JPS6039745A

JPS6039745A - 陰極線管

Info

Publication number: JPS6039745A
Application number: JP59139792A
Authority: JP
Inventors: アルフレツド・ウオルターズ・ウツドヘツド; ロナルド・ウイリアム・アーサー・ギル; アラン・ジヨージ・ナツプ; ダフニ・ルイーズ・ランポート; デレク・ワシントン
Original assignee: Philips Gloeilampenfabrieken NV
Current assignee: Koninklijke Philips NV
Priority date: 1983-07-08
Filing date: 1984-07-07
Publication date: 1985-03-01
Also published as: GB2143078A; DE3469640D1; ES8601562A1; GB8318494D0; EP0131335B1; ES534056A0; KR850000766A; EP0131335A1; DD219335A5; US4950940A; CA1221133A

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】本発明は、光学的に透明なフェースプレートを有する容
器を具える陰極線管であって、前記の容器内に電子ビー
ム発生手段と、前記のフェースプレートに隣接するもこ
のフェースプレートから離間して装着されているチャネ
ルプレート電子増倍器と、該電子増倍器の入射面を横切
って電子ビームを走査させる走査手段とが設けられてい
る陰極線管に関するものである。

英国特許第２１０１３９６Ａ号明細書には上述したよう
な表示管が記載されている。チャネルプレート電子増倍
器を有する表示管は特に、電子が電子増倍器の入射面か
ら散乱してこれら散乱電子の発生点から離れた点でチャ
ネルに入射される為にコントラストの劣化を受けやツい
。静電的に走査する表示管、特に平型（フラッ］・）表
示管の場合には、電磁増倍器の入射面に正にバイアスさ
れた電界を生ぜしめることができず、従って後方散乱電
子を除去することができない。その理由は、この場合入
射電子ビームを適正に走査させるのに必要な電界条件と
矛盾する為である。これらの電界条件は電子増倍器の入
射面と同じ或いはこの入射面よりも負の電位に保持した
偏向電極により得られる。

本発明の目的は、チャネルプレート電子増倍器を有する
陰極線管、特に静電ビーム走査を行なう陰極線管におけ
る後方散乱電子によるコン１〜ラストの劣化を減少させ
ることにある。

本発明は、光学的に透明なフェースプレートを有Ｊる容
器を具える陰極線管であって、前記の容器内に電子ビー
ム発生手段と、前記のフェースプレートに隣接するもこ
のフェースプレートから離間して装着されているチャネ
ルプレート電子増倍器と、該電子増倍器の入射面を横切
って電子ビームを走査させる走査手段とが設けられてい
る陰極線管において、電子増倍器の入射面のうちチャネ
ル間の領域に後方散乱係数の小さな層を被覆させたこと
を特徴する。

実際的な見地からは、後方散乱係数の小さな前記の暦が
有する二次電子放出係数をも小さくし、コントラストを
更に減少せしめるおそれのある漂遊二次電子の個数を減
少せしめるようにするのが望ましい。

本発明において、小さな後方散乱係数とは平滑な炭素層
の後方散乱係数よりも小さなものを意味し、小さな二次
電子放出係数とは３００〜５００ｅＶの範囲のエネルギ
ーの電子に対し２．０よりも小さな値の二次電子放出係
数を意味するものとする。

本発明の実施例において、前記の走査手段は、電子増倍
器の入射面から離間され且つこの入射面に対しほぼ平行
に配置したキャリヤ部材を有し、このキャリヤ部材上に
は互いに隣接した複数個のは・ぼ平行な電極が設けられ
、これらの電極はこれらに印加される電圧に応答して前
記のキャリヤ部（Ａと電子増倍器の入射面との間の通路
からこの入射面に向けて電子ビームを偏向させるように
する。

