JPS6028390B2 - 半導体ウエハの打抜き方法 - Google Patents
半導体ウエハの打抜き方法Info
- Publication number
- JPS6028390B2 JPS6028390B2 JP54069631A JP6963179A JPS6028390B2 JP S6028390 B2 JPS6028390 B2 JP S6028390B2 JP 54069631 A JP54069631 A JP 54069631A JP 6963179 A JP6963179 A JP 6963179A JP S6028390 B2 JPS6028390 B2 JP S6028390B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- punching
- semiconductor wafer
- chip
- chip pattern
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
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- Dicing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体ウェハの打抜き法、特に半導体ウェハ
から任意形状のチップを切り出すための打抜き方法に関
するものである。
から任意形状のチップを切り出すための打抜き方法に関
するものである。
半導体ゥェハからチップを切り出すための従来の方法と
しては、ダイヤモンドスクラィブ，レーザースクラィブ
，超音波スクラィブなどがあるが、チップ形状が四角形
状以外の異種形状であると、そのスクラィプラィンが当
然曲線となるために、ダイヤモンドスクラィブのように
直線を王とするスクラィブでは切り出しが困難となるか
、あるいは他のレーザーおよび超音波スクラィブと同様
に高価な機械装置を必要とし、かつ１個のチップ切り出
し‘こ時間がか）るという不利があった。
しては、ダイヤモンドスクラィブ，レーザースクラィブ
，超音波スクラィブなどがあるが、チップ形状が四角形
状以外の異種形状であると、そのスクラィプラィンが当
然曲線となるために、ダイヤモンドスクラィブのように
直線を王とするスクラィブでは切り出しが困難となるか
、あるいは他のレーザーおよび超音波スクラィブと同様
に高価な機械装置を必要とし、かつ１個のチップ切り出
し‘こ時間がか）るという不利があった。
この考案は従来のこのような実情に鑑み、半導体ウェハ
に対して、その各チップパターンの内側を上下両面から
押圧させた状態に支持させ、これをパターン外周に沿わ
せて打抜くようにして、任意形状のチップを容易かつ簡
単に、しかも量産性よく短時間で得られるようにしたも
のである。以下、この発明方法の実施例につき、添付図
面を参照して詳細に説明する。半導体ウェハ、例えば大
電流を通電するダイオード−，サィリスタなどの半導体
ウヱハは、一般に第１図および第２図に示すように構成
される。
に対して、その各チップパターンの内側を上下両面から
押圧させた状態に支持させ、これをパターン外周に沿わ
せて打抜くようにして、任意形状のチップを容易かつ簡
単に、しかも量産性よく短時間で得られるようにしたも
のである。以下、この発明方法の実施例につき、添付図
面を参照して詳細に説明する。半導体ウェハ、例えば大
電流を通電するダイオード−，サィリスタなどの半導体
ウヱハは、一般に第１図および第２図に示すように構成
される。
すなわち、これらの第１図および第２図において、この
種の半導体ウェハは、大径のシリコンウェハーに対して
、数個分のＰＮ接合素子、いわゆるチップを拡散および
写真製版工程などの処理を経て形成させたのち、これら
の一般的には円形状とされるチップに、ウェハと膨張係
数の近似するモリブデン板３をロー材２によりロー付け
して電極とし、最後に個々のチップをスクライブ、この
発明では打抜き成形して切り出す。この発明方法を適用
する一実施例装置の構成とその打抜き工程とを第３図な
いし第５図に示してある。
種の半導体ウェハは、大径のシリコンウェハーに対して
、数個分のＰＮ接合素子、いわゆるチップを拡散および
写真製版工程などの処理を経て形成させたのち、これら
の一般的には円形状とされるチップに、ウェハと膨張係
数の近似するモリブデン板３をロー材２によりロー付け
して電極とし、最後に個々のチップをスクライブ、この
発明では打抜き成形して切り出す。この発明方法を適用
する一実施例装置の構成とその打抜き工程とを第３図な
いし第５図に示してある。
この一実施例装置は、第３図に示したように、プレス上
型４に対し、打抜き上型５をボルト６によって固定する
