JP4322005B2 - 分子集合体 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機半導体などとして有用な分子集合体に関し、より詳しくは、シアノ基で置換されたピラジン環を有する電子受容性化合物と、電子供与性化合物とが錯化して分子集合体を形成してなる分子集合体に関する。
【0002】
【従来の技術】
電子受容性有機化合物と電子供与性有機化合物は、錯化して電荷移動錯体を形成することが知られている。このような電荷移動錯体は、導電性、超伝導現象、各種相転移といった特徴的な挙動から、導電体、感光体などの有機半導体として、その利用が検討されている。また、近年においては、発光素子やトランジスタなどとして高次の応用研究が盛んになり、発光素子やトランジスタなどに用いた場合に求められる性能を満たす有機半導体の開発が要望されている。
【0003】
ところで、非特許文献1には、電子受容体と電子供与体が各々連続的な重なりをなし、その連続的な重なりが交互に配列するいわゆる分離積層構造を有する分子集合体が良好な導電的な性質を示すことが記載されている。また、この文献には、分離積層構造を与える電子受容性化合物として、テトラシアノキノジメタン及びその置換体が記載されている。しかしながら、これらの化合物群は、より望ましいものへ改良するために、その分子構造を多様なものに変換することは、その製造上、困難であった。
【0004】
一方、特許文献1には、下記式(a)で表される化合物とポリピロールとを混合することにより、導電性高分子フィルムが得られる旨が記載されている。しかしながら、式(a)で表される化合物とポリピロールとを混合して得られる分子集合体は、分離積層構造を有するものではなく、所望の半導体的性質を有する分子集合体を得ることはできなかった。
【0005】
【化2】
【0006】
【非特許文献1】
Acta.Cryst.,(1974),B30,763ページ
【特許文献1】
特開平5−287088号公報
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記従来技術の実情に鑑みてなされたものであり、より広い平面構造部分を持ち、電子受容能力を有する分子構造を有し、且つ、多様化に適した分子構造を有する電子受容性化合物と電子供与性化合物とからなる分子集合体を提供することを課題とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、シアノ基で置換されたピラジン環を持つ一連の化合物が、広い平面構造を持ち、電子受容能力に優れていること、及び平面構造を環構造の増減によって多様化できることに着目し、これらの化合物を電子受容性化合物とする分子集合体を合成することに成功した。
【0009】
かくして本発明によれば、式(1)
【0010】
【化3】
【0011】
(式中、nは1〜4の整数を表す)で表される化合物又はそのジヒドロ体と、低分子電子供与性化合物とからなる分子集合体が提供される。
本発明の分子集合体は、前記式(1)で表される化合物又はそのジヒドロ体と、低分子電子供与性化合物とが、各々連続的な重なりをなし、その連続的な重なりが交互に配列する分離積層構造を有するのが好ましい。
【0012】
本発明の分子集合体においては、前記式(1)で表される化合物又はそのジヒドロ体が、前記式(1)において、nが1又は2の化合物であるのが好ましい。
また、本発明の分子集合体においては、電子供与性化合物が、各々置換基を有していてもよい、テトラチアフルバレン、テトラセレナフルバレン、フェノチアジン、アニリン、フェニレンジアミン、ナフタレン、アントラセン及びフラーレンからなる群から選ばれる少なくとも1種であるのが好ましい。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の分子集合体について詳細に説明する。
本発明の分子集合体は、前記式(1)で表される化合物又はそのジヒドロ体と電子供与性化合物とから形成されてなる。
【0014】
(A)電子受容性化合物
本発明に用いる式(1)で表される化合物又はそのジヒドロ体は、電子受容能力に優れる電子受容性化合物である。式(1)で表される化合物又はそのジヒドロ体は、ピラジン環及び/又はジヒドロピラジン環が2〜5個縮合し、両端のピラジン環にシアノ基が置換した広い平面構造を有する。これらの化合物の平面構造は、ピラジン環(又はジヒドロピラジン環)構造の増減によって多様化することができる。
前記式(1)において、nは1〜4の整数を表し、nは好ましくは1又は2である。
式(1)で表される化合物又はそのジヒドロ体の好ましい具体例としては、下記のA1〜A9で表される化合物が挙げられる。
【0015】
【化4】
【0016】
式(1)で表される化合物又はそのジヒドロ体は、ジアミノマレノニトリルを出発原料とするジシアノジオキソピラジンを経由することで、所望の縮環数を有する化合物を製造することが可能である。製造ルートの一例を下記に示す。以下、A1〜A9の製造方法について、下記反応式を参照しながら簡単に説明する。
【0017】
【化5】
【0018】
(1)A1(TCNA)の合成
A1(TCNA)は、ジアミノマレノニトリル(DAMN)にオキザリルクロリドを反応させて、ジシアノジオキソピラジン化合物(DCOP)とし、塩素化(Chlorination)によりジシアノジクロロピラジン(DCCP)を得、さらにもう1分子のDAMNと反応させることでA1のジヒドロ体とし、このものを酸化(Oxidation)して得ることができる。
【0019】
(2)A2、A3の合成
A3は、DCCPにアンモニア2分子を反応させてアミノジシアノクロロピラジン(DACP)とし、このものの2分子を反応させることにより(×2)得ることができる。また、A3を酸化してA2を得ることができる。
【0020】
(3)A4の合成
A4は、DACPにもう1分子のアンモニアを反応させて、ジアミノジシアノピラジン(DACCP)を得、このものにオキザリルクロリドを反応させてDCOPにジシアノピラジンが縮合した化合物(B1)を得、このものを塩素化してB2とし、さらにDAMNを反応させることで得ることができる。また、A4を酸化することでA2を得ることができる。
【0021】
(4)A5、A6、A7の合成
A6は、DACCPとB2とを反応させて得ることができ、A6を酸化することでA5を得ることができる。一方、B2にオキザリルクロリドを反応させてB3とし、このものを塩素化してB4を得、B4にDAMNを反応させることによってA7を得ることができる。また、A7を酸化することによっても、A5を得ることができる。
【0022】
(5)A8、A9の合成
A9は、B2にアンモニアを反応させてB5を得た後、このものの2分子を反応させることにより(×2)得ることができる。また、A9を酸化することにより、A8を得ることができる。
【0023】
(B)電子供与性化合物
本発明に用いる電子供与性化合物は、前記式(1)で表される化合物又はそのジヒドロ体と錯化して分子集合体を形成する化合物である。
【0024】
これらの中でも、電子供与性化合物としては、分離積層構造を有する分子集合体を容易に製造する上で、各々置換基を有していてもよいテトラチアフルバレン、テトラセレナフルバレン、フェノチアジン、アニリン、フェニレンジアミン、ナフタレン、アントラセン及びフラーレンからなる群から選ばれる少なくとも1種が好ましい。これらの中でも対称性を持つ分子構造を有する化合物がより好ましく、下記に示す化合物又は置換基を有していてもよいフラーレン(C60など)が特に好ましい。
【0025】
【化6】
【0026】
式中、Rは、水素原子;メチル基、エチル基などの炭素数1〜6のアルキル基;メトキシ基、エトキシ基などの炭素数1〜6のアルコキシ基;フッ素、塩素、臭素などのハロゲン原子;などを表す。
【0027】
(C)分子集合体
本発明の分子集合体は、前記式(1)で表される化合物又はそのジヒドロ体と、電子供与性化合物とから形成されてなる。本発明の分子集合体は、前記式(1)で表される化合物又はそのジヒドロ体と電子供与性化合物とが、各々連続的な重なりをなし、その連続的な重なりが交互に配列する分離積層構造を有するものであるのが好ましい。
【0028】
本発明の分子集合体としては、具体的には下記の第1表に示す分子集合体を例示することができる。第1表中、A1〜A9、TTF、TMTTF、TMT−TTF、BEDT−TTF、BEDO−TTF、TSF、TMTSF、TMT−TSF、TSe−TTF、DBTTF、HMTTF、HMTSF、PTAZ、DBPTAZ、PDA、Nap、Ant、Pyreは前記と同じ意味を表す。
【0029】
【表1】
【0030】
【表2】
【0031】
【表3】
【0032】
本発明の分子集合体は、前記式(1)で表される化合物又はそのジヒドロ体と電子供与性化合物とを所定割合で混合することで製造できる。本発明の分子集合体の製造は、気相又は液相で行うことができるが、液相で行うのが好ましい。
【0033】
気相で行う場合は、電子受容性化合物と電子供与性化合物の混合物を二股のガラス容器の両端に入れ、適当な減圧条件下で両端を適宜加熱し、電子受容性化合物及び電子供与性化合物を揮発・蒸着させることにより、電子受容性化合物と電子供与性化合物とからなる分子集合体の結晶を析出させることができる。
【0034】
液相で行う場合は、適当な溶媒に電子受容性化合物と電子供与性化合物とを溶解させ、得られた溶液を冷却または室温で放置することにより、析出した結晶を得ることで製造できる。ここで用いる溶媒としては、アセトニトリル、プロピオニトリルなどのニトリル系溶媒;アセトン、2−ブタノンなどのケトン系溶媒;テトラヒドロフラン、ジオキサンなどのエーテル系溶媒;ベンゼン、トルエンなどの芳香族炭化水素系溶媒;酢酸エチルなどのエステル系溶媒;などが挙げられる。これらの中でも、ニトリル系溶媒の使用が好ましく、アセトニトリルの使用が特に好ましい。
【0035】
本発明の分子集合体において、電子受容性化合物と電子供与性化合物との割合は特に限定されず、用いる電子受容性化合物と電子供与性化合物の種類に依存するが、電子受容性化合物:電子供与性化合物のモル比で、通常1:1000〜1000:1、好ましくは1:100〜100:1、より好ましくは1:10〜10:1の範囲である。
【0036】
本発明の分子集合体は電荷移動錯体としての性質を有する。電荷移動錯体は、電荷移動力によって2種類の中性分子の間にできる分子間化合物である。本発明に用いる電子受容性化合物は、末端がシアノ基である平面構造を有し、しかも外方向に向けて対称性良く位置した構造を有する。本発明の分子集合体は、この電子受容性化合物の平面性と対称性によって、特徴的な分離積層構造を有している。この構造は、既に分離積層構造をとることが知られているテトラシアノキノジメタンを電子受容性化合物とする分子集合体の結晶構造と同様である。本発明に用いる式(1)で表される化合物又はそのジヒドロ体の平面部分は、テトラシアノキノジメタンよりも広いため、結晶性のよい、大きな分子集合体の単結晶を得ることができる。本発明の分子集合体の構造は、X線結晶構造解析により確認できる。
【0037】
【実施例】
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明の範囲は、実施例に限定されるものではない。
【0038】
(実施例1)TCNA−TTF錯体(分子集合体1)の合成
【0039】
【化7】
【0040】
シャーレ(φ60)の両端にそれぞれTTF(102mg,0.5mmol)、TCNA(118mg,0.5mmol)をおき、これにアセトニトリル(30ml)を静かに注ぎ入れた後、室温にて静置した。両方の物質が徐々に溶解しシャーレの中央部分で針状の黒色結晶を形成した。錯体生成比率は1:1であった。得られた分子集合体1の元素分析結果は、C6H4S4・C10N8とよく一致した。また、分子量は436.51であった。TG−DTA分析より、220.1℃で分解による発熱ピークが観測された。
【0041】
分子集合体1のX線構造解析
得られた分子集合体1の結晶について、X線結晶構造解析を行った。測定データは以下の通りである。
(1)測定条件
測定温度:295(2)K
測定波長:1.54184Å
Crystal System,Space group;Triclinic,P−1
Unit cell dimensions:
a=6.7099(15)Å、α=95.627(9)deg.
b=7.1975(16)Å、β=96.111(7)deg.
c=18.649(5)Å、γ=92.016(11)deg.
Volume:890.3(4)Å3
Z,Calculated density:2,1.628g/cm3
Absorption coefficient:5.101mm−1
F(000):440
Crystal size:0.2×0.2×0.01mm
Theta range for data collection:4.79to 70.66deg.
Limiting indices:−7<=h<=8,−8<=k<=8,−22<=l<=21
Reflections collected/unique:5028/2788[R(int)=0.0348]
Completeness to theta=70.66Å:81.5%
Refinement method:Full−matrix least−squares on F^2
Data/restraints/parameters:2788/0/253
Goodness−of−fit on F2:1.050
Final R indices [I>2sigma(I)]:R1=0.0478,wR2=0.1338[2103refs.]
