JPH05208260A - リフロー装置 - Google Patents
リフロー装置Info
- Publication number
- JPH05208260A JPH05208260A JP618592A JP618592A JPH05208260A JP H05208260 A JPH05208260 A JP H05208260A JP 618592 A JP618592 A JP 618592A JP 618592 A JP618592 A JP 618592A JP H05208260 A JPH05208260 A JP H05208260A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- inert gas
- reflow
- passage
- atmosphere
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 被処理物の加熱による酸化を防止しながら半
田の再溶融を図ってリフロー方式の半田付けが行えるよ
うにする。 【構成】 リフロー通路１と、このリフロー通路１内に
被処理物３を通過させる搬送手段２と、リフロー通路１
内に設けられて通路内雰囲気を加熱する加熱手段１５、
１６と、リフロー通路１に不活性ガスを供給してリフロ
ー通路１内を所定の不活性ガス濃度に保つ不活性ガス供
給手段２１とを備えたことを特徴とする。
田の再溶融を図ってリフロー方式の半田付けが行えるよ
うにする。 【構成】 リフロー通路１と、このリフロー通路１内に
被処理物３を通過させる搬送手段２と、リフロー通路１
内に設けられて通路内雰囲気を加熱する加熱手段１５、
１６と、リフロー通路１に不活性ガスを供給してリフロ
ー通路１内を所定の不活性ガス濃度に保つ不活性ガス供
給手段２１とを備えたことを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プリント回路基板に電
子部品を半田付けして実装するためのリフロー装置に関
するものである。
子部品を半田付けして実装するためのリフロー装置に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、プリント回路基板に電子部品を実
装する技術は益々微細な電子部品の電極部とプリント回
路基板上に形成された回路との半田付け接合が必要とさ
れている。
装する技術は益々微細な電子部品の電極部とプリント回
路基板上に形成された回路との半田付け接合が必要とさ
れている。
【０００３】また近年、フロン洗浄の廃止に伴い、無洗
浄での半田付けが必要とされている。
浄での半田付けが必要とされている。
【０００４】従来のリフロー装置は、所定の温度に加熱
した空気を熱媒体としてプリント回路基板を加熱し、半
田を溶融させて電子部品を半田付けするようにしてい
る。図７は特開昭６３−２７８６６８号公報で知られる
従来装置を示している。図で分かるように、プリント回
路基板ａを搬送するコンベアｂが横断する空気循環路ｃ
をコンベアｂの長手方向に隙間なく配し、各空気循環路
ｃにおいて２つのシロッコファンｄにより内部空気を循
環させ、途中に設けられた２つのヒータｅによって循環
空気を加熱し、この加熱空気を空気循環路ｃを横断する
コンベアｂ上のプリント回路基板ａに吹きつけることに
よって、半田付けを行うようにしている。
した空気を熱媒体としてプリント回路基板を加熱し、半
田を溶融させて電子部品を半田付けするようにしてい
る。図７は特開昭６３−２７８６６８号公報で知られる
従来装置を示している。図で分かるように、プリント回
路基板ａを搬送するコンベアｂが横断する空気循環路ｃ
をコンベアｂの長手方向に隙間なく配し、各空気循環路
ｃにおいて２つのシロッコファンｄにより内部空気を循
環させ、途中に設けられた２つのヒータｅによって循環
空気を加熱し、この加熱空気を空気循環路ｃを横断する
コンベアｂ上のプリント回路基板ａに吹きつけることに
よって、半田付けを行うようにしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし前記従来のよう
な装置では、微細な電子部品の電極やプリント回路基板
上に形成された回路、接合に用いるクリーム半田が、前
記加熱中に酸化し、良好な半田付けができない問題があ
る。このため歩留まりが悪く製品がコスト高になってい
る。
な装置では、微細な電子部品の電極やプリント回路基板
上に形成された回路、接合に用いるクリーム半田が、前
記加熱中に酸化し、良好な半田付けができない問題があ
る。このため歩留まりが悪く製品がコスト高になってい
る。
【０００６】そこで本発明は、微細な電子部品の電極や
