JPS6031100B2 - 装置の製造方法 - Google Patents
装置の製造方法Info
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- JPS6031100B2 JPS6031100B2 JP52076682A JP7668277A JPS6031100B2 JP S6031100 B2 JPS6031100 B2 JP S6031100B2 JP 52076682 A JP52076682 A JP 52076682A JP 7668277 A JP7668277 A JP 7668277A JP S6031100 B2 JPS6031100 B2 JP S6031100B2
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
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- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
- H01L21/32131—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by physical means only
- H01L21/32132—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by physical means only of silicon-containing layers
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はエッチすべき本体表面の部分をホトラツカーマ
スクで被覆し、マスクにより被覆されていない表面部分
を、所望寸法のエッチングパターンが得られる様にガス
雰囲気中低圧力下に維持するプラズマ中でエッチするエ
ッチング処理を本体に行なうことにより成る装置の製造
方法に関するものである。
スクで被覆し、マスクにより被覆されていない表面部分
を、所望寸法のエッチングパターンが得られる様にガス
雰囲気中低圧力下に維持するプラズマ中でエッチするエ
ッチング処理を本体に行なうことにより成る装置の製造
方法に関するものである。
上記種類に属する方法は米国特許第３，７９５，５５７
号に記載され、例えば半導体装置の製造に便用される。
号に記載され、例えば半導体装置の製造に便用される。
液体煤質中のエッチングと比較してプラズマーヱッチン
グ法の利点は、マスクの縁部の下の本体のアンダーエッ
チング、従ってアンダーエッチングにより決定されるエ
ッチングプロフィルの変化が避けられることである。ア
ンダーエッチングを必要としないプラズマ−エッチング
法並びに円形エッチングプロフィルが生ずる液中エッチ
ングにおいてエッチングプロフイルは上縁部において直
角を示す場合がある。
グ法の利点は、マスクの縁部の下の本体のアンダーエッ
チング、従ってアンダーエッチングにより決定されるエ
ッチングプロフィルの変化が避けられることである。ア
ンダーエッチングを必要としないプラズマ−エッチング
法並びに円形エッチングプロフィルが生ずる液中エッチ
ングにおいてエッチングプロフイルは上縁部において直
角を示す場合がある。
エッチングパターンの上緑部における直角の形成は、次
に例えば導体を形成しなくてはならない層を得る際、鋭
い側部でしや断等がおこり得る欠点を有する。本発明の
目的は少くともかなりの範囲まで上記欠点を回避せんと
するにある。
に例えば導体を形成しなくてはならない層を得る際、鋭
い側部でしや断等がおこり得る欠点を有する。本発明の
目的は少くともかなりの範囲まで上記欠点を回避せんと
するにある。
本発明は特に、プラズマエッチング法においてエッチン
グマスクがエッチすべき本体よりマスクの孔から一層迅
速にエッチされる場合に、均一に傾斜した側部のエッチ
ングパターンを得ることができるという考えに基づく。
グマスクがエッチすべき本体よりマスクの孔から一層迅
速にエッチされる場合に、均一に傾斜した側部のエッチ
ングパターンを得ることができるという考えに基づく。
従って上記方法は、本発明において、ホトラッカーマス
クで被覆すべき表面部分の寸法を、得んとするパターン
の所望寸法より均一な細条の幅だけ大にするように選定
すること、プラズマエッチングが行われる反応条件はホ
トラッカーマスクがプラズマにより本体の表面の未被覆
部分より横方向において一層迅速にエッチされるように
選定すること、およびエッチングをエッチングパターン
の所望寸法が達成されるまで継続することを特徴とする
。本発明の方法により得られるエッチングプロフィルは
エッチングパターンの縁部で直角を有せぬが、表面とエ
ッチングプロフィルの傾斜側部を形成する角ばの正弦は
本体のエッチング速度とマスクの横方向エッチング速度
の比に等しいことが証明される。
クで被覆すべき表面部分の寸法を、得んとするパターン
の所望寸法より均一な細条の幅だけ大にするように選定
すること、プラズマエッチングが行われる反応条件はホ
トラッカーマスクがプラズマにより本体の表面の未被覆
部分より横方向において一層迅速にエッチされるように
選定すること、およびエッチングをエッチングパターン
の所望寸法が達成されるまで継続することを特徴とする
。本発明の方法により得られるエッチングプロフィルは
エッチングパターンの縁部で直角を有せぬが、表面とエ
ッチングプロフィルの傾斜側部を形成する角ばの正弦は
本体のエッチング速度とマスクの横方向エッチング速度
の比に等しいことが証明される。
表面における最後に挙げた角は比較的迅速に調整され、
傾斜したエッチングプ。
傾斜したエッチングプ。
フィルは下方で円形に変化することを見出した。本体の
層を下部の基体に関して選択的にエッチする場合に、層
のエッチング後の傾斜したプロフィルは層の厚さ貝０ち
真直ぐに傾斜したプロフィルは、第２図、第３図、第４
図に示す順に表面５から層４全体に次第に形成される。
層を下部の基体に関して選択的にエッチする場合に、層
のエッチング後の傾斜したプロフィルは層の厚さ貝０ち
真直ぐに傾斜したプロフィルは、第２図、第３図、第４
図に示す順に表面５から層４全体に次第に形成される。
この傾斜したプロフィルが第４図に示すように層全体に
生長しＥ点に達すると、ｂ＝Ｄ・ｔａｎＱであることが
わかる。また傾斜したプロフィルは層全体に画成される
とその形状を保持するので、ｂはＤ・ねｎＱより大とす
ることができる。エッチング処理中ホトラッカーは、第
４図からわかるように表面５においてＦから日まで除去
される。
生長しＥ点に達すると、ｂ＝Ｄ・ｔａｎＱであることが
わかる。また傾斜したプロフィルは層全体に画成される
とその形状を保持するので、ｂはＤ・ねｎＱより大とす
ることができる。エッチング処理中ホトラッカーは、第
４図からわかるように表面５においてＦから日まで除去
される。
Ｆから日までの距離ＦＨ＝ＦＫ十ＫＨ＝Ｄ・ねｎＱ十Ｄ
‐ＣｏｔＱ＝司窯；である。マスクは等方的にエッチさ
れるので、これは傾斜したプロフイルがエッチすべき層
全体に生ずるために最小必要なホトラツカーマスクの厚
さである。エッチング層における所望寸法はェッチした
層のベースにおける寸法を意味するものとする。
‐ＣｏｔＱ＝司窯；である。マスクは等方的にエッチさ
れるので、これは傾斜したプロフイルがエッチすべき層
全体に生ずるために最小必要なホトラツカーマスクの厚
さである。エッチング層における所望寸法はェッチした
層のベースにおける寸法を意味するものとする。
本体の厚さＤの層を下部の基体に関して選択的にエッチ
する上記場合において上記細条の幅ｂはＤ・ｔａｎＱに
少くとも等しい様に選定するのが好ましい。最後に挙げ
た条件は本発明の方法を上記利点を維持し乍ら最小のエ
ッチング時間で実施し得る紬条の幅を示す。
する上記場合において上記細条の幅ｂはＤ・ｔａｎＱに
少くとも等しい様に選定するのが好ましい。最後に挙げ
た条件は本発明の方法を上記利点を維持し乍ら最小のエ
ッチング時間で実施し得る紬条の幅を示す。
このことによりエッチングプロフィル全体に亘りほぼ一
定の傾斜が確保される。エッチング処理の終了前ホトラ
ッカーの層はエッチされないことは明らかである。
定の傾斜が確保される。エッチング処理の終了前ホトラ
ッカーの層はエッチされないことは明らかである。
ホトラッカーマスクの厚さｄはエッチされるべき層の厚
さＤの２倍と傾斜角Ｑの２倍の正弦の比に少くとも等し
いように、即ちｄ≧誌窯７を満足するように選定するの
が好ましい。
さＤの２倍と傾斜角Ｑの２倍の正弦の比に少くとも等し
いように、即ちｄ≧誌窯７を満足するように選定するの
が好ましい。
普通かなりの厚さのホトラッカーマスクはエッチング処
理の終りに表面に尚存在する。
理の終りに表面に尚存在する。
エッチング後、残留するホトラッカーマスクを、反応条
件の変化によりエッチング処理に引続く処理工程で溶解
するのが好ましい。
件の変化によりエッチング処理に引続く処理工程で溶解
するのが好ましい。
ホトラッカ−のかかる溶解は容易に且つ完全に実施する
ことができる。
ことができる。
本発明の方法はプラズマ技術で普通使用される方法によ
り実施することができる。
り実施することができる。
例えば、ホトラッカーを夫々酸素含有雰囲気中で分解し
、例えばポリシリコンまたは窒化珪素のエッチすべき層
を夫々適当な雰囲気中で、例えばハロゲン含有雰囲気中
でエッチする。
、例えばポリシリコンまたは窒化珪素のエッチすべき層
を夫々適当な雰囲気中で、例えばハロゲン含有雰囲気中
でエッチする。
ホトラッカーマスクおよび本体のエッチング速度の割合
はガス雰囲気中の酸素およびハロゲン濃度比により制御
するのが好ましい。
はガス雰囲気中の酸素およびハロゲン濃度比により制御
するのが好ましい。
このことにより例えばエッチングプロフイルの一定でな
い傾斜が望ましい場合に有用であるエッチング速度の割
合の迅速な制御が可能になる。
い傾斜が望ましい場合に有用であるエッチング速度の割
合の迅速な制御が可能になる。
ホトラッカーマスクおよび本体のエッチング速度の割合
はプラズマの温度の選定により制御するのが好ましい。
ホトラツカーの溶液の活性化エネルギーは層のエッチン
グのものよりいよいよ大である。
はプラズマの温度の選定により制御するのが好ましい。
ホトラツカーの溶液の活性化エネルギーは層のエッチン
グのものよりいよいよ大である。
例えばエッチング処理の終り１こ温度を上昇させること
により、尚一定の仕上りを本体の表面上において得るこ
とができる。次に本発明を図面につき説明する。
により、尚一定の仕上りを本体の表面上において得るこ
とができる。次に本発明を図面につき説明する。
第１図において、本体１の表面の部分５はホトラッカー
マスク６で被覆され、マスク６で被覆されていない表面
の部分７はガス雰囲気中で維持するプラズマ中でエッチ
される。
マスク６で被覆され、マスク６で被覆されていない表面
の部分７はガス雰囲気中で維持するプラズマ中でエッチ
される。
かかるエッチング法により、所望寸法のエッチングパタ
ーンを得ることができる。本発明において、表面部分５
のホトラッカーマスク６により被覆される寸法は得んと
する試料の所望寸法より均一な細条８の幅だけ大きくな
るように選定すべきである（第２図参照）。
ーンを得ることができる。本発明において、表面部分５
のホトラッカーマスク６により被覆される寸法は得んと
する試料の所望寸法より均一な細条８の幅だけ大きくな
るように選定すべきである（第２図参照）。
プラズマエッチングを行う反応条件は、ホトラッカーマ
スクが本体１の表面の被覆されていない部分より一層迅
速に横方向においてプラズマによりエッチされるように
選定する。
スクが本体１の表面の被覆されていない部分より一層迅
速に横方向においてプラズマによりエッチされるように
選定する。
エッチングは所望寸法のエッチングパターンが達成され
るまで継続する。
るまで継続する。
本体１の厚さＤの層４を下部の基体２に対して選択的に
エッチする場合には紬条８の幅ｂを少くともＤ・ｔａｎ
Ｑに等しくなる様に選定する。
エッチする場合には紬条８の幅ｂを少くともＤ・ｔａｎ
Ｑに等しくなる様に選定する。
Ｑは所望エッチング側面の傾斜角である。ホトラッカー
マスク６の厚さｄはエッチすべき層の厚さＤの２倍と傾
斜角の２倍の角の正弦の比に少くとも等しいように選定
する。
マスク６の厚さｄはエッチすべき層の厚さＤの２倍と傾
斜角の２倍の角の正弦の比に少くとも等しいように選定
する。
エッチングの経過を第２図および第３図に、結果を第４
図に示す。
図に示す。
第４図において３は傾斜した側部を示し、この側部は表
面と共に角Ｑを包囲し、ｓｉｎＱはＲ／ｒに等しく、但
しＲは層および本体夫々のエッチング速度で、ｒはホト
ラツカーマスクのエッチング速度である。エッチングに
用いるプラズマは、反応器中に存在する低圧ガス雰囲気
〔０．２〜５側Ｈｇ（トル）〕を容量的または誘導的に
発生した高周波電磁界にさらすことにより普通の方法で
得られる。
面と共に角Ｑを包囲し、ｓｉｎＱはＲ／ｒに等しく、但
しＲは層および本体夫々のエッチング速度で、ｒはホト
ラツカーマスクのエッチング速度である。エッチングに
用いるプラズマは、反応器中に存在する低圧ガス雰囲気
〔０．２〜５側Ｈｇ（トル）〕を容量的または誘導的に
発生した高周波電磁界にさらすことにより普通の方法で
得られる。
酸素およびハロゲンを含有し更に担体ガス、例えばアル
ゴンまたは窒素を含有する場合があるガス混合物を反応
器に流通させる。
ゴンまたは窒素を含有する場合があるガス混合物を反応
器に流通させる。
酸素およびハロゲンはそのまままたはＣＦ４，ＣＣＩＦ
３，Ｃ２Ｆ６，Ｃ３Ｆ８，Ｃ２ＣＩＦ５の如き化合物と
して存在させることができる。酸素はホトラッカーマス
クのエッチングを行うために選らばれると考えることが
でき、ハロゲンは層および本体夫々のエッチングを行う
ために選ばれると考えることができる。
３，Ｃ２Ｆ６，Ｃ３Ｆ８，Ｃ２ＣＩＦ５の如き化合物と
して存在させることができる。酸素はホトラッカーマス
クのエッチングを行うために選らばれると考えることが
でき、ハロゲンは層および本体夫々のエッチングを行う
ために選ばれると考えることができる。
ホトラツカーの層のエッチング速度およびエッチすべき
層と本体夫々のエッチング速度の比は従って反応器中の
酸素およびハロゲンの濃度の比により制御することがで
きる。このことは、反応ガスをニードル弁および流量計
を介して所望の割合で反応器に入れることにより達成さ
れる。予め反応器を約０．１肋Ｈｇ（トル）の圧力まで
排気し、エッチすべきホトラッカーマスクを有する本体
を窒素プラズマ中で約２柳Ｈｇ（トル）の圧力で約１２
０００に加熱する。
層と本体夫々のエッチング速度の比は従って反応器中の
酸素およびハロゲンの濃度の比により制御することがで
きる。このことは、反応ガスをニードル弁および流量計
を介して所望の割合で反応器に入れることにより達成さ
れる。予め反応器を約０．１肋Ｈｇ（トル）の圧力まで
排気し、エッチすべきホトラッカーマスクを有する本体
を窒素プラズマ中で約２柳Ｈｇ（トル）の圧力で約１２
０００に加熱する。
次いで反応器を再び０．１脚Ｈｇに排気し、酸素分子と
テトラフルオルメタンのガス混合物を入れ、エッチング
を約０．５側Ｈｇで約１００Ｗの出力で実施する。
テトラフルオルメタンのガス混合物を入れ、エッチング
を約０．５側Ｈｇで約１００Ｗの出力で実施する。
傾斜側部を有するエッチングパターンを得るために例え
ばポリシリコンの層をェッチして導体トラックを得るか
または窒化珪素の層をェッチして下部層に援触するため
の孔を得る。
ばポリシリコンの層をェッチして導体トラックを得るか
または窒化珪素の層をェッチして下部層に援触するため
の孔を得る。
次表にエッチングしたプロフィルの傾斜を記録するが、
これ等のプロフィルはプラズマ中で酸素とテトラフルオ
ルメタンのガス流量比に従ってポリシコンと窒化珪素の
層をェッチして得たものである。
これ等のプロフィルはプラズマ中で酸素とテトラフルオ
ルメタンのガス流量比に従ってポリシコンと窒化珪素の
層をェッチして得たものである。
表
ェッチしたプロフイルの傾裏斜
上記層は酸化珪素層で被覆した珪素円板より成る基体上
に存在した。
に存在した。
ポリシリコンおよび窒化珪素の層を酸化珪素層に関して
選択的にェッチした（約５〜２折音速〈）。上記実験に
おいて、直径５肌の珪素薄片を使用した。
選択的にェッチした（約５〜２折音速〈）。上記実験に
おいて、直径５肌の珪素薄片を使用した。
所要に応じて多数の例えば３０以上の薄片を同時にエッ
チすることができる。Ｑ＝４５ｏの傾斜角を有するポリ
シリコン層をエッチする場合には、例えばＤ＝０．５仏
ｍ，ｂ＝０．５仏ｍ’ｄ＝１．０ｒｍ，Ｒ＝約０．１仏
ｍ／分およびｒ＝約０．１坪ｍ／分である。
チすることができる。Ｑ＝４５ｏの傾斜角を有するポリ
シリコン層をエッチする場合には、例えばＤ＝０．５仏
ｍ，ｂ＝０．５仏ｍ’ｄ＝１．０ｒｍ，Ｒ＝約０．１仏
ｍ／分およびｒ＝約０．１坪ｍ／分である。
傾斜角Ｑ＝４５ｏを有する窒化珪素をエッチする場合に
は、例えばＤ＝０．１仏ｍ，ｂ＝０．１仏ｍ，ｄ＝０．
かｍ，Ｒ＝約０．０３秋ｍ／分およびｒ＝約０．０＆ｍ
／分である。
は、例えばＤ＝０．１仏ｍ，ｂ＝０．１仏ｍ，ｄ＝０．
かｍ，Ｒ＝約０．０３秋ｍ／分およびｒ＝約０．０＆ｍ
／分である。
安全側にあるためにホトラッカー層の厚さｄはいまいま
ま毒；より３０〜即％大・即ち１‐３×１‐５×予窯；
であるように選定する。
ま毒；より３０〜即％大・即ち１‐３×１‐５×予窯；
であるように選定する。
エッチング後残留するホトラッカーの一部を主として酸
素を含むプラズマ内で迅速に除去することができる。
素を含むプラズマ内で迅速に除去することができる。
ホトラッカーマスク用材料として従来のホトラツカー、
ポジタイプおよびネガタイプのホトラツカー、例えばウ
エイコートタイプ３を使用することができる。本発明方
法により得られる再現性は優れている。
ポジタイプおよびネガタイプのホトラツカー、例えばウ
エイコートタイプ３を使用することができる。本発明方
法により得られる再現性は優れている。
濃度およびガス流量夫々の割合以外にエッチング速度の
割合も温度と共に制御することができる。
割合も温度と共に制御することができる。
反対に、異なる温度でエッチング速度の同じ割合を得る
ために、濃度およびガス流量夫々を適合させなければな
らない。本発明は記載した例に制御されるものでないこ
とは勿論である。
ために、濃度およびガス流量夫々を適合させなければな
らない。本発明は記載した例に制御されるものでないこ
とは勿論である。
例えば、ポリシリコンゲート電極を有するＭＯＳトラン
ジスタを本発明の方法により製造することができる。
ジスタを本発明の方法により製造することができる。
半導体装置の他に圧電装置または集積磁気ヘッドを上記
方法により製造することもできる。エッチさせるべき基
体および層より成る本体以外に、均一な本体をェッチし
て例えばメサ形を得ることもできる。
方法により製造することもできる。エッチさせるべき基
体および層より成る本体以外に、均一な本体をェッチし
て例えばメサ形を得ることもできる。
更に上記方法は金属層をエッチングするのに適する。図
面の簡単な説明第１図乃至第４図は夫々本発明の方法に
より半導体装置を製造する工程における半導体装置の部
分断面図である。
面の簡単な説明第１図乃至第４図は夫々本発明の方法に
より半導体装置を製造する工程における半導体装置の部
分断面図である。
１……本体、２・・・・・・基体、３…・・・傾斜側部
、６・・・・・・感光性ラッカーマスク。
、６・・・・・・感光性ラッカーマスク。
第１図
第２図
第３図
第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ エツチすべき本体表面の部分をホトラツカーマスク
で被覆しマスクで被覆されていない表面部分を所望寸法
のエツチングパターンが得られる様にガス雰囲気中低圧
力下に維持するプラズマ中でエツチするエツチング処理
を本体に行い装置を製造するに当り、ホトラツカーで被
覆すべき表面部分の寸法を、得んとするパターンの所望
寸法より均一な細条の幅だけ大にするように選定するこ
と、プラズマエツチングが行われる反応条件はホトラツ
カーマスクがプラズマにより本体の表面の被覆されてい
ない部分より横方向において一層迅速にエツチされるよ
うに選定すること、およびエツチングをエツチングパタ
ーンの所望寸法が達成されるまで継続することを特徴と
する装置の製造方法。 ２ 本体の厚さＤの層を下部の基体上に対して選択的に
エツチし、上記細条の幅ｂを少くともＤ・ｔａｎαに等
しくなる様に選定し、但しαはエツチングプロフイルの
傾斜した側部が表面と共に形成する角である特許請求の
範囲１記載の装置の製造方法。 ３ ホトラツカーマスクの厚さｄを、エツチすべき層の
厚さＤの２倍と傾斜角αの２倍の正弦の比に少くとも等
しく選定する特許請求の範囲１または２記載の装置の製
造方法。 ４ エツチング後残留するホトラツカーマスクを、エツ
チング処理に引続く処理工程で反応条件を変えることに
より分解する特許請求の範囲１〜３のいずれかに記載の
装置の製造方法。 ５ ホトラツカーマスクと本体のエツチング速度の割合
を、ガス雰囲気中の酸素およびハロゲンの濃度の割合に
より制御する特許請求の範囲１〜４のいずれかに記載の
装置の製造方法。 ６ ホトラツカーマスクおよび本体のエツチング速度の
割合をプラズマの温度の選定により制御する特許請求の
範囲１〜５のいずれかに記載の装置と製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL7607298 | 1976-07-02 | ||
| NL7607298A NL7607298A (nl) | 1976-07-02 | 1976-07-02 | Werkwijze voor het vervaardigen van een inrichting en inrichting vervaardigd volgens de werkwijze. |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS535974A JPS535974A (en) | 1978-01-19 |
| JPS6031100B2 true JPS6031100B2 (ja) | 1985-07-20 |
Family
ID=19826508
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52076682A Expired JPS6031100B2 (ja) | 1976-07-02 | 1977-06-29 | 装置の製造方法 |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4293375A (ja) |
| JP (1) | JPS6031100B2 (ja) |
| CA (1) | CA1097434A (ja) |
| CH (1) | CH630961A5 (ja) |
| DE (1) | DE2727788C2 (ja) |
| FR (1) | FR2356739A1 (ja) |
| GB (1) | GB1571034A (ja) |
| IT (1) | IT1081122B (ja) |
| NL (1) | NL7607298A (ja) |
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| EP0050973B1 (en) * | 1980-10-28 | 1986-01-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Masking process for semiconductor devices using a polymer film |
| JPS5775429A (en) * | 1980-10-28 | 1982-05-12 | Toshiba Corp | Manufacture of semiconductor device |
| EP0057738B1 (de) * | 1981-02-07 | 1986-10-15 | Ibm Deutschland Gmbh | Verfahren zum Herstellen und Füllen von Löchern in einer auf einem Substrat aufliegenden Schicht |
| JPS57170535A (en) * | 1981-04-15 | 1982-10-20 | Toshiba Corp | Etching method for thin silicon film |
| DE3215410A1 (de) * | 1982-04-24 | 1983-10-27 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Verfahren zum herstellen von oeffnungen mit hilfe einer maske in einer auf einer unterlage befindlichen schicht |
| US4461672A (en) * | 1982-11-18 | 1984-07-24 | Texas Instruments, Inc. | Process for etching tapered vias in silicon dioxide |
| US4522681A (en) * | 1984-04-23 | 1985-06-11 | General Electric Company | Method for tapered dry etching |
| DE3903699A1 (de) * | 1988-02-08 | 1989-08-17 | Ricoh Kk | Bildsensor |
| US4978420A (en) * | 1990-01-03 | 1990-12-18 | Hewlett-Packard Company | Single chamber via etch through a dual-layer dielectric |
| JPH0964366A (ja) * | 1995-08-23 | 1997-03-07 | Toshiba Corp | 薄膜トランジスタ |
| JP2016219452A (ja) * | 2015-05-14 | 2016-12-22 | 富士通株式会社 | 多層基板及び多層基板の製造方法 |
| CN111725063B (zh) * | 2020-06-19 | 2024-05-17 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体衬底的刻蚀方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51117136A (en) * | 1975-04-09 | 1976-10-15 | Tokyo Shibaura Electric Co | Plasma etching process |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3483108A (en) * | 1967-05-29 | 1969-12-09 | Gen Electric | Method of chemically etching a non-conductive material using an electrolytically controlled mask |
| DE2117199C3 (de) * | 1971-04-08 | 1974-08-22 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Verfahren zur Herstellung geätzter Muster in dünnen Schichten mit definierten Kantenprofilen |
| US3767490A (en) * | 1971-06-29 | 1973-10-23 | Ibm | Process for etching organic coating layers |
| US3795557A (en) * | 1972-05-12 | 1974-03-05 | Lfe Corp | Process and material for manufacturing semiconductor devices |
| NL7213625A (ja) * | 1972-10-07 | 1974-04-09 | ||
| US3880684A (en) * | 1973-08-03 | 1975-04-29 | Mitsubishi Electric Corp | Process for preparing semiconductor |
| US3839111A (en) * | 1973-08-20 | 1974-10-01 | Rca Corp | Method of etching silicon oxide to produce a tapered edge thereon |
| CA1038969A (en) * | 1974-08-21 | 1978-09-19 | Samuel Ponczak | Edge contouring of semiconductor wafers |
| US3986912A (en) * | 1975-09-04 | 1976-10-19 | International Business Machines Corporation | Process for controlling the wall inclination of a plasma etched via hole |
-
1976
- 1976-07-02 NL NL7607298A patent/NL7607298A/xx not_active Application Discontinuation
-
1977
- 1977-06-21 DE DE2727788A patent/DE2727788C2/de not_active Expired
- 1977-06-29 IT IT25218/77A patent/IT1081122B/it active
- 1977-06-29 JP JP52076682A patent/JPS6031100B2/ja not_active Expired
- 1977-06-29 CH CH800477A patent/CH630961A5/de not_active IP Right Cessation
- 1977-06-29 CA CA281,727A patent/CA1097434A/en not_active Expired
- 1977-06-29 GB GB27194/77A patent/GB1571034A/en not_active Expired
- 1977-07-01 FR FR7720247A patent/FR2356739A1/fr active Granted
-
1979
- 1979-06-13 US US06/047,979 patent/US4293375A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51117136A (en) * | 1975-04-09 | 1976-10-15 | Tokyo Shibaura Electric Co | Plasma etching process |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2356739B1 (ja) | 1982-06-18 |
| DE2727788C2 (de) | 1982-08-19 |
| IT1081122B (it) | 1985-05-16 |
| DE2727788A1 (de) | 1978-01-05 |
| NL7607298A (nl) | 1978-01-04 |
| GB1571034A (en) | 1980-07-09 |
| JPS535974A (en) | 1978-01-19 |
| CH630961A5 (de) | 1982-07-15 |
| US4293375A (en) | 1981-10-06 |
| CA1097434A (en) | 1981-03-10 |
| FR2356739A1 (fr) | 1978-01-27 |
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