JPS6039075B2 - 5,6,11,12−テトラセレノテトラセン−o−クロルアニル錯体の製造方法 - Google Patents

5,6,11,12−テトラセレノテトラセン−o−クロルアニル錯体の製造方法

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JPS6039075B2
JPS6039075B2 JP50097112A JP9711275A JPS6039075B2 JP S6039075 B2 JPS6039075 B2 JP S6039075B2 JP 50097112 A JP50097112 A JP 50097112A JP 9711275 A JP9711275 A JP 9711275A JP S6039075 B2 JPS6039075 B2 JP S6039075B2
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tetraselenotetracene
tetracenotetracene
chloroanil
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ヒルテイ ブル−ノ
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Ciba Geigy AG
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    • C07D517/02Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having selenium, tellurium, or halogen atoms as ring hetero atoms in which the condensed system contains two hetero rings
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は次式: (式中、xは2.5なし、し3.5であり好ましくは3
.0である。
)で表わされる新規な5,6,11,12一テトラセレ
ノテトラセン−oークロルアニル錨体.の製造方法に関
する。本発明方法によって得られる新規銭体は、金属−
電気的及び金属−光学的特性をもつ有機伝導体として使
用される。本発明によって得られる化合物は、5,6,
11,12−テトラセレノテトラセンが電子供与体を形
成しそして○−クロルアニルが電子受容体を形成してい
るカチオンラジカルーアニオンラジカル電荷移動鍔塩で
ある。
本発明によって得られる錆塩は、特に良好な電導性を有
する。それらの温度依存性は金属の性質を有する。すな
わち、電導性は室温(20〜25oo)からおおよそ1
40K(一133,15二0)になる!こ従って増加す
る。これは驚くべきことである。何故なら、金属的特性
を持つこれまでの公知有機物費のいかなるものもキノン
を受容体として含んでいなかったからである。本発明に
よって得られる銭体は、非常に低い抵抗率〔pSI.5
×10‐4ohm.肌:モノクリスタルの針状軸に沿っ
て、室温にて測定〕、良好な熱安定性、金属に比較して
低比重(1.8夕/c虎)、接近容易性(access
iblity)および通常の溶剤、例えばアセトニトリ
ル、アセトン、メタノール、ジメチルスルホキシド、N
,N−ジメチルホルムアミドおよび1,2,4−トリク
ロルベンゼンに無視できる位の熔解性を有する。
5,6,11,12ーテトラセレノテトラセンo−クロ
ルァニル鍔体は塗布剤の形で又は物質(s肋sねnce
)として、微晶質粉体及び特にモノクリスタルの形で存
在しうる。
物質(su戊tance)として又は無機基質又は有機
基質を直接塗布することによって得られる塗膜(coa
tings)の形での本発明による鍔体は、5,6,1
1,12ーテトラセレノテトラセンとoークロルアニル
を反応させるとによって製造されうる。
化学的に述べるならば、この反応はo−クロルアニルに
よる5,6,11,12ーテトラセレノテトラセンの部
分酸化である。5,6,11,12−テトラセレノテト
ラセン及びoークロルアニルは通常化学量論的割合、す
なわち2.5〜3.5対1の割合で使用される。若し適
当なら、過剰のo−クロルアニルも、例えば理論量の3
倍までの過剰で使用できる。本発明による錨体は、適当
な有機溶剤の存在下、5,6,11,12−テトラセレ
ノテトラセン及びo−クロルアニルを反応させて物質と
して製造される。
適当な有機溶剤は、主に高沸点のハロゲン化特にクロル
化、芳香族炭化水素、例えば1,2,3ートリクロルベ
ンゼン、1,2,4−トリクロルベンゼンおよびoージ
ク。
ルベンゼンであり、そしてN,N−ジメチルホルムアミ
ド並びにN,N−ジメチルアセトアミドの如き、炭素数
