JP2012073034A - 電力計測装置および電力計測方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】この電力計測装置は、電流が流れる一次導体に対し、平行となるように、ブリッジ構造をとり、対称な第1乃至第4の磁性体成分で構成される磁性薄膜3を配置した磁界検出チップ100を用いる。そして、この一次導体から、ブリッジ構造における入出力端子を介してこの磁性薄膜に素子電流を供給するとともに、この入出力端子の中間位置に電圧入力端子及び電圧出力端子を接続し、磁性薄膜両端の出力を検出する。そしてこの強磁性薄膜のミアンダパターンからなる磁性薄膜に対し、素子電流を供給する方向に対し直交する方向に出力取り出しを行い、直接電力を取り出すようにしている。そして、磁石300を用いて一方向に計測磁界を印加することで、より安定に電力計測を行うことが可能となる。
【選択図】図15
Description
使用した電力を円盤の回転数に変換し、積算演算を行うという既存の積算電力計に、回転を検出するセンサを付加したり、電流計(CT)、電圧計(PT)を新たに付加し、電子回路やマイクロプロセッサによる乗算計算を行い、電力を計測するなどの方法が用いられている。しかし、このような電力計は、装置が大型化するだけでなく、高価なものとなり、また、余計なエネルギーを消費しかねないという状況である。
そこで消費電力をそのまま電気量として測定することができるとともに、小型化および集積化の可能な電力計の開発が望まれている。
ここで用いられる磁界センサは、外部磁界の変化を電気信号に変換する素子であり、強磁性薄膜や半導体薄膜等の磁界検出膜をパターニングし、その磁界検出膜のパターンに電流を流し電圧変化として外部磁界の変化を電気信号に変換するものである。
また、プレーナーホール効果を利用した電力計測手法では出力値が小さく,また検出電流として突入電流などの大きな電流が流れると,磁性薄膜が磁化反転を起こし出力特性が変わるという問題があった。
本発明は前記実情に鑑みてなされたもので、簡単かつ安定的に電力を計測することができる電力計測装置を提供することを目的とする。
本発明の実施の形態の説明に先立ち、本発明の電力計測装置の測定原理について説明する。
本発明の電力計測装置では、電流が流れる一次導体に対し、平行となるように、ブリッジ構造をとり、対称な第1乃至第4の磁性体成分で構成される(強)磁性薄膜3を配置する。そして、この一次導体から、ブリッジ構造における入出力端子を介してこの強磁性薄膜に素子電流を供給するとともに、この入出力端子の中間位置に電圧入力端子及び電圧出力端子を接続し、磁性薄膜両端の出力を検出する。そしてこの強磁性薄膜として用いる環状パターンからなる強磁性薄膜に対し、素子電流を供給する方向に対し直交する方向に出力取り出しを行い、直接電力を取り出すようにしている。
これを数式化すると、
VCD=I2(ΔRsin2θ)
(2)
で表すことができる。ここでIは電流密度ベクトル、BM0は磁束密度ベクトル、I2は素子電流である。
従って、交流磁界を印加した時、正負を判定することができる。
従って、C−D間電圧VC―Dは負荷で消費される電力に比例することになる。
シングル抵抗を用いた場合、固定抵抗をR、磁性薄膜による抵抗成分をR1としたとき
磁性薄膜の抵抗成分R1両端の電圧Vmは以下のとおりとなる。
ここでR1は負荷電流に比例するが、Vmは電力に比例しない。
負荷電流が0であるときも、V≠0であれば出力VmはVm≠0。
ハーフブリッジ回路を用いた場合、磁性薄膜による2つの抵抗成分をR1、R2としたとき、これら2つの抵抗成分をR1、R2両端の出力電圧V1、V2は以下のとおりとなる。
そのため、出力には負荷電流によらない項(0.5V)が含まれ、出力値は電力値とならない。
通常、kI<0.01となり、V1中の電力情報は、1/50以下であり、信号処理で電力信号だけ取り出せたとしても、S/N比が極めて小さくなるという問題がある。ここでkは比例定数である。
これに対し、本発明のフルブリッジ回路を用いた場合、出力は負荷電流による抵抗変化分と、負荷電圧の積となるため、出力がそのまま電力信号となっている。従って、容易に電力成分の取り出しを行うことが出来ることが分かる。
