JPS6037709B2 - ソリツドステ−トリレ− - Google Patents
ソリツドステ−トリレ−Info
- Publication number
- JPS6037709B2 JPS6037709B2 JP51065379A JP6537976A JPS6037709B2 JP S6037709 B2 JPS6037709 B2 JP S6037709B2 JP 51065379 A JP51065379 A JP 51065379A JP 6537976 A JP6537976 A JP 6537976A JP S6037709 B2 JPS6037709 B2 JP S6037709B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pair
- triac
- control electrode
- light
- switching element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明はホトカブラを用いて構成したソリッドステー
トリレ一に関するものである。
トリレ一に関するものである。
従釆、この種のソリツドステートリレ一としては第３図
に示すものが知られている。
に示すものが知られている。
すなわち、入力様子１，１′よりの入力信号で発光ダイ
オード２が発光し、この光がホトサィリスタ３に入射し
、このホトサィリスタ３を導適状態にする。
オード２が発光し、この光がホトサィリスタ３に入射し
、このホトサィリスタ３を導適状態にする。
この状態で交流電源１０からダイオードブリッジ７の１
つのダイオード、ホトサイリスタ３、ダイオードブリッ
ジ７の他の１つのダイオード、トライアック８の制御電
極からなる回路に電流が流れ、この電流によりトライア
ック８も導通となり、負荷９に所定の負荷電流が流れる
。ここで低抗４、抵抗６およびトランジスタ５からなる
ゼロクロス回路はホトサィリスタ３の制御電極を制御し
て交流電源１０の電圧が小の時、即ちゼロ電圧付近でホ
トサィリスタ３を導通させるものである。しかしながら
上述構成のソリッドステートリレ一では、トランジスタ
５のエミツタがトライアツク８の制御電極に接続されて
いるため、入力がない場合でもゼロクロス回路の電流が
トライアック８の制御電極に漏れ電流として流れるため
、この漏れ電流によってトライアック８が謀点弧されや
すく、特に負荷端子１１，１２間のノイズはゲート電流
として悪影響を及ぼしこれは誤動作の大きな誘因となる
。
つのダイオード、ホトサイリスタ３、ダイオードブリッ
ジ７の他の１つのダイオード、トライアック８の制御電
極からなる回路に電流が流れ、この電流によりトライア
ック８も導通となり、負荷９に所定の負荷電流が流れる
。ここで低抗４、抵抗６およびトランジスタ５からなる
ゼロクロス回路はホトサィリスタ３の制御電極を制御し
て交流電源１０の電圧が小の時、即ちゼロ電圧付近でホ
トサィリスタ３を導通させるものである。しかしながら
上述構成のソリッドステートリレ一では、トランジスタ
５のエミツタがトライアツク８の制御電極に接続されて
いるため、入力がない場合でもゼロクロス回路の電流が
トライアック８の制御電極に漏れ電流として流れるため
、この漏れ電流によってトライアック８が謀点弧されや
すく、特に負荷端子１１，１２間のノイズはゲート電流
として悪影響を及ぼしこれは誤動作の大きな誘因となる
。
このような不具合を防止するために抵抗４の他を大きく
することが考えられるが、この場合トランジスタ５のベ
ース電流が減少することから増中率の大きなトランジス
タを使用しなければならず、抵抗が大形になることと相
像ってコストの上昇を招き好ましくない。
することが考えられるが、この場合トランジスタ５のベ
ース電流が減少することから増中率の大きなトランジス
タを使用しなければならず、抵抗が大形になることと相
像ってコストの上昇を招き好ましくない。
また第３図のものにおいて、抵抗６及びコンデンサ１３
