JPS6027687A - ３−５族化合物単結晶の成長方法 - Google Patents
３−５族化合物単結晶の成長方法Info
- Publication number
- JPS6027687A JPS6027687A JP58135181A JP13518183A JPS6027687A JP S6027687 A JPS6027687 A JP S6027687A JP 58135181 A JP58135181 A JP 58135181A JP 13518183 A JP13518183 A JP 13518183A JP S6027687 A JPS6027687 A JP S6027687A
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- Japan
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- Pending
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［Ｆ、、Ｓ門の属する技術分野〕
木！ム明はｉ、ＩＪ −Ｖ族化合物単結晶の成長方法に
係り、・「、′ＦＫその液相成長方法の改良に関する。
係り、・「、′ＦＫその液相成長方法の改良に関する。
ｊｉｌ −Ｖ 族化合物単結晶の成長方法としてＱ ａ
Ａ Ｓ’ｙ％ ｔｊＺ’ Ｉｃ Ｇ ａ Ａ Ｉ Ａ
Ｓ ｆ液相成長させる場合、Ｎ型Ｇａ、−ｘｈｌｘＡ
ｓ（０≦Ｘ≦１）用のドーパントとして８ ｅ 、 Ｉ
Ｆ ｅ等の■族元素が高いキャリア濃度結晶式：Ｉ！（
ろ目的で広く用いられている。
Ａ Ｓ’ｙ％ ｔｊＺ’ Ｉｃ Ｇ ａ Ａ Ｉ Ａ
Ｓ ｆ液相成長させる場合、Ｎ型Ｇａ、−ｘｈｌｘＡ
ｓ（０≦Ｘ≦１）用のドーパントとして８ ｅ 、 Ｉ
Ｆ ｅ等の■族元素が高いキャリア濃度結晶式：Ｉ！（
ろ目的で広く用いられている。
しかしながら、この場合通常ＧａＡＳ基板の溶解が起こ
ることが知られている。このＧａＡＳ基板の溶解は一様
ではなく凹凸が生じる。
ることが知られている。このＧａＡＳ基板の溶解は一様
ではなく凹凸が生じる。
この凹凸はその後のＮ型Ｇ ａ Ｉ−ｘ Ａ ｌ ｘ
Ａ Ｓの成長に伴いならされてい（が、Ｎ型Ｇａ１−ｚ
ＡＡ’ｒＡｓが薄い場合は充分に平坦にならない。
Ａ Ｓの成長に伴いならされてい（が、Ｎ型Ｇａ１−ｚ
ＡＡ’ｒＡｓが薄い場合は充分に平坦にならない。
以下すらに従来の問題点ｔ−ＧａＡＳ−ＧａＡＩＡｓ半
導体レーザの製造全列として第１１閾及び第２図を参照
して説明する。
導体レーザの製造全列として第１１閾及び第２図を参照
して説明する。
第１図はＴｆＶＩＳ （ＴＩｖｉｎ Ｍｅｓａ ５ｕｂ
ｓｔｒａｔｅ ） Ｇ ａ Ａｓ −ＱａＡＪＡＳ半尋
体レーザの断面図である。
ｓｔｒａｔｅ ） Ｇ ａ Ａｓ −ＱａＡＪＡＳ半尋
体レーザの断面図である。
即ち＊ メ”１ｅ（７）ＮＷＧａＡｓｊ、ｑ板（ＩＩＫ
Ｓ ｎ ）’−プＮ Ｗ Ｇａ ｏ、５ｓＡＪｏ４ｓ
Ａｓ （２１ｔテラス部で０．２μｍイ呈度、Ｎｏｎド
ープＮ型Ｇａｏ、５ｙＡｌｏ、ｘ３Ａｓ［３１ｅ Ｖ
溝部で０．０５μｍ、ＱｅドープＰ型Ｇａｏ、５ｓＡＪ
ｏ、、＋５Ａｓ（４１ｋテラス部で１μｍ、Ｓｎドープ
Ｎ型ＧａＡｓ（５１ヲ０．５７Ｊ ｍ順次成長させたも
のである。
Ｓ ｎ ）’−プＮ Ｗ Ｇａ ｏ、５ｓＡＪｏ４ｓ
Ａｓ （２１ｔテラス部で０．２μｍイ呈度、Ｎｏｎド