図5は磁化方向を示す説明図である。磁石などの磁界印加手段によりバイアス磁界(Hb)を印加して、計測を行う場合、磁性薄膜[4つの成分]中の磁化(J)は、計測電流に応じて発生する磁界である計測磁界(Hex)との和となる。磁化(J)はJS(自発磁他)とH(外部磁界)に依存する。
磁化(J)=Hb+Hex
(6)
Rmr=R+ΔRcos2θ
となり、抵抗Rmrはθが0の場合抵抗値は最大となり、θが90度の場合、最小となることがわかる。
さらに素子に印加される電圧が一定のとき、計測磁界強度と素子出力電圧との関係を図9に示す。先に求めたHexに対するR1〜R4の値を式(3)に当てはめた。また、入力電圧VB−Dは一定とした。
また、交流の素子電流により生ずる磁界よりも大きい直流磁界を設けることで、薄膜両端の出力のふらつきを抑制することができる。
本実施の形態1の電力計測装置について説明する。図10にこの電力計測装置で用いられる磁界センサの上面図、図11に断面図を示す。図11は図10のX1−X1断面図である。この磁界センサは図10及び11に示すように、シリコンからなる基板1表面に絶縁膜2として酸化シリコン膜を形成し、この絶縁膜2上に強磁性特性を有する磁性薄膜3からなる4つのミアンダパターンRm1、Rm2、Rm3,Rm4を形成し、このミアンダパターンの直径方向に沿って給電部5A、5Bを構成する導体パターン、および、この給電部5A、5Bから供給される素子電流の方向に直交する方向に形成された検出部5C、5Dとしての導体パターンとを具備したものである。そして各導体パターンの先端にはパッド10A,10B,10C,10Dが設けられている。
また導体パターンとしては金、銅、アルミニウムなどが用いられる。
基板1としてのシリコン基板表面に、絶縁膜2としての酸化シリコン膜を形成し、この上層に、スパッタリング法により、磁性薄膜3を形成する。
そして、フォトリソグラフィによりこの磁性薄膜3をパターニングし、同形のミアンダ形状パターンを4つ、互いに隣接するミアンダ形状パターンの主パターンの方向が90度ずつずれるように形成する。
こののち、スパッタリング法により、金などの導電体薄膜を形成し、フォトリソグラフィによりパターニングし、図10及び図11に示すような給電部5A、5Bおよび検出部5C、5Dを形成する。またこれら給電部および検出部に相当する位置にパッド10A、10B、10C,10Dを形成する。
そして必要に応じて保護膜を形成し、磁界センサが完成する。
また、磁性薄膜は、ミアンダ形状パターンのブリッジ構造であり、対称形であるため、素子電流方向に対して対称となるように形成しやすく、信頼性の高い磁界センサを提供することが可能となる。
また、磁性薄膜をミアンダ形状とすることで、磁性薄膜の幅が小さくなり、電気抵抗が増大し、素子の外形を大きくすることなく抵抗値を大きくすることができ、出力を大きくすることが可能となる。
さらにまた、ブリッジ構成を成す4区間が、それぞれの区間において長手方向が隣り合う区間の長手方向とのなす角が90°の関係となるように構成されている。従って隣り合う区間で抵抗変化が反対となり,もっとも効率よく抵抗値の不平衡が起こるため、出力を大きくすることが出来る。
また、この電力計測装置においては磁界センサの入出力パッド10A−10Dをパッケージの4隅に配置することで端子をパッケージ内部で分離形成することができ、絶縁性を確保することが可能となる。
本実施の形態では、計測磁界を印加していないが、本実施の形態1の電力計測装置に対し、以下の実施の形態に示すように、一方向に計測磁界を印加することで、より安定に電力計測を行うことが可能となる。
次に、本発明の実施の形態2について説明する。本実施の形態の電力計測装置では、磁性薄膜3に対して一方向に直流磁界を印加する磁界印加手段として磁石要素を構成する磁石300を配置したことを特徴とするものである。磁界センサチップ100については図10に示した前記実施の形態1の磁界センサチップ100と同様であり、ミアンダ形状パターンからなる磁性薄膜がブリッジ構造をなすように接続されている。矢印Hbがこの磁石によるバイアス磁界である。
ここでは、図15(a)に概要図を示すように、一次導体による磁界に略直交する方向に磁界を印加すべく、磁界センサチップ100の磁性薄膜3の両側に配置された一対の磁石300で挟んだものである。ここで、磁石要素つまり磁石はこの磁界センサのパッケージよりも幅方向に大きく形成されている。ここで磁界センサチップ100は図15(b)に一部破断概要図を示すように、計測磁界が、磁性薄膜のパターン表面と平行となるように形成されている。
