JPS6036673A - 無電解銅めつきに対する活性化法 - Google Patents
無電解銅めつきに対する活性化法Info
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- JPS6036673A JPS6036673A JP14463983A JP14463983A JPS6036673A JP S6036673 A JPS6036673 A JP S6036673A JP 14463983 A JP14463983 A JP 14463983A JP 14463983 A JP14463983 A JP 14463983A JP S6036673 A JPS6036673 A JP S6036673A
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- compound
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- complex compound
- copper plating
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/38—Coating with copper
- C23C18/40—Coating with copper using reducing agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は５無電解餉めっきに対する粘性化法に間型ゐ〇
無電解鋼めっきは、印刷配線板の分野で、瑣層抜等のＩ
ｅ縁基板に回路葡形成丁ゐために広く用いらｎていゐ。
ｅ縁基板に回路葡形成丁ゐために広く用いらｎていゐ。
この場合、杷縁丞孜の無電解鋼めっきが施さηΦ面は活
性化、丁ｌわち無′ＦＭ、解組めっさのπめの触媒核が
形成８７１．る。この触媒核紫申心ＶＣして、無電解鋼
めっき液中の鋼イオン〃１丁出し、ｈｖ、侵して銅膜と
なり、回路となる。
性化、丁ｌわち無′ＦＭ、解組めっさのπめの触媒核が
形成８７１．る。この触媒核紫申心ＶＣして、無電解鋼
めっき液中の鋼イオン〃１丁出し、ｈｖ、侵して銅膜と
なり、回路となる。
絶縁基板ケ活性化丁ゐために、無電解銅めっきのための
触媒となめ金属パラジウムケ絶縁基板表開に形成式せて
いる。
触媒となめ金属パラジウムケ絶縁基板表開に形成式せて
いる。
ｆＩｆ米、この金）ｔＡパラジウムば
Ｃ７１
ＰｄＣ６ｔ ＋５ｎＣｌ＊ Ｐｄ ＋５ｎＣ７！４の反
尾、で得らｎ、てお９、硅渫土などの担体ＶＣ封１狩ざ
７′Ｌ５触媒作用ヶ果すよりに工夫さｎていく）。
尾、で得らｎ、てお９、硅渫土などの担体ＶＣ封１狩ざ
７′Ｌ５触媒作用ヶ果すよりに工夫さｎていく）。
そのため、Ｓｎ、ＣＩなどの不純物ｒ多ぐ貧むうλｅζ
、担体？使用するため、俵有剤混入し、アティティブ印
刷配線板用の接涜削（触媒入り）１・Ｊ積層板ケ製逅丁
ゐ場合、そり、ねじｎ、が発生し。
、担体？使用するため、俵有剤混入し、アティティブ印
刷配線板用の接涜削（触媒入り）１・Ｊ積層板ケ製逅丁
ゐ場合、そり、ねじｎ、が発生し。
ボ・鴎ヱ性ＶｃＩＩＩ！Ｆ点かあり、父、絶縁電線の絶
縁層中にｄ＝入することは困離であっｋ。
縁層中にｄ＝入することは困離であっｋ。
反応させた錯化合物τ加熱し金桟パラジウム紫生成さセ
４）こと紫ｆｈ叡と丁ゐ無電解鋼めっきに対重ゐ粘性化