R indices(all data):R1=0.0637,wR2=0.1438
Largest diff. peak and hole:0.305 and −0.282e.A−3
【0042】
分子集合体1は、図1に示すように、TTF(X)とTCNA(Y)とが各々連続的な重なりをなし、その連続的な重なりが交互に配列する分離積層構造を有している。図2〜図5に結晶配列状態を示す。
【0043】
分子集合体1の導電度測定方法及び結果
TCNA−TTF錯体多結晶の固体電導度測定を、van der Pauw法(実験化学講座(第4版)9 電気・磁気,170ページ)により行った。結晶をIR錠剤成形器にてプレスし(φ3mm、250Kg/cm2,1min)、これを取り出してペレット状の試料を調製した。この試料の厚さd(cm)を測定したのち、4つの導線をグラファイトペーストを用いてペレットに接続し、室温にてvan der Pauw法でRAB,CDおよびRBC,DAを求め、RAB,CDとRBC,DAの比からf値を求め(応用物理、1973,42,756)、抵抗率ρを式(1)より求めた。
【0044】
【数1】
【0045】
さらに、導電率σを式(2)より求めた。
【0046】
【数2】
【0047】
ペレットを6サンプル調製し、上記の方法で測定し導電率を求め、これの平均を求めたところ、logσ=−4.40であった。この導電性は半導体領域にある。
【0048】
(実施例2)TCNA−PTAZ(R=H)錯体(分子集合体2)の合成
【0049】
【化8】
【0050】
シャーレ(φ60)の両端にそれぞれフェノチアジン(200mg,1mmol)、TCNA(234mg,1mmol)をおき、これにアセトニトリル(30ml)を静かに注ぎ入れた後、室温にて静置した。両方の物質が徐々に溶解しシャーレの中央部分で板状の黒色結晶を形成した。錯体生成比率は2:1であった。得られた分子集合体2の元素分析結果は、2(C12H9NS)・C10N8とよく一致した。TG−DTA分析より、234.2℃で分解による発熱ピークが観測された。
【0051】
(実施例3)TCNA−BEDO−TTF錯体(分子集合体3)の合成
【0052】
【化9】
【0053】
シャーレ(φ60)の両端にそれぞれBEDO-TTF(161mg,0.5mmol)、TCNA(119mg,0.5mmol)をおき、これにアセトニトリル(30ml)を静かに注ぎ入れた後、室温にて静置した。両方の物質が徐々に溶解しシャーレの中央部分で板状の黒色結晶を形成した。錯体生成比率は4:3であった。得られた分子集合体3の元素分析結果は、4(C10H8O4S4)・3(C10N8)とよく一致した。TG−DTA分析より、204.1℃で分解による発熱ピークが観測された。
【0054】
分子集合体2及び3の導電度測定結果(測定法は分子集合体1と同一)
(分子集合体2)
ペレットを6サンプル調製し、上記の方法で測定し導電率を求め、これらの平均を求めたところ、logσ=−5.07であった。この化合物は半導体領域にある。
【0055】
(分子集合体3)
ペレットを5サンプル調製し、上記の方法で測定し導電率を求め、これらの平均を求めたところ、logσ=0.37であった。この化合物は半導体領域にあり、その値はTTF−TCNQ錯体に匹敵する。
【0056】
【発明の効果】
本発明の分子集合体は、広い平面構造部分を持ち、電子受容能力を有する分子構造を有し、且つ、多様化に適した分子構造を有する電子受容性化合物と電子供与性化合物とからなる。本発明の分子集合体は、好ましくは分離積層構造を有し、半導体領域にある導電性を示す。
【0057】
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、分子集合体1の結晶構造を示す図である。
【図2】図2は、分子集合体1のa−c面の結晶構造を示す図である。
【図3】図3は、分子集合体1のb−c面の結晶構造を示す図である。
【図4】図4は、分子集合体1中のa−b面のTTFの積層構造を示す図である。
【図5】図5は、分子集合体1中のa−b面のTCNAの積層構造を示す図である。
【符号の説明】
X・・・TTF層、Y・・・TCNA層
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