JPS6027149A - 半導体装置の封止方法 - Google Patents
半導体装置の封止方法Info
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- JPS6027149A JPS6027149A JP58134801A JP13480183A JPS6027149A JP S6027149 A JPS6027149 A JP S6027149A JP 58134801 A JP58134801 A JP 58134801A JP 13480183 A JP13480183 A JP 13480183A JP S6027149 A JPS6027149 A JP S6027149A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sealing
- edge
- package
- cap
- semiconductor device
- Prior art date
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/163—Connection portion, e.g. seal
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は例えば固体撮像素子等の半導体素子を収納する
半導体装置の封止方法に関する。
半導体装置の封止方法に関する。
従来、この種半導体装置の封止方法によシ製作される半
導体装置は第１図に示すように構成されている。これを
同図に基づいて概略説明すると、（１）はセラミック等
からなるパッケージで、内部に半導体素子（２）が収納
されておシ、開口周縁にはシールリング（３）が設けら
れている。（４）は前記パッケージ（１）の開口部を覆
うキャップで、前記シールリング（３）に対応する部位
にはシールｅ、（５）が設けられておシ、このシール縁
（５）と前記シールリング（３）間にロウ材（６）を介
しパラレルシーム溶接によシ前記パッケージ（１）に接
合されている。なお、（７）は前記キャンプ（４）およ
びパンケージ（１）間に形成された空間部である。
導体装置は第１図に示すように構成されている。これを
同図に基づいて概略説明すると、（１）はセラミック等
からなるパッケージで、内部に半導体素子（２）が収納
されておシ、開口周縁にはシールリング（３）が設けら
れている。（４）は前記パッケージ（１）の開口部を覆
うキャップで、前記シールリング（３）に対応する部位
にはシールｅ、（５）が設けられておシ、このシール縁
（５）と前記シールリング（３）間にロウ材（６）を介
しパラレルシーム溶接によシ前記パッケージ（１）に接
合されている。なお、（７）は前記キャンプ（４）およ
びパンケージ（１）間に形成された空間部である。
このように構成された半導体装置の封止を行うには、キ
ャップ（４）、四つ材（６）およびパッケージ（１）を
、相互の位置がずれないように治具等によシ位置合せを
し、スポット溶接、によって仮付けする必要があり、封
止作業を煩雑にするという欠点がある。また、仮付けを
行うことによって生じる仮付は部分からのリークによシ
装置の品質が低下するという欠点もある。
ャップ（４）、四つ材（６）およびパッケージ（１）を
、相互の位置がずれないように治具等によシ位置合せを
し、スポット溶接、によって仮付けする必要があり、封
止作業を煩雑にするという欠点がある。また、仮付けを
行うことによって生じる仮付は部分からのリークによシ
装置の品質が低下するという欠点もある。
さらに、キャップ（４）のパッケージ（１）への本付け
がパラレルシーム溶接によシ行われるため、溶融したロ
ウ材（６）がシール用のローラ電極（図示せず）に付着
し電極の寿命を著しく短くするという不都合がある。
がパラレルシーム溶接によシ行われるため、溶融したロ
ウ材（６）がシール用のローラ電極（図示せず）に付着
し電極の寿命を著しく短くするという不都合がある。
本発明はこのような事情に鑑みなされたもので、曲げ加
工によシキャップのシール縁にパッケージのシールリン
グの外側を覆う接合縁を形成し、キャンプとパッケージ
とをパラレルシーム溶接することによシ、仮付作業を不
要にし、もって生産性および歩留シの向上を計った半導
体装置Ω封止方法を提供するものである。以下、その構
成等を図に示す実施例によって詳細に説明する。
工によシキャップのシール縁にパッケージのシールリン