法であめ。
４）こと紫ｆｈ叡と丁ゐ無電解鋼めっきに対重ゐ粘性化
法であめ。
２側のパラジウム化合物としては、塩化パラジウム（１
）、フッ化パラジウム（ｎ）ｉ 臭化パラジウム（ＩＩ
）、Ｅつ化パラジウム（川、硝（社）パラジウム（Ｉｆ
）、硫酸パラジウム（Ｕへ酸化パラジウム（ｍ、体化パ
ラジウム（ＩＩ）及び、こｎ、らの混合物が１史用さ′
１１．ゐ。
）、フッ化パラジウム（ｎ）ｉ 臭化パラジウム（ＩＩ
）、Ｅつ化パラジウム（川、硝（社）パラジウム（Ｉｆ
）、硫酸パラジウム（Ｕへ酸化パラジウム（ｍ、体化パ
ラジウム（ＩＩ）及び、こｎ、らの混合物が１史用さ′
１１．ゐ。
ハロゲン化物、特に塩化パラジウム（ＩＩ）が好−士し
い。ＨＩＩＩＩ、２価の餉化合物としては、塩化銅（す
。
い。ＨＩＩＩＩ、２価の餉化合物としては、塩化銅（す
。
地化蛤１（Ｊｌ）、鮪酸銅（川及びこ几らの混合物かｆ
す二用葛ｎゐ。
す二用葛ｎゐ。
基ｒＭＴものが１史用さｎ、る０このようなアミノシラ
ンとしては％ ５−（２−７ミノエナルアミノプロビル
）ジメトキシエチル７ラン、６−（２−７ミノエチルア
ミン７０ビル）メトキシジエチルシラン、５−（２−ア
ミノエチルアミノプロビル）トリエチルシラン、ビス（
エテルアミノ）ジメチル７ラン、ビス（ブチルアξ））
ジメチルシラン、ヘキサメチルジシラザン、Ｎ。
ンとしては％ ５−（２−７ミノエナルアミノプロビル
）ジメトキシエチル７ラン、６−（２−７ミノエチルア
ミン７０ビル）メトキシジエチルシラン、５−（２−ア
ミノエチルアミノプロビル）トリエチルシラン、ビス（
エテルアミノ）ジメチル７ラン、ビス（ブチルアξ））
ジメチルシラン、ヘキサメチルジシラザン、Ｎ。
Ｎ′−ビストリメチルシリルウレア、１．１．３．３．
５゜５ヘギザメチルシクロトリシラザン、１．１．３．
．５゜５．５．７．７オクタメナルシクロテトラシラザ
ン。
５゜５ヘギザメチルシクロトリシラザン、１．１．３．
．５゜５．５．７．７オクタメナルシクロテトラシラザ
ン。
アミンメチルトリメナルシラン、ブチルアミノメチルト
リメチルシラン、イングロビルアミノメナルトリメテル
シラン、２−アミノエチルアミンメチルジメナルフェニ
ルシンン、１，５ビス（２７ばノエテルアミノメチル）
１．１．５．５テトラメチルジシロキサン及びｃｎ−
らの混合物があゐ０２１曲のパラジウム化合物ｔアミノ
シランと戊応させて銘化合物葡得／）Ｖｃは１例えば、
５−（２−アミノエチルアミノプロビル）ジメトキシエ
チル７ランｏ、 ｓ ｃｃ ［メタノール０−５ ｃｃ
”ｃ刀０え、史に塩化パラジウム（ＩＩＪτ力ｌ」χ２
０分間振と９丁ゐことにより侍らｎ、る０この錯化合物
は。
リメチルシラン、イングロビルアミノメナルトリメテル
シラン、２−アミノエチルアミンメチルジメナルフェニ
ルシンン、１，５ビス（２７ばノエテルアミノメチル）
１．１．５．５テトラメチルジシロキサン及びｃｎ−
らの混合物があゐ０２１曲のパラジウム化合物ｔアミノ
シランと戊応させて銘化合物葡得／）Ｖｃは１例えば、
５−（２−アミノエチルアミノプロビル）ジメトキシエ
チル７ランｏ、 ｓ ｃｃ ［メタノール０−５ ｃｃ
”ｃ刀０え、史に塩化パラジウム（ＩＩＪτ力ｌ」χ２
０分間振と９丁ゐことにより侍らｎ、る０この錯化合物
は。
１００℃の加熱で金Ｎ パラジウムヶ生成する〇侍らｎ
、た錯化合物では、塩化パラジウム（Ｕ）はアミノシラ
ンのアミ７基に自に位しており、刀りｊ熱丁々と、ケイ