プリント回路基板上に形成された回路、接合に用いるク
リーム半田の酸化を防止しながらクリーム半田の再溶融
を図って、前記のような問題のないリフロー装置を提供
することを課題とするものである。
プリント回路基板上に形成された回路、接合に用いるク
リーム半田の酸化を防止しながらクリーム半田の再溶融
を図って、前記のような問題のないリフロー装置を提供
することを課題とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上記のような課
題を達成するため、リフロー通路と、このリフロー通路
内に被処理物を通過させる搬送手段と、リフロー通路内
に設けられて通路内雰囲気を加熱する加熱手段と、リフ
ロー通路に不活性ガスを供給してリフロー通路内を所定
の不活性ガス濃度に保つ不活性ガス供給手段とを備えた
ことを特徴とするものである。
題を達成するため、リフロー通路と、このリフロー通路
内に被処理物を通過させる搬送手段と、リフロー通路内
に設けられて通路内雰囲気を加熱する加熱手段と、リフ
ロー通路に不活性ガスを供給してリフロー通路内を所定
の不活性ガス濃度に保つ不活性ガス供給手段とを備えた
ことを特徴とするものである。
【０００８】加熱手段はリフロー通路の入口側に設けら
れて被処理物を予熱する予熱手段を含むものとすること
ができる。
れて被処理物を予熱する予熱手段を含むものとすること
ができる。
【０００９】不活性ガス供給手段は、不活性ガス源から
の不活性ガスと不活性ガスを大気から発生させる不活性
ガス発生手段からの不活性ガスとを適宜な比率で混合し
て供給するものや、不活性ガス供給手段は大気をも適宜
な比率で混合して供給するものを採用することができ
る。
の不活性ガスと不活性ガスを大気から発生させる不活性
ガス発生手段からの不活性ガスとを適宜な比率で混合し
て供給するものや、不活性ガス供給手段は大気をも適宜
な比率で混合して供給するものを採用することができ
る。
【００１０】また不活性ガス供給手段はリフロー通路の
入り口および出口部にガスカーテンを形成するように不
活性ガスを供給する供給経路を備えたものとすることも
できる。
入り口および出口部にガスカーテンを形成するように不
活性ガスを供給する供給経路を備えたものとすることも
できる。
【００１１】リフロー通路内にリフロー通路内の雰囲気
を循環させる送風手段ないしは送風手段と循環通路をさ
らに備えたものとすることができる。
を循環させる送風手段ないしは送風手段と循環通路をさ
らに備えたものとすることができる。
【００１２】リフロー通路内の出口側部分に通過する被
処理物を冷却する冷却手段が設けられたものとすること
ができる。
処理物を冷却する冷却手段が設けられたものとすること
ができる。
【００１３】冷却手段は冷熱源とリフロー通路の出口側
部分に設けられてこの部分の雰囲気を循環させる送風手
段ないしは送風手段と循環路とを備えたものを採用する
ことができる。
部分に設けられてこの部分の雰囲気を循環させる送風手
段ないしは送風手段と循環路とを備えたものを採用する
ことができる。
【００１４】冷熱源は温度調節手段を備えたものを採用
することができる。
することができる。
【００１５】
【作用】本発明の上記構成によれば、被処理物は搬送手
段によって搬送されてリフロー通路内を通過し、この通
過する間リフロー通路内に設けられた加熱手段によって
雰囲気を介し加熱され、この際半田が再溶融することに
より半田付けを受けるが、リフロー通路内の雰囲気は不
活性ガス供給手段からの不活性ガスの供給によって所定
の不活性ガス濃度に保たれるので、前記被処理物におけ
る微細な電子部品の電極やプリント回路基板上に形成さ
れた回路、接合に用いるクリーム半田が酸化するのを防
止し、前記半田付けが良好に行われるようにすることが
できる。
段によって搬送されてリフロー通路内を通過し、この通
過する間リフロー通路内に設けられた加熱手段によって
雰囲気を介し加熱され、この際半田が再溶融することに
より半田付けを受けるが、リフロー通路内の雰囲気は不
活性ガス供給手段からの不活性ガスの供給によって所定
の不活性ガス濃度に保たれるので、前記被処理物におけ
る微細な電子部品の電極やプリント回路基板上に形成さ
れた回路、接合に用いるクリーム半田が酸化するのを防
止し、前記半田付けが良好に行われるようにすることが
できる。
【００１６】加熱手段はリフロー通路の入口側に設けら
れて被処理物を予熱する予熱手段を含むものとすると、
被処理物の急激な昇温による熱影響を防止することがで
きる。
れて被処理物を予熱する予熱手段を含むものとすると、
被処理物の急激な昇温による熱影響を防止することがで
きる。
【００１７】不活性ガス供給手段が、不活性ガス源から