。
型４に対し、打抜き上型５をボルト６によって固定する
。
この打抜き上型５には、前記した個々のチップ位置に対
応して、その外径に一致する直径をもっところの、下端
の閉口された上部押え村７が、打抜き孔５ａ内を上下方
向に鷹動できるように各々鉄装されており、かつ各上部
押え村７は各々の下端面が上型５の下面から同一レベル
に突出するように、圧縮ばね８を介して支持ボルト９に
より支持されている。こ）で前記上部押え村７が、下端
の開口された中空状となっているのは、チップ表面を損
傷することないこ、そのパターンの内側を上面から押え
るためであり、かつ各上部押え杵７の突出面を同一レベ
ルに維持させるようにしたのは、各チップ上面を後述す
るように同時に押え込み得るようにするためである。
応して、その外径に一致する直径をもっところの、下端
の閉口された上部押え村７が、打抜き孔５ａ内を上下方
向に鷹動できるように各々鉄装されており、かつ各上部
押え村７は各々の下端面が上型５の下面から同一レベル
に突出するように、圧縮ばね８を介して支持ボルト９に
より支持されている。こ）で前記上部押え村７が、下端
の開口された中空状となっているのは、チップ表面を損
傷することないこ、そのパターンの内側を上面から押え
るためであり、かつ各上部押え杵７の突出面を同一レベ
ルに維持させるようにしたのは、各チップ上面を後述す
るように同時に押え込み得るようにするためである。
また次に、プレス下型１０１こ対し、前記各上部押え杵
７の位置に対応して形成された支持孔１０ａに、谷下部
押え杵１１を上面高さが同一レベルにあるようにして挿
入固定させ、かつ各下部押え杵１１には打抜き下型１２
を、各々の支持孔１２ａで摺動できるように欧装させる
と共に、これをその上面が各下部押え杵１１の上面より
も、前記モリブデン板３を受け入れ得る程度に高くした
状態で、下型１０との間に圧縮ばね１３を介して支持さ
せ、かつ各圧縮ばね１３はストッパ１４に支持させてお
く。
７の位置に対応して形成された支持孔１０ａに、谷下部
押え杵１１を上面高さが同一レベルにあるようにして挿
入固定させ、かつ各下部押え杵１１には打抜き下型１２
を、各々の支持孔１２ａで摺動できるように欧装させる
と共に、これをその上面が各下部押え杵１１の上面より
も、前記モリブデン板３を受け入れ得る程度に高くした
状態で、下型１０との間に圧縮ばね１３を介して支持さ
せ、かつ各圧縮ばね１３はストッパ１４に支持させてお
く。
こ）で前記下部押え杵１１の直径は、前記打抜き孔５ａ
に対して密に隊菱できる程度にしておき、またその上面
高さを同一レベルに維持させたのは、前記シリコンチッ
プ１を水平に支持させるためと、各モリブデン板３の下
面を押えて、打抜さがすべてのチップに対して同時に行
なわれるようにするためであり、かつ各ストッパ１４の
高さは打抜きストロークを規制する。
に対して密に隊菱できる程度にしておき、またその上面
高さを同一レベルに維持させたのは、前記シリコンチッ
プ１を水平に支持させるためと、各モリブデン板３の下
面を押えて、打抜さがすべてのチップに対して同時に行
なわれるようにするためであり、かつ各ストッパ１４の
高さは打抜きストロークを規制する。
なおまた打抜きは、シリコンゥェハ１およびモリブデン
板３を、上部および下部押え村７，１１により、上下両
面からチップパターンの内側を押圧した状態で、打抜き
孔５ａとモリブデン板３ないしは下部押え杵１１の上面
との鱒断で行なうため、各部材のセンター位置、クリア
ランスおよび鱒断圧力は、シリコンウェハ１およびロー
村２の厚みおよびシリコンウェハ１の強度などによって
適宜に選択する。
板３を、上部および下部押え村７，１１により、上下両
面からチップパターンの内側を押圧した状態で、打抜き
孔５ａとモリブデン板３ないしは下部押え杵１１の上面
との鱒断で行なうため、各部材のセンター位置、クリア
ランスおよび鱒断圧力は、シリコンウェハ１およびロー
村２の厚みおよびシリコンウェハ１の強度などによって
適宜に選択する。
打抜き操作は、まず前記第３図の状態において、シリコ
ンウェハ１を、各素子チップモリブデン板３が支持孔１
２ａ内に受け入れられるようにして、打抜き下型１２上
に教壇支持させた上で、プレス上型４を所定のプレス圧
力で下降させる。
ンウェハ１を、各素子チップモリブデン板３が支持孔１
２ａ内に受け入れられるようにして、打抜き下型１２上
に教壇支持させた上で、プレス上型４を所定のプレス圧
力で下降させる。
このプレス上型４の下降に伴なつて、上部押え杵７の下
面がシリコンウェハ１の各チップパターン上面に接し、
かつさらに下降が続けられると、この各上部押え粁７は
圧縮ばね８の弾力性に抗して、次第に打抜き孔５ａ内に