1ないし4を有するモノカルボン酸のN,Nージアルキ
ルアミドの如き樋性溶剤、又はジメチルスルホキシドの
如きN,N−ジアルキルスルホキシドである。1■ 2
,4ートリク。
ルベンゼン中で反応を行うことは好ましい。鍔塩の形成
は通常約2000の温度で起こる。本発明による鍔塩の
結晶形としての形成は、使用される溶剤及び他の反応条
件(濃度、温度)に依存して中広い制限内で変化する。
ハロゲノ置換芳香族炭化水素、特に1,2,4−トリク
ロルベンゼンを溶剤として使用した場合、鍔塩形成は、
数分間内で通常終了する。沈澱した鰭塩は、通常の方法
、例えばろ過しそして例えばベンゼンの如き適当な有機
溶剤でくりかえし洗浄することによって、単離精製され
る。
反応条件の選択によっては、本発明による5,6,11
,12−テトラセレノテトラセンーoークロルアニル鍔
塩は、徴晶質の黒色粉末として又は薄し、、帯黄黒色の
きらきら光る針状としてモノクリスタルの形状で得られ
る。モノクリスタルは、例えばジメチルスルホキシド中
反応混合物を徐々に冷却することによって結晶化を遅ら
すことによって得られうる。しかしながら、鈴体をジメ
チルスルホキシドの如き適当な有機溶剤で再結晶して徴
晶質の形状で得ることも可能である。外観および電導性
の両方に関する最上のモノクリスタルは、oークロルァ
ニルをガス相又は適当な担体溶液から、例えばN,N−
ジメチルアセトアミド中の5,6,1L12ーテトラセ
レノテトラセン溶液中を通して舷酸することによって得
られる。
本発明の錯体の塗膜は、無機又は有機基村例えば石英、
雲母又はプラスチックシート上に好ましくは減圧下、5
,6,11,12−テトラセレノテトラセン及びoーク
ロルアニルを真空蒸着することによって直接得られる。
金属的温度特性を有する非常に高い電導性の故に、5,
6,11, 12−テトラセレノテトラセンーo−クロ
ルアニル錆体は、低比重(1.8夕/塊)を有する電導
体として特に好ましい有用性を有する。
この目的のために、それらは好ましくはモノクリスタル
の形で使用され、そしてベルチェェレメント(Pelt
ierelements)、耐熱体および有機金属電極
の如き有機固体素子体の製造に対し、又は例えば写真又
は電子写真情報キャリャに対する静電防止塗膜の製造に
対しても使用される。徴晶質針状形を有する本発明鍔体
は、1明確な光学的異方性を有しそれゆえに、例えば赤
外線偏光板の製造に使用される。本発明による鍔体を得
るための錯体成分の電荷移動反応が、物質としての製造
中、室温(20〜25℃)にて起こり、そして電導性の
激しい変化および色彩の変化が該温度で起こるので、こ
れらの現象が、例えばソフトーグランドェツチング(s
oft−餌o肌detching)に於いて情報を定着
せるため又はエレクトリックライティング(elect
ricMiting)を製造するのに使用されうる。
本発明による錯体−好ましくは徴晶質粉末の形状での応
用分野は、明らかにされた電気的特性及びプラスチック
中で増加された熱伝導性を得るための添加剤;通常の有
機溶剤に不漆の帯灰緑青色の電導性顔料;及びラジカル
重合、例えばスチレンのラジカル重合の触媒である。以
下、本発明を実施例により説明する。
実施例 1 5,6,11,12ーテトラセレノテトラセン110の
9(0.205ミリモル)を沸とう中の1,2,4−ト
リクロルベンゼン70の上中に溶解し、該溶液を1,2
.4ートリクロルベンゼン5の‘中にoークロルアニル
55雌(0.225ミリモル)を含む溶液で直ちに処理
する。
5,6,11,12ーテトラセレノテトラセン−o−ク
ルアニル鍔体(xは約3.0)が真っ黒い微晶質粉末の
形状で次第に枕でんする。反応溶液を5000まで冷却
した後、該粉末を吸引炉遇して得、ベンゼンで繰り返し
洗い、40℃/0.01肌Hgで24時間乾燥する。収
量:前記鍔塩116の9(理論値の94%)。C6日2
4Se,2CI402(分子量 1866.18)の分
析:室温における徴晶質粉末の抵抗率:(RT:200
一25午0)pRT=0.1ohm.仇比 重:1.
8タノの金属光学的特性:波長0.6−1.2仏 において反射率6%、2.6仏においては反射率28%
実施例 2実施例1で得られた徴晶質粉末を、1500
0に熱したジメチルスルホキシドで再結晶する。
5,6,11,12ーテトラセレノテトラセン−oーク
ロルアニル鍔体が非常に薄黒い針状のモノクリスタルの
形で得られる。
室温におけるモノクリスタルの抵抗率 (RT): pRTミ1.5×10‐3ohm cの:実施例 3 5,6,11,12ーテトラセレノテトラセン11.0
の9(0.0205ミリモル)を150o○でジメチル
スルホキシド60の‘中に溶解し、該溶液を1,2,4
ートリクロルベンゼン2のZ中にo−クロルアニル1.
62の9(0.0066ミリモル)溶けている溶液で処
理する。
反応溶液を12時間かけてゆっくり室温まで冷却すると