電子増倍器自体は分離したダイノードの積層体を有する
ようにすることができる。

前記の層が被着される表面或いはこの層目体は微視的に
粗面とするのが望ましいことを確かめた。

このようにすると、発生する後方散乱電子の個数を著し
く減少する。

後方散乱係数の小さな材料の層は電子増倍器の入射（す
なわち第１）ダイノードに被着するか或いは入射ダイノ
ード上に装着される開ロイ」電極に被着することができ
る。

後方散乱係数の小さな材料には、二次電子放出係数およ
び後方散乱係数の双方またはいずれか一方を小さくした
炭素のような導電層を任意に被着しうるブラックカッパ
ー或いはブラックニッケル或いはブラッククロムを含む
か、或いは陽極処理したアルミラムであってこの上に導
電性被膜を被着したものを含むことができる。

電子増倍器の入射面からの後方散乱は電子増倍器の電子
ビーム入射角を制限することにより更に減少せしめるこ
とができる。このようにすることは、アドレス電子（走
査電子）がかなり良好に決定された角度で入射ダイノー
ドに衝突し、後方散乱電子が不定の角度で入射ダイノー
ドに到達する平型表示管において特に可能である。

電子ビーム入射角は種々の方法で制限しうる。

電子ビーム入射角を物理的に制限した場合には、入射ダ
イノード上に傾斜した羽を装着するか或いは入射ダイノ
ード上に１個以上の開口付電極を装着し、電極の開口が
電子増倍器の関連のヂャネルに対応する傾斜通路を形成
するように各電極を入射ダイノードに対しまたは互いに
オフセットさゼるかこれらの双方を行なう。各電極の開
口は傾斜さ゛ぜることができる。

電子ビーム入射角を制限する他の方法は、入射ダイノー
ドの先細開口の周辺の対応する制限部分散乱電子によっ
て生じる二次電子の個数を減少させる方法である。この
ようにすると、アドレス電子ビームは二次電子放出材料
に衝突して多くの二次電子を放出するも、他の角度で入
射ダイノードに到達する後方散乱電子は開口周辺のうち
二次電子放出材料が被着されてない領域に当り、極めて
わずかの二次電子しか生じない。

以下図面につき説明する。

図面において同一符号は同じ部分を示すのに用いる。

第１図に示した平型表示管１ｏＩｃＬ芙国特Ｆｌ第２１
０１３９６Ａ号明細書に開示されている種類のものであ
る。この表示管およびその動作を以下に簡潔に説明する
も、詳しい説明は上記特許第２１０１３９６Ａ号明細書
を参照され７．−い。

この平型表示管１０は容器１２を具え、その平坦なフェ
ースプレート１４は光学的に透明である。フェースプレ
ート１４の内側には螢光体スクリーン１６が説けられ、
その上には導電性の裏当て（パッキン容器１２の内部を
内部隔壁即ち分割部材２０によりフェースプレート１４
に平行な面で二分し、前部２２と後部２４とを形成する
。分割部材２０はガラスのような絶縁体を有しており、
容器１２のほぼ全高さに亘って延在する。分割部材２０
の後面には平坦な電極２６が設【ノられている。この電
極２６は分割部材２０の露出端縁を越え且つ分割部材２
０の前面側でわずかな距離に亘って下方に延在している
。容器１２の後壁の内側面上には伯の電極２８が設けら
れている。

後部２４内には容器１２の下側端縁に隣接して、上方に
向う電子ビーム３２を発生ずる電子ビーム発生手段３０
が設けられている。この電子ビーム発生手段３０は電子
銃とすることができる。この電子ビーム発生手段３０の
最終陽極かられずかな距離だり離して且つそれとほぼ同
軸的に、上を向い１＝静電型ライン（水平）偏向器３４
が設けられている。所望とあらばライン偏向器３４を電
磁型とすることができる。

容器１２の内部の上端部にはビーム反転用レンズ３６を
設りる。このレンズ３６は上下逆向きのトラフ状の電極
３８を具え、このトラフ状の電極３８は分割部材２０の
上側端縁に対して上方に離して対称的に配置されている
。電極２６および３８間に電位差を保つことにより電子
ビーム３２はその方向を反転し、ライン偏向器３４から
の電子ビーム通路と同じ角度の通路に沿って走行する。