次に、本発明の実施の形態3について説明する。本実施の形態の電力計測装置では、磁石300を磁界センサチップ100の磁性薄膜3形成面に対して平行に、配置したことを特徴とするものである。
ここでは、図16(a)および(b)に上面図および断面図を示すように、一次導体による磁界に略直交する方向に磁界を印加すべく、磁石要素つまり磁石300上に磁界センサチップ100を載置し、磁性薄膜3と磁界が平行にあるように配置したものである。ここで磁石はこの磁界センサのパッケージよりも幅方向に大きく形成されている。
この構成によれば、上記実施の形態2の効果に加え、磁石がひとつでよいため、低コスト化をはかることができる。なおここでは磁性薄膜として強磁性薄膜を使用するのが望ましい。
次に、本発明の実施の形態4について説明する。本実施の形態の電力計測装置では、上記実施の形態3の構成に加え、集磁部としてのヨーク210を配したことを特徴とするものである。本実施の形態の電力計測装置においても、磁石要素つまり磁石300を磁界センサチップ100の磁性薄膜3形成面に対して平行に配置である。
次に、本発明の実施の形態5について説明する。本実施の形態の電力計測装置では、磁石300を磁界センサチップ100の磁性薄膜3形成面に対して平行に、かつ磁性薄膜3を挟むように1対の磁石300で形成したことを特徴とするものである。
次に、本発明の実施の形態6について説明する。本実施の形態の電力計測装置では、磁石300を磁界センサチップ100の磁性薄膜3形成面に対して平行に配置した実施の形態5の電力計測装置の磁石300に集磁部としてのヨーク210を同じ極性の磁極間にそれぞれ設けたことを特徴とするものである。
ここでは、図19(a)および(b)に上面図および断面図を示すように、磁石要素つまり一対の磁石300間であって、これらの磁極付近に枠状にヨーク210を配し、この一対の磁石とヨーク210との間に磁性薄膜3を備えた磁界センサチップ100を配置したことを特徴とするものである。
次に、本発明の実施の形態7について説明する。本実施の形態の電力計測装置では、
磁界センサは、磁界印加手段と同一の基板上に形成されたことを特徴とする。図20(a)および(b)に、この電力計測装置の上面概要図および断面概要図を示す。
例えば磁界センサを構成する磁性薄膜3は基板上に形成されており、磁界印加手段は、この磁性薄膜と平行になるように、この同一基板上に形成された第2の磁性薄膜を具備し、第2の磁性薄膜は磁性薄膜の外縁よりも外側に位置するのが望ましい。なおここでは磁性薄膜として強磁性薄膜を使用するのが望ましい。
この構成によれば、小型化薄型化が可能であるだけでなく、図では省略したが、配線部を磁束が貫くことがないため、より安定した電力計測が可能となる。
次に、本発明の実施の形態8について説明する。本実施の形態の電力計測装置では、図21に示すように、磁界印加手段として、磁界センサの形成されたガラス基板1G上に形成された2つの第2の磁性薄膜6a,6bを備え、磁石要素を構成する。そしてこれら第2の磁性薄膜6a,6bによって絶縁膜2を介してミアンダ形状パターンを構成する第1の磁性薄膜3を挟むように構成する。
この構成によれば、薄膜プロセスで形成することができ、容易に小型で信頼性の高い出力計測装置を提供することが可能となる。又この構成により、高出力化、小型化および薄型化をはかることができる。
この構成によれば、より薄型化小型化が可能となる。
なお、前記実施の形態1乃至8で説明した電力計測装置においても、磁性薄膜と磁界印か手段としての磁石を同一基板上に形成したモノリシック素子を用いてもよいことはいうまでもない。なおここでは磁性薄膜として強磁性薄膜を使用するのが望ましい。
この構成によれば、通常の回路基板の構成に加えて、磁性体薄膜のパターンを形成するだけでよいため、極めて容易に形成可能である。
この構成によれば、素子電流の方向に対して磁気抵抗が対称となるように形成されているため、Vmr出力の最大値を大きく取ることができ、システムとしてのS/N比が向上する。
この構成によれば、コンデンサでVmr信号を平滑化することで、周期未満の短期間で直流成分を取り出すことができるので高速で電力値を得ることができ、直流成分を簡単な回路構成で検出することが可能となる。
