JPS6037737A - ペレツトマウント装置 - Google Patents
ペレツトマウント装置Info
- Publication number
- JPS6037737A JPS6037737A JP58145755A JP14575583A JPS6037737A JP S6037737 A JPS6037737 A JP S6037737A JP 58145755 A JP58145755 A JP 58145755A JP 14575583 A JP14575583 A JP 14575583A JP S6037737 A JPS6037737 A JP S6037737A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- region
- space
- pellet
- cooling
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/83053—Bonding environment
- H01L2224/83054—Composition of the atmosphere
- H01L2224/83075—Composition of the atmosphere being inert
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/06—Polymers
- H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
- H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
この発明はペレットマウント装置に関し、特に、半導体
装置の製造工程にお【プる生産工数及び製造時間並びに
必要設備数の低減と住産性及び品質の向上とが可能にな
る、改良されｌζベレットマウント装置に関するもので
ある。
装置の製造工程にお【プる生産工数及び製造時間並びに
必要設備数の低減と住産性及び品質の向上とが可能にな
る、改良されｌζベレットマウント装置に関するもので
ある。
半称体ペレッ１−をリードフレーム上に搭載するには、
共晶接合法、はんだ接合法又は導電性接着剤接合法が採
用されている。 これら接合法のうち、接着剤接合法は
比較的低温で樹脂硬化させて接合できるが、共晶接合法
やはんだ接合法は３５０〜４００℃といった高温度で接
合する必要がある。
共晶接合法、はんだ接合法又は導電性接着剤接合法が採
用されている。 これら接合法のうち、接着剤接合法は
比較的低温で樹脂硬化させて接合できるが、共晶接合法
やはんだ接合法は３５０〜４００℃といった高温度で接
合する必要がある。
半導体装置の製造設備において従来使用されてぎた公知
のペレットマウント装置は第１図に示すような構造を有
し−Ｃいる。
のペレットマウント装置は第１図に示すような構造を有
し−Ｃいる。
同図において、１は図の左側から右側に延在する一対の
ガイドレールであり、このガイドレールに沿って銅合金
系のリードフレームＦが図示せぬリードフレーム移送装
置によつ０図の左側から右側へ移送されるようになって
いる。 ガイドレール１の間には昇降台２によって支持
されるとともに昇降装置３によって上下動しうるヒータ
ブロック４が配置され、該ヒータブロック４の天板部に
は紙面に直交する方向に延在する不活性ガス通路５が穿
設されるとともに、該不活性ガス通路５に開口されてい
る。 ガイドレール１に治って１ヘンネル状空間７を形
成しているＭ８には、半導体ベレッ１〜１〕を吸着把持
したコレット９を通過さ「るためのコレット挿入孔１０
が貫設されるとともに該トンネル状空間の入口部及び出
口部において不活性ガス噴出孔１１及び１２が設りられ
てあり、それぞれの不活性ガス噴出孔１１．１２に連通
り−る不活性ガス管を内蔵したガスダウ１〜ブロツク１
３及び１４が蓋８の上に配置されている。 また、燕８
にはコレット挿入孔１０と不活性ガス噴出孔１１どの間
の領域において多数の還元性カス噴出孔１５と１６とが
貫設され、このカス噴出孔１５及び１６に連通する還元
性ガス管を内蔵したガスダウ１〜ブロツク１７及び１８
が蓋８のの上に配置されている。
ガイドレールであり、このガイドレールに沿って銅合金
系のリードフレームＦが図示せぬリードフレーム移送装
置によつ０図の左側から右側へ移送されるようになって
いる。 ガイドレール１の間には昇降台２によって支持
されるとともに昇降装置３によって上下動しうるヒータ
ブロック４が配置され、該ヒータブロック４の天板部に
は紙面に直交する方向に延在する不活性ガス通路５が穿
設されるとともに、該不活性ガス通路５に開口されてい
る。 ガイドレール１に治って１ヘンネル状空間７を形
成しているＭ８には、半導体ベレッ１〜１〕を吸着把持
したコレット９を通過さ「るためのコレット挿入孔１０
が貫設されるとともに該トンネル状空間の入口部及び出
口部において不活性ガス噴出孔１１及び１２が設りられ
てあり、それぞれの不活性ガス噴出孔１１．１２に連通
り−る不活性ガス管を内蔵したガスダウ１〜ブロツク１
３及び１４が蓋８の上に配置されている。 また、燕８
にはコレット挿入孔１０と不活性ガス噴出孔１１どの間
の領域において多数の還元性カス噴出孔１５と１６とが
貫設され、このカス噴出孔１５及び１６に連通する還元
性ガス管を内蔵したガスダウ１〜ブロツク１７及び１８
が蓋８のの上に配置されている。
コレラ１−〇は図示しないロレット支持装置によって支
持され（゛おり、該コレット装置はコレラ１〜９の軸線
に直交する面内で移動可能（つまり、図において紙面に
直交する方向及び紙面に平行な方向に移動可能）である
とともに上下方向に移動可能に構成されている。
持され（゛おり、該コレット装置はコレラ１〜９の軸線
に直交する面内で移動可能（つまり、図において紙面に
直交する方向及び紙面に平行な方向に移動可能）である
とともに上下方向に移動可能に構成されている。
前記のごとき（１４造の公知のペレットマウント置にお
いＣは、リードルーム［−ｆ＼の半導体ペレッＩ− Ｐ
のボンディングが次のように行われる。
いＣは、リードルーム［−ｆ＼の半導体ペレッＩ− Ｐ
のボンディングが次のように行われる。
すなわち、ヒータブロック４（′加熱されるとともに還
元性カス雰囲気中に保たれている１ヘンネル状空間７内
を図の左側から右側へ面かっ′Ｃ進行したリードフレー
ムＦがコレラ］・挿入孔１０の下に達ｌると、コレラ１
〜支持装置によっ（コレラ［・９の位置決めが行われた
後、コレラＩ〜９が下降されて、コレラ１−挿入孔１０
に挿入され、コレラ１〜９の下端に把持されている半導
体ベレッｌ− Ｐが加熱されたリードフレームＦ上の所
定位置にボンディングされる。 そして、半導体ペレッ
１−１〕がボンディングされ／こリードフレームＦ ｉ
Ｊ ｌ〜ンネルイ人空ｔυ７を通過した後、外気中で放
冷される。
元性カス雰囲気中に保たれている１ヘンネル状空間７内
を図の左側から右側へ面かっ′Ｃ進行したリードフレー
ムＦがコレラ］・挿入孔１０の下に達ｌると、コレラ１
〜支持装置によっ（コレラ［・９の位置決めが行われた
後、コレラＩ〜９が下降されて、コレラ１−挿入孔１０
に挿入され、コレラ１〜９の下端に把持されている半導
体ベレッｌ− Ｐが加熱されたリードフレームＦ上の所
定位置にボンディングされる。 そして、半導体ペレッ
１−１〕がボンディングされ／こリードフレームＦ ｉ
Ｊ ｌ〜ンネルイ人空ｔυ７を通過した後、外気中で放
冷される。
［背景技術の問題１１π」
前記のごとき従来のベレットマウン１〜装置には次のよ
うな問題点があった。
うな問題点があった。
■ 加熱された後のリードフレームを空気中で放冷して
いるため、リードフレームの表面が著しく酸化されてリ
ードフレームの表面品質が低下覆る。
いるため、リードフレームの表面が著しく酸化されてリ
ードフレームの表面品質が低下覆る。
それ故、銅合金系リードフレームを用いてｉテう次のボ
ンディング工程では、リードフレームをトンネル状の還