、ＡＶｃ：ｉ！１１すめメチル基の氷菓により２価のパ
ラジウムは還元式看、て金塊パラジウムｒ生成′Ｔる。
、た錯化合物では、塩化パラジウム（Ｕ）はアミノシラ
ンのアミ７基に自に位しており、刀りｊ熱丁々と、ケイ
、ＡＶｃ：ｉ！１１すめメチル基の氷菓により２価のパ
ラジウムは還元式看、て金塊パラジウムｒ生成′Ｔる。
力１！熱自朋はセリえは、５０〜２００℃が好址しく、
アミノシランの種類により適温が決められ６゜ 本発明の使用例を説明丁ゐ、錯化合物１更用蓄はＰ胎イ
で１１％以下が好れい。
アミノシランの種類により適温が決められ６゜ 本発明の使用例を説明丁ゐ、錯化合物１更用蓄はＰ胎イ
で１１％以下が好れい。
（リ 錯化合物？宮む水浴液中に被めっさ９勿を陵前し
引き上げ、加熱することにより被めっきｑ９／Ｊ表面に
金−パラジウムケ生ｂｋさぞゐ〇（２）娼化合？ ｆｆ
ｉ％ ゴムーフェノール糸轡の接眉削中に分散し、この
接眉剤？ガラス布ｅ（工示キシ紫言浸した積層板狭量に
塗布し、加熱乾燥する段ｒａで金用パラジウムｒ止成さ
ぜめ。
引き上げ、加熱することにより被めっきｑ９／Ｊ表面に
金−パラジウムケ生ｂｋさぞゐ〇（２）娼化合？ ｆｆ
ｉ％ ゴムーフェノール糸轡の接眉削中に分散し、この
接眉剤？ガラス布ｅ（工示キシ紫言浸した積層板狭量に
塗布し、加熱乾燥する段ｒａで金用パラジウムｒ止成さ
ぜめ。
（５）錯化合１右エポキシ佃脂のアセトン浴数中に分散
させにワニス紮ガラス布等の基材に含績さぜ、通常の方
法により積層８７オ製盾丁ゐと、ブリグレグの乾燥時、
積層板のカロ熱加圧時の点にニジ金属パラジウムが生成
下ゐ。
させにワニス紮ガラス布等の基材に含績さぜ、通常の方
法により積層８７オ製盾丁ゐと、ブリグレグの乾燥時、
積層板のカロ熱加圧時の点にニジ金属パラジウムが生成
下ゐ。
（４）錯化合物？、ポリエステル切側の有伽浴剤溶赦申
に分散させ、流処江でフィルム７つぐゐＯＭ機ｍ剤の加
熱除去中の加熱により曾緬５− パラジウムが生成下ゐ〇 （５）錯化合物ｒ１ポリイミドのテトラビトロフラン溶
液中に分散６ゼ％銅線に僅番する０焼き付は時の熱ＶＣ
ｊ！ｌｌ金輌パラジウムが生成し触媒性？壱丁杷縁電線
が侍らｎ、る〇 以上ｍｓ２明したように１本発明の方法でｅゴ次のオ０
点が達ぜらｎ、ゐＣ （１）生成下ゐ金塊パラジウムの粒子が帷かい１こめ、
侍らｎた無電解めっきり特性が梗れゐ。
に分散させ、流処江でフィルム７つぐゐＯＭ機ｍ剤の加
熱除去中の加熱により曾緬５− パラジウムが生成下ゐ〇 （５）錯化合物ｒ１ポリイミドのテトラビトロフラン溶
液中に分散６ゼ％銅線に僅番する０焼き付は時の熱ＶＣ
ｊ！ｌｌ金輌パラジウムが生成し触媒性？壱丁杷縁電線
が侍らｎ、る〇 以上ｍｓ２明したように１本発明の方法でｅゴ次のオ０
点が達ぜらｎ、ゐＣ （１）生成下ゐ金塊パラジウムの粒子が帷かい１こめ、
侍らｎた無電解めっきり特性が梗れゐ。
（２）硅渫土咎の担体？使用しないですむので。
浴液中での使用が可能であり、均一υも合□□□５答易
０ （５） Ｓｎ、Ｃ６等の不純物ケ宮まないため、侍ら１
１゜ｆ？：、無電解めっきの特性が良い。
０ （５） Ｓｎ、Ｃ６等の不純物ケ宮まないため、侍ら１
１゜ｆ？：、無電解めっきの特性が良い。
６−
丁−糸ダト 、１山 夕Ｉ丁二 μ、１−１１７拝１１
５８４目冒１願第１４４６３９１；；２、発明の名称 （東７１搗１゛！同めっきに女・ｊ′Ｊ“る／占１（Ｆ