の不活性ガスと不活性ガスを大気から発生させる不活性
ガス発生手段からの不活性ガスとを適宜な比率で混合し
て供給するものや、不活性ガス供給手段は大気をも適宜
な比率で混合して供給するものであると、供給する不活
性ガスの濃度を調節して、リフロー通路内の雰囲気を所
定の不活性ガス濃度に容易に調節することができる。
の不活性ガスと不活性ガスを大気から発生させる不活性
ガス発生手段からの不活性ガスとを適宜な比率で混合し
て供給するものや、不活性ガス供給手段は大気をも適宜
な比率で混合して供給するものであると、供給する不活
性ガスの濃度を調節して、リフロー通路内の雰囲気を所
定の不活性ガス濃度に容易に調節することができる。
【００１８】不活性ガス供給手段がリフロー通路の入り
口および出口部にガスカーテンを形成するように不活性
ガスを供給する供給経路を備えたものであると、リフロ
ー通路内の雰囲気の不活性ガス濃度が外気に影響されに
くくするので、リフロー通路内の雰囲気を所定の不活性
ガス濃度に保ちやすい。
口および出口部にガスカーテンを形成するように不活性
ガスを供給する供給経路を備えたものであると、リフロ
ー通路内の雰囲気の不活性ガス濃度が外気に影響されに
くくするので、リフロー通路内の雰囲気を所定の不活性
ガス濃度に保ちやすい。
【００１９】リフロー通路内にリフロー通路内の雰囲気
を循環させる送風手段ないしは、送風手段と循環通路を
さらに備えると、リフロー通路内の雰囲気不活性ガス濃
度と温度とをさらに正確に調節することができる。
を循環させる送風手段ないしは、送風手段と循環通路を
さらに備えると、リフロー通路内の雰囲気不活性ガス濃
度と温度とをさらに正確に調節することができる。
【００２０】リフロー通路内の出口側部分に設けられて
この部分の雰囲気を冷却する冷却手段が設けられると、
半田付け後の被処理物を速やかに降温させることがで
き、被処理物の熱的安全を図ることができる。
この部分の雰囲気を冷却する冷却手段が設けられると、
半田付け後の被処理物を速やかに降温させることがで
き、被処理物の熱的安全を図ることができる。
【００２１】冷却手段が冷熱源とリフロー通路内の出口
側部分の雰囲気を循環させる送風手段ないしは送風手段
と循環路とを備えたものであると、被処理物を適正温度
に効率よく確実に冷却することができる。
側部分の雰囲気を循環させる送風手段ないしは送風手段
と循環路とを備えたものであると、被処理物を適正温度
に効率よく確実に冷却することができる。
【００２２】冷熱源に温度調節手段を備えたものを採用
すると、被処理物を適正な条件にて降温させることがで
きる。
すると、被処理物を適正な条件にて降温させることがで
きる。
【００２３】
【実施例】本発明の第１の実施例としてのリフロー装置
について説明する。
について説明する。
【００２４】本実施例の装置は図１に示すように、リフ
ロー通路１内をコンベア２が縦通しており、電子部品６
を装着済みのプリント回路基板３が前工程から供給され
ると、これを搬送してリフロー通路１を入口４から出口
５へ所定の速度にて通過させる。
ロー通路１内をコンベア２が縦通しており、電子部品６
を装着済みのプリント回路基板３が前工程から供給され
ると、これを搬送してリフロー通路１を入口４から出口
５へ所定の速度にて通過させる。
【００２５】リフロー通路１は入口４側から複数の予熱
室１１と、複数のリフロー加熱室１２と、１つの冷却室
１３に区画されている。
室１１と、複数のリフロー加熱室１２と、１つの冷却室
１３に区画されている。
【００２６】予熱室１１のコンベア２の上側部分には予
熱ヒータ１５が、またリフロー加熱室１２のコンベア２
の上側部分にはリフロー加熱ヒータ１６が、冷却室１３
のコンベア２の上側部分には冷却用の熱交換器１７がそ
れぞれ設けられている。
熱ヒータ１５が、またリフロー加熱室１２のコンベア２
の上側部分にはリフロー加熱ヒータ１６が、冷却室１３
のコンベア２の上側部分には冷却用の熱交換器１７がそ
れぞれ設けられている。
【００２７】また各予熱室１１、リフロー加熱室１２お
よび冷却室１３のコンベア２の下側部分にはそれぞれシ
ロッコファン１８が設けられている。
よび冷却室１３のコンベア２の下側部分にはそれぞれシ
ロッコファン１８が設けられている。
【００２８】また各予熱室１１、リフロー加熱室１２お
よび冷却室１３の各底部にはＮ2 ガスを発生させる不活
性ガス発生器２１からの不活性ガス供給管２４が、流量
計２２を介して接続され、圧縮空気から得た低酸素の不
活性ガスであるＯ2 Ｎ2 混合ガスをバルブ２６を経て所
定の流量にて各予熱室１１、リフロー加熱室１２および
冷却室１３内に送り込み、リフロー通路１内の雰囲気を
所定の不活性ガス濃度に保つようにしてある。
よび冷却室１３の各底部にはＮ2 ガスを発生させる不活