グの外側を覆う接合縁を形成し、キャンプとパッケージ
とをパラレルシーム溶接することによシ、仮付作業を不
要にし、もって生産性および歩留シの向上を計った半導
体装置Ω封止方法を提供するものである。以下、その構
成等を図に示す実施例によって詳細に説明する。
第２図は本発明に係る半導体装置の封止方法によシ気密
封止される半導体装置を示す断面図、第３図は第２図の
（Ａ１部を示す断面図で、第１図と同一の部材について
拡開−の符号を付し、詳細な説明は省略する。ａυは前
記シールリング（３）の外側一部を覆う接合縁で、曲げ
加工によシ前記シール縁（５）に形成されている。これ
によって、溶接時のパンケージ（１）、キャップ（４）
およびロウ材（６）の位置合せを簡単に行い得る。
封止される半導体装置を示す断面図、第３図は第２図の
（Ａ１部を示す断面図で、第１図と同一の部材について
拡開−の符号を付し、詳細な説明は省略する。ａυは前
記シールリング（３）の外側一部を覆う接合縁で、曲げ
加工によシ前記シール縁（５）に形成されている。これ
によって、溶接時のパンケージ（１）、キャップ（４）
およびロウ材（６）の位置合せを簡単に行い得る。
したがって、半導体装置の封止作業は、接合縁０υが形
成されたシール縁（５）を、ロウ材（６）を介してシー
ルリング（３）に対接させた後、パラレルシーム溶接用
のローラ電極０り（一方のみ図示）によシノール縁（５
）に加圧通電してロウ材（６）を溶かし、キャップ（４
）とパッケージ（１）とを接合して行われる。
成されたシール縁（５）を、ロウ材（６）を介してシー
ルリング（３）に対接させた後、パラレルシーム溶接用
のローラ電極０り（一方のみ図示）によシノール縁（５
）に加圧通電してロウ材（６）を溶かし、キャップ（４
）とパッケージ（１）とを接合して行われる。
なお、本実施例においては、キャップ（４）とパンケー
ジ（１）間にロウ材（６）を介装して溶接を行う例を示
したが、本発明は、第４図に示すようにシール縁（５）
の接合面に予めメッキまたはクラッドによシ錫等の金属
層Ｑ３を設けると共に、シールリング（３）の接合面に
錫、金等の金属層（１４）を設けてキャップ（４）とパ
ッケージ（１）とを接合するものでもよい。この場合両
金属層（１３，α荀に、溶融凝固後に固溶体または共晶
体の合金を形成する材料を用いることが望ましく、さら
にこれら両金属層α３ 、 （１４）のうちいずれか一
方の金属層に溶融金属が均一に広がる材料を用いること
が望ましい。また、両金属層（１３）。
ジ（１）間にロウ材（６）を介装して溶接を行う例を示
したが、本発明は、第４図に示すようにシール縁（５）
の接合面に予めメッキまたはクラッドによシ錫等の金属
層Ｑ３を設けると共に、シールリング（３）の接合面に
錫、金等の金属層（１４）を設けてキャップ（４）とパ
ッケージ（１）とを接合するものでもよい。この場合両
金属層（１３，α荀に、溶融凝固後に固溶体または共晶
体の合金を形成する材料を用いることが望ましく、さら
にこれら両金属層α３ 、 （１４）のうちいずれか一
方の金属層に溶融金属が均一に広がる材料を用いること
が望ましい。また、両金属層（１３）。
ａ４がシール縁（５）、接合縁ａυおよびシールリング
（３）よシ溶融温度が低い材料で形成されることは勿論
である。
（３）よシ溶融温度が低い材料で形成されることは勿論
である。
このように構成さ些た半導体装置の封止方法によれば、
溶融金属層Ｑ！９が電極ａ３に接触することがなくなる
だけでなく、第５図に示すようにキャップ（４）から外
部に露出した一部の溶融金属層（１５ａ）によって両金
属層（１３） 、 （１４）の拡散状態を確認すること
ができる等の利点がある。
溶融金属層Ｑ！９が電極ａ３に接触することがなくなる
だけでなく、第５図に示すようにキャップ（４）から外
部に露出した一部の溶融金属層（１５ａ）によって両金
属層（１３） 、 （１４）の拡散状態を確認すること
ができる等の利点がある。
以上説明したよ５に本発明によれば、パッケージの開口
部を覆うキャンプのシール縁に、曲ｋｆ加工によシ−ル
リングの外側を覆う接合縁を形成し、キャップとパッケ
ージとをパラレルシーム溶接することによシ、仮付作業
が不要になシ、半導体装置の封止作業をきわめて容易に
行うことができる。したがって従来のように仮付けする
ことによって生じた仮付は部分からのリークがなくなる
から装置の品質を向上させる仁とができ、生産性および
歩留シを向上させることができる。また溶接に用いるロ
ーラ電極に溶融金属が付着することがなくなるから、電
極の高寿命化を計ることができる。
部を覆うキャンプのシール縁に、曲ｋｆ加工によシ−ル
リングの外側を覆う接合縁を形成し、キャップとパッケ
ージとをパラレルシーム溶接することによシ、仮付作業
が不要になシ、半導体装置の封止作業をきわめて容易に
行うことができる。したがって従来のように仮付けする
ことによって生じた仮付は部分からのリークがなくなる
から装置の品質を向上させる仁とができ、生産性および
歩留シを向上させることができる。また溶接に用いるロ
ーラ電極に溶融金属が付着することがなくなるから、電
極の高寿命化を計ることができる。
第１図は従来の封止方法によシ気密封止される半導体装
置を示す断面図、第２図は不発明に係る半導体装置の封
止方法にょル気密封止される半導体装置を示す断面図、
第３図は第２図の（Ａ１部を示す断面図、第４図は他の
実施例を示す断面図、第５図は他の実施例における金属
層の溶融状態を示す断面図である。 （１）・・・・パッケージ、（２）・・・・半導体素子
、（３）・・・・シールリング、（４）・・・・キャッ
プ、（５）・・・・シール縁、０υ・・・・接合縁、ｕ
、 （１４）・・・・金属層。 代理人 大岩増雄
置を示す断面図、第２図は不発明に係る半導体装置の封
止方法にょル気密封止される半導体装置を示す断面図、
第３図は第２図の（Ａ１部を示す断面図、第４図は他の
実施例を示す断面図、第５図は他の実施例における金属
層の溶融状態を示す断面図である。 （１）・・・・パッケージ、（２）・・・・半導体素子
、（３）・・・・シールリング、（４）・・・・キャッ
プ、（５）・・・・シール縁、０υ・・・・接合縁、ｕ
、 （１４）・・・・金属層。 代理人 大岩増雄
Claims (5)
- （１）内部に半導体素子が収納され開口周縁にシールリ
ングが設けられたパッケージの開口部を覆うキャップの
シール縁に、曲げ加工によυ前記シールリングの外側を
覆う接合縁を形成し、このシール縁を前記シールリング
に対接させた後、キャンプとパッケージとをパラレルシ
ーム溶接するととを特徴とする半導体装置の封止方法。 - （２）パッケージおよびキャップのうち少くとも一方の
部材の接合面に、これら部材よシ融点の低い金属層がメ
ッキまたはクラッドによシ設けられる特許請求の範囲第
１項記載の半導体装置の封止方法。 - （３）パンケージおよびキャップの両接合面にそれぞれ
設けられる金属層として、互いに異なる材料を用いる特
許請求の範囲第２項記載の半導体装置の封止方法。 - （４）キャップの接合面に設けられる金属層として、パ
ンケージの接合面に設けられる金属層よシ融点の低い材
料を用いる特許請求の範囲第３項記載の半導体装置の封
止方法。 - （５）パッケージおよびキャンプの接合面に設けられる
金属層として、これら両金属層の溶融凝固後に固溶体ま
たは共晶体の合金を形成する材料を用いる特許請求の範
囲第４項記載の半導体装置の封止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58134801A JPS6027149A (ja) | 1983-07-22 | 1983-07-22 | 半導体装置の封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58134801A JPS6027149A (ja) | 1983-07-22 | 1983-07-22 | 半導体装置の封止方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6027149A true JPS6027149A (ja) | 1985-02-12 |
Family
ID=15136841
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58134801A Pending JPS6027149A (ja) | 1983-07-22 | 1983-07-22 | 半導体装置の封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6027149A (ja) |
-
1983
- 1983-07-22 JP JP58134801A patent/JPS6027149A/ja active Pending
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