、鍔塩(xがほぼ3.0)が黒色の針状結晶として微細
な形状で得られる。収量:5の9(理論値の約50%) 室温における結晶の抵抗率: pSI.5×10‐3ohm弧. 実施例 4 6000に加温してあるストーレツジフラスコから、2
000でN,N−ジメチルアセトアミド中に飽和してい
る5,6,11,12ーテトラセレノテトラセンの溶液
に窒素を通し、15物肋Hgでo−クロルアニルを昇華
させる。
本実施例に従って得られる鍔体は、ほとんど理想的な形
状である黒色の長く細い針状を形成する。室温における
抵抗率:pRTく1,5×10‐40hm 肌,実施例
5 本発明における実施例2から4に従って得られる鍔体の
モノクリスタルには、2または4個の電気的接点が取り
付けられ、抵抗率を2または4の電極配列で測定する。
室温における最良の結晶での抵抗率:pSI.5×10
‐4ohm 肌. 140K(一133.15oo)に冷却した時の抵抗率
は、pSI.2×10‐4ohm 伽.に落ちる。
77K(一196.1500)ではp三2×10‐4o
hm弧.の抵抗率をまだ有している。
実施例 6 3:1の比率のテトラセレノテトラセンとoークロルア
ニルの蒸着を石英上で高真空中同時に行つ。
pミ3×10‐lohm 肌.の抵抗率を有する本発明
による鍵体の層が得られる。冷却すると、該層はわずか
ではあるが抵抗率の増加を示す:p77K≦1.2pR
T。同様な方法でマィカ及びプラスチックシートに塗布
することもできる。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 5,6,11,12−テトラセレノテトラセンおよ
    びo−クロルアニルを一緒に反応させることを特徴とす
    る、次式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、xは2.5ないし3.5である。 )で表わされる5,6,11,12−テトラセレノテト
    ラセンo−クロルアニル錯体の製造方法。
JP50097112A 1974-08-09 1975-08-09 5,6,11,12−テトラセレノテトラセン−o−クロルアニル錯体の製造方法 Expired JPS6039075B2 (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
CH10958/74 1974-08-09
CH1095874A CH591473A5 (ja) 1974-08-09 1974-08-09

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS51125094A JPS51125094A (en) 1976-11-01
JPS6039075B2 true JPS6039075B2 (ja) 1985-09-04

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ID=4368592

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JP50097112A Expired JPS6039075B2 (ja) 1974-08-09 1975-08-09 5,6,11,12−テトラセレノテトラセン−o−クロルアニル錯体の製造方法

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US (1) US3984593A (ja)
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BE (1) BE832247A (ja)
CA (1) CA1059138A (ja)
CH (1) CH591473A5 (ja)
DE (1) DE2535124C2 (ja)
FR (1) FR2281370A1 (ja)
GB (1) GB1477561A (ja)

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Also Published As

Publication number Publication date
US3984593A (en) 1976-10-05
FR2281370A1 (fr) 1976-03-05
FR2281370B1 (ja) 1977-12-16
CH591473A5 (ja) 1977-09-15
JPS51125094A (en) 1976-11-01
GB1477561A (en) 1977-06-22
BE832247A (fr) 1976-02-09
CA1059138A (en) 1979-07-24
DE2535124A1 (de) 1976-02-19
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