性ガス発生器２１からの不活性ガス供給管２４が、流量
計２２を介して接続され、圧縮空気から得た低酸素の不
活性ガスであるＯ2 Ｎ2 混合ガスをバルブ２６を経て所
定の流量にて各予熱室１１、リフロー加熱室１２および
冷却室１３内に送り込み、リフロー通路１内の雰囲気を
所定の不活性ガス濃度に保つようにしてある。
【００２９】不活性ガス供給管２４はリフロー通路１の
入口４と出口５とに接続する分岐管２５を持ち、前記入
口４と出口５とに不活性ガスをバルブ２６を介し供給し
てガスカーテンを形成し、入口４、出口５での外気の入
り込みを防止するようにしてある。これによってリフロ
ー通路１内の雰囲気の不活性ガス濃度が外気によって影
響されにくくなり、所定の不活性ガス濃度に保ち易い。
ヒータ１５、１６にもフィンを設けるのが好適である。
入口４と出口５とに接続する分岐管２５を持ち、前記入
口４と出口５とに不活性ガスをバルブ２６を介し供給し
てガスカーテンを形成し、入口４、出口５での外気の入
り込みを防止するようにしてある。これによってリフロ
ー通路１内の雰囲気の不活性ガス濃度が外気によって影
響されにくくなり、所定の不活性ガス濃度に保ち易い。
ヒータ１５、１６にもフィンを設けるのが好適である。
【００３０】熱交換器１７は熱交換フィンを持った管内
に圧縮空気を供給するものであり、圧縮空気の供給流量
を冷却室１３内の雰囲気の温度に応じて自動的に調節さ
れるようにするのが好適である。
に圧縮空気を供給するものであり、圧縮空気の供給流量
を冷却室１３内の雰囲気の温度に応じて自動的に調節さ
れるようにするのが好適である。
【００３１】次に動作について説明する。各予熱室１
１、リフロー加熱室１２および冷却室１３の雰囲気は、
不活性ガス供給管２４からの低酸素ガスの供給によって
所定の不活性ガス濃度に設定されるとともに、予熱ヒー
タ１５、リフロー加熱ヒータ１６、および熱交換器１７
によって所定の温度に設定され、しかも雰囲気はシロッ
コファン１８の働きによって各室内全体に及ぶ循環流を
なすので、各予熱室１１、リフロー加熱室１２および冷
却室１３内の全域が均一な不活性ガス濃度と温度に制御
される。
１、リフロー加熱室１２および冷却室１３の雰囲気は、
不活性ガス供給管２４からの低酸素ガスの供給によって
所定の不活性ガス濃度に設定されるとともに、予熱ヒー
タ１５、リフロー加熱ヒータ１６、および熱交換器１７
によって所定の温度に設定され、しかも雰囲気はシロッ
コファン１８の働きによって各室内全体に及ぶ循環流を
なすので、各予熱室１１、リフロー加熱室１２および冷
却室１３内の全域が均一な不活性ガス濃度と温度に制御
される。
【００３２】これによってリフロー通路１を通過するプ
リント回路基板３は、図２に示すように予熱室１１にて
１５０℃程度に加熱された後、リフロー加熱室１２では
２２０℃まで加熱され、半田の再溶融によって半田付け
される。次で冷却室１３にて冷却される。
リント回路基板３は、図２に示すように予熱室１１にて
１５０℃程度に加熱された後、リフロー加熱室１２では
２２０℃まで加熱され、半田の再溶融によって半田付け
される。次で冷却室１３にて冷却される。
【００３３】そして以上の工程が不活性ガスの所定の不
活性ガス濃度下で行われるので、微細な電子部品の電極
やプリント回路基板上に形成された回路、接合に用いる
クリーム半田等が加熱により酸化するのを終始防止する
ことができ、前記半田付けが良好に行われる。
活性ガス濃度下で行われるので、微細な電子部品の電極
やプリント回路基板上に形成された回路、接合に用いる
クリーム半田等が加熱により酸化するのを終始防止する
ことができ、前記半田付けが良好に行われる。
【００３４】なお本実施例では、不活性ガス発生器２１
をリフロー装置自体に取付けたが、外部に設置したもの
を接続してもよいし、これを併用することもできる。
をリフロー装置自体に取付けたが、外部に設置したもの
を接続してもよいし、これを併用することもできる。
【００３５】図３、図４は本発明の第２の実施例を示
し、リフロー加熱室１２内の雰囲気をシロッコファン１
８によって底部へ引き込み、これを周壁に沿って各予熱
室１１、リフロー加熱室１２および冷却室１３の上部に
戻し、循環させる循環路３１を形成してある。そして循
環路３１がリフロー加熱室１２の入口３２と出口３３に
位置する部分では周壁に沿った雰囲気の循環流がガスカ
ーテンとなって、隣接する予熱室１１や冷却室１３との
雰囲気の交流を抑制することにより、リフロー加熱室１
２内の雰囲気の不活性ガス濃度と温度とがさらに均一で
かつ設定値通りになり、半田付けとその際の酸化防止と
をさらに確実に達成することができる。
し、リフロー加熱室１２内の雰囲気をシロッコファン１