１ヒ法（（、捕ＩＬ全するＪｊｒ 事１′１との閂に ７１，１許出願人 １１所 抹弓砧１帝「宿区西新宿ニーＩ旧１蛋１号ン）
、、ｆｔｊ、（４，Ｉ５ ） ［１，ｉ７１し成上４こ
（ｊｌ、式会ン１代表り描山亮次 ４、（（Ｊ甲ノＮ ■ｔｒｉ（１ １、ｌ：所 東巾都わｉ宿区西新宿−丁１」１番１゛・
３１−１立イレ戊工業株式会社内 （電話 東京 ３４６３１＋１ （人１し表）６、補ｉ
「の内容 別紙の通り。
５８４目冒１願第１４４６３９１；；２、発明の名称 （東７１搗１゛！同めっきに女・ｊ′Ｊ“る／占１（Ｆ
１ヒ法（（、捕ＩＬ全するＪｊｒ 事１′１との閂に ７１，１許出願人 １１所 抹弓砧１帝「宿区西新宿ニーＩ旧１蛋１号ン）
、、ｆｔｊ、（４，Ｉ５ ） ［１，ｉ７１し成上４こ
（ｊｌ、式会ン１代表り描山亮次 ４、（（Ｊ甲ノＮ ■ｔｒｉ（１ １、ｌ：所 東巾都わｉ宿区西新宿−丁１」１番１゛・
３１−１立イレ戊工業株式会社内 （電話 東京 ３４６３１＋１ （人１し表）６、補ｉ
「の内容 別紙の通り。
明 細 晋
１、発明の名称
無電′Ｍ鋼めっきに対する活性化法
２、待１ｔｔＡ求の範囲
１．２１曲のパラジウム化合物又は１１曲、２ｆｌｌｔ
ｌの餉化合物盆アミノシランと反応δせた錯化合物を加
熱し金属パラジウム又は金塊銅を生成させること紫付似
とする無電解銅めっきに対丁ゐ粘性化法。
ｌの餉化合物盆アミノシランと反応δせた錯化合物を加
熱し金属パラジウム又は金塊銅を生成させること紫付似
とする無電解銅めっきに対丁ゐ粘性化法。
５、発明の吐水＋＋ ’１１祝明
本発明げ、無電解銅めっさくＶ対重ゐ活性化法に関する
〇 無′１１゜厨銅めっき１丁、印刷配線板の分封で、槓層
板寺のＩＰ２線基板基板路？形成するために広く用いら
れている。
〇 無′１１゜厨銅めっき１丁、印刷配線板の分封で、槓層
板寺のＩＰ２線基板基板路？形成するために広く用いら
れている。
この場合、結縁基板の無電所鋼めっきが施さ扛る囲は活
性化、すなわち無電解銅めっきのための触媒核が形成さ
！Ｌゐ０この触媒核ン中心（ｆＣして、無′成解銅めっ
き欣中ＱＪ鋼イオンが析出し。
性化、すなわち無電解銅めっきのための触媒核が形成さ
！Ｌゐ０この触媒核ン中心（ｆＣして、無′成解銅めっ
き欣中ＱＪ鋼イオンが析出し。
成長して銅膜となり１回路となる。
１−
絶縁？！Ｉ（仮ケ油性化するために、無電斥０１０」め
っきのための触媒となる金属パラジウム又は金属！ｌｌ
１ｔ絶縁基板表１川に形成させている。
っきのための触媒となる金属パラジウム又は金属！ｌｌ
１ｔ絶縁基板表１川に形成させている。
従来、ヤ１ｊえはこの金橋パラジウムはＨＣ＃
ＰｄＣ６ｇ ＋５ｎＣ６，−→Ｐｄ ＋ ５ｎＣ１４の
反応″ｔ″侍らＩしており、砂礫土などの担体Ｖｃ担持
され、触媒作用τ米子よりＶＣ工夫び扛ている。
反応″ｔ″侍らＩしており、砂礫土などの担体Ｖｃ担持
され、触媒作用τ米子よりＶＣ工夫び扛ている。
そのため、Ｓｎ、Ｃｌｆｔどの不純ｖ！Ｊτ多（汀む９
えに、担体ｒ使用するため、埃増剤に混入し、アディテ
ィブ印刷配線板用の埃有削（触媒人ジ）何種層板τ製逍
する。＠付、ヤシ、ねじ７’Ｌが発生し、絶縁性に難点
があり、父、絶縁電線の側縁層中に混入丁ゐことは困好
でめった。
えに、担体ｒ使用するため、埃増剤に混入し、アディテ
ィブ印刷配線板用の埃有削（触媒人ジ）何種層板τ製逍
する。＠付、ヤシ、ねじ７’Ｌが発生し、絶縁性に難点
があり、父、絶縁電線の側縁層中に混入丁ゐことは困好