この構成によれば、力率を別途計測する必要がなく、簡単に計測することができ、かつ積算による場合に比べ、誤差も低減される。
この構成によれば、磁性薄膜の出力取り出し方向を素子電流方向に対し直交する方向とするとともに、素子電流の方向に対して磁気抵抗が対称となるように形成することで、方向の正負を判定することができ、かつ磁界を印加しないときのオフセットがなくなるため回路構成を簡単にすることができる。
この構成によれば、磁性薄膜の出力取り出し方向を素子電流の供給方向に対し直交する方向とするとともに、素子電流の方向に対して磁気抵抗が対称となるように形成することで、方向の正負を判定することができ、かつ磁界を印加しないときのオフセットがなくなるため回路構成を簡単にすることができる。なおここでは磁性薄膜として強磁性薄膜を使用するのが望ましい。
なお、前記実施の形態では、ミアンダ形状パターンを用いた磁性薄膜で構成した磁界センサについて説明したが、ミアンダ形状パターンに限定されるものではない。以下、ミアンダ形状パターン以外の例について説明する。
本実施の形態では、図22乃至図24に示すように、前記実施の形態1の説明に先立ち説明した本発明の磁界センサの環状パターンを構成する磁性薄膜3の環の内周に沿って相似形である円状の内部磁性薄膜として強磁性薄膜の補助パターン4を形成したことを特徴とするものである。
構成としてはこの補助パターン4が付加されただけで、他の構成については前記実施の形態1と同様であり、ここでは説明を省略する。同一部位には同一符号を付した。ここで図22はこの磁界センサの原理説明図、図23に上面図、図24に断面図を示す。この磁界センサは基本的には図1に示した例と同様であるが、この補助パターン4の存在により、電気抵抗は高めたままで磁気的な感度を高めるようにしたものである。外側の環状パターン(3)と内部の補助パターン4とは電気的に接触していないため、電気抵抗は前記実施の形態1の磁界センサと同様であるが、磁気的には空間部が磁性薄膜で埋められるため、より多くの磁束を導くことができ、高感度化を図ることができる。
このように、本実施の形態によれば、磁性体の間に空間が形成されるため、外部磁界に対する感度が低下する。そこで電気抵抗を高めたままで、磁気的な感度のみを向上すべく、電気的に独立して内部磁性薄膜を設けたことで、より高感度化を図ることができる。
次に、本発明の実施の形態10について説明する。本実施の形態では、図27および28に示すように、強磁性薄膜は、正方形の環状パターン33で構成され、前記正方形の対角線方向に電流が流れるように給電部5A、5Bが設けられ、これらに直交する方向に検出部5C、5Dが形成されたことを特徴とする。
本実施の形態でも、前記実施の形態1の磁界センサの環状パターン3に代えて正方形の環状パターン33を形成しただけで、他の構成については前記実施の形態1と同様であり、ここでは説明を省略する。同一部位には同一符号を付した。ここで図27はこの磁界センサの原理説明図、図28は、上面図である。
ただし、前述したのと同様に、電流密度ベクトルと磁束密度ベクトルのなす角をθ1、θ2、ABとACおよびABとADのなす角をφ、計測磁界がない時のAC間の電圧をVAC0、AD間の電圧をVAD0、磁気抵抗効果による電圧変化の最大値をΔVrとする。
また前記実施の形態では強磁性薄膜を用いた磁界センサを用いたが、これに限定されることなく他の磁界センサを用いてもよい。
また、本発明の電力計測装置によれば、力率が1でない場合あるいは高調波電流が含まれた負荷であっても正しい電力計測を行うことができ、変流器などの電流センサを用いた従来の電力計測装置に比較して小型化、低いコスト化が可能となることから、種々の省エネツールに適用可能である。
2 絶縁膜
3、33 磁性薄膜((環状)パターン)
4、24 補助パターン
5A、5B 給電部
5C、5D 検出部
100 磁界センサチップ
200 導体
300 磁石
Claims (18)
- 電流が流れる一次導体に対し、平行となるように配置された磁性薄膜と、
前記一次導体に接続され、前記磁性薄膜に素子電流を供給する電流入出力端子を備えた給電部と、
前記磁性薄膜両端の出力を検出する検出部とを具備した磁界センサを具備した電力計測装置であって、