を除去して電界効果形トランジスター２を抵抗４と並列
に設置し、前記電界効果形トランジスタ１２の定電流特
性を利用してゼロクロス回路の漏れ電流を定電流化する
ことによりトライアック８の誤動作を防ぐというものも
知られているが、このものにおいても電界効果形トラン
ジスタ１２を必要とすることからコストの上昇を招き好
ましくない。さらに、第３図のものおよび電界効果形ト
ランジスタ１２を用し、たものにしても、トランジスタ
５のエミツタがトライアック８の制御電極に接続され、
多小の漏れ電流がトライアック８の制御電極に流れる構
成のため、大きなノイズが負荷端子間に加わった際には
依然としてトライァック８の誤動作の可能性がある。こ
の発明は上述のような欠点をなくし、コストの上昇や装
置の大形化を招くことなく耐ノイズ性に優れたソリツド
ステートリレ一を提供することを目的とするものである
。
を除去して電界効果形トランジスター２を抵抗４と並列
に設置し、前記電界効果形トランジスタ１２の定電流特
性を利用してゼロクロス回路の漏れ電流を定電流化する
ことによりトライアック８の誤動作を防ぐというものも
知られているが、このものにおいても電界効果形トラン
ジスタ１２を必要とすることからコストの上昇を招き好
ましくない。さらに、第３図のものおよび電界効果形ト
ランジスタ１２を用し、たものにしても、トランジスタ
５のエミツタがトライアック８の制御電極に接続され、
多小の漏れ電流がトライアック８の制御電極に流れる構
成のため、大きなノイズが負荷端子間に加わった際には
依然としてトライァック８の誤動作の可能性がある。こ
の発明は上述のような欠点をなくし、コストの上昇や装
置の大形化を招くことなく耐ノイズ性に優れたソリツド
ステートリレ一を提供することを目的とするものである
。
以下図面に示す実施例にもとづいてこの発明を詳細に説
明する。
明する。
第１図において、Ｐ１，Ｐ２は入力信号の印加される入
力端子、ＬＥＤは入力端子Ｐ１，Ｐ２間に抵抗ＲＩを介
して接続された発光ダイオードで、その両端には保護用
ダイオードＤＩが設けられている。
力端子、ＬＥＤは入力端子Ｐ１，Ｐ２間に抵抗ＲＩを介
して接続された発光ダイオードで、その両端には保護用
ダイオードＤＩが設けられている。
Ｑｏは発光ダイオードＬＥＤと電気的絶縁を保ちつつ光
効結合をなすごとく配置されたホトトライアックで、そ
の一対の主電極Ｔ１，Ｔ２は出力半導体スイッチング素
子であるトライアツクＱの一方の主電極Ｔａと制御電極
Ｇにそれぞれ接続されている。トライアックＱの主電極
Ｔａ，Ｔｈ間には抵抗Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４からなる分圧回
路が接続され、抵抗Ｒ２とＲ３の接続点および抵抗Ｒ３
とＲ４の接続点にはそれぞれトランジスタＴｒｌ，Ｔｒ
２のベースが接続されている。各トランジスタＴｒｌ，
Ｔｒ２のベース・エミツタ間には逆電圧吸収用のダイオ
ードＤ２，Ｄ３が接続されている。トランジスタＴｒｌ
のエミツタはトライアックＱの一方の主翼極Ｔａに、コ
レクタはホトトラィアックＱｏの一方の制御電極ＧＩに
接続されており、トランジスタＴｒ２のェミツタはトラ
イアックＱの他方の主電極Ｔｂに、またコレクタはホト
トラィァックＱｏの他方の制御電極Ｇ２にそれぞれ接続
されている。トライアックＱの両端にはサージ吸収のた
めの抵抗Ｒ５とコンデンサＣの直列回路が設けられてい
る。Ｘ，Ｙは負荷端子で、この負荷端子Ｘ，Ｙに負荷Ｌ
が交流電源ｅとともに接続される。つぎに第１図はの回
路の動作を説明する。
効結合をなすごとく配置されたホトトライアックで、そ
の一対の主電極Ｔ１，Ｔ２は出力半導体スイッチング素
子であるトライアツクＱの一方の主電極Ｔａと制御電極
Ｇにそれぞれ接続されている。トライアックＱの主電極
Ｔａ，Ｔｈ間には抵抗Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４からなる分圧回
路が接続され、抵抗Ｒ２とＲ３の接続点および抵抗Ｒ３