分割部材２０の前側には横方向に細長く、縦方向に離し
た複数個の電極が設けられ、その最も上の電極４０は他
よりも幅狭として補正電極として作用させるようにする
ことができる。他の電極４２は選択的にＦＩＪ勢されて
、電子ビーム３２を積層体のダイノード電子増倍器４４
の入側面上でフレーム偏向さける。積層体のダイノード
電子増倍器４４とその動作は後に第２図につき詳細に述
べる。最終ダイノードを出た電子は電子増倍器４４の出
射面ど電４ｉ１８との間に保たれている加速電界により
スクリーン１６の方に加速される。

表示管の動作中は基準をｏｖ、すなわち電子銃３０の陰
極電位として下記の電圧を与える。容器１２の後部２４
内の電極２６および２８は４００Ｖとし、電界のない空
間を形成し、この空間内で、ライン偏向器３４に約±３
０Ｖの電位変化を与えることによりライン偏向を行なわ
しめる。ビーム反転用レンズのトラフ状電極３８は分割
部材２０の上側端縁上を越える電極２６の延長部の４０
０Ｖと比べてＯＶである。

電子増倍器４４の入射面は４００　Ｖとする。電極４２
は各フレーム走査の開始時点ではＯＶであり、順次に４
００Ｖまで高められる為、前部２゛２内では電子ビーム
３２が最初電子増倍器４４の一番上の開口内に偏向させ
られる。順次の電極４２が４００ｖまで高められ、電子
増倍器４４と相俟って電界の空間を形成すると、電子ビ
ーム３２は電極群のうちｏｖにある次の電極４２の付近
で電子増倍器４４の方に偏向させられる。注意すべきこ
とは電子ビーム３２のランディング角度θは電子増倍器
の入射面全体に亘って可成り一定であり、この例ではこ
れらの角度は代表的に３０°〜４０’であることである
。電子増倍器の両面間の電位差を３．０Ｋ　Ｖとし、電
子増倍器の入射面を４００■とすると、電子増倍器出射
面の電位は３．４Ｋ　Ｖに等しくなる。電極１８の電位
は代表的に１１’ＫＶとし、電子増倍器４４の出射面と
スクリーン１６との間に加速電界を形成する。

フレーム偏向電極４２は電子増倍器４４の入射面に対し
同じか低い電圧にある為、特に再生画像の明領域で入射
電子が散乱することにより生ずるいがなる後方散乱電子
４６も他の点で電子増倍器４４のチャネルに入り込み、
コントラストを劣化させる。

後方散乱電子は５０ｅＶよりも大きなエネルギーを有す
る電子である。

以下第２図ないし第１０図につきこのコン１−ラストの
劣化を解決する２つの手段を説明ザる。要づるにこれら
の手段は、（１）チャネルの開口以外の入射面を後方散乱係数が小
さい材料で被覆し、（２）電子増倍器の電子ビーム入射角を制限することに
より後方散乱電子を減少せしめるものである。これらの
手段（１）　Ｊ５よび（２）は単独で用いることもでき
るし、組合わせて用いることもできる。

第２図を参照するに、積層されたダイノード電子増倍器
４４とその動作は公表された多数の特許明細書に記載さ
れており、そのうち英国特許第１４’０１９６９号、第
１４３４０５３号および第２０２３３３２８号明細書に
数例が記載されており、従って電子増倍器４４は簡単に
説明するだけにする。

電子増倍器４４は互いに離間したｎ個の、間口付きダイ
ノードＤ１〜ｌ）ｎの積層体を具え、各ダイノードは順
次に高い電圧に保持され、隣り合うダイノード間の電位
差は代表的に２００〜５００ｖの範囲にある。ダイノー
ドの開口は整列しており、チャネルを形成する。これら
のダイノードは軟鋼板をエツチングして造る。ダイノー
ドＤ２〜Ｄ（ｎ−１）は中央がふくらんだ開口を有し、
これらは軟鋼板に先細の開口をエツチングにより形成し
、開口の径が小さい方を外側にして軟鋼板を二枚−組に
して組合せることにより造る。