８によって底部へ引き込み、これを周壁に沿って各予熱
室１１、リフロー加熱室１２および冷却室１３の上部に
戻し、循環させる循環路３１を形成してある。そして循
環路３１がリフロー加熱室１２の入口３２と出口３３に
位置する部分では周壁に沿った雰囲気の循環流がガスカ
ーテンとなって、隣接する予熱室１１や冷却室１３との
雰囲気の交流を抑制することにより、リフロー加熱室１
２内の雰囲気の不活性ガス濃度と温度とがさらに均一で
かつ設定値通りになり、半田付けとその際の酸化防止と
をさらに確実に達成することができる。
【００３６】このような循環路３１は、予熱室１１や冷
却室１３に適用することもできる。
却室１３に適用することもできる。
【００３７】図５に示す本発明の第３の実施例は、不活
性ガス発生器２１からの不活性ガス供給管２４と、圧縮
空気供給管４１と、液体窒素をガス化して供給するＮ2
ガス供給管４２とをそれぞれに独立したバルブ４３を設
けた状態で並列に接続し、互いの流量を不活性ガス濃度
計４４で所定の不活性ガス濃度を得るように制御して供
給するようにしてある。
性ガス発生器２１からの不活性ガス供給管２４と、圧縮
空気供給管４１と、液体窒素をガス化して供給するＮ2
ガス供給管４２とをそれぞれに独立したバルブ４３を設
けた状態で並列に接続し、互いの流量を不活性ガス濃度
計４４で所定の不活性ガス濃度を得るように制御して供
給するようにしてある。
【００３８】したがって、設定した不活性ガス濃度の不
活性ガスを常に安定して供給することができ、前記半田
付け工程での微細な電子部品の電極やプリント回路基板
上に形成された回路、接合に用いるクリーム半田等の酸
化防止と、半田の再溶融とを確実に達成することができ
る。
活性ガスを常に安定して供給することができ、前記半田
付け工程での微細な電子部品の電極やプリント回路基板
上に形成された回路、接合に用いるクリーム半田等の酸
化防止と、半田の再溶融とを確実に達成することができ
る。
【００３９】また不活性ガス供給流量の安定による雰囲
気温度の変動を防止できるので、温度の過不足によるプ
リント回路基板３への熱影響や半田付け不良を防止する
ことができる。
気温度の変動を防止できるので、温度の過不足によるプ
リント回路基板３への熱影響や半田付け不良を防止する
ことができる。
【００４０】図６に示す本発明の第４の実施例は、前記
循環路３１を冷却室１３に適用してあり、冷却室１３内
の雰囲気の温度と不活性ガス濃度を設定通りにかつ均一
に維持することができ、プリント回路基板３を設定通り
に冷却しかつその間の酸化を確実に防止することができ
る。
循環路３１を冷却室１３に適用してあり、冷却室１３内
の雰囲気の温度と不活性ガス濃度を設定通りにかつ均一
に維持することができ、プリント回路基板３を設定通り
に冷却しかつその間の酸化を確実に防止することができ
る。
【００４１】熱交換器１７にはバルブ５１が設けられて
おり、熱交換器１７に供給する圧縮空気の流量を調節す
ることによって、冷却室１３での設定温度を変更するこ
とができる。
おり、熱交換器１７に供給する圧縮空気の流量を調節す
ることによって、冷却室１３での設定温度を変更するこ
とができる。
【００４２】熱交換器１７には圧縮空気に代えて水を供
給してもよい。
給してもよい。
【００４３】
【発明の効果】本発明によれば、被処理物は搬送手段に
よって搬送されてリフロー通路内を通過し、この通過す
る間リフロー通路内に設けられた加熱手段によって雰囲
気を介し加熱され、この際半田が再溶融することにより
半田付けを受けるが、リフロー通路内の雰囲気は不活性
ガス供給手段からの不活性ガスの供給によって所定の不
活性ガス濃度に保たれ、前記被処理物における微細な電
子部品の電極やプリント回路基板上に形成された回路、
接合に用いるクリーム半田が酸化するのを防止し、前記
半田付けが良好に行われるようにするので、歩留まりが
向上しコストを低減することができる。
よって搬送されてリフロー通路内を通過し、この通過す
る間リフロー通路内に設けられた加熱手段によって雰囲
気を介し加熱され、この際半田が再溶融することにより
半田付けを受けるが、リフロー通路内の雰囲気は不活性
ガス供給手段からの不活性ガスの供給によって所定の不
活性ガス濃度に保たれ、前記被処理物における微細な電
子部品の電極やプリント回路基板上に形成された回路、
接合に用いるクリーム半田が酸化するのを防止し、前記
半田付けが良好に行われるようにするので、歩留まりが
向上しコストを低減することができる。
【００４４】加熱手段はリフロー通路の入口側に設けら
れて被処理物を予熱する予熱手段を含むものとすると、
被処理物の急激な昇温による熱影響を防止し、被処理物
の熱的安全を図ることができる。