とＲ４の接続点にはそれぞれトランジスタＴｒｌ，Ｔｒ
２のベースが接続されている。各トランジスタＴｒｌ，
Ｔｒ２のベース・エミツタ間には逆電圧吸収用のダイオ
ードＤ２，Ｄ３が接続されている。トランジスタＴｒｌ
のエミツタはトライアックＱの一方の主翼極Ｔａに、コ
レクタはホトトラィアックＱｏの一方の制御電極ＧＩに
接続されており、トランジスタＴｒ２のェミツタはトラ
イアックＱの他方の主電極Ｔｂに、またコレクタはホト
トラィァックＱｏの他方の制御電極Ｇ２にそれぞれ接続
されている。トライアックＱの両端にはサージ吸収のた
めの抵抗Ｒ５とコンデンサＣの直列回路が設けられてい
る。Ｘ，Ｙは負荷端子で、この負荷端子Ｘ，Ｙに負荷Ｌ
が交流電源ｅとともに接続される。つぎに第１図はの回
路の動作を説明する。
入力端子Ｐ１，Ｐ２に入力信号が与えられると抵抗ＲＩ
を通じて発光ダイオードＬＥＤに電流が流れ、発光ダイ
オードＬＥＤが発光してホトトラィアック■に照射光を
与える。そこでまず負荷端子Ｘ，Ｙ間の電圧の瞬時値が
充分に高い場合を考えると、端子Ｘが端子Ｙに比べて高
電位のときは抵抗Ｒ３，Ｒ４で分圧された電圧がトラン
ジスタＴ【２のベース・ェミッタ間に順方向バイアスと
して印加されるのでトランジスタＴｒ２がＯＮとなる。
を通じて発光ダイオードＬＥＤに電流が流れ、発光ダイ
オードＬＥＤが発光してホトトラィアック■に照射光を
与える。そこでまず負荷端子Ｘ，Ｙ間の電圧の瞬時値が
充分に高い場合を考えると、端子Ｘが端子Ｙに比べて高
電位のときは抵抗Ｒ３，Ｒ４で分圧された電圧がトラン
ジスタＴ【２のベース・ェミッタ間に順方向バイアスと
して印加されるのでトランジスタＴｒ２がＯＮとなる。
一方、トランジスタＴｒｌはベース・ェミッタ間が逆方
向バイアスとなるためＯＦＦである。トランジスタＴｒ
２がＯＮすると、ホトトラィアックＱｏの制御電極Ｇ２
と主電極Ｔ２間はほぼ短絡状態となり、制御電極Ｇ２を
通って外部へ流出する電流が増大するためホトトラィア
ックＱｏは発光ダイオードＬＥＤにより照射光を与えら
れているにもかかわらず○Ｎしない。この状態において
ホトトランジスタＱｂの光感度は最低である。ホトトラ
イアツクＱｏが○ＮしないからトライアツクＱの制御電
極Ｇに信号は入らず、トライアックＱもＯＮしない。し
たがって交流電源ｅと負荷Ｌの閉回路は形成れないので
負荷Ｌ‘こ通電は行なわれない。なお、抵抗Ｒ２，Ｒ３
，Ｒ４からなる分圧回路のインピーダンスは充分大きく
選んであるもので常時これらの回路には電流が殆んど流
れない。端子Ｙが端子Ｘに比べて高単位のときは上述の
場合と逆にトランジスタＴｒｌがＯＮとなるが、これに
よってホトトライアツクＱｏの制御電極ＧＩを通って流
出する電流が増大するのでやはりホトトライアツクＱｂ
は○Ｎしない。したがってこの場合も負荷Ｌへの通電は
行なわれない。つぎに負荷端子Ｘ，Ｙ間の電圧がゼロ付
近にある場合は、トランジスタＴｒｌ，Ｔｒ２の各ベー
スにはこれらをＯＮさせるに充分な電圧が印加されない
ので、トランジスタＴｒｌ，Ｔｒ２は両方ともＯＦＦで
ある。
向バイアスとなるためＯＦＦである。トランジスタＴｒ
２がＯＮすると、ホトトラィアックＱｏの制御電極Ｇ２
と主電極Ｔ２間はほぼ短絡状態となり、制御電極Ｇ２を
通って外部へ流出する電流が増大するためホトトラィア
ックＱｏは発光ダイオードＬＥＤにより照射光を与えら
れているにもかかわらず○Ｎしない。この状態において
ホトトランジスタＱｂの光感度は最低である。ホトトラ
イアツクＱｏが○ＮしないからトライアツクＱの制御電
極Ｇに信号は入らず、トライアックＱもＯＮしない。し
たがって交流電源ｅと負荷Ｌの閉回路は形成れないので
負荷Ｌ‘こ通電は行なわれない。なお、抵抗Ｒ２，Ｒ３
，Ｒ４からなる分圧回路のインピーダンスは充分大きく
選んであるもので常時これらの回路には電流が殆んど流
れない。端子Ｙが端子Ｘに比べて高単位のときは上述の
場合と逆にトランジスタＴｒｌがＯＮとなるが、これに
よってホトトライアツクＱｏの制御電極ＧＩを通って流