第１および最後のダイノード（ハーフダイノード）Ｄｌ
およびＤｎは、それぞれ一枚の軟鋼板を有する。軟鋼板
は良好な二次電子放出体ではない為、第２図に示しＩＣ
ように第１ダイノード（入射ダイノード）の開口全体と
ダイノードＤ２〜Ｄ（ｎ−１）の開口の下半部内に酸化
マグネシウムのような二次電子放出材料４８を堆積する
。−次電子へが第１ダイノードＤ１内の間口の壁部に衝
突すると、多数の二次電子が生じ、これら二次電子の各
々が第２ダイノードＤ２の整列開口の壁部に衝突すると
、一層多くの二次電子（図示せず）を生じ、以下同様で
ある。集束電極として作用覆る最終ダイノード［）ｎを
出た電子の流れはスクリーン（第２図には図示せず）に
向【プて加速される。

爾１ダイノードＤ１の、開口間の領域に衝突する一次電
子は後方散乱電子を生ぜしめ、これらの後方散乱電子は
これらの発生点から遠く離れた間口に入り、スクリーン
（図示せず）上に見える画像のコントラストを劣化させ
るおそれがある。そこで後方散乱電子、特にエネルギー
の高い後方散乱電子が生ずるのを少なくするために、後
方散乱係数が小さい材料の層５０を第１ダインードの開
口間の領域に被着する。

上述した点を効果的にするためには、層５０を被着する
而およびこの層の材料自体の双方またはいずれか一方を
微視的に第３Ａ図および第３Ｂ図に示すように粗にする
必要があることを確かめた。

そしてこの粗さは隣接するピーク間の距離Ｗがピークか
ら、ピークとピークとの間の底までの距離ｄよりも小さ
くなるようにする必要がある。こうすると空洞（谷）に
入った電子は何回か反射され、その度毎にエネルギーを
失ってゆく。従ってたとえ電子が空洞から出ても電子が
遠くまで達することはなく、再生画像のコントラストを
あまり劣化させない。

［１５０に適した材料は種々見つかっており、そのある
ものは表面が第３Ａ図のようにフ面１ラー而を有するこ
とにより粗くなっており、他の材料は第３Ｂ図のように
平坦な表面にビットを形成することにより粗くなってい
る。

後方散乱を減少させることが分っているノジュラー面を
生じる材料としては、ニッケルを無電解ニッケルを無電
解めっきした鋼上にめっきりるブラックカッパー（粗銅
）や、ニック゛ルを無電解めっきした鋼上にめっきする
炭素被着ブラックカッパーがある。表面にビットを形成
覆る種類の２種類の材料は、鋼上に無電解めっきされ酸
で処理されたニッケルと、鋼上にめっきされ陽極処理さ
れたアルミニウムとであ・す、後者には炭素を被着して
表面を導電性とし、帯電を防ぐ。性能と処理の容易さと
の観点を考慮に入れると上述した材料の中で最良のもの
は炭素を被着したブラックカッパーである。炭素被覆を
被着するもう一つの理由は粗くされた表面からの二次電
子放出および後方散乱を小さくすることにある。

材料５０を第１ダイノードＤ１に被着する代りに、例え
ば点溶接により、第１ダイノードＤ１に電気的且つ物理
的に接続されている担体電極５２に材料５０を被着する
ことができる。

第４図ではこの担体電極５２がハーフダイノードを有し
、このハーフダイノードを第１ダイノードしい。図示し
たように担体電極５２と第１ダイノードＤ１との組み合
せにより中央がふくらんだ開口が形成される。