元炉を通過させて酸化表面がリードフレームのほぼ全面
に渡っている上、酸化が若しいため、還元時間が長くか
かり、また、還元炉の長さも長大であった。 従って、
この還元工程のために半導体装置製造工程にＪ３＋）る
１数及び生産時間並びに設備費が多大となる反面、品質
や生産能率及び歩留りは低水準に留まるという結果を招
いて い ノこ 。
ンディング工程では、リードフレームをトンネル状の還
元炉を通過させて酸化表面がリードフレームのほぼ全面
に渡っている上、酸化が若しいため、還元時間が長くか
かり、また、還元炉の長さも長大であった。 従って、
この還元工程のために半導体装置製造工程にＪ３＋）る
１数及び生産時間並びに設備費が多大となる反面、品質
や生産能率及び歩留りは低水準に留まるという結果を招
いて い ノこ 。
■ 前記のごときリードフレームの酸化を考慮して、従
来リードフレーム表面の所定のベーン１〜ボンデイシワ
イーー昏ワイー１７ボンデイング位置には予め金めつき
や銀めっき等を施してその部分の酸化を防止しているが
、めっきを施す個所が多いため、めっき工程に要する時
間が多大であり、まためっき設備の費用を必要と１−る
ので、半導体装置の製：馬コ’Ｖ ｌ− ｒ，Ｃ ｔ’
ｒ ノ：ｕ： ｆ− −（＋． ｔ’ｒｙ Ｌ ４＝
− ｉ− １ ％ ＋− ７− ４％ ＝ ＝めっき材
料どじ一Ｃ貴金属である金・１′Ｊ銀を多用に要覆るの
で、製造コストは更に高価なものとなっていた。
来リードフレーム表面の所定のベーン１〜ボンデイシワ
イーー昏ワイー１７ボンデイング位置には予め金めつき
や銀めっき等を施してその部分の酸化を防止しているが
、めっきを施す個所が多いため、めっき工程に要する時
間が多大であり、まためっき設備の費用を必要と１−る
ので、半導体装置の製：馬コ’Ｖ ｌ− ｒ，Ｃ ｔ’
ｒ ノ：ｕ： ｆ− −（＋． ｔ’ｒｙ Ｌ ４＝
− ｉ− １ ％ ＋− ７− ４％ ＝ ＝めっき材
料どじ一Ｃ貴金属である金・１′Ｊ銀を多用に要覆るの
で、製造コストは更に高価なものとなっていた。
［発明の目的１
この発明の１」的は、前記問題点を解決し、ペレッ１〜
ンウン１〜Ｊ稈にｉ３４）る接合を完全にＪるとともに
リードフレームの酸化を軽減づる改良れたベレツ１〜マ
ウント装置を提ａ（することにある。 そしてまた別の
目的は、品質及び生産性に影響を与えることなく次工程
のライ１フホンデイングで銅合金系リードフレームに直
接ソイＡ１ボンディングづることのＣきるように改良さ
れたベレットンウン１へ装置を提供づることである。
ンウン１〜Ｊ稈にｉ３４）る接合を完全にＪるとともに
リードフレームの酸化を軽減づる改良れたベレツ１〜マ
ウント装置を提ａ（することにある。 そしてまた別の
目的は、品質及び生産性に影響を与えることなく次工程
のライ１フホンデイングで銅合金系リードフレームに直
接ソイＡ１ボンディングづることのＣきるように改良さ
れたベレットンウン１へ装置を提供づることである。
［発明のＲ要！
コノ発明にＪ：り改良されたベレッ１ヘマウンｌ− Ｈ
［σは、ベレットボンデインクを行う加熱区域に隣接し
で１゛ベレツトボンデインク柊ｒ後のリード−フレーム
を不活付カス雰囲気中で所定の非酸化温度まで冷却づる
ための冷？，（Ｊ区域ｊを有していることを特ｍノー”
ｄ−２’ｙ−７／ｈＬ２ｆ＝１す【：１’．ｎ）−ａ．
−９０ｈ＋＋＊−＋α＋．−おいては、リードフレーム
の表面酸化が防止されるため、酸化防止のためのめつき
工程や還元工程が軽減され、その結果、半導体装置の製
造コストを著しく低下させることができるとともに、そ
の品質及び生産能率及び歩留りを向上づ−ることが−Ｃ
きる。 特に銅合金系リードフレームにも直接金線をワ
イ）？ボンディングづることかできる。
［σは、ベレットボンデインクを行う加熱区域に隣接し
で１゛ベレツトボンデインク柊ｒ後のリード−フレーム
を不活付カス雰囲気中で所定の非酸化温度まで冷却づる
ための冷？，（Ｊ区域ｊを有していることを特ｍノー”
ｄ−２’ｙ−７／ｈＬ２ｆ＝１す【：１’．ｎ）−ａ．
−９０ｈ＋＋＊−＋α＋．−おいては、リードフレーム
の表面酸化が防止されるため、酸化防止のためのめつき
工程や還元工程が軽減され、その結果、半導体装置の製
造コストを著しく低下させることができるとともに、そ
の品質及び生産能率及び歩留りを向上づ−ることが−Ｃ
きる。 特に銅合金系リードフレームにも直接金線をワ
イ）？ボンディングづることかできる。
またこの発明のベレットマシン１〜装置は、加熱区域に
隣接し−Ｃ冷却区域が設けられており、その結果ペレツ
１−ボンディング位置から冷却区域間にわたって均熱区
域が形成されるので共晶接合やは／υだ接合を完全なら
しめることができる。
隣接し−Ｃ冷却区域が設けられており、その結果ペレツ
１−ボンディング位置から冷却区域間にわたって均熱区
域が形成されるので共晶接合やは／υだ接合を完全なら
しめることができる。
［発明の実施例］
以下に第２図を参照して本発明の一実施例について説明
する。 なお、第２図において第１図と同一符号で表示
された部分は公知のペレツ！〜ンウント装置と１５１じ
部分であるから、これらの同一部分については説（ＩＪ
Ｊを省略Ｊる。
する。 なお、第２図において第１図と同一符号で表示
された部分は公知のペレツ！〜ンウント装置と１５１じ
部分であるから、これらの同一部分については説（ＩＪ
Ｊを省略Ｊる。
第２図に示す本発明のペレツ１ヘマウント装置は公知の
ペレツ１〜マウン１〜装置と同一の構成のカｌ熱特徴と
づる。
ペレツ１〜マウン１〜装置と同一の構成のカｌ熱特徴と
づる。
冷却区域Ｂは、基台１９上に設けられた支持脚２０、該
支持脚２０上に設【プられるとともに加熱区域Ａのヒー
タブロック４ど＋；Ｉｈ−水平面状にリードフレーム［
二のだめの搬送路を形成している冷却床２′１、該冷１
１床２１上に１〜ンネル状空間２２を形成Ｊるように設
けられた貼２３、及び該蓋２３上に設置された不活性ガ
ス供給管ブロック２４、がら構成されている。 冷却床
２１は中空体であって、その内部には冷媒（例えば水）
を硫化させる冷媒通路２１Ａ が形成されてＪ５す、該
冷媒通路２１ａに連通ずる冷媒入口２１ｂには図示Ｕぬ
冷媒源から冷媒が供給され、また該冷媒通路２１ａに連
通づる冷媒排出口２１Ｃからは該冷媒源に対して冷媒が
返送されるようになっている。
支持脚２０上に設【プられるとともに加熱区域Ａのヒー
タブロック４ど＋；Ｉｈ−水平面状にリードフレーム［
二のだめの搬送路を形成している冷却床２′１、該冷１
１床２１上に１〜ンネル状空間２２を形成Ｊるように設
けられた貼２３、及び該蓋２３上に設置された不活性ガ
ス供給管ブロック２４、がら構成されている。 冷却床
２１は中空体であって、その内部には冷媒（例えば水）
を硫化させる冷媒通路２１Ａ が形成されてＪ５す、該
冷媒通路２１ａに連通ずる冷媒入口２１ｂには図示Ｕぬ
冷媒源から冷媒が供給され、また該冷媒通路２１ａに連
通づる冷媒排出口２１Ｃからは該冷媒源に対して冷媒が
返送されるようになっている。
なお、冷却区域Ｂの出口には自動的に昇降動づるマガジ
ン２５が設置されており、冷却区域Ｂを通過したリード
フレームは該マガジン２５中の棚に自動的に収容される
ようになつ（いる。
ン２５が設置されており、冷却区域Ｂを通過したリード
フレームは該マガジン２５中の棚に自動的に収容される
ようになつ（いる。
冷却区域Ｂの出口におけるリードフレームの温度はリー
ドフレームが該区域Ｂから大気中に出た後にも酸化が起
こらぬような温度（例えＩま４０１以手）となるように
設定されており、この温度の制御は主としＣ冷却床の冷
媒温度及び循環ωを制谷１１ることにより行われる。
ドフレームが該区域Ｂから大気中に出た後にも酸化が起
こらぬような温度（例えＩま４０１以手）となるように
設定されており、この温度の制御は主としＣ冷却床の冷
媒温度及び循環ωを制谷１１ることにより行われる。
冷却床２１との間に１〜ンネル状空間２２を形成してい
る蓋２３には、不活性ガス供給管ブロック２４内のガス
管に連通した不活性ガス噴出孔２３ａが置設され、該噴
出孔２３ａから噴出される不活性ガス（たとえばＮ２ガ
ス）により（−ンネル状空間２２内は不活性ガス雰囲気
に保１これＵｔｔＸる。
る蓋２３には、不活性ガス供給管ブロック２４内のガス
管に連通した不活性ガス噴出孔２３ａが置設され、該噴
出孔２３ａから噴出される不活性ガス（たとえばＮ２ガ
ス）により（−ンネル状空間２２内は不活性ガス雰囲気
に保１これＵｔｔＸる。
以上のごとき構成の本発明装置においては、ペレットマ
ウント終了後のリードフレームＦ ｂ＼直ちに不活性ガ
ス雰囲気の冷ＩＪ区域Ｂに侵入し−Ｃ非酸化温度まで冷
却されるので、その後リードフレームを人気中に放置し
ても表面酸化が生じる恐れ／Ｊ＜なく、従って還元処理
を行う必要はない、。
ウント終了後のリードフレームＦ ｂ＼直ちに不活性ガ
ス雰囲気の冷ＩＪ区域Ｂに侵入し−Ｃ非酸化温度まで冷
却されるので、その後リードフレームを人気中に放置し
ても表面酸化が生じる恐れ／Ｊ＜なく、従って還元処理
を行う必要はない、。
て、加熱区域Ａ内の均熱領域Ｃ及びＤを所定の温度３５
０°Ｏ〜４００℃に保持づるとともに冷却区域日の出口
における温度を４０℃に設定した場合の装置内の温ｊ宴
分布を示したものぐ必り、同図において、Ｍで表示され
る位置はペレツ１〜マウン１〜の位置である。
０°Ｏ〜４００℃に保持づるとともに冷却区域日の出口
における温度を４０℃に設定した場合の装置内の温ｊ宴
分布を示したものぐ必り、同図において、Ｍで表示され
る位置はペレツ１〜マウン１〜の位置である。
本発明の装置にお（プる特徴の一つは前記のごとき均熱
区域りが形成されることにある。 その均熱区域りは３
ステップ程度、時間にして６〜１０秒の範囲が特に好ま
しい。 またヒータブロック４のヒータは複数のヒータ
をリードフレーム進行方向に対し垂直方向にｆｉ［！置
し独立して通電できるように覆ると望ましい均熱性が実
現できる。 このようにペレットマウン１〜後に均熱区
域りか形成されているとリードフレームとポンディング
金属との間に金属間化合物の生成が促進され、その結果
、ペレットとリードフレームとの接合強度が高くなり、
半導体装置の品質及び信頼性が向上することになる。
区域りが形成されることにある。 その均熱区域りは３
ステップ程度、時間にして６〜１０秒の範囲が特に好ま
しい。 またヒータブロック４のヒータは複数のヒータ
をリードフレーム進行方向に対し垂直方向にｆｉ［！置
し独立して通電できるように覆ると望ましい均熱性が実
現できる。 このようにペレットマウン１〜後に均熱区
域りか形成されているとリードフレームとポンディング
金属との間に金属間化合物の生成が促進され、その結果
、ペレットとリードフレームとの接合強度が高くなり、
半導体装置の品質及び信頼性が向上することになる。
ＲＲ２ｚ Ｌ、−Ｉに ”１１ （ＴＩ Ｒｌ／ １１
１１− ７ｒ’ｙ −／ Ｉ−藷！Ｄ −Ｆ Ｌま＊ｈ
＊−のごとき均熱区域りが形成されないのは明らかで
ある。
１１− ７ｒ’ｙ −／ Ｉ−藷！Ｄ −Ｆ Ｌま＊ｈ
＊−のごとき均熱区域りが形成されないのは明らかで
ある。
なお第２図に示した本発明の実施例は本発明を限定する
ものではなく、本発明の装置は図示実施例以外の構成と
して種々の形式及び構造で具体化することができるが、
これらの種々の変形実施態様も本発明に包含されるもの
である。
ものではなく、本発明の装置は図示実施例以外の構成と
して種々の形式及び構造で具体化することができるが、
これらの種々の変形実施態様も本発明に包含されるもの
である。
［発明の効果１
以上の説明から明らかなように、この発明によれば次の
ような効果を得ることができる。
ような効果を得ることができる。
（Ｉ＞ 従来必要としたワイヤボンディングにおりる還
元工程及び還元設備並びにリードフレームのめつき工程
及びめっき設備が不要どなるので半導体装置の製造工程
が短縮されるとともに還元及びめっきのための設備費用
及びめっき月利費が不要となるので製造コストが著しく
イ１（下づる。
元工程及び還元設備並びにリードフレームのめつき工程
及びめっき設備が不要どなるので半導体装置の製造工程
が短縮されるとともに還元及びめっきのための設備費用
及びめっき月利費が不要となるので製造コストが著しく
イ１（下づる。
（１［＞ 製造時間が短縮され、生産能率及びスルーブ
ツトが向上する。
ツトが向上する。
（ＩＩＩ＞ 半導体装置の品質及び信頼性が向」：ず
第１図は従来のベレットマウント装置の縦断面図、第２
図は本発明のベレットマリン１〜装置の一実施例を示づ
縦断面図、第３図は に示した装置の湿度分布を示η図
である。 １・・・ガイドレール、 ２・・・臂降台、 ３・・・
４降装謂、 ４・・・ピータブＣｌツク、 ５・・・不
活性ガス噴出孔、 ７・・・１−ンネル状空間、 ８・
・・蓋、 ９・・・コレット・、１０・・・、コレラ１
〜１４；人孔、１１゜１２・・・不活性ガス噴出孔、
１５．１６・・・還元性カス噴出孔、 １９・・・基台
、 ２０・・・支持脚、２１・・・冷ノＪＪ床、 ２１
ａ・・・冷媒通路、 ２２・・・１ヘンネル状空間、
２３・・・監、 ２３ａ・・・不活性ガス噴出孔。
図は本発明のベレットマリン１〜装置の一実施例を示づ
縦断面図、第３図は に示した装置の湿度分布を示η図
である。 １・・・ガイドレール、 ２・・・臂降台、 ３・・・
４降装謂、 ４・・・ピータブＣｌツク、 ５・・・不
活性ガス噴出孔、 ７・・・１−ンネル状空間、 ８・
・・蓋、 ９・・・コレット・、１０・・・、コレラ１
〜１４；人孔、１１゜１２・・・不活性ガス噴出孔、
１５．１６・・・還元性カス噴出孔、 １９・・・基台
、 ２０・・・支持脚、２１・・・冷ノＪＪ床、 ２１
ａ・・・冷媒通路、 ２２・・・１ヘンネル状空間、
２３・・・監、 ２３ａ・・・不活性ガス噴出孔。
Claims (1)
- １ リードフレームを還元性ガス雰囲気中で移動させつ
つｊｌｌ熱するとともに加熱され１こ該１ノードフレー
ム上に半導体ペレットのｉｌξｌチンングを行う加熱区
域と、該加熱区域を通過した直後の該リードフレームを
不活性ガス雰囲気中で移動させつつ所定温度まで冷１１
づ−る冷却区域とを有していることを特徴とするペレッ
トマウント装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58145755A JPS6037737A (ja) | 1983-08-11 | 1983-08-11 | ペレツトマウント装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58145755A JPS6037737A (ja) | 1983-08-11 | 1983-08-11 | ペレツトマウント装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6037737A true JPS6037737A (ja) | 1985-02-27 |
| JPH0231860B2 JPH0231860B2 (ja) | 1990-07-17 |
Family
ID=15392402
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58145755A Granted JPS6037737A (ja) | 1983-08-11 | 1983-08-11 | ペレツトマウント装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6037737A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6269627A (ja) * | 1985-09-24 | 1987-03-30 | Toshiba Corp | 半導体素子のマウント方法及びそのマウント装置 |
| JPH03155154A (ja) * | 1989-11-14 | 1991-07-03 | Marine Instr Co Ltd | 半導体製造装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5687331A (en) * | 1979-12-18 | 1981-07-15 | Toshiba Corp | Reducing furnace for solder-treatment |
-
1983
- 1983-08-11 JP JP58145755A patent/JPS6037737A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5687331A (en) * | 1979-12-18 | 1981-07-15 | Toshiba Corp | Reducing furnace for solder-treatment |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6269627A (ja) * | 1985-09-24 | 1987-03-30 | Toshiba Corp | 半導体素子のマウント方法及びそのマウント装置 |
| JPH03155154A (ja) * | 1989-11-14 | 1991-07-03 | Marine Instr Co Ltd | 半導体製造装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0231860B2 (ja) | 1990-07-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0739483Y2 (ja) | リフロー炉 | |
| JPH05182965A (ja) | 半導体製造装置 | |
| US20060005420A1 (en) | Method and apparatus for heat processing of substrate | |
| JP2780920B2 (ja) | 孔あきの金属ストリップ形状製品又は金属被覆ストリップ形状製品を選択的に電気メッキする方法及び装置 | |
| JPS6037737A (ja) | ペレツトマウント装置 | |
| JPS586998A (ja) | 平担な平面加工物の高速めつき装置 | |
| JP3186215B2 (ja) | チッソリフロー装置 | |
| JP3404768B2 (ja) | リフロー装置 | |
| JPH05208260A (ja) | リフロー装置 | |
| JPS62140413A (ja) | 縦型拡散装置 | |
| JPH09310198A (ja) | 電着レジスト乾燥装置 | |
| JP2003260586A (ja) | 還元式はんだ接合装置 | |
| JPH11121921A (ja) | 電子部品のはんだ付け方法および装置 | |
| JP3272455B2 (ja) | リードフレーム状部品加熱装置 | |
| JP2859349B2 (ja) | ワイヤボンディング装置 | |
| US20240234174A1 (en) | Thermal treatment apparatus, thermal treatment method, and storage medium | |
| JPH077260A (ja) | 自動半田付け装置 | |
| JP3261442B2 (ja) | 縦型熱処理炉 | |
| JPS6386887A (ja) | メツキ方法 | |
| JP2004358542A (ja) | リフロー炉およびリフロー炉の温度制御方法 | |
| JPS58164234A (ja) | 半導体用ワイヤボンデイング装置 | |
| JP2992576B2 (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| JP3926084B2 (ja) | フロー式はんだ付け装置 | |
| KR20020029094A (ko) | 열간압연강 스트립을 용융아연도금하기 위한 방법 및 장치 | |
| JPH10242024A (ja) | 基板熱処理装置 |