出する電流が増大するのでやはりホトトライアツクＱｂ
は○Ｎしない。したがってこの場合も負荷Ｌへの通電は
行なわれない。つぎに負荷端子Ｘ，Ｙ間の電圧がゼロ付
近にある場合は、トランジスタＴｒｌ，Ｔｒ２の各ベー
スにはこれらをＯＮさせるに充分な電圧が印加されない
ので、トランジスタＴｒｌ，Ｔｒ２は両方ともＯＦＦで
ある。
したがって交流電源ｅのいずれの半波においても、ホト
トラィアックＱｏの各制御電極ＧＩ，Ｇ２から流出する
電流はなくなり、このときホトトラィアツクの光感度は
最大となる。たがって、発光ダイオードＬＥＤからろ光
照射によってホトトライアツクＱｂはＯＮとなり、これ
によって主電極Ｔ１，Ｔ２間の導適するのでトライアッ
クＱの制御電極ＧにはホトトライアツクＱｏを通じて信
号が加えられ、その結果トライアックＱがＯＮする。ト
ライアツクＱがＯＮすることにより、交流電源ｅと負荷
Ｌとの開回路が形成され負荷Ｌ‘こ通電が行なわれる。
入力信号がなくなると発光ダイオードＬＥＤは発光をや
め、ホトトラィアックＱｂは照射光が与えられなくなる
のでＯＦＦとなる。
トラィアックＱｏの各制御電極ＧＩ，Ｇ２から流出する
電流はなくなり、このときホトトラィアツクの光感度は
最大となる。たがって、発光ダイオードＬＥＤからろ光
照射によってホトトライアツクＱｂはＯＮとなり、これ
によって主電極Ｔ１，Ｔ２間の導適するのでトライアッ
クＱの制御電極ＧにはホトトライアツクＱｏを通じて信
号が加えられ、その結果トライアックＱがＯＮする。ト
ライアツクＱがＯＮすることにより、交流電源ｅと負荷
Ｌとの開回路が形成され負荷Ｌ‘こ通電が行なわれる。
入力信号がなくなると発光ダイオードＬＥＤは発光をや
め、ホトトラィアックＱｂは照射光が与えられなくなる
のでＯＦＦとなる。
このためトライアックＱの制御電極Ｇに信号が与えられ
なくなり、トライアックＱは主電極Ｔａ，Ｔ場母の通電
電流（負荷電流）がゼロになった時点でＯＦＦする。こ
のようにして、第１図の回路は負荷を常に交流電圧のゼ
ロ点付近で開閉するゼロクロストリが作用を有すること
がわかる。
なくなり、トライアックＱは主電極Ｔａ，Ｔ場母の通電
電流（負荷電流）がゼロになった時点でＯＦＦする。こ
のようにして、第１図の回路は負荷を常に交流電圧のゼ
ロ点付近で開閉するゼロクロストリが作用を有すること
がわかる。
この第１図の回路において、入力がない場合にゼロクロ
ス回路を流れる漏れ電流は様子×ーダィオードＤ２一抵
抗Ｒ３一梯抗Ｒ４およびトランジスタＴｒ２のベース、
ェミッタ接合一端子Ｙ、または端子Ｙーダイオ−ドＤ３
一抵抗Ｒ３一抵抗Ｒ２およびトランジスタＴｒｌのベー
ス、エミツ夕接合一端子×の経路をたどり、トライアッ
クＱのゲートＧには流れない。
ス回路を流れる漏れ電流は様子×ーダィオードＤ２一抵
抗Ｒ３一梯抗Ｒ４およびトランジスタＴｒ２のベース、
ェミッタ接合一端子Ｙ、または端子Ｙーダイオ−ドＤ３
一抵抗Ｒ３一抵抗Ｒ２およびトランジスタＴｒｌのベー
ス、エミツ夕接合一端子×の経路をたどり、トライアッ
クＱのゲートＧには流れない。
したがってこのゼロクロス回路を流れる漏れ電流によっ
てトライアックＱが謀点弧することはなく、特に負荷様
子Ｘ，Ｙ間にノイズが入ってきた場合でも確実に誤動作
を防止できる。第２図はこの発明の他の実施例であって
、ホトトライアツクの代りに、ホトサイリスタを２個逆
並列に接続して構成しれ例を示す。
てトライアックＱが謀点弧することはなく、特に負荷様
子Ｘ，Ｙ間にノイズが入ってきた場合でも確実に誤動作
を防止できる。第２図はこの発明の他の実施例であって
、ホトトライアツクの代りに、ホトサイリスタを２個逆
並列に接続して構成しれ例を示す。
この回路においては２個のホトサイリスタＱ１，Ｑ２の
それぞれと光結合をなす発光ダイオードＬＥＤ１，ＬＥ
Ｄ２が２個設けられており、また分圧回路が抵抗Ｒ６，
Ｒ７からなる回路と抵抗Ｒ８，Ｒ９からなる回路に分割
されているが、ホトサィリスタＱ１，Ｑ２の逆並列体は
ホトトラィアック単体と回路的に等価であるから、第２