第５図に示した構成は、担体電極５２の開口が末広がり
でなくほぼ直線状となった壁部を有しており、これらの
開口の断面寸法が第１ダイノードＤ１に隣接する側でこ
の第１ダイノードの開口に一致している点で第４図に示
したものとは異なっている。直線状の間口はハーフダイ
ノードの開口を過剰にエツチングして形成し、担体電極
として用いるようにするのが便利である。

第６〜９図はアドレスビームにおける電子の進入角を制
限した種々の例を示す。第１図では角度θがほぼ一定で
あり、３０°〜４０６の角瓜範囲にある。従って、進入
角（９０°−θ）を５０°〜６０°に制限することによ
り、異なる進入角を有する電子は電子増倍器４４に入ら
ず、後方散乱電子の大部分が除去される。第６〜９図に
おいては、最外側表面を後方散乱係数の小さな材料の層
５０で任意に被覆することができ、このことを破線で示
しである。

特に第６図を参照するに、進入角を制限する手段は第１
ダイノードＤ１に電気的に且つ物理的に接続された２つ
の開口付電極５４．５６を有する。電極５４．５６にお
ける開口の寸法およびピッチは第１ダイノードのそれに
一致さけるも、電極５４は第１ダイノードＤ１に対し所
定ｆｆ１Ｘ＋だけオフセットさせ、電極５６は電極５４
おＪ：びダイノードＤ１に対し同一方向で全体ＩＸ２だ
【ノオフセットさせ、これら電極の双方で第１ダイノー
ドＤ１への傾斜通路すなわちチャネルを形成するように
する。電極５４、５６の各々および第１ダイノードＤ１
の厚さを０．１５ｍｍとした例では、開口のピッチを０
．７７２ｍｍとし、Ｘ　１＝　０．１７１１１ｍ　、　
Ｘ　２　＝　０．２２５ｍ１ｌｌと覆る。

所望に応じ電極の開口を図面の面に対し垂直方向で細長
状とすることができる。動作中は、矢印Ａで示す一次電
子が第１ダイノードＤ１の二次電子放出材料４８に衝突
して二次電子を放出させ、これらの二次電子が第２ダイ
ノードＤ２の方に引かれる。しかし、矢印Ｂで示したよ
うな電子は電極５４に衝突し、少量の二次電子を生ぜし
める。その理由は、軟鋼の二次電子放出係数は小さい為
である。

この少量の二次電子は電子増倍作用を受けるおそれがあ
るも、画像の輝度に対するこれら二次電子の寄与はわず
かである。

第７図に示す例は第６図に示す例の変形であり、第１ダ
イノードＤ１と電極５４との間に第１ダイノードに対す
るオフセット量を零にして追加電極６２を配置しである
。この電極６２における間口は第７図に示すように下方
に向けて末広がりとなっている為、これらの間口は第１
ダイノードＤ１の間口と相俟って中央がふくらんだ開口
を形成する。

第８図に示す例では、第１ダイノードＤ１への傾斜通路
は電子増倍器の入射面全体に亘る４Ｂ４３ｇのパラデイ
オ（ペニス）式ブラインドを構成する金属羽５８を以っ
て構成する。各金属羽５８の高さ１１がこれらの間の距
離ｐよりも大きい場合には、金属羽を各別に形成して例
えばガラスエナメル６０により第１ダイノードＤ１に接
着するか或いは、金属羽を単一の金属板から予備形成し
、これらのうち、距ｌｉｐの適当な整数倍だけ互いにオ
フセットされｔｃ数個を装着するようにすることができ
る。或いはまた高さｌ＋　ｌｆｉ距離ｐよりも小さいか
或いは距離ｐに等しい場合には、金属羽５８を単一の金
属板がらプレス形成することができる。動作に当っては
、矢印Ａで示す軌道の電子が電子増（（）作用を受ける
も、例えば矢印ＢおよびＣで示すような他の軌道を右す
る電子は金属羽５８に衝突し、いかなる後方散乱電子も
これらが電子増倍器４４のチャネルに入り込まない軌道
を追従する。