れて被処理物を予熱する予熱手段を含むものとすると、
被処理物の急激な昇温による熱影響を防止し、被処理物
の熱的安全を図ることができる。
【００４５】不活性ガス供給手段が、不活性ガス源から
の不活性ガスと不活性ガスを大気から発生させる不活性
ガス発生手段からの不活性ガスとを適宜な比率で混合し
て供給するものや、不活性ガス供給手段は大気をも適宜
な比率で混合して供給するものであると、供給する不活
性ガスの濃度を調節して、リフロー通路内の雰囲気を所
定の不活性ガス濃度に容易に調節することができ、酸化
防止を保証し易い。
の不活性ガスと不活性ガスを大気から発生させる不活性
ガス発生手段からの不活性ガスとを適宜な比率で混合し
て供給するものや、不活性ガス供給手段は大気をも適宜
な比率で混合して供給するものであると、供給する不活
性ガスの濃度を調節して、リフロー通路内の雰囲気を所
定の不活性ガス濃度に容易に調節することができ、酸化
防止を保証し易い。
【００４６】不活性ガス供給手段がリフロー通路の入り
口および出口部にガスカーテンを形成するように不活性
ガスを供給する供給経路を備えたものであると、リフロ
ー通路内の雰囲気の不活性ガス濃度が外気に影響されに
くくするので、リフロー通路内の雰囲気を所定の不活性
ガス濃度に保ちやすく、酸化防止を確実に達成すること
ができる。
口および出口部にガスカーテンを形成するように不活性
ガスを供給する供給経路を備えたものであると、リフロ
ー通路内の雰囲気の不活性ガス濃度が外気に影響されに
くくするので、リフロー通路内の雰囲気を所定の不活性
ガス濃度に保ちやすく、酸化防止を確実に達成すること
ができる。
【００４７】リフロー通路内にリフロー通路内の気体を
循環させる送風手段ないしは、送風手段と循環通路をさ
らに備えると、リフロー通路内の雰囲気の不活性ガス濃
度と温度とをさらに正確に調節でき、過不足ない不活性
ガス濃度で酸化防止を保証することができる。
循環させる送風手段ないしは、送風手段と循環通路をさ
らに備えると、リフロー通路内の雰囲気の不活性ガス濃
度と温度とをさらに正確に調節でき、過不足ない不活性
ガス濃度で酸化防止を保証することができる。
【００４８】リフロー通路内の出口側部分に設けられて
この部分の雰囲気を冷却する冷却手段が設けられると、
半田付け後の被処理物を速やかに降温させて、被処理物
の熱的安全を図ることができ、歩留まりがさらに向上す
る。
この部分の雰囲気を冷却する冷却手段が設けられると、
半田付け後の被処理物を速やかに降温させて、被処理物
の熱的安全を図ることができ、歩留まりがさらに向上す
る。
【００４９】冷却手段が冷熱源とリフロー通路内の出口
側部分の雰囲気を循環させる送風手段ないしは送風手段
と循環路とを備えたものであると、被処理物を適正温度
に効率よく確実に冷却することができ、被処理物の熱的
安全をさらに確実に図れる。
側部分の雰囲気を循環させる送風手段ないしは送風手段
と循環路とを備えたものであると、被処理物を適正温度
に効率よく確実に冷却することができ、被処理物の熱的
安全をさらに確実に図れる。
【００５０】冷熱源に温度調節手段を備えたものを採用
すると、被処理物をそれに応じた適正な条件にて降温さ
せることができ、被処理物の熱的安全が適正に図れる。
すると、被処理物をそれに応じた適正な条件にて降温さ
せることができ、被処理物の熱的安全が適正に図れる。
【図１】本発明が適用された第１の実施例としてのリフ
ロー装置の概略構成を示す断面図である。
ロー装置の概略構成を示す断面図である。
【図２】プリント回路基板の処理工程中の温度変化を示
すグラフである。
すグラフである。
【図３】本発明の第２の実施例を示すリフロー加熱室の
プリント回路基板通過方向に平行な向きの断面図であ
る。
プリント回路基板通過方向に平行な向きの断面図であ
る。
【図４】図３のＩＶ−ＩＶ線より見た断面図である。
【図５】本発明の第３の実施例を示す不活性ガス供給手
段の配管図である。
段の配管図である。
【図６】本発明の第４の実施例を示す冷却室の断面図で
ある。
ある。
【図７】従来装置を示す断面図である。
１ リフロー通路 ２ コンベア ３ プリント回路基板 ４、３２ 入口 ５、３３ 出口 ６ 電子部品 １１ 予熱室 １２ リフロー加熱室 １３ 冷却室 １５、１６ ヒータ １７ 熱交換器 １８ シロッコファン ２１ 不活性ガス発生器 ２２ 流量計 ２４ 不活性ガス供給管 ２５ 分岐管 ２６、４３、５１ バルブ ３１ 循環路 ４１ 圧縮空気供給管 ４２ Ｎ2 ガス供給管 ４４ 不活性ガス濃度計
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｂ２３Ｋ 101:42 (72)発明者 桑原 公仁 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (9)
