JPS6032370A - 燐化インジウムショットキ障壁半導体装置 - Google Patents
燐化インジウムショットキ障壁半導体装置Info
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- JPS6032370A JPS6032370A JP14300583A JP14300583A JPS6032370A JP S6032370 A JPS6032370 A JP S6032370A JP 14300583 A JP14300583 A JP 14300583A JP 14300583 A JP14300583 A JP 14300583A JP S6032370 A JPS6032370 A JP S6032370A
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- semiconductor device
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/872—Schottky diodes
-
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- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/47—Schottky barrier electrodes
- H01L29/475—Schottky barrier electrodes on AIII-BV compounds
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はｎ型燐化インジウム（以下ｎ −ＩｎＰと略す
）を用いたショットキ障壁型ダイオード及びショットキ
障壁型電界効果トランジスタに関する。
）を用いたショットキ障壁型ダイオード及びショットキ
障壁型電界効果トランジスタに関する。
ショットキ障壁を有する半導体装置は、多数キャリヤの
み関与し、少数キャリヤの寿命に関係しないため、高速
スイッチングダイオード、マイクロ波ダイオード、高周
波用電界効果トランジスタ等に用いられている。
み関与し、少数キャリヤの寿命に関係しないため、高速
スイッチングダイオード、マイクロ波ダイオード、高周
波用電界効果トランジスタ等に用いられている。
ｎ−ＩｎＰ層は材料的に電子の飽和速度が大きく高速、
高周波半導体装置として有望な材料がある０ｎ−ＩｎＰ
のショットキ障壁を形成する金属としてＡｕ、Ａｇ、Ａ
ｔ、 Ｃ１，Ｎｉ等が用いられているが、電位障壁が低
くショットキ障壁ダイオード等に用いた場合逆方向電流
が大きいという欠点がある。
高周波半導体装置として有望な材料がある０ｎ−ＩｎＰ
のショットキ障壁を形成する金属としてＡｕ、Ａｇ、Ａ
ｔ、 Ｃ１，Ｎｉ等が用いられているが、電位障壁が低
くショットキ障壁ダイオード等に用いた場合逆方向電流
が大きいという欠点がある。
電位障壁を高くするため酸化膜を介在せしめる方法があ
るが、酸化膜とｎ−ＩｎＰとの界面近傍にトラップ準位
を形成し、電界効果トランジスタのショットキ障壁ゲー
トとして用いると相互コンダクタンス減少する等の問題
がある。
るが、酸化膜とｎ−ＩｎＰとの界面近傍にトラップ準位
を形成し、電界効果トランジスタのショットキ障壁ゲー
トとして用いると相互コンダクタンス減少する等の問題
がある。
発明の目的
本発明は上記の様な問題に鑑み、電位障壁の高いｎ−Ｉ
ｎＰシジットキ障壁半導体装置を提供することを目的と
する。
ｎＰシジットキ障壁半導体装置を提供することを目的と
する。
発明の構成
本発明はｎ−ｒｎＰ結晶として少なくとも表面近傍の化
学量論的組成比がＩｎの多い結晶を用いることにより電
位障壁の高いｎ−ＩｎＰショットキ障壁型半導体装置を
提供するものである。
学量論的組成比がＩｎの多い結晶を用いることにより電
位障壁の高いｎ−ＩｎＰショットキ障壁型半導体装置を
提供するものである。
実施例の説明
本発明の一実施例としてショットキ障壁型ダイオードに
ついて図を用いて説明する。
ついて図を用いて説明する。
図は本発明の一実施例のショットキ障壁型ダイオードの
構造を示す断面図である。
構造を示す断面図である。
高濃度ｎ型ＩｎＰ基板１にエヒリキシャル法を用いてキ
ャリヤ濃度約１０１７ｃｍ’、厚み０．３μｍのｎ型Ｉ
ｎＰ層２を形成する。この層２の形成された結晶基板１
を別体のインジウム、ＩｎＰ 結晶と共に石英アンプル
に挿入し、真空度約１Ｏ−５Ｔｏｒｒにした後石英アン
プルを封止し、前記結晶基板、ＩｎＰ結晶を６００℃に
保ち、Ｉｎの部分を８００℃に保って３時間熱処理する
。
ャリヤ濃度約１０１７ｃｍ’、厚み０．３μｍのｎ型Ｉ
ｎＰ層２を形成する。この層２の形成された結晶基板１
を別体のインジウム、ＩｎＰ 結晶と共に石英アンプル
に挿入し、真空度約１Ｏ−５Ｔｏｒｒにした後石英アン
プルを封止し、前記結晶基板、ＩｎＰ結晶を６００℃に
保ち、Ｉｎの部分を８００℃に保って３時間熱処理する
。
この工程によりｎ−ＩｎＰ層２の表面近傍に化学量論的
組成比がＩｎの多いｎ−ＩｎＰ領域３が形成される。こ
の領域３に昼いて、原子吸光法で測定したＩｎの量は原
子濃度比で５１％であった。この表面に窒化シリコン４
を形成し、高濃度ｎ型ＩｎＰ基板１の裏面にはＡｕ−Ｇ
ｅからなるオーミック電極５を形成する。窒化シリコン
４の一部に写真食刻法を用いて開孔部を形成し、露出し
たｎ型ＩｎＰ領域３の表面を化学処理で清浄にし、真空
蒸着法でＡｕを蒸着し、ショットキ電極６を形成する。
組成比がＩｎの多いｎ−ＩｎＰ領域３が形成される。こ
の領域３に昼いて、原子吸光法で測定したＩｎの量は原
子濃度比で５１％であった。この表面に窒化シリコン４
を形成し、高濃度ｎ型ＩｎＰ基板１の裏面にはＡｕ−Ｇ
ｅからなるオーミック電極５を形成する。窒化シリコン
４の一部に写真食刻法を用いて開孔部を形成し、露出し
たｎ型ＩｎＰ領域３の表面を化学処理で清浄にし、真空
蒸着法でＡｕを蒸着し、ショットキ電極６を形成する。
ンヨットキ障壁はｎ型ＩｎＰ領域３とショットキ電極６
の界面に形成される。
の界面に形成される。
電流−電圧特性からめたショットキ特性は理想係数ｎ＝
１．１．電位障壁φＢ ＝０．６１ ｅＶ 、逆方向電