第９Ａおよび９Ｂ図は電子増倍器の電子ビームに入射角
を制限する他の手段を示り一０木例では、二次電子放出
材料４８を第１ダイノードＤ１の各間口の限定領域のみ
に被着覆る。動作に当っては、矢印Ａで示す方向で到達
づる電子が二次電子放出材料４８に衝突して多数の二次
電子を生ぜしめ、これらの二次電子が第２ダイノードＤ
２に引かれる。

しかし、矢印Ｂで示す方向で到達する漂遊或いは後方散
乱電子は二次電子放出係数が小さい開口の周辺の部分に
衝突し、従って二次電子放出材料が存在する場合に比べ
て極めてわずかの二次電子しか放出せしめない。

第１０Ａ〜１０Ｂ図は傾斜間口６６を有する電極６４を
形成する工程を示す。電極６４はハーフダイノー下の厚
さに少くとも等しい厚さの軟鋼シート６８を有する。こ
の軟鋼シート６８の両面には互いにオフセットされたフ
ォトレジストパターン７０．７２を被着する。次に両面
からのエツチングを第１０Ｂ図に示すように開始する。

やがて両面に形成された孔が貫通する（第１０Ｃ図参照
）。このエツチングは傾斜間口６６が形成されるまで続
け、その後にエツチングをやめてフォトレジストパター
ン７０．７２を除去し、第１０Ｄ図に示ずような電極６
４を形成する。

使用に当っては、電極６４を第１ダイノードＤ１に電気
的に且つ物理的に接続し、後方散乱係数の小さな材料の
層５０は任意に被着する。

【図面の簡単な説明】

第１図・は、チャネルプレート電子増倍器を有する平型
表示管を示す断面図、第２図は、入射ダイノードに後方散乱係数の小さな材料
を被着した積層チャネルプレート電子増倍器を示す線図
的断面図、第３Ａおよび３Ｂ図は、後方散乱係数の小さな２種類の
粗表面材料を示す線図的断面図、第４および５図は、後
方散乱係数の小さな材料の層を被着する２種類の方法を
開示する電子増倍器の最初の２つのダイノードを示す線
図的断面図、第６〜９図は、電子増倍器の電子ビーム入
射角を制限する種々の方法を開示する電子増倍器の一部
を示す断面図、第１０Ａ〜ＩＯＤ図は、傾斜開口を右する電極を形成す
る種々の工程を示す断面図である。１０・・・表示管　１２・・・容器１４・・・フェースプレート１６・・・螢光体スクリーン１８、２６．２８．３８．４０．、４２・・・電極２０
・・・分割部材　２２・・・前部２４・・・後部３０・・・電子ビーム発生手段（電子銃〉３２・・・電
子ビーム　３４・・・ライン偏向器３６・・・ビーム反
転用レンズ４４・・・ダイノード電子増倍器４６・・・後方散乱電子　４８・・・二次電子放出材料
５０・・・後方散乱係数が小さい材料の層５２・・・担
体電極　５４．５６・・・間口付電極５８・・・金属羽
　６２・・・追加電極６４・・・電極　６６・°°傾斜
間ロ６８・・・軟鋼シート７０、７２・・・フォトレジストパターン。象、艶（第１頁の続き［相］発明者　アラン・ジョージ・す　イギリス国すセ
ツツプ　−ベル　クローズ０発　明　者　ダフニ・ルイーズ拳う　イギリス国すリ
ーンポート　チャーチ　ヒル１＠発　明　者　デレク・ワシントン　イギリス国すリー
クス　クロウレー　パウンド　ヒル　マケイターハム　
ビジアムス　コートウオーリントン　ボンド　ガーデンス