図の回路の動作は第１図の回路と本質的に同一であり、
したがって対応部分には同一符号を与えてその説明は省
略する。以上詳述したように、この発明によれば可変光
感度特性を有する双方向光活性化スイッチング素子を入
力信号印加により発光する発光素子と電気的絶縁を保ち
つつ光結合をなすごとく配置し、この光活性化スイッチ
ング素子の一対の主電極を双方向性出力半導体スイッチ
ング素子の制御電極と一方の主翼極にそれぞれ接続し、
前記出力半導体スイッチング素子の一対の主電極間に接
続した分圧回路の各分圧点に一対のトランジスタの各ベ
ースをそれぞれ接続するとともに、この一対のトランジ
スタの各コレクタを前記光活性化スィッチン・グ素子の
各制御電極に、各ェミツタを前記出力半導体スイッチン
グ素子の各主電極にそれぞれ接続したので、ゼロクロス
回路を流れる電流が出力半導体スイッチング素子の制御
電極に流れることがなく、漏れ電流による出力半導体ス
イッチング素子の謀Ｖ点弧の恐れが全くないばかりか、
負荷端子のノイズに対しても確実に誤動作を防止できて
耐ノイズ性に優れ、さらに従来のように抵抗を大きくし
たり電界効果形トランジスタ等の余分の部品を用いる必
要もないため、装置の大形化やコストの上昇を招くこの
ないソリッドステートリレ一を提供することができる。
それぞれと光結合をなす発光ダイオードＬＥＤ１，ＬＥ
Ｄ２が２個設けられており、また分圧回路が抵抗Ｒ６，
Ｒ７からなる回路と抵抗Ｒ８，Ｒ９からなる回路に分割
されているが、ホトサィリスタＱ１，Ｑ２の逆並列体は
ホトトラィアック単体と回路的に等価であるから、第２
図の回路の動作は第１図の回路と本質的に同一であり、
したがって対応部分には同一符号を与えてその説明は省
略する。以上詳述したように、この発明によれば可変光
感度特性を有する双方向光活性化スイッチング素子を入
力信号印加により発光する発光素子と電気的絶縁を保ち
つつ光結合をなすごとく配置し、この光活性化スイッチ
ング素子の一対の主電極を双方向性出力半導体スイッチ
ング素子の制御電極と一方の主翼極にそれぞれ接続し、
前記出力半導体スイッチング素子の一対の主電極間に接
続した分圧回路の各分圧点に一対のトランジスタの各ベ
ースをそれぞれ接続するとともに、この一対のトランジ
スタの各コレクタを前記光活性化スィッチン・グ素子の
各制御電極に、各ェミツタを前記出力半導体スイッチン
グ素子の各主電極にそれぞれ接続したので、ゼロクロス
回路を流れる電流が出力半導体スイッチング素子の制御
電極に流れることがなく、漏れ電流による出力半導体ス
イッチング素子の謀Ｖ点弧の恐れが全くないばかりか、
負荷端子のノイズに対しても確実に誤動作を防止できて
耐ノイズ性に優れ、さらに従来のように抵抗を大きくし
たり電界効果形トランジスタ等の余分の部品を用いる必
要もないため、装置の大形化やコストの上昇を招くこの
ないソリッドステートリレ一を提供することができる。
第１図、第２図はこの発明の実施例を示す回路図、第３
図は従釆例を示す回路図である。 ＬＥＤ，ＬＥＤＩ，ＬＥＤ２・・・…発光ダイオード、
Ｑｂ……ホトトライアツク、Ｑ１，Ｑ２……ホトサイリ
スタ、Ｑ……トライアツク、Ｔｒｌ，Ｔｒ２……トラン
ジスタ、Ｒ２，Ｒ３．Ｒ４，Ｒ６，Ｒ７，Ｒ８，Ｒ９・
・・・・・抵抗、ｅ・・・・・・交流電源、Ｌ・・・・
・・負荷。 第３図 第１図 第２図
図は従釆例を示す回路図である。 ＬＥＤ，ＬＥＤＩ，ＬＥＤ２・・・…発光ダイオード、
Ｑｂ……ホトトライアツク、Ｑ１，Ｑ２……ホトサイリ
スタ、Ｑ……トライアツク、Ｔｒｌ，Ｔｒ２……トラン
ジスタ、Ｒ２，Ｒ３．Ｒ４，Ｒ６，Ｒ７，Ｒ８，Ｒ９・
・・・・・抵抗、ｅ・・・・・・交流電源、Ｌ・・・・
・・負荷。 第３図 第１図 第２図
Claims (1)
- １ 可変光感度特性を有する双方向性光活性化スイツチ
ング素子を入力信号印加により発光する発光素子を電気
的絶縁を保ちつつ光結合をなすごとく配置し、この光活
性化スイツチング素子の一対の主電極を双方向性出力半
導体スイツチング素子の制御電極と一方の主電極にそれ
ぞれ接続し、前記出力半導体スイツチング素子の一対の
主電極間に接続した分圧回路の各分圧点に一対のトラン
ジスタの各ベースをそれぞれ接続するとともに、この一
対のトランジスタの各コレクタを前記光活性化スイツチ
ング素子の各制御電極に、各エミツタを前記出力半導体
スイツチング素子の各主電極にそれぞれ接続したことを
特徴とするソリツドステートリレー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51065379A JPS6037709B2 (ja) | 1976-06-03 | 1976-06-03 | ソリツドステ−トリレ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51065379A JPS6037709B2 (ja) | 1976-06-03 | 1976-06-03 | ソリツドステ−トリレ− |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS52147961A JPS52147961A (en) | 1977-12-08 |
| JPS6037709B2 true JPS6037709B2 (ja) | 1985-08-28 |
Family
ID=13285270
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51065379A Expired JPS6037709B2 (ja) | 1976-06-03 | 1976-06-03 | ソリツドステ−トリレ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6037709B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20230074570A (ko) | 2020-10-28 | 2023-05-30 | 에네오스 가부시키가이샤 | 수지 성형품의 접착제에 대한 접착 강도의 향상 방법 및 접착 강도를 향상시킨 복합체 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5851450B2 (ja) * | 1978-12-11 | 1983-11-16 | 株式会社東芝 | 固体継電器 |
| JPS582838U (ja) * | 1981-06-29 | 1983-01-10 | 日本電気株式会社 | Ａｃリレ−制御回路 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5133972A (ja) * | 1974-09-18 | 1976-03-23 | Hitachi Ltd | Hikariketsugonokotaisuitsuchikairo |
-
1976
- 1976-06-03 JP JP51065379A patent/JPS6037709B2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5133972A (ja) * | 1974-09-18 | 1976-03-23 | Hitachi Ltd | Hikariketsugonokotaisuitsuchikairo |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20230074570A (ko) | 2020-10-28 | 2023-05-30 | 에네오스 가부시키가이샤 | 수지 성형품의 접착제에 대한 접착 강도의 향상 방법 및 접착 강도를 향상시킨 복합체 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS52147961A (en) | 1977-12-08 |
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