- 【請求項１】 リフロー通路と、このリフロー通路内に
被処理物を通過させる搬送手段と、リフロー通路内に設
けられて通路内雰囲気を加熱する加熱手段と、リフロー
通路に不活性ガスを供給してリフロー通路内を所定の不
活性ガス濃度に保つ不活性ガス供給手段とを備えたこと
を特徴とするリフロー装置。 - 【請求項２】 加熱手段はリフロー通路の入口側に設け
られて被処理物を予熱する予熱手段を含むものである請
求項１記載のリフロー装置。 - 【請求項３】 不活性ガス供給手段は、不活性ガス源か
らの不活性ガスと不活性ガスを大気から発生させる不活
性ガス発生手段からの不活性ガスとを適宜な比率で混合
して供給するものである請求項１またな２に記載のリフ
ロー装置。 - 【請求項４】 不活性ガス供給手段は大気をも適宜な比
率で混合して供給するものである請求項１〜３に記載の
部品供給装置。 - 【請求項５】 不活性ガス供給手段はリフロー通路の入
り口および出口部にガスカーテンを形成するように不活
性ガスを供給する供給経路を備えた請求項１〜４の何れ
かに記載のリフロー装置。 - 【請求項６】 リフロー通路内にリフロー通路内の雰囲
気を循環させる送風手段ないしは送風手段と循環通路を
さらに備えた請求項１〜５の何れかに記載のリフロー装
置。 - 【請求項７】 リフロー通路の出口側部分に設けられて
この部分の雰囲気を冷却する冷却手段を備えた請求項１
〜６の何れかに記載のリフロー装置。 - 【請求項８】 冷却手段は冷熱源とリフロー通路内の出
口側部分の雰囲気を循環させる送風手段ないしは送風手
段と循環路とを備えたものである請求項７記載のリフロ
ー装置。 - 【請求項９】 冷熱源は温度調節手段を備えた請求項８
記載のリフロー装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP618592A JP3179833B2 (ja) | 1992-01-17 | 1992-01-17 | リフロー装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP618592A JP3179833B2 (ja) | 1992-01-17 | 1992-01-17 | リフロー装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05208260A true JPH05208260A (ja) | 1993-08-20 |
| JP3179833B2 JP3179833B2 (ja) | 2001-06-25 |
Family
ID=11631500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP618592A Expired - Fee Related JP3179833B2 (ja) | 1992-01-17 | 1992-01-17 | リフロー装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3179833B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0774462A (ja) * | 1993-09-01 | 1995-03-17 | Nippon Dennetsu Keiki Kk | はんだ付け装置の不活性ガス雰囲気制御装置 |
| JPH0779072A (ja) * | 1993-09-08 | 1995-03-20 | Nippon Dennetsu Keiki Kk | リフローはんだ付け装置 |
| KR100432192B1 (ko) * | 2002-01-15 | 2004-05-17 | 일성기계공업 주식회사 | 피.시.비 리플로우 솔더링장치의 히팅유니트 |
| JP2007258487A (ja) * | 2006-03-23 | 2007-10-04 | Espec Corp | ハンダ付け装置用冷却装置、並びに、ハンダ付け装置 |
| JP2021507813A (ja) * | 2017-12-29 | 2021-02-25 | シャンドン ツァイジュー エレクトロニック テクノロジー カンパニー リミテッド | 真空溶接炉の溶接機構 |
| CN115835527A (zh) * | 2022-12-26 | 2023-03-21 | 苏州易启康电子科技有限公司 | 一种电路板smt工艺及其设备 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102229015B (zh) * | 2011-06-28 | 2013-08-21 | 维多利绍德机械科技（苏州）有限公司 | 一种回流焊空气冷却系统 |