前記磁性薄膜は、ブリッジ構造をとる第1乃至第4の磁性体成分で構成され、
前記電流入出力端子の中間位置に接続され、前記検出部を構成する電圧入出力端子を具備した電力計測装置。 - 請求項1に記載の電力計測装置であって、
前記磁性薄膜に対して一方向に直流磁界を印加する磁界印加手段を有する前記電力計測装置。 - 請求項1または2に記載の電力計測装置であって、
前記磁界印加手段は、前記磁性薄膜に対して一次導体による磁界に略直交する方向に磁界を印加する電力計測装置。 - 請求項1乃至3のいずれか1項に記載の電力計測装置であって、
前記磁性薄膜のブリッジ構成を成す4区間はそれぞれミアンダ形状パターンで構成される電力計測装置。 - 請求項4に記載の電力計測装置であって、
前記ブリッジ構成を成す4区間が、それぞれの区間において長手方向が隣り合う区間の長手方向とのなす角が90°である電力計測装置。 - 請求項1乃至5のいずれか1項に記載の電力計測装置であって、
前記磁界印加手段が磁石である電力計測装置。 - 請求項6に記載の電力計測装置であって、
前記磁石は前記磁性薄膜の両側に、前記磁界センサに対してほぼ平行な磁界を形成するように、前記磁性薄膜の両側に配置された一対の磁石要素で構成された電力計測装置。 - 請求項6に記載の電力計測装置であって、
前記磁石は前記磁性薄膜面に平行に配置されたひとつの磁石要素で構成された電力計測装置。 - 請求項8に記載の電力計測装置であって、
前記磁石は前記磁性薄膜面に平行に配置された本体部と、前記本体部の両端に位置する磁極と、前記磁極付近に配置された集磁部とを具備した電力計測装置。 - 請求項8に記載の電力計測装置であって、
前記磁石は前記磁性薄膜形成面に平行に、前記磁性薄膜を挟むように配置された一対の磁石要素を備えた電力計測装置。 - 請求項10に記載の電力計測装置であって、
前記一対の磁石要素の同種磁極間に集磁部を有する電力計測装置。 - 請求項6乃至11のいずれか1項に記載の電力計測装置であって、
前記磁界センサの電圧入出力端子からの電圧引き出し部が、前記磁石の磁極面と垂直な面に形成された電力計測装置。 - 請求項1乃至12のいずれか1項に記載の電力計測装置であって、
前記一次導体は前記磁性薄膜に平行となるように設置され、
前記一次導体と前記磁性薄膜の中心をとおる面が前記磁性薄膜面に対して垂直である電力計測装置。 - 請求項6乃至13のいずれか1項に記載の電力計測装置であって、
前記磁界センサは、前記磁界印加手段と同一の基板上に形成された電力計測装置。 - 請求項14に記載の電力計測装置であって、
前記磁界センサを構成する磁性薄膜は前記基板上に形成されており、
前記磁界印加手段は、前記磁性薄膜と平行になるように、前記基板上に形成された第2の磁性薄膜を具備し、
前記第2の磁性薄膜は前記磁性薄膜の外縁よりも外側に位置する電力計測装置。 - 請求項15に記載の電力計測装置であって、
前記磁界印加手段は、前記基板上に形成された第3の磁性薄膜を備え、
前記第3の磁性薄膜と前記第2の磁性薄膜とが絶縁膜を介して前記磁性薄膜を挟むように構成された電力計測装置。 - 請求項1に記載の電力計測装置であって、
前記磁界センサは、
前記基板上に成膜された磁性薄膜と、
前記磁性薄膜に素子電流を供給する入出力端子を備えた給電部と、
前記磁性薄膜両端の出力を検出する検出電極部とを具備した電力計測装置。 - 請求項1乃至17のいずれか1項に記載の電力計測装置を用い、
磁性薄膜のパターンに対し、
前記電流入出力端子により、素子電流の方向に対して磁気抵抗が対称となるように、素子電流を供給する工程と、
前記電圧入出力端子により、前記素子電流の供給によって生起された出力の直流成分を取り出し、電力情報とする電力測定方法。
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Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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CN112992475B (zh) * | 2021-02-18 | 2023-03-14 | 奇力新电子股份有限公司 | 比流器 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6474457A (en) * | 1987-09-16 | 1989-03-20 | Fujitsu Ltd | Wattmeter using magneto-resistance element |
JPH01225183A (ja) * | 1988-03-04 | 1989-09-08 | Nippon Autom:Kk | 磁気抵抗素子 |
JPH02170061A (ja) * | 1988-12-23 | 1990-06-29 | Fujitsu Ltd | 電力検知装置 |
JPH02298803A (ja) * | 1989-05-13 | 1990-12-11 | Aisan Ind Co Ltd | スロットルポジションセンサ |
JPH06130088A (ja) * | 1992-10-15 | 1994-05-13 | Fujitsu Ltd | 電流センサ |
JPH06148301A (ja) * | 1992-05-15 | 1994-05-27 | Fujitsu Ltd | 磁気センサ |
JPH074988A (ja) * | 1993-03-11 | 1995-01-10 | Fujitsu Ltd | 磁気的センサおよび信号変換回路 |
JPH11202037A (ja) * | 1998-01-14 | 1999-07-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気信号検出装置 |
JP2009273232A (ja) * | 2008-05-07 | 2009-11-19 | Toyota Motor Corp | 負荷装置 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0943327A (ja) * | 1995-08-03 | 1997-02-14 | Nec Corp | 磁気抵抗効果電流センサ |
-
2010
- 2010-09-27 JP JP2010215892A patent/JP2012073034A/ja not_active Ceased
-
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Patent Citations (9)
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---|---|---|---|---|
JPS6474457A (en) * | 1987-09-16 | 1989-03-20 | Fujitsu Ltd | Wattmeter using magneto-resistance element |
JPH01225183A (ja) * | 1988-03-04 | 1989-09-08 | Nippon Autom:Kk | 磁気抵抗素子 |
JPH02170061A (ja) * | 1988-12-23 | 1990-06-29 | Fujitsu Ltd | 電力検知装置 |
JPH02298803A (ja) * | 1989-05-13 | 1990-12-11 | Aisan Ind Co Ltd | スロットルポジションセンサ |
JPH06148301A (ja) * | 1992-05-15 | 1994-05-27 | Fujitsu Ltd | 磁気センサ |
JPH06130088A (ja) * | 1992-10-15 | 1994-05-13 | Fujitsu Ltd | 電流センサ |
JPH074988A (ja) * | 1993-03-11 | 1995-01-10 | Fujitsu Ltd | 磁気的センサおよび信号変換回路 |
JPH11202037A (ja) * | 1998-01-14 | 1999-07-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気信号検出装置 |
JP2009273232A (ja) * | 2008-05-07 | 2009-11-19 | Toyota Motor Corp | 負荷装置 |
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