でめった。
本つ自明にこのような点に録砂てな葛ｎだもので、２価
のパラジウム化合物又は１１１ＩＩ１１２＠Ｉ′ｌの銅
化付物τアミノシランと反応させた錯化合物才力０熱１
７金属パラジウム又は金塊鋼γ生成させろことτ％余と
する無電解銅めつきＶ（対する活性化法でお６゜ ２１１１Ｉｌのパラジウム化合物としては、環化バ２２
− ジウム（ｎ） ｈ フッ化パラジウム（”）ｈ臭化パラ
ジウム（ＩＩ） ｂ ヨウ化パラジウム（川、硝酸パラ
ジウム（１υ、硫酸パラジウムＩＩＩＫ ｍ化パラジウ
ム（Ｕ）、硫化パラジウム（川及び、こ７ｔらの混曾物
が使用芒扛る〇ハロゲン化物５時Ｖｃ編化パ２ジウム（
■１）が好址しい。ＩＩ［ｉｌｌ、２１１ｉｌ＋の銅化
合物としては、塩化銅（１）。
のパラジウム化合物又は１１１ＩＩ１１２＠Ｉ′ｌの銅
化付物τアミノシランと反応させた錯化合物才力０熱１
７金属パラジウム又は金塊鋼γ生成させろことτ％余と
する無電解銅めつきＶ（対する活性化法でお６゜ ２１１１Ｉｌのパラジウム化合物としては、環化バ２２
− ジウム（ｎ） ｈ フッ化パラジウム（”）ｈ臭化パラ
ジウム（ＩＩ） ｂ ヨウ化パラジウム（川、硝酸パラ
ジウム（１υ、硫酸パラジウムＩＩＩＫ ｍ化パラジウ
ム（Ｕ）、硫化パラジウム（川及び、こ７ｔらの混曾物
が使用芒扛る〇ハロゲン化物５時Ｖｃ編化パ２ジウム（
■１）が好址しい。ＩＩ［ｉｌｌ、２１１ｉｌ＋の銅化
合物としては、塩化銅（１）。
塩化銅（ｎ） ｈ健厳銅（ＩＩ）及びこ７ｔらの混せ物
が使用さｆｌ、６゜ アミノシランとしてニ、聰化パラジウム（ＩＩ）％の２
価のパラジウム化付物等と錯体忙形成する、アミノ基、
イミノ基忙自−シ、７ｊ１つ、２１曲のパラジウム寺τ
金橘パラジウム寺に還元する二Ｓｓ ＣＨｓ４ン有丁も
のが使用は扛る。このようなアミノシランとしてｆｌＴ
ｈ３−（２−アミノエテルアミノプロビル）ジメトキシ
エチルシラン、５−（２−アミノエテルアミノプロビル
）メトキシジエチルシラン、５−（２−アミノエテルア
ミノプロビル）トリエナルシラン、ビス（エチルアミン
）ジメチルシラン、ビス（ブチルアミノ）ジメチルシラ
ン、ヘキサメテルジシ３− ラザン、Ｎ、Ｎ−ヒストリメチルシリルウレア、１．１
．３．３．５．５へキザメナルシクロトリシラザン、１
、１．３．５． ｂ、 ５．７．７オクタメテルシクロ
テトラシラザン、アミノメチルトリメナル７ラン、ブナ
ルアミノメチルトリメナルシラン、イングロビルアεツ
メナルトリメナル７ラン、２−アミンエナルアミノメテ
ルジメチルフェニルシラン、１．６ビス（２アミノエチ
ルアミンメチル） １．１゜６．３テトラメテルジシロ
キザン及びこ７１らの九台９勿声ある０２１曲のパラジ
ウム化付戦Ｊビアミノシシンと反応さゼて飴化付吻忙狗
ゐｖｃｅ〕ｂ ？０λば、５−（２−アミツェナルアば
ノブロビル）ジメトギシメテルンンンＬ１．５ ｃｃ
ｖｃメタノール０゜５ ｅＣｋ ）ＪＤ ＊、ｙ Ｖｃ
ｔＨ化パラジウム（ＩＩ） ’ｚ刀１１χ２０分ｍ１振
とうすることにより１々すらｔするＯＣの錯化合４Ｈ”
Ｉｋ １［４０℃の加熱で童−パラジウムτ生域丁／：
）０ 得られた銘化餐物で６、堝化ノ・ラジウム（１１）はア
ミノシランのアミン基に配位しており、加熱すると、ク
イ索に近沫丁ゐメチル基の水系ＶＣより ２ ’ｌｉ＋
１のパラジウムげ還元芒扛で金槙パラジウム宕ご生成す
る。
が使用さｆｌ、６゜ アミノシランとしてニ、聰化パラジウム（ＩＩ）％の２