-
1992
- 1992-01-17 JP JP618592A patent/JP3179833B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0774462A (ja) * | 1993-09-01 | 1995-03-17 | Nippon Dennetsu Keiki Kk | はんだ付け装置の不活性ガス雰囲気制御装置 |
| JPH0779072A (ja) * | 1993-09-08 | 1995-03-20 | Nippon Dennetsu Keiki Kk | リフローはんだ付け装置 |
| KR100432192B1 (ko) * | 2002-01-15 | 2004-05-17 | 일성기계공업 주식회사 | 피.시.비 리플로우 솔더링장치의 히팅유니트 |
| JP2007258487A (ja) * | 2006-03-23 | 2007-10-04 | Espec Corp | ハンダ付け装置用冷却装置、並びに、ハンダ付け装置 |
| JP2021507813A (ja) * | 2017-12-29 | 2021-02-25 | シャンドン ツァイジュー エレクトロニック テクノロジー カンパニー リミテッド | 真空溶接炉の溶接機構 |
| CN115835527A (zh) * | 2022-12-26 | 2023-03-21 | 苏州易启康电子科技有限公司 | 一种电路板smt工艺及其设备 |
| CN115835527B (zh) * | 2022-12-26 | 2023-11-07 | 苏州易启康电子科技有限公司 | 一种电路板smt工艺及其设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3179833B2 (ja) | 2001-06-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5338008A (en) | Solder reflow furnace | |
| JPH07212028A (ja) | リフロー装置 | |
| JP2731665B2 (ja) | リフローはんだ付け装置 | |
| EP0681418B1 (en) | Process for wave soldering components on a printed circuit board in a temperature controlled non-oxidizing atmosphere | |
| JPH05208260A (ja) | リフロー装置 | |
| US4361967A (en) | Device for cooling freshly-soldered circuit boards | |
| JP3404768B2 (ja) | リフロー装置 | |
| JPH1093232A (ja) | リフローはんだ付け装置 | |
| US5524810A (en) | Solder reflow processor | |
| JP3114278B2 (ja) | チッソリフロー装置 | |
| JP2923725B2 (ja) | リフロー炉およびそれに使用する熱風吹出型ヒータ | |
| JP2847020B2 (ja) | リフローはんだ付け装置 | |
| JP4092258B2 (ja) | リフロー炉およびリフロー炉の温度制御方法 | |
| JP2771931B2 (ja) | リフローはんだ付け装置 | |
| WO2011125669A1 (ja) | はんだ付け装置及び蓋体支持密閉構造 | |
| JPH07231160A (ja) | リフローはんだ付け装置 | |
| JPH04371366A (ja) | 半田付け用加熱炉 | |
| JP3495207B2 (ja) | リフローはんだ付け装置 | |
| JP3186215B2 (ja) | チッソリフロー装置 | |
| JPH1117327A (ja) | リフローはんだ付け装置 | |
| JP2683713B2 (ja) | 電子部品のはんだ付け方法及び装置 | |
| WO2023188840A1 (ja) | 搬送加熱装置 | |
| JPH06188556A (ja) | リフロー装置 | |
| JP2755886B2 (ja) | リフローはんだ付け装置 | |
| WO2011125668A1 (ja) | はんだ付け装置及び仕切部材可動構造 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |