JPS6029967B2 - 座標検出装置 - Google Patents
座標検出装置Info
- Publication number
- JPS6029967B2 JPS6029967B2 JP57073784A JP7378482A JPS6029967B2 JP S6029967 B2 JPS6029967 B2 JP S6029967B2 JP 57073784 A JP57073784 A JP 57073784A JP 7378482 A JP7378482 A JP 7378482A JP S6029967 B2 JPS6029967 B2 JP S6029967B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- touch
- touch electrode
- resonant circuit
- oscillator
- detection device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03M—CODING; DECODING; CODE CONVERSION IN GENERAL
- H03M11/00—Coding in connection with keyboards or like devices, i.e. coding of the position of operated keys
- H03M11/02—Details
Description
【発明の詳細な説明】
【ａー 発明の技術分野
本発明は座標検出装置に係り、特にマトリックス状に電
極を鯨設した多数の電極交点の特定交点を指示し、指示
の有無によって電極における静電容量の変化をもたらし
、該容量量変化を検出して指示点の位置を検出する座標
検出装置に関するものである。
極を鯨設した多数の電極交点の特定交点を指示し、指示
の有無によって電極における静電容量の変化をもたらし
、該容量量変化を検出して指示点の位置を検出する座標
検出装置に関するものである。
‘ｂー 技術の背景
静電容量の変化を利用して指示された位置を検出する装
置は、人体等が指示する接触部は電極だけ存在すればよ
く、従来周知のキースィッチのごとき機械的な接点を必
要としないので、検出パネルの透明化が容易である。
置は、人体等が指示する接触部は電極だけ存在すればよ
く、従来周知のキースィッチのごとき機械的な接点を必
要としないので、検出パネルの透明化が容易である。
そのため表示装置等と粗合せて情報入力手段として近年
注目を集めている。すなわち表示装置の表示面前面に透
明化された位置検出用のパネルを設置し、情報の表示位
置に対応するパネル上の接触部を指示することにより、
所望の情報を入力するものである。‘ｃ）従来技術と問
題点 このような検出パネルを有する座標検出装置の一例を第
１図に示す。
注目を集めている。すなわち表示装置の表示面前面に透
明化された位置検出用のパネルを設置し、情報の表示位
置に対応するパネル上の接触部を指示することにより、
所望の情報を入力するものである。‘ｃ）従来技術と問
題点 このような検出パネルを有する座標検出装置の一例を第
１図に示す。
検出パネルＰＮは例えば薄板状のガラス板上にタッチ電
極Ｘ，〜Ｘ４およびＹ，〜Ｙ４を設けたものであり、そ
れらタッチ電極の各交点部の接触部汀ＣＨを構成してい
る。またタッチ電極Ｘ，〜Ｘ４には×方向のタッチ検出
部Ｘ−ＴＣＨＳが各電極対応に接続され、同様にタッチ
電極Ｙ，〜Ｙ４にもＹ方向のタッチ検出部Ｙ−ＴＣＨＳ
が接続してある。これらタッチ検出部Ｘ−ＴＣＨＳ，Ｙ
−ＴＣＨＳは各タッチ電極における接触操作による静電
容量変化を検出するものである。第２図はタッチ検出部
の構成例を示すブロック図であって、タッチ電極Ｘ，に
接続されるタッチ検出部を代表的に示している。すなわ
ち各タッチ電極Ｘ，〜Ｘ４およびＹ．〜Ｙ４に対応して
第２図に示す構成のタッチ検出部が接続される。これら
タッチ検出部は、コンデンサＣａとコイルＬａとを並列
接続して共振回路１を形成し、その共振回路１にインピ
ーダンス素子Ｒが接続される。そしてそのィンピーダン
ス素子Ｒと共振回路１との接続点にタッチ電極を接続す
るとともにコンパレータＣＰの一方の入力側が鞍競され
、さらにコンパレータＣＰの出力側は平滑回路２の入力
側に接続される。また各タッチ検出部に共通の発振器Ｏ
ＳＣが各タッチ検出部のインピーダンス素子Ｒに接続さ
れる。この発振器ＯＳＣは各タッチ検出部の共振回路１
に共振した周波数の交流信号をインピーダンス素子Ｒを
介して共振回路１に供孫舎する。さてこのようなタッチ
検出部が各タッチ電極Ｘ．〜Ｘ４およびＹ，〜Ｙ４に接
続された座標検出装置（第１図参照）において、例えば
操作者がタッチ電極Ｘ，とＹ，との交点における接触部
ＴＣＨに触手することによりり指示したものと仮定する
とタッチ電極Ｘ，，Ｙ，は触手以前の静電容量とその値
が異なることとなる。タッチ検出部Ｘ−ＴＣＨＳ，Ｙ−
ＴＣＨＳは静電容量に変化がある場合、その出力は“Ｌ
”レベルとなる。この例の場合、タッチ電極Ｘ，および
Ｙ，に対応するタッチ検出部の出力が“Ｌ”レベルとな
り、他の検出部の出力は“Ｈ”レベルとなる。これによ
って指示された接触部の位置が検出されたこととなる。
ところで前記検出パネルＰＮはＸ側のタッチ電極Ｘ，〜
Ｘ４およびＹ側のタッチ電極Ｙ，〜Ｙ４が互いに隣接、
交差して配設してあるので、それらＸ側電極相互間、Ｙ
側電極相互間には隣接容量が存在し、Ｘ側電極とＹ側電
極との各交差点には対向容量が存在することとなる。
極Ｘ，〜Ｘ４およびＹ，〜Ｙ４を設けたものであり、そ
れらタッチ電極の各交点部の接触部汀ＣＨを構成してい
る。またタッチ電極Ｘ，〜Ｘ４には×方向のタッチ検出
部Ｘ−ＴＣＨＳが各電極対応に接続され、同様にタッチ
電極Ｙ，〜Ｙ４にもＹ方向のタッチ検出部Ｙ−ＴＣＨＳ
が接続してある。これらタッチ検出部Ｘ−ＴＣＨＳ，Ｙ
−ＴＣＨＳは各タッチ電極における接触操作による静電
容量変化を検出するものである。第２図はタッチ検出部
の構成例を示すブロック図であって、タッチ電極Ｘ，に
接続されるタッチ検出部を代表的に示している。すなわ
ち各タッチ電極Ｘ，〜Ｘ４およびＹ．〜Ｙ４に対応して
第２図に示す構成のタッチ検出部が接続される。これら
タッチ検出部は、コンデンサＣａとコイルＬａとを並列
接続して共振回路１を形成し、その共振回路１にインピ
ーダンス素子Ｒが接続される。そしてそのィンピーダン
ス素子Ｒと共振回路１との接続点にタッチ電極を接続す
るとともにコンパレータＣＰの一方の入力側が鞍競され
、さらにコンパレータＣＰの出力側は平滑回路２の入力
側に接続される。また各タッチ検出部に共通の発振器Ｏ
ＳＣが各タッチ検出部のインピーダンス素子Ｒに接続さ
れる。この発振器ＯＳＣは各タッチ検出部の共振回路１
に共振した周波数の交流信号をインピーダンス素子Ｒを
介して共振回路１に供孫舎する。さてこのようなタッチ
検出部が各タッチ電極Ｘ．〜Ｘ４およびＹ，〜Ｙ４に接
続された座標検出装置（第１図参照）において、例えば
操作者がタッチ電極Ｘ，とＹ，との交点における接触部
ＴＣＨに触手することによりり指示したものと仮定する
とタッチ電極Ｘ，，Ｙ，は触手以前の静電容量とその値
が異なることとなる。タッチ検出部Ｘ−ＴＣＨＳ，Ｙ−
ＴＣＨＳは静電容量に変化がある場合、その出力は“Ｌ
”レベルとなる。この例の場合、タッチ電極Ｘ，および
Ｙ，に対応するタッチ検出部の出力が“Ｌ”レベルとな
り、他の検出部の出力は“Ｈ”レベルとなる。これによ
って指示された接触部の位置が検出されたこととなる。
ところで前記検出パネルＰＮはＸ側のタッチ電極Ｘ，〜
Ｘ４およびＹ側のタッチ電極Ｙ，〜Ｙ４が互いに隣接、
交差して配設してあるので、それらＸ側電極相互間、Ｙ
側電極相互間には隣接容量が存在し、Ｘ側電極とＹ側電
極との各交差点には対向容量が存在することとなる。
これら不要な隣接容量や対向容量の存在は、本来指示し
ていないタッチ電極に対応する接触部が、あたかも指示
されたごと〈検出されるという問題がある。そこで、こ
のような隣接容量や対向容量の存在による誤検出防止の
ために、各タッチ電極Ｘ，〜Ｘ４およびＹ，〜Ｙ４と基
準電位、例えば接地間にスイッチング手段を設け、それ
らスイッチング手段によって順次選択されたタッチ電極
１本を除く他の全てのタッチ電極を接地電位に選択的に
接続する方式が提案されている。上記スイッチング手段
としてＩＪレースィツチ等の機械スイッチが考えられる
が、このような機械スイッチではスイッチ速度が遅いた
め、高速スイッチが可能な半導体スイッチング素子を用
いることが考えられるごしかしスイッチング手段として
単に半導体スイッチング素子に層換えるだけでは次の問
題を生じる。
ていないタッチ電極に対応する接触部が、あたかも指示
されたごと〈検出されるという問題がある。そこで、こ
のような隣接容量や対向容量の存在による誤検出防止の
ために、各タッチ電極Ｘ，〜Ｘ４およびＹ，〜Ｙ４と基
準電位、例えば接地間にスイッチング手段を設け、それ
らスイッチング手段によって順次選択されたタッチ電極
１本を除く他の全てのタッチ電極を接地電位に選択的に
接続する方式が提案されている。上記スイッチング手段
としてＩＪレースィツチ等の機械スイッチが考えられる
が、このような機械スイッチではスイッチ速度が遅いた
め、高速スイッチが可能な半導体スイッチング素子を用
いることが考えられるごしかしスイッチング手段として
単に半導体スイッチング素子に層換えるだけでは次の問
題を生じる。
すなわち例えばｎチンネルＭＯＳＦＥＴを用いて、その
ＭＯＳＦＥＴのドレインをタッチ電極に、またソースな
らびに基板を接地電位に接続する。そしてＭＯＳＦＥＴ
のゲートを負電位にしてＭＯＳＦＥＴをオフ状態、つま
りタッチ電極を選択して共振回路に接続した際、ＭＯＳ
ＦＥＴの基板とドレィン間にダイオードが構成され、共
振回路と並列にそのダイオードが等価的に接続されるこ
ととなる。一方その共振回路には発振器から正負両極性
の交流信号が印加されているが、前記ダイオードの存在
により、印加された交流信号の負電圧レベルではＭＯＳ
ＦＥＴのドレィンがダイオードを通して接地電位にクラ
ンプされることとなる。その結果、Ｃａ，Ｌａから構成
される並列共振回路に加わる波形は半波のの波形になり
、良好な正弦波が印加されず、共振状態が得られなくな
り、共振回路のインピーダンスが低下し、検出感度が低
下する。そこで、このような問題を解決するために、第
１図に示すように、各タッチ電極Ｘ，〜Ｘ４およびＹ４
〜Ｙ４を選択的に接地電位に接続するスイッチング手段
を半導体スイッチング素子ＳＷとコンデンサＣとの直列
回路で構成する方法が提案されている。しかしながらこ
のような構成では各タッチ電極ごとにコンデンサＣを接
続する必要があり、大形サイズの検出パネルに適用する
際、そのスイッチング手段が大形化するという問題があ
った。（ｄ｝ 発明の目的 本発明は前述の点に鑑みなされたもので、各タッチ電極
を選択的に基準レベルに接続するスイッチング手段を比
較的大きな実装空間が必要なコンデンサを用いないで、
簡略化され、かつ集積化が容易にできるスイッチング回
路で構成した座標検出装置の提供を目的とするものであ
る。
ＭＯＳＦＥＴのドレインをタッチ電極に、またソースな
らびに基板を接地電位に接続する。そしてＭＯＳＦＥＴ
のゲートを負電位にしてＭＯＳＦＥＴをオフ状態、つま
りタッチ電極を選択して共振回路に接続した際、ＭＯＳ
ＦＥＴの基板とドレィン間にダイオードが構成され、共
振回路と並列にそのダイオードが等価的に接続されるこ
ととなる。一方その共振回路には発振器から正負両極性
の交流信号が印加されているが、前記ダイオードの存在
により、印加された交流信号の負電圧レベルではＭＯＳ
ＦＥＴのドレィンがダイオードを通して接地電位にクラ
ンプされることとなる。その結果、Ｃａ，Ｌａから構成
される並列共振回路に加わる波形は半波のの波形になり
、良好な正弦波が印加されず、共振状態が得られなくな
り、共振回路のインピーダンスが低下し、検出感度が低
下する。そこで、このような問題を解決するために、第
１図に示すように、各タッチ電極Ｘ，〜Ｘ４およびＹ４
〜Ｙ４を選択的に接地電位に接続するスイッチング手段
を半導体スイッチング素子ＳＷとコンデンサＣとの直列
回路で構成する方法が提案されている。しかしながらこ
のような構成では各タッチ電極ごとにコンデンサＣを接
続する必要があり、大形サイズの検出パネルに適用する
際、そのスイッチング手段が大形化するという問題があ
った。（ｄ｝ 発明の目的 本発明は前述の点に鑑みなされたもので、各タッチ電極
を選択的に基準レベルに接続するスイッチング手段を比
較的大きな実装空間が必要なコンデンサを用いないで、
簡略化され、かつ集積化が容易にできるスイッチング回
路で構成した座標検出装置の提供を目的とするものであ
る。
｛ｅー 発明の構成
本発明による座標検出装置は、検出すべき座標位置に対
応して規則的に隣接配置した複数のタッチ電極と、択一
的に動作する第１のスイッチ群を介して各タッチ電極と
順次選択的に接続される共振回路と、該共振回路と選択
されたタッチ電極との接続点に当該共振回路の共振周波
数に相当する周波数の交流信号を供給する発振器とを有
し、かつ非選択のタッチ電極を選択的に基準電位に接続
する第２のスイッチ群をそなえてなる構成におし、て、
前記第２のスイッチ群の各スイッチング手段を前記発振
器の正負両極性の交流信号に対して双方向的なスイッチ
動作をなすよう組み合わせた互いに逆極性の１対の半導
体スイッチング素子により構成したことを特徴とするも
のである。
応して規則的に隣接配置した複数のタッチ電極と、択一
的に動作する第１のスイッチ群を介して各タッチ電極と
順次選択的に接続される共振回路と、該共振回路と選択
されたタッチ電極との接続点に当該共振回路の共振周波
数に相当する周波数の交流信号を供給する発振器とを有
し、かつ非選択のタッチ電極を選択的に基準電位に接続
する第２のスイッチ群をそなえてなる構成におし、て、
前記第２のスイッチ群の各スイッチング手段を前記発振
器の正負両極性の交流信号に対して双方向的なスイッチ
動作をなすよう組み合わせた互いに逆極性の１対の半導
体スイッチング素子により構成したことを特徴とするも
のである。
（ｆー 発明の実施例
以下本発明の実施例につき、図面を参照して説明する。
第３図は本発明による座標検出装置の一例構成を説明す
るための要部ブロック図であり、第４図は第３図の座標
検出装置におけるスイッチング手段の一例構成を示すス
イッチング回路図であって、タッチ電極Ｘ．に接続され
るスイッチング回路ＳＩを代表的に示している。まず第
３図において、検出パネルＰＮにはタッチ電極Ｘ，〜Ｘ
４およびＹ，〜Ｙ４が配設され、それらタッチ電極の各
交点部に接触剖汀ＣＨを構成する。また３は択一的にに
動作する第１のスイッチ群で例えばアナログマルチプレ
クサで構成されており、そのアナログマルチプレクサは
、タッチ電極Ｘ，〜Ｘ４およびＹ，〜Ｙ４を順次１本ず
つ選択して共振回路１に接続する。その共振回路１には
、その共振回路にに共振した周波数の交流信号がインピ
ーダンス素子Ｒを介して発振器ＯＳＣから供給される。
さらに前記インピーダンス素子Ｒと共振回路１との接続
点‘まコンパレータＣＰの一方の入力側に接続され、コ
ンパレータＣＰのの出力は平滑回路２に入力される。ま
たＳＣはタッチ電極Ｘ，〜Ｘ４およびＹ，〜Ｙ４の内非
選択のタッチ電極を選択的に基準電位、例えば接地電位
に接続する第２ののスイッチ群であって、各タッチ電極
Ｘ．〜Ｘ４およびびＹ，〜Ｙ４と接地間には後述するス
イッチング回路ＳＩ〜Ｓ８が接続してある。そしてクロ
ックパルス発生器４からのクロックパルスで駆動された
３ビットノゞィナリカゥンタ５（以下単にカウンタと略
省する）からタッチ電極選択信号が送出される。そして
そのタッチ電極選択信号により、アナログマルチプレク
サ３が駆動されるとともにデコ−ダ６の出力によってス
イッチング回路ＳＩ〜Ｓ８が駆動される。すなわちアナ
ログマルチプレクサ３の切替スイッチＡＩがオン状態で
他の切替スイッチＡ２〜Ａ８がオフ状態の際には、スイ
ッチング回路ＳＩがオフ状態となり、その他のスイッチ
ング回路Ｓ２〜Ｓ８がオン状態となって、タッチ電極Ｘ
，が選択されて共振回路１に接続され、その他のタッチ
電極Ｘ２〜Ｘ４ならびにＹ，〜Ｙ４は接地電位にクラン
プされる。次にアナログマルチプレクサ３の切替スイッ
チＡ２がオン状態で他の切替スイッチＡ１，Ａ３〜Ａ８
がオフ状態の際、スイッチング回路Ｓ２がオフ状態とな
り、その他のスイッチング回路Ｓ１，Ｓ３〜Ｓ８がオン
状態となってタッチ電極Ｘ２が選択されて共振回路１に
接続され、選択されたタッチ電極Ｘ２を除く他の全ての
非選択タッチ電極は接地電位にクランプされる。このよ
うにしてアナログマルチプレクサ３はカウンタ５からタ
ッチ電極選択信号に基づいて各タッチ電極を順次選択し
て共振回路１へ接続するとともにスイッチング回路ＳＩ
〜Ｓ８はタッチ電極選択信号に基づいたデコーダ６から
の信号によって選択されたタッチ電極を除く他の全ての
非選択タッチ電極を接地電位にクランプし、タッチ電極
の接触操作に基づく静電容量の変化を前記共振回路１と
インピーダンス素子Ｒとの接続則こおける交流信号レベ
ルの変化として検出する点は従来の座標検出装置として
変るところはない。しかしながら本発明の座標検出装置
が従来のものと大きく異なる点は前記スイッチング回路
ＳＩ〜Ｓ８を発振器ＯＳＣの正負両極性の交流信号に対
して双方向的なスイッチ動作をなすように半導体スイッ
チング素子を粗合せたスイッチング回路で構成したとこ
ろである。第４図はそのようなスイッチング回路の一例
構成を示す回路図である。図において一点鎖線で囲んで
示したＳＩはタッチ電極Ｘ，と基準電位、例えば接地電
位との間に接続されるスイッチング回路であって、この
ようなスイッチング回路が各タッチ電極と接地間に接続
される。さて第４図から明らかなように、スイッチング
回路ＳＩは次の構成を採る。すなわちちＱＮおよびＱＰ
は互いに逆極性の半導体スイッチング素子であって、例
えばＱＮはｎチャンネルＭ○ＳＦＥＴでありＱＰはｐチ
ャンネルＭＯＳＦＥＴである。そしてそれらＱＮ，ＱＰ
のソースＳは接地され、またドレィンはタッチ電極Ｘ，
に接続される。そしてｎチャンネルＭＯＳＦＥＴＱＮの
基板には負の電位−Ｖｓを印加する直流電源が接続され
、ｐチャンネルＭＯＳＦＥＴＱＰの基板には正の電位＋
Ｖｓを印加する直流電源が接続されている。
るための要部ブロック図であり、第４図は第３図の座標
検出装置におけるスイッチング手段の一例構成を示すス
イッチング回路図であって、タッチ電極Ｘ．に接続され
るスイッチング回路ＳＩを代表的に示している。まず第
３図において、検出パネルＰＮにはタッチ電極Ｘ，〜Ｘ
４およびＹ，〜Ｙ４が配設され、それらタッチ電極の各
交点部に接触剖汀ＣＨを構成する。また３は択一的にに
動作する第１のスイッチ群で例えばアナログマルチプレ
クサで構成されており、そのアナログマルチプレクサは
、タッチ電極Ｘ，〜Ｘ４およびＹ，〜Ｙ４を順次１本ず
つ選択して共振回路１に接続する。その共振回路１には
、その共振回路にに共振した周波数の交流信号がインピ
ーダンス素子Ｒを介して発振器ＯＳＣから供給される。
さらに前記インピーダンス素子Ｒと共振回路１との接続
点‘まコンパレータＣＰの一方の入力側に接続され、コ
ンパレータＣＰのの出力は平滑回路２に入力される。ま
たＳＣはタッチ電極Ｘ，〜Ｘ４およびＹ，〜Ｙ４の内非
選択のタッチ電極を選択的に基準電位、例えば接地電位
に接続する第２ののスイッチ群であって、各タッチ電極
Ｘ．〜Ｘ４およびびＹ，〜Ｙ４と接地間には後述するス
イッチング回路ＳＩ〜Ｓ８が接続してある。そしてクロ
ックパルス発生器４からのクロックパルスで駆動された
３ビットノゞィナリカゥンタ５（以下単にカウンタと略
省する）からタッチ電極選択信号が送出される。そして
そのタッチ電極選択信号により、アナログマルチプレク
サ３が駆動されるとともにデコ−ダ６の出力によってス
イッチング回路ＳＩ〜Ｓ８が駆動される。すなわちアナ
ログマルチプレクサ３の切替スイッチＡＩがオン状態で
他の切替スイッチＡ２〜Ａ８がオフ状態の際には、スイ
ッチング回路ＳＩがオフ状態となり、その他のスイッチ
ング回路Ｓ２〜Ｓ８がオン状態となって、タッチ電極Ｘ
，が選択されて共振回路１に接続され、その他のタッチ
電極Ｘ２〜Ｘ４ならびにＹ，〜Ｙ４は接地電位にクラン
プされる。次にアナログマルチプレクサ３の切替スイッ
チＡ２がオン状態で他の切替スイッチＡ１，Ａ３〜Ａ８
がオフ状態の際、スイッチング回路Ｓ２がオフ状態とな
り、その他のスイッチング回路Ｓ１，Ｓ３〜Ｓ８がオン
状態となってタッチ電極Ｘ２が選択されて共振回路１に
接続され、選択されたタッチ電極Ｘ２を除く他の全ての
非選択タッチ電極は接地電位にクランプされる。このよ
うにしてアナログマルチプレクサ３はカウンタ５からタ
ッチ電極選択信号に基づいて各タッチ電極を順次選択し
て共振回路１へ接続するとともにスイッチング回路ＳＩ
〜Ｓ８はタッチ電極選択信号に基づいたデコーダ６から
の信号によって選択されたタッチ電極を除く他の全ての
非選択タッチ電極を接地電位にクランプし、タッチ電極
の接触操作に基づく静電容量の変化を前記共振回路１と
インピーダンス素子Ｒとの接続則こおける交流信号レベ
ルの変化として検出する点は従来の座標検出装置として
変るところはない。しかしながら本発明の座標検出装置
が従来のものと大きく異なる点は前記スイッチング回路
ＳＩ〜Ｓ８を発振器ＯＳＣの正負両極性の交流信号に対
して双方向的なスイッチ動作をなすように半導体スイッ
チング素子を粗合せたスイッチング回路で構成したとこ
ろである。第４図はそのようなスイッチング回路の一例
構成を示す回路図である。図において一点鎖線で囲んで
示したＳＩはタッチ電極Ｘ，と基準電位、例えば接地電
位との間に接続されるスイッチング回路であって、この
ようなスイッチング回路が各タッチ電極と接地間に接続
される。さて第４図から明らかなように、スイッチング
回路ＳＩは次の構成を採る。すなわちちＱＮおよびＱＰ
は互いに逆極性の半導体スイッチング素子であって、例
えばＱＮはｎチャンネルＭ○ＳＦＥＴでありＱＰはｐチ
ャンネルＭＯＳＦＥＴである。そしてそれらＱＮ，ＱＰ
のソースＳは接地され、またドレィンはタッチ電極Ｘ，
に接続される。そしてｎチャンネルＭＯＳＦＥＴＱＮの
基板には負の電位−Ｖｓを印加する直流電源が接続され
、ｐチャンネルＭＯＳＦＥＴＱＰの基板には正の電位＋
Ｖｓを印加する直流電源が接続されている。
このようにな構成において、タッチ電極選択信号に対応
したデコーダ６（第３図参照）からの信号でレベルシフ
タ７が駆動され、そのレベルシフタ７の出力側から正の
パルス電圧と負のパルス電圧が同時に送出される。その
正のパルス電圧でＱＮのゲートＧが駆動されるとともに
負のパルス電圧でＱＰのゲートＧが駆動されて、ＱＮお
よびＱＰともにオン状態となる。その結果タッチ電極Ｘ
，は接地電位にクランプされることとなる。次にＱＮの
ゲート電位が負レベルに、またＱＰのゲート電位が正し
ベルに切替ると、つまりＱＮおよびＱＰがオフ状態とな
ってタッチ電極Ｘ，が選択され、共振回路１（第３図参
照）に接続されると、タッチ電極Ｘ，に接触操作がなけ
れば、タッチ電極Ｘ，には発振器ＱＳＣ（第３図参照）
の出力交流信号が印加されることになる。この交流信号
は正負両極性で波高値が±Ｖｏの電圧波形である。なお
この際、前記ＱＮならびにＱＰの基板に印加される電圧
−Ｖｓならびに＋Ｖｓと交流信号の波高値±Ｖｏとの関
係はＩＶｏｌ＜ＩＶｓｌに設定してある。このようにＱ
ＮおよびＱＰがオフ状態では第５図に示すように、ＱＮ
の基板ＰとドレインＤ間にダイオード○，が構成され、
またＱＰの基板ｎとドレィンンＤ間にダイオードＤ２が
構成される。この状態を等価回路で示すと第６図のよう
になる。いま交流信号＋Ｖｏに対してはダイオードＤ，
が逆方向に接続され、ダイオードＤ２は順方向に接続さ
れるが前述のように十Ｖｓ＞十Ｖｏと設定されているの
でダイオードＤ２にも電流は流れず、タッチ電極Ｘ，に
は波高値が十Ｖｏの正電位波形が印加される。また交流
信号−Ｖｏに対してはダイオードＤ２が逆方向に接続さ
れた形となり、ダイオードＤ，は順方向に接続されるが
、この際も、ダイオードＤ，には負の電圧−Ｖｓ（ＩＶ
ｓｌ＞ＩＶｏｌ）が印加されているので、ダイオードＤ
，にも電流は流れず、タッチ電極Ｘ，には波高値が−Ｖ
ｏの負電位波形が印加される。かくしてタッチ電極Ｘ，
に印加される発振器ＯＳＣの正員両極性の交流信号に対
して双方向的なスイッチ動作をなすスイッチング回路Ｓ
Ｉが構成される。そしてこのような構成のスイッチング
回路ＳＩ〜Ｓ８が各タッチ電極Ｘ，〜Ｘ４およびＹ，〜
Ｙ４と接地間に接続される。しかして、このような構成
のスイッチング回路は半導体集積回路として容易に集積
化が可能であり、従来のように比較的大きな実装空間を
必要とするコンデンサを用いたスイッチング手段に比べ
て、コンパクトなスイッチング手段を構成でき、その結
果、大形サイズの検出パネルを有する座標検出装置に適
用して、コンパクトな座標検出装置を製作することがで
きる。｛Ｑ 発明の効果 以上の説明から明らかなように、本発明によれば各タッ
チ電極を選択的に基準電位に接続するスイッチング手段
を集積化可能なスイッチング回路で構成することができ
、大形サイズの検出パネルを有する座標検出装置がコン
パクトに実現でき、その実用的効果は大である。
したデコーダ６（第３図参照）からの信号でレベルシフ
タ７が駆動され、そのレベルシフタ７の出力側から正の
パルス電圧と負のパルス電圧が同時に送出される。その
正のパルス電圧でＱＮのゲートＧが駆動されるとともに
負のパルス電圧でＱＰのゲートＧが駆動されて、ＱＮお
よびＱＰともにオン状態となる。その結果タッチ電極Ｘ
，は接地電位にクランプされることとなる。次にＱＮの
ゲート電位が負レベルに、またＱＰのゲート電位が正し
ベルに切替ると、つまりＱＮおよびＱＰがオフ状態とな
ってタッチ電極Ｘ，が選択され、共振回路１（第３図参
照）に接続されると、タッチ電極Ｘ，に接触操作がなけ
れば、タッチ電極Ｘ，には発振器ＱＳＣ（第３図参照）
の出力交流信号が印加されることになる。この交流信号
は正負両極性で波高値が±Ｖｏの電圧波形である。なお
この際、前記ＱＮならびにＱＰの基板に印加される電圧
−Ｖｓならびに＋Ｖｓと交流信号の波高値±Ｖｏとの関
係はＩＶｏｌ＜ＩＶｓｌに設定してある。このようにＱ
ＮおよびＱＰがオフ状態では第５図に示すように、ＱＮ
の基板ＰとドレインＤ間にダイオード○，が構成され、
またＱＰの基板ｎとドレィンンＤ間にダイオードＤ２が
構成される。この状態を等価回路で示すと第６図のよう
になる。いま交流信号＋Ｖｏに対してはダイオードＤ，
が逆方向に接続され、ダイオードＤ２は順方向に接続さ
れるが前述のように十Ｖｓ＞十Ｖｏと設定されているの
でダイオードＤ２にも電流は流れず、タッチ電極Ｘ，に
は波高値が十Ｖｏの正電位波形が印加される。また交流
信号−Ｖｏに対してはダイオードＤ２が逆方向に接続さ
れた形となり、ダイオードＤ，は順方向に接続されるが
、この際も、ダイオードＤ，には負の電圧−Ｖｓ（ＩＶ
ｓｌ＞ＩＶｏｌ）が印加されているので、ダイオードＤ
，にも電流は流れず、タッチ電極Ｘ，には波高値が−Ｖ
ｏの負電位波形が印加される。かくしてタッチ電極Ｘ，
に印加される発振器ＯＳＣの正員両極性の交流信号に対
して双方向的なスイッチ動作をなすスイッチング回路Ｓ
Ｉが構成される。そしてこのような構成のスイッチング
回路ＳＩ〜Ｓ８が各タッチ電極Ｘ，〜Ｘ４およびＹ，〜
Ｙ４と接地間に接続される。しかして、このような構成
のスイッチング回路は半導体集積回路として容易に集積
化が可能であり、従来のように比較的大きな実装空間を
必要とするコンデンサを用いたスイッチング手段に比べ
て、コンパクトなスイッチング手段を構成でき、その結
果、大形サイズの検出パネルを有する座標検出装置に適
用して、コンパクトな座標検出装置を製作することがで
きる。｛Ｑ 発明の効果 以上の説明から明らかなように、本発明によれば各タッ
チ電極を選択的に基準電位に接続するスイッチング手段
を集積化可能なスイッチング回路で構成することができ
、大形サイズの検出パネルを有する座標検出装置がコン
パクトに実現でき、その実用的効果は大である。
第１図は静電容量を利用した座標検出装置の従来例を示
す概要図、第２図はタッチ検出部のの構成例を示すブロ
ック図、第３図は本発明による座標検出装置の一例構成
を説明するための要部ブロック図、第４図〜第６図は本
発明の座標検出装置に用いたスイッチング回路を説明す
る図である。 図において、１は共振回路、２は平滑回路、３は切替ス
イッチ、４はクロックパルス発生器、５は力ウンタ、６
はデコーダ、７はしベルシフタ、Ｘ，〜Ｘ４およびＹ，
〜Ｙ４はタッチ電極、ＳＣはスイッチング手段、ＳＩ〜
Ｓ８はスイッチング回路、ＱＮおよびＱＰは半導体スイ
ッチング素子、ＯＳＣは発振器をそれぞれ示す。第１図 第４図 第５図 第６図 図 Ｎ 船 図 の 船
す概要図、第２図はタッチ検出部のの構成例を示すブロ
ック図、第３図は本発明による座標検出装置の一例構成
を説明するための要部ブロック図、第４図〜第６図は本
発明の座標検出装置に用いたスイッチング回路を説明す
る図である。 図において、１は共振回路、２は平滑回路、３は切替ス
イッチ、４はクロックパルス発生器、５は力ウンタ、６
はデコーダ、７はしベルシフタ、Ｘ，〜Ｘ４およびＹ，
〜Ｙ４はタッチ電極、ＳＣはスイッチング手段、ＳＩ〜
Ｓ８はスイッチング回路、ＱＮおよびＱＰは半導体スイ
ッチング素子、ＯＳＣは発振器をそれぞれ示す。第１図 第４図 第５図 第６図 図 Ｎ 船 図 の 船
Claims (1)
- １ 検出すべき座標位置にに対応して規則的に隣接配置
した複数のタツチ電極と、択一的に動作する第１のスイ
ツチ群を介して各タツチ電極と順次選択的に接続される
共振回路と、該共振回路と選択されたタツチ電極との接
続点に当該共振回路の共振周波数に相当する周波数の交
流信号を供給する発振器とを有し、かつ非選択のタツチ
電極を選択的に基準電位に接続する第２のスイツチ群を
そなえてなる構成において、前記第２のスイツチ群の各
スイツチング手段を前記発振器の正負両極性の交流信号
に対して双方向的なスイツチ動作をなすよう組み合わせ
た互いに逆極性の１対の半導体スイツチング素子により
構成したことを特徴とする座標検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57073784A JPS6029967B2 (ja) | 1982-04-30 | 1982-04-30 | 座標検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57073784A JPS6029967B2 (ja) | 1982-04-30 | 1982-04-30 | 座標検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58191033A JPS58191033A (ja) | 1983-11-08 |
| JPS6029967B2 true JPS6029967B2 (ja) | 1985-07-13 |
Family
ID=13528163
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57073784A Expired JPS6029967B2 (ja) | 1982-04-30 | 1982-04-30 | 座標検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6029967B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62167165U (ja) * | 1986-04-14 | 1987-10-23 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6275534U (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-14 |
-
1982
- 1982-04-30 JP JP57073784A patent/JPS6029967B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62167165U (ja) * | 1986-04-14 | 1987-10-23 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58191033A (ja) | 1983-11-08 |
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