ープＮ型Ｇａｏ、５ｙＡｌｏ、ｘ３Ａｓ［３１ｅ Ｖ
溝部で０．０５μｍ、ＱｅドープＰ型Ｇａｏ、５ｓＡＪ
ｏ、、＋５Ａｓ（４１ｋテラス部で１μｍ、Ｓｎドープ
Ｎ型ＧａＡｓ（５１ヲ０．５７Ｊ ｍ順次成長させたも
のである。
成長条件は保持温度及び時間が８２０℃屑、び６０分で
、成長温度が８１ （１℃である。
、成長温度が８１ （１℃である。
また初期過冷却度は１０℃で、徐冷速度番ま１ ’Ｃ／
分である。Ｎ型不純物Ｓｎは１０＋ｎｏＪ ％である。
分である。Ｎ型不純物Ｓｎは１０＋ｎｏＪ ％である。
この場合は、Ｎ＝ｔ ａ ａ Ａ Ｓ 基板１１１とＳ
ｎドープＮ早Ｇ ａｏ、５５ Ａ、Ｉ Ｏ，４５Ａ Ｓ
（２１の界面はメルトバックサイｊ７ることはなく、
Ｎ型Ｇ ａｏ、ｓ ｙ ＡＩ ｏ、１３Ａ ｓ （３１
層は；勺−１Ｃ成長する。
ｎドープＮ早Ｇ ａｏ、５５ Ａ、Ｉ Ｏ，４５Ａ Ｓ
（２１の界面はメルトバックサイｊ７ることはなく、
Ｎ型Ｇ ａｏ、ｓ ｙ ＡＩ ｏ、１３Ａ ｓ （３１
層は；勺−１Ｃ成長する。
しかしながら３ｎ＝ｌＱ＋ｎｏＪ％Ｎ型Ｇ ａ ｏ、５
ｓＡＪＯ，４５ＡＳ （２１のキャリア１７，１度は３
Ｘ１０”ｃａｒ’であり、ＩＬ（１抗率は７ Ｘ Ｊ
Ｏ−”Ω、 ｃｍである。
ｓＡＪＯ，４５ＡＳ （２１のキャリア１７，１度は３
Ｘ１０”ｃａｒ’であり、ＩＬ（１抗率は７ Ｘ Ｊ
Ｏ−”Ω、 ｃｍである。
このことは、Ｓｎの偏析係数が小さいことによるためで
あり、レーザ毛子のシリーズ抵抗を上げる５県１．″・
１となっていた。
あり、レーザ毛子のシリーズ抵抗を上げる５県１．″・
１となっていた。
従って、従来シリーズにＴ（Ｊ７＋’を下げる目的で偏
析係数の大きいドーパントとしてＴｅが用いられている
。
析係数の大きいドーパントとしてＴｅが用いられている
。
このｌ’ ｅ ７ｒドーパントとして甲いた場合の半導
ｉ４ｓ ＋／−ザの断ｒｉｎ図を第２１ｙりｌ Ｉｃ
示ス。
ｉ４ｓ ＋／−ザの断ｒｉｎ図を第２１ｙりｌ Ｉｃ
示ス。
）、悦ｒ・二′−件は第１図に示す１見台と同様である
が、Ｎ ξ’１．Ｇ ａ ｏ、５ｓＡＪｏ、４ｓ Ａｓ
（６１ｃ７）キ＋ ’ｊ ７濃度’を増すだめＴ ｅ
’ｋ ５ Ｘ ｌ Ｏ−” ａｔｏｍｉｃｅＬ用いてい
る。
が、Ｎ ξ’１．Ｇ ａ ｏ、５ｓＡＪｏ、４ｓ Ａｓ
（６１ｃ７）キ＋ ’ｊ ７濃度’を増すだめＴ ｅ
’ｋ ５ Ｘ ｌ Ｏ−” ａｔｏｍｉｃｅＬ用いてい
る。
このＴｅのドープ」１は、上述のシリーズ抵抗を下げる
ための最低のドープ叶である。
ための最低のドープ叶である。
しかしこの場合は、図示のようにＧ、ａＡｓ基板（１１
とＮ型ＧａＯ，５ｓＡＪ ０．４５−ＡＳ（６１の界面
にはメルトバックにより凹凸が生じる。
とＮ型ＧａＯ，５ｓＡＪ ０．４５−ＡＳ（６１の界面
にはメルトバックにより凹凸が生じる。
また、このように半導体レーザを形成する場合Ｎ型Ｇａ
ｏ、５ｓＡＪ６，４５Ａｓ１６１は０．２μｍと薄いた
めＮ型Ｇａｏ、５ｓＡｌｏ、４．Ａｓ （６１の上のＮ
型Ｇ ａｏ、８７Ａ”０．１３ＡＦｉｔ３１の活性層は
均一に成長せず導波路形状が非対称になり、またス］・
ライブ方向で不均一となる。
ｏ、５ｓＡＪ６，４５Ａｓ１６１は０．２μｍと薄いた
めＮ型Ｇａｏ、５ｓＡｌｏ、４．Ａｓ （６１の上のＮ
型Ｇ ａｏ、８７Ａ”０．１３ＡＦｉｔ３１の活性層は
均一に成長せず導波路形状が非対称になり、またス］・
ライブ方向で不均一となる。
このため半導体レーザの発尤が不均一になシ、遠視野像
が乱れ、寿命も短かくなるという問題があった。
が乱れ、寿命も短かくなるという問題があった。
本発明は上述の問題点を考慮してなされたものであり、
Ｇａ、Ａｓ戎板上ｖｒ、篩キャリア７１″Ｉ′に度のＮ
型Ｑａ、、Ａｌ工Ａｓ結晶を成長させる際にＱ ａ Ａ
８基板の溶解が生じないようにした結晶成侵方法を提
供することにある。
Ｇａ、Ａｓ戎板上ｖｒ、篩キャリア７１″Ｉ′に度のＮ
型Ｑａ、、Ａｌ工Ａｓ結晶を成長させる際にＱ ａ Ａ
８基板の溶解が生じないようにした結晶成侵方法を提
供することにある。
本発明はＧａＡＳ基板上にＮｊ’１Ｇａｌ−、、ＡＩ、
、ＡＳ（０，３≦Ｘ≦１）を液相結晶成長により形成す
る際に、ＧａＡＳ＋、Ｉ；板上１７Ｎ ａｌ若しくはＰ
型のＧ ａｌ−ｙＡｌｙＡｓ（０≦ｙ≦０１５）全液相
結晶成１Ｑ１′ζより形成した後＆ＣＮ’１’ｉ、 Ｇ
ａ Ｈ−２Ａｌ ｘＡ ｓ （（１３≦Ｘ≦１）全連
続的に形成する結晶成長法である。
、ＡＳ（０，３≦Ｘ≦１）を液相結晶成長により形成す
る際に、ＧａＡＳ＋、Ｉ；板上１７Ｎ ａｌ若しくはＰ
型のＧ ａｌ−ｙＡｌｙＡｓ（０≦ｙ≦０１５）全液相
結晶成１Ｑ１′ζより形成した後＆ＣＮ’１’ｉ、 Ｇ
ａ Ｈ−２Ａｌ ｘＡ ｓ （（１３≦Ｘ≦１）全連
続的に形成する結晶成長法である。
１’、！ｉｆち、 Ｇ ａ Ａ Ｓ Ｋ Ｌ’ｉ上Ｋ
Ｎ型らａｌ −ｘＡｌｘＡｓ （０，３≦Ｘ≦１）全液
相、清晶Ｉｔｚ長さぜる前にＧ都ｙ Ａ ｌｙＡ ｓ（
０≦Ｖ≦０．１５）’（ｚ液相結晶１ｊｖ； 、１τＬ
ぴぜることによりに ａ Ａ Ｓ吸板の９＋＞Ｔ’に生
じさせないで結晶成長さ１→、と）ことができる。
Ｎ型らａｌ −ｘＡｌｘＡｓ （０，３≦Ｘ≦１）全液
相、清晶Ｉｔｚ長さぜる前にＧ都ｙ Ａ ｌｙＡ ｓ（
０≦Ｖ≦０．１５）’（ｚ液相結晶１ｊｖ； 、１τＬ
ぴぜることによりに ａ Ａ Ｓ吸板の９＋＞Ｔ’に生
じさせないで結晶成長さ１→、と）ことができる。
〔・−門〇志施＋’ｌｌ ：］
す、下、本発明の一実１ｊ１１ニジ１１シ℃・、’＜
３ ｌ′−（ｊ勿参照して説１１１１する。
３ ｌ′−（ｊ勿参照して説１１１１する。
ｈｌｌ ’ｌ）、＋ 、 Ｇ ａ Ａ Ｓ Ａ板（ｌ上
に、ニー４゛、Ｔｅがドーグさ１Ｌ７ｊキヤリ了ン１’
′ｉ Ｉｊ’ｖがｌＸｌ０”ｃｍ−３のＮ型Ｇ ａｌ−
ｙΔＡ ｖ、Ａ ｓ （Ｑ ５ ｙ≦０．１５）層（７
）ヲノ・Ｘさ０，２μｍ成長さ姓ろ。
に、ニー４゛、Ｔｅがドーグさ１Ｌ７ｊキヤリ了ン１’
′ｉ Ｉｊ’ｖがｌＸｌ０”ｃｍ−３のＮ型Ｇ ａｌ−
ｙΔＡ ｖ、Ａ ｓ （Ｑ ５ ｙ≦０．１５）層（７
）ヲノ・Ｘさ０，２μｍ成長さ姓ろ。
ぞＣハイ、々、Ｎ型不純ｌ：：〃とし−ＣＴ ｅが５Ｘ
ｌＯ’ａｔ−＋ｎｉｃ ％ドープされたＮ、！８！！、
Ｇａｇ、５ｓＡ１０．，５５Ａｓ１６１、Ｎ型Ｇ ＋１
（＋、８７ＡＩＱ、Ｉ ＴＡ ８ （３１及びＰ ）−
１’ｉ Ｇ ａ ｏ、５ｓＡ ｌ ０．４ ｓＡ ｓ
（４１のダブルへテロ層を成長させる。
ｌＯ’ａｔ−＋ｎｉｃ ％ドープされたＮ、！８！！、
Ｇａｇ、５ｓＡ１０．，５５Ａｓ１６１、Ｎ型Ｇ ＋１
（＋、８７ＡＩＱ、Ｉ ＴＡ ８ （３１及びＰ ）−
１’ｉ Ｇ ａ ｏ、５ｓＡ ｌ ０．４ ｓＡ ｓ
（４１のダブルへテロ層を成長させる。
この方法によるとＱ ａ Ａ Ｓ Ｊ：１．板＋１１の
メルトバックは生じない。
メルトバックは生じない。
これはＧ ａｌ−ｙＡ／３．Ａｓ （７）のｙ ｒｇ
ｏ≦ｙ≦０．１５とすることにより Ａ ｌ ６度を下
げ、これに伴ない、ＡｓＯ濃１ｉＴｈ上げることによ’
） Ｇ ａ Ａ Ｓ 塞板（１）からのＡｓの飛散を防
ぎ、或いはＡｓの飛散したＧａＡｓ基板＋１１にＡ Ｓ
ｆ供、治しＧ ａ Ａ ｓ Ｊ、！；板＋１１のメルト
バックを防ぐものと考えられる。
ｏ≦ｙ≦０．１５とすることにより Ａ ｌ ６度を下
げ、これに伴ない、ＡｓＯ濃１ｉＴｈ上げることによ’
） Ｇ ａ Ａ Ｓ 塞板（１）からのＡｓの飛散を防
ぎ、或いはＡｓの飛散したＧａＡｓ基板＋１１にＡ Ｓ
ｆ供、治しＧ ａ Ａ ｓ Ｊ、！；板＋１１のメルト
バックを防ぐものと考えられる。
尚、ＧａＡＳ基板（１）上ｖｃ Ｇａ、−ｙＡ７！ｙＡ
ｓ （ｙ ＝ ０ ）即ちＧａＡｓ層を１ｌｌｌ；長さ
せた場合も上述と同様の理由によＪＧａＡＳＧａＡｓ層
上メルトバックを防ぐものと考えられる。
ｓ （ｙ ＝ ０ ）即ちＧａＡｓ層を１ｌｌｌ；長さ
せた場合も上述と同様の理由によＪＧａＡＳＧａＡｓ層
上メルトバックを防ぐものと考えられる。
また、このＧａＡｓ層上にＮ 戚Ｇ ａ Ｏ，５５ＡＩ
ｔｏ、４ ｓ Ａ ５（６）を成長させる際は連続成長
全行なっているためＧａＡｓ層からのＡｓは防止され、
従ってメルトバックは生じないものと考えられる。
ｔｏ、４ ｓ Ａ ５（６）を成長させる際は連続成長
全行なっているためＧａＡｓ層からのＡｓは防止され、
従ってメルトバックは生じないものと考えられる。
その結果、レーザ索子のシリーズｇ抗の低減されること
ができかつレーザ％ ｌ１葡そこなうことが介く、また
寿命も延びｔ−ｄ温で５万時１−１ηヶ保障できる２ｊ
二うＬ′ｊなった。
ができかつレーザ％ ｌ１葡そこなうことが介く、また
寿命も延びｔ−ｄ温で５万時１−１ηヶ保障できる２ｊ
二うＬ′ｊなった。
尚、−／ト発明の実る・＆例の説明に於いては、ＧａＡ
ｓ・７（コ仮（１１はメサ（＋７．７造としたが、こイ
１は通常の平面のＧ ＸＩ Ａ Ｓ 族４反でも良く、
またＮ型Ｇａ、−、、ｒＪ、１ｘＡＳ ［７１のＸ、、
、、、、 ＝ ０．４５ 、 Ｎ型Ｇａ、−ｙＡ／ｙＡ
ｓ（６１のＸＡｌＡｓ ＝Ｏ。
ｓ・７（コ仮（１１はメサ（＋７．７造としたが、こイ
１は通常の平面のＧ ＸＩ Ａ Ｓ 族４反でも良く、
またＮ型Ｇａ、−、、ｒＪ、１ｘＡＳ ［７１のＸ、、
、、、、 ＝ ０．４５ 、 Ｎ型Ｇａ、−ｙＡ／ｙＡ
ｓ（６１のＸＡｌＡｓ ＝Ｏ。
Ｉ＋ ’″：１ （，１”Ｃｎ＋ 、ｓ としたが、こ
利、らは１店晶組成、キトり了’４ ＋ｅ ’Ｃ変史？
ｊＪ能なことは−うまでもない。
利、らは１店晶組成、キトり了’４ ＋ｅ ’Ｃ変史？
ｊＪ能なことは−うまでもない。
４、図ｉ＋’ｒ＋の１？・）年な、冗明Ｈｓ： １ ＋
ズ１及び・８２図は従ン’、ｆ １；’１．１ケ示す所
面図、第３１−一１は本′猜明の一実廁例を示す１ｉｒ
Ｔ曲図である。
ズ１及び・８２図は従ン’、ｆ １；’１．１ケ示す所
面図、第３１−一１は本′猜明の一実廁例を示す１ｉｒ
Ｔ曲図である。
Claims (1)
- Ｇａ Ａ ｓＪＡ板上にＮｍ若しくはＰａのＧ ａｔ−
ｖＡＡ’ｙＡ＋（０くｙ≦０．１５）層及びＮ型のＧ
ａ、−ｒＡ＆Ａｓ （ｏ、 ３≦ｘ ：’−＝ １ ）
副音順次連続して液相結晶成長により形成すること？：
