下方。

20.如权利要求1所述的磁场传感器，其中所述第一电路是半桥电路或全桥电路。