引き込んでゆき、これによってシリコンウェハ１の該当
チップを上面から押圧し、かつ打抜き上型５の下面もま
たシリコンウェハ１の上面に接してこれを押圧し、第４
図の状態となる。そしてさらにこの状態からプレス上型
４が下降を続けると、第５図に示すようにして各円形チ
ップの数断が行なわれるのであり、このときシリコンウ
ェハ１は圧縮ばね１３の弾圧力により打抜き上，下型５
，１２間に秋圧されたま）となる。このようにして各円
形チップ１５を打ち抜き分離した半導体ウェハの状態を
第６図に示してある。
面がシリコンウェハ１の各チップパターン上面に接し、
かつさらに下降が続けられると、この各上部押え粁７は
圧縮ばね８の弾力性に抗して、次第に打抜き孔５ａ内に
引き込んでゆき、これによってシリコンウェハ１の該当
チップを上面から押圧し、かつ打抜き上型５の下面もま
たシリコンウェハ１の上面に接してこれを押圧し、第４
図の状態となる。そしてさらにこの状態からプレス上型
４が下降を続けると、第５図に示すようにして各円形チ
ップの数断が行なわれるのであり、このときシリコンウ
ェハ１は圧縮ばね１３の弾圧力により打抜き上，下型５
，１２間に秋圧されたま）となる。このようにして各円
形チップ１５を打ち抜き分離した半導体ウェハの状態を
第６図に示してある。
タ また前記実施例は１枚づ）のシリコンウェハを打抜
く場合であるが、複数枚のシリコンゥェハを同時に打抜
く場合の実施例を第７図および第８図に示す。
く場合であるが、複数枚のシリコンゥェハを同時に打抜
く場合の実施例を第７図および第８図に示す。
この実施例の場合は、支持孔１６ａをもつ打抜き下型１
６に案内村１７，１７を楯立させておき、かつ打抜き孔
１８ａをもつ打抜き上型１８を複数枚用意し、前記実施
例と同様にこれらの各型間にシリコンウェハ１を順次に
積層ごせてゆき、すべてのシリコンウヱハ１を同時に打
抜くようにすればよいのである。
６に案内村１７，１７を楯立させておき、かつ打抜き孔
１８ａをもつ打抜き上型１８を複数枚用意し、前記実施
例と同様にこれらの各型間にシリコンウェハ１を順次に
積層ごせてゆき、すべてのシリコンウヱハ１を同時に打
抜くようにすればよいのである。
なお以上の各実施例はモリブデン板をロー付けしたシリ
コンゥェハの打抜きについて述べたが、シリコンウェハ
単体を打抜くことも同様にして行なうことができる。
コンゥェハの打抜きについて述べたが、シリコンウェハ
単体を打抜くことも同様にして行なうことができる。
この場合の位置決めはシリコンウェハ自体で行なえばよ
い。さらに各実施例では円形状のチップを打抜く場合で
あるが、任意形状に適用することもまた容易である。以
上詳述したようにこの発明方法によれば、通常のプレス
機構によって半導体ウェハから任意形状のチップを打抜
いて切り出すことができ、従来のようなダイヤモンドス
クライブ，レーザースクライプ，超音波スクラィプに比
較して装置構成を簡単かつ安価に得られるほか、作業時
間を充分に短縮できると共に、打抜きに際してはチップ
パターンの内側を両面から挟んで押圧するために、この
内側へのストレス，クラックを最小限に喰い止め得るな
どの特長を有するものである。
い。さらに各実施例では円形状のチップを打抜く場合で
あるが、任意形状に適用することもまた容易である。以
上詳述したようにこの発明方法によれば、通常のプレス
機構によって半導体ウェハから任意形状のチップを打抜
いて切り出すことができ、従来のようなダイヤモンドス
クライブ，レーザースクライプ，超音波スクラィプに比
較して装置構成を簡単かつ安価に得られるほか、作業時
間を充分に短縮できると共に、打抜きに際してはチップ
パターンの内側を両面から挟んで押圧するために、この
内側へのストレス，クラックを最小限に喰い止め得るな
どの特長を有するものである。
第１図および第２図は半導体ゥェハの構成例を示す正面
および側面図、第３図ないし第５図はこの発明方法を適
用した打抜き機構の一実施例による構成とその打抜き工
程とを順次に示す各々断面図、第６図は打抜き後の半導
体ウェハを示す斜視図、第７図および第８図は他の実施
例機構を示す斜視図および断面図である。 １……シリコンウヱハ、２……ロー材、３……モリブデ
ン板、４・・・・・・プレス上型、５，１８・・・・・
・打抜き上型、５ａ，１８ａ・・・・・・打抜き孔、７
・・・・・・上部押え杵、１０・・…・プレス下型、１
１・・・・・・下部押え杵、１２，１６…・・・打抜き
下型、１２ａ，１６ａ・・・・・・支持孔、１５・・・
・・・チップ。 第１図第２図 第３図 第ム図 第５図 第６図 第７図 第８図
および側面図、第３図ないし第５図はこの発明方法を適
用した打抜き機構の一実施例による構成とその打抜き工
程とを順次に示す各々断面図、第６図は打抜き後の半導
体ウェハを示す斜視図、第７図および第８図は他の実施
例機構を示す斜視図および断面図である。 １……シリコンウヱハ、２……ロー材、３……モリブデ
ン板、４・・・・・・プレス上型、５，１８・・・・・
・打抜き上型、５ａ，１８ａ・・・・・・打抜き孔、７
・・・・・・上部押え杵、１０・・…・プレス下型、１
１・・・・・・下部押え杵、１２，１６…・・・打抜き
下型、１２ａ，１６ａ・・・・・・支持孔、１５・・・
・・・チップ。 第１図第２図 第３図 第ム図 第５図 第６図 第７図 第８図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体ウエハを、任意のチツプパターンに合わせた
打抜き孔を有する打抜き上型と打抜き下型との間に載置
し、上記打抜き孔内に摺動自在に挿入された圧縮ばねを
有する上部押え杆とこれに対向する下部押え杆とで上記
チツプパターン部を挾圧支持した状態で、チツプパター
ン外周部を、打抜き上型の打抜き孔外周部および圧縮ば
ねを有する打抜き下型の下部押え杆外周部とで挾持した
まま、上記チツプパターン部に対して半導体ウエハの主
面に垂直な方向に相対的に移動させることにより打抜く
ことを特徴とする半導体ウエハの打抜き方法。 ２ 半導体ウエハに形成されたチツプに、そのパターン
形状と同一形状のモリブデン板などの電極金属がロー付
けされている場合、この電極金属を含む両面を挾圧支持
することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導
体ウエハの打抜き方法。 ３ チツプパターンの内側に沿わせて両面から挾圧支持
させた半導体ウエハを用意し、その複数枚を順次に積層
させて、各チツプパターンの外周部を同時に打抜くこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記載の
半導体ウエハの打抜き方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54069631A JPS6028390B2 (ja) | 1979-06-01 | 1979-06-01 | 半導体ウエハの打抜き方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54069631A JPS6028390B2 (ja) | 1979-06-01 | 1979-06-01 | 半導体ウエハの打抜き方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55162241A JPS55162241A (en) | 1980-12-17 |
| JPS6028390B2 true JPS6028390B2 (ja) | 1985-07-04 |
Family
ID=13408391
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54069631A Expired JPS6028390B2 (ja) | 1979-06-01 | 1979-06-01 | 半導体ウエハの打抜き方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6028390B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01171631A (ja) * | 1987-12-26 | 1989-07-06 | Sankiyuu Plant Kogyo Kk | 多重回転熱処理装置 |
| CN107442947A (zh) * | 2016-05-10 | 2017-12-08 | 株式会社迪思科 | 分割工具和分割工具的使用方法 |
-
1979
- 1979-06-01 JP JP54069631A patent/JPS6028390B2/ja not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01171631A (ja) * | 1987-12-26 | 1989-07-06 | Sankiyuu Plant Kogyo Kk | 多重回転熱処理装置 |
| CN107442947A (zh) * | 2016-05-10 | 2017-12-08 | 株式会社迪思科 | 分割工具和分割工具的使用方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55162241A (en) | 1980-12-17 |
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