特徴とするＩｌｌ −Ｖ族化合物単結晶の成礎方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58135181A JPS6027687A (ja) | 1983-07-26 | 1983-07-26 | ３−５族化合物単結晶の成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58135181A JPS6027687A (ja) | 1983-07-26 | 1983-07-26 | ３−５族化合物単結晶の成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6027687A true JPS6027687A (ja) | 1985-02-12 |
Family
ID=15145726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58135181A Pending JPS6027687A (ja) | 1983-07-26 | 1983-07-26 | ３−５族化合物単結晶の成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6027687A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5544928A (en) * | 1993-12-20 | 1996-08-13 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Mounting structure of sun visor for automobile |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5359125A (en) * | 1976-11-09 | 1978-05-27 | Nippon Oil Seal Ind Co Ltd | Air cleaner container and method of manufacturing |
-
1983
- 1983-07-26 JP JP58135181A patent/JPS6027687A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5359125A (en) * | 1976-11-09 | 1978-05-27 | Nippon Oil Seal Ind Co Ltd | Air cleaner container and method of manufacturing |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5544928A (en) * | 1993-12-20 | 1996-08-13 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Mounting structure of sun visor for automobile |
| US5653496A (en) * | 1993-12-20 | 1997-08-05 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Mounting structure of sun visor for automobile |
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