Claims

【特許請求の範囲】１、光学的に透明なフェースプレートを有する容器を具
える陰極線管であって、前記の容器内に電子ビーム発生
手段と、前記のフェースプレートに隣接するもこのフェ
ースプレートから離間して装着されているチャネルプレ
ート電子増倍器と、該電子増倍器の入射面を横切って電
子ビームを走査させる走査手段とが設けられている陰極
線管において、電子増倍器の入射面のうちチャネル間の
領域に後方散乱係数の小さな層を被覆さゼたことを特徴
する陰極線管。２、特許請求の範囲１記載の陰極線管において、前記の
層が小さな二次電子放出係数を有することを特徴とする
陰極線管。３、特許請求の範囲１または２記載の陰極線管において
、前記の走査手段は、電子増倍器の入射面から離間され
且つこの入射面に対しほぼ平行に配置し１＝キャリヤ部
月を有し、このキャリヤ部材上には互いに隣接した複数
個のほぼ平行な電極が設けられ、これらの電極はこれら
に印加される電圧に応答して前記のキャリヤ部材と電子
増倍器の入射面ど、の間の通路からこの入射面に向けて
電子ビニムを偏向させるようにしたことを特徴とづる陰
極線管。４、特許請求の範囲１〜３のいずれか１つに記載の陰極
線管において、電子増倍器は分離したダイノードの積層
体を有していることを特徴とする陰極線管。５、特許請求の範囲４記載の陰極線管において、後方散
乱係数の小さな前記の層は電子増倍器の入射ダイノード
に被着されていることを特徴とする陰極線管。６、特許請求の範囲４記載の陰極線管において、後方散
乱係数の小さな前記の層は電子増倍器の入射ダイノード
−［に装着された開口付電極に被着されていることを特
徴とする陰極線管。１、特許請求の範囲５または６記載の陰極線管において
、前記の層が被着されている表面或いはこの層自体を微
視的な粗面としたことを″特徴とする陰極線管。８、特許請求の範囲７記載の陰極線管において、前記の
層がブラッククロムを有することを特徴とする陰極線管
。９、特許請求の範囲７記載の陰極線管において、前記の
層がブラックニッケルを有することを特徴とする陰極線
管。１０、特許請求の範囲７記載の陰極線管において、前記
の層がブラックカッパーを有することを特徴とする陰極
線管。１１、特許請求の範囲８〜１０のいずれか１つに記載の
陰極線管において、二次電子放出係数および後方散乱係
数の双方またはいずれか一方を小さくした導電性被膜を
ブラック金属層に被着したことを特徴とする陰極線管。１２、特許請求の範囲７記載の陰極線管において、前記
の層が陽極処理したアルミニウムを有し、このアルミニ
ウムの上に導電性被膜が被着されていることを特徴とす
る陰極線管。１３、特許請求の範囲３に従属する特許請求の範囲４〜
１２のいずれか１つに記載の陰極線管において、電子増
倍器の入射面にこの電子増倍器の電子ビーム入射角を制
限する手段が設けられていることを特徴とする陰極線管
。１４、特許請求の範囲１３記戦の陰極線管において、電
子ビーム入射角を制限する前記の手段が、入射ダイノー
ド上に装着された傾斜羽を有することを特徴とする陰極
線管。１５、特許請求の範囲１３記載の陰極線管において、電
子ビーム入射角を制限する前記、の手段が、入射ダイノ
ード上に装着され互いに重畳された少くとも２つの開口
付電極を有し、これら電極の開口をダイノードの開口と
ほぼ同じピッチとし、これらの電極を互いに且つ入射ダ
イノードに対しオフセットさせて入射電子に対する傾斜
通路を形成したことを特徴とする陰極線管。１６、特許請求の範囲１３記載の陰極線管において、電
子ビーム入射角を制限する前記の手段が入射ダイノード
上に装着された開口付電極を有し、この電極の開口を傾
斜させたことを特徴とする陰極線管。１７、特許請求の範囲１３記載の陰極線管において、入
射ダイノードの先細孔の周辺の対応する制限部分に二次
電子放出材料を被着（たことを特徴とする陰極線管。