価のパラジウム化付物等と錯体忙形成する、アミノ基、
イミノ基忙自−シ、７ｊ１つ、２１曲のパラジウム寺τ
金橘パラジウム寺に還元する二Ｓｓ ＣＨｓ４ン有丁も
のが使用は扛る。このようなアミノシランとしてｆｌＴ
ｈ３−（２−アミノエテルアミノプロビル）ジメトキシ
エチルシラン、５−（２−アミノエテルアミノプロビル
）メトキシジエチルシラン、５−（２−アミノエテルア
ミノプロビル）トリエナルシラン、ビス（エチルアミン
）ジメチルシラン、ビス（ブチルアミノ）ジメチルシラ
ン、ヘキサメテルジシ３− ラザン、Ｎ、Ｎ−ヒストリメチルシリルウレア、１．１
．３．３．５．５へキザメナルシクロトリシラザン、１
、１．３．５． ｂ、 ５．７．７オクタメテルシクロ
テトラシラザン、アミノメチルトリメナル７ラン、ブナ
ルアミノメチルトリメナルシラン、イングロビルアεツ
メナルトリメナル７ラン、２−アミンエナルアミノメテ
ルジメチルフェニルシラン、１．６ビス（２アミノエチ
ルアミンメチル） １．１゜６．３テトラメテルジシロ
キザン及びこ７１らの九台９勿声ある０２１曲のパラジ
ウム化付戦Ｊビアミノシシンと反応さゼて飴化付吻忙狗
ゐｖｃｅ〕ｂ ？０λば、５−（２−アミツェナルアば
ノブロビル）ジメトギシメテルンンンＬ１．５ ｃｃ
ｖｃメタノール０゜５ ｅＣｋ ）ＪＤ ＊、ｙ Ｖｃ
ｔＨ化パラジウム（ＩＩ） ’ｚ刀１１χ２０分ｍ１振
とうすることにより１々すらｔするＯＣの錯化合４Ｈ”
Ｉｋ １［４０℃の加熱で童−パラジウムτ生域丁／：
）０ 得られた銘化餐物で６、堝化ノ・ラジウム（１１）はア
ミノシランのアミン基に配位しており、加熱すると、ク
イ索に近沫丁ゐメチル基の水系ＶＣより ２ ’ｌｉ＋
１のパラジウムげ還元芒扛で金槙パラジウム宕ご生成す
る。
ス用熱ｎ品林し乞１例〉３ 乞Ｊ：、ｂｏ 〜 ２００
℃スハ好ｌ しぐ、アミノシランの抽月により３Ｍｉ
錦が決めら扛０ 本発明の使用νすｒ隨、明する、錯化合物１史用珈Ｄ
）’ｄ 、Ｃｕ ｈ１″ｃ１ ｌｉ背δ以下が好逢しい
。
℃スハ好ｌ しぐ、アミノシランの抽月により３Ｍｉ
錦が決めら扛０ 本発明の使用νすｒ隨、明する、錯化合物１史用珈Ｄ
）’ｄ 、Ｃｕ ｈ１″ｃ１ ｌｉ背δ以下が好逢しい
。
（１）鰯化合９勿ン宮（、ｒ水浴液中に板めっき物２反
藺し引き上Ｇす、力［１熱丁ゐことＶＣまり級めっき物
表田ｌに金用パラジウム又を１金橋鋼忙生成さ→ｒる０ （２）鉛化合物τ、ゴムーフェノール糸等のｆＪ） ｙ
ａ罰十に分散し、この接７Ｍｊｌｌτガラスイアｉ Ｖ
ＣＣエキシを含反しに績Ｊ曽１反衣Ｉ＝に堕布し、力１
１熱乾床する段階で釜隋パラジウム又は金為銅τ生成ち
せ、６゜ （５）■員化廿吻τ、エポキシ１立」月１１のアセトン
層成中に分散さぜにワニスγカラス布寺の牟拐に宮反さ
せ１通常の方法Ｖ（より槓廣板ケ製造丁ゐと、プリプレ
グの乾燥時、積層板の〃１熱加圧時の熱により金楓パラ
ジワム又は金属鋼が生我丁ゐ〇 （４）錯化合物τ、ポリエステル樹脂の有磯浴創浴准中
に分散させ、派処法でフィルムｒつくる。有慎俗卸」の
力Ｉ］熟熱除去中加熱Ｋ Ｊ：り金槙パラジウム又は金
属鋼が生成する○ （５）錯化合物ｒ、ポリイミドのテトラビトロフラン浴
液中に分散させ、組繊に板抜する。焼き付は時の熱ＶＣ
より金橋パラジウム又０金属銅か生成し触媒性盆竹丁絶
縁電祢か侍られゐ。
藺し引き上Ｇす、力［１熱丁ゐことＶＣまり級めっき物
表田ｌに金用パラジウム又を１金橋鋼忙生成さ→ｒる０ （２）鉛化合物τ、ゴムーフェノール糸等のｆＪ） ｙ
ａ罰十に分散し、この接７Ｍｊｌｌτガラスイアｉ Ｖ
ＣＣエキシを含反しに績Ｊ曽１反衣Ｉ＝に堕布し、力１
１熱乾床する段階で釜隋パラジウム又は金為銅τ生成ち
せ、６゜ （５）■員化廿吻τ、エポキシ１立」月１１のアセトン
層成中に分散さぜにワニスγカラス布寺の牟拐に宮反さ
せ１通常の方法Ｖ（より槓廣板ケ製造丁ゐと、プリプレ
グの乾燥時、積層板の〃１熱加圧時の熱により金楓パラ
ジワム又は金属鋼が生我丁ゐ〇 （４）錯化合物τ、ポリエステル樹脂の有磯浴創浴准中
に分散させ、派処法でフィルムｒつくる。有慎俗卸」の
力Ｉ］熟熱除去中加熱Ｋ Ｊ：り金槙パラジウム又は金
属鋼が生成する○ （５）錯化合物ｒ、ポリイミドのテトラビトロフラン浴
液中に分散させ、組繊に板抜する。焼き付は時の熱ＶＣ
より金橋パラジウム又０金属銅か生成し触媒性盆竹丁絶
縁電祢か侍られゐ。
以上説明したようＶｃ１不発明の方法ではθ（の利点が
達ぜらｎる〇 （１）生成する金極パラジウム又は金ｐＡ銅の粒子が軸
かいため、得らｎだ無遇胴、めっきの特性か優れる。
達ぜらｎる〇 （１）生成する金極パラジウム又は金ｐＡ銅の粒子が軸
かいため、得らｎだ無遇胴、めっきの特性か優れる。
（２）硅礫土等の担体を使用しないで丁むりで、浴液中
での使用が可１しでりり、拘−混合か容易。
での使用が可１しでりり、拘−混合か容易。
（３Ｊ Ｓｎ、（Ｊ等の不純物τ宮葦ないため、侍らｇ
た無′１解めつきの特性か良い。
た無′１解めつきの特性か良い。
Claims (1)
- １．２１曲のパラジウム化合物又は１価、２愉の紳り化
合物？アミノシランと反応させた錯化合物ケカｌ［黙し
金にパラジウム化合物さゼることケ待似と丁ゐ無電解鋼
めっきＶＣＣ１４活性化法０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14463983A JPS6036673A (ja) | 1983-08-08 | 1983-08-08 | 無電解銅めつきに対する活性化法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14463983A JPS6036673A (ja) | 1983-08-08 | 1983-08-08 | 無電解銅めつきに対する活性化法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6036673A true JPS6036673A (ja) | 1985-02-25 |
Family
ID=15366733
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14463983A Pending JPS6036673A (ja) | 1983-08-08 | 1983-08-08 | 無電解銅めつきに対する活性化法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6036673A (ja) |
-
1983
- 1983-08-08 JP JP14463983A patent/JPS6036673A/ja active Pending
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