流は印加電圧５ｖで約５Ｘ１０ Ａであった。
１．１．電位障壁φＢ ＝０．６１ ｅＶ 、逆方向電
流は印加電圧５ｖで約５Ｘ１０ Ａであった。
一方ｎ型ＩｎＰをＩｎを含む雰囲気中で熱処理し々い場
合のショットキ特性は、理想係数ｎ＝１．１゜電位障壁
φＢ ：０．５０ Ｖ 、逆方向電流は印加電圧５Ｖで
約１ＯＡであった。理想係数は従来例と本発明で変らな
いが、本発明を用いることで電位障壁が高くなりそれに
伴い逆方向電流が減少する〇化学量論的組成比がＩｎの
多いｎ−ＩｎＰ結晶表面にショットキ障壁を形成するこ
とでショットキ特性が改善される理由は明らかでないが
、ｎ −１ｎＰ結晶表面近傍にＩｎの空孔の発生が抑制
され、それによりショットキ特性が改善されると推測し
ている。
合のショットキ特性は、理想係数ｎ＝１．１゜電位障壁
φＢ ：０．５０ Ｖ 、逆方向電流は印加電圧５Ｖで
約１ＯＡであった。理想係数は従来例と本発明で変らな
いが、本発明を用いることで電位障壁が高くなりそれに
伴い逆方向電流が減少する〇化学量論的組成比がＩｎの
多いｎ−ＩｎＰ結晶表面にショットキ障壁を形成するこ
とでショットキ特性が改善される理由は明らかでないが
、ｎ −１ｎＰ結晶表面近傍にＩｎの空孔の発生が抑制
され、それによりショットキ特性が改善されると推測し
ている。
なお、実施例では化学量論的組成比がＩｎの多いｎ−Ｉ
ｎＰ結晶を得るためＩｎ雰囲気中で熱処理する方法を用
いたが、ＩｎＰ結晶を成長する際Ｉｎの量を化学量論的
組成比より多い原料を用いて成長させても良いし又エピ
タクシャル成長法を用いても良い。捷だ、実施例ではシ
ョットキ障壁型ダイオードで説明したが、本発明は電界
効果トランジスタ、集積回路に用いても良いことは勿論
である。
ｎＰ結晶を得るためＩｎ雰囲気中で熱処理する方法を用
いたが、ＩｎＰ結晶を成長する際Ｉｎの量を化学量論的
組成比より多い原料を用いて成長させても良いし又エピ
タクシャル成長法を用いても良い。捷だ、実施例ではシ
ョットキ障壁型ダイオードで説明したが、本発明は電界
効果トランジスタ、集積回路に用いても良いことは勿論
である。
発明の詳細
な説明したように本発明は少なくとも表面近傍の化学量
論的組成比がインジウムの多いｎ−ＩｎＰ結晶を用いる
ことで７ヨツトキ障壁の特性を改善せしめることが出来
、その工業的価値は犬なるものである。
論的組成比がインジウムの多いｎ−ＩｎＰ結晶を用いる
ことで７ヨツトキ障壁の特性を改善せしめることが出来
、その工業的価値は犬なるものである。
図は本発明の一実施例である’／−ｘソトキ障壁型ダイ
オードの断面構造図である０
オードの断面構造図である０
Claims (2)
- （１）少なくとも表面近傍の化学量論的組成比がインジ
ウムの多いｎ型燐化インジウム結晶表面に金属層を設け
、前記金属層と前記ｎ型燐化インジウム結晶との界面に
ショットキ障壁を形成せしめたことを特徴とする燐化イ
ンジウムショットキ障壁型半導体装置。 - （２）インジウムの多いｎ型燐化インジウムＭ！７％、
インジウムを含む雰囲気中で熱処理して形成されたもの
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の燐
化インジウムショットキ障壁零半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14300583A JPS6032370A (ja) | 1983-08-03 | 1983-08-03 | 燐化インジウムショットキ障壁半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14300583A JPS6032370A (ja) | 1983-08-03 | 1983-08-03 | 燐化インジウムショットキ障壁半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6032370A true JPS6032370A (ja) | 1985-02-19 |
Family
ID=15328732
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14300583A Pending JPS6032370A (ja) | 1983-08-03 | 1983-08-03 | 燐化インジウムショットキ障壁半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6032370A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1989006863A1 (en) * | 1988-01-25 | 1989-07-27 | Nippon Mining Co., Ltd. | Method of producing semiconductor devices |
| WO2000068982A1 (en) * | 1999-05-05 | 2000-11-16 | Hrl Laboratories, Llc. | Fabrication of ohmic contacts to inp using non- stoichiometric inp layers |
-
1983
- 1983-08-03 JP JP14300583A patent/JPS6032370A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1989006863A1 (en) * | 1988-01-25 | 1989-07-27 | Nippon Mining Co., Ltd. | Method of producing semiconductor devices |
| WO2000068982A1 (en) * | 1999-05-05 | 2000-11-16 | Hrl Laboratories, Llc. | Fabrication of ohmic contacts to inp using non- stoichiometric inp layers |
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