JPS6026460A - ゲ−トタ−ンオフサイリスタの過電流保護回路 - Google Patents

ゲ−トタ−ンオフサイリスタの過電流保護回路

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Publication number
JPS6026460A
JPS6026460A JP13103683A JP13103683A JPS6026460A JP S6026460 A JPS6026460 A JP S6026460A JP 13103683 A JP13103683 A JP 13103683A JP 13103683 A JP13103683 A JP 13103683A JP S6026460 A JPS6026460 A JP S6026460A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
overcurrent
gate
comparator
thyristor
Prior art date
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Pending
Application number
JP13103683A
Other languages
English (en)
Inventor
Takao Yaginuma
柳沼 隆男
Hiroshi Fukui
宏 福井
Arata Kimura
新 木村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPS6026460A publication Critical patent/JPS6026460A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00Details of apparatus for conversion
    • H02M1/06Circuits specially adapted for rendering non-conductive gas discharge tubes or equivalent semiconductor devices, e.g. thyratrons, thyristors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明はゲートターンオフサイリスタ(以下GTOと略
称する)の過電流保護回路に係り、特に過電流をGTO
のアノード電圧により検知して保護する回路に関する。
〔発明の背景〕
自己消弧機能を持つGTOはトランジスタと同様な安全
動作領域を持っており、スイッチング時にはGTOに通
電する電流が可制御電流以下となるよう動作させなけれ
ばならない。特に可制御電流を超える電流が流れている
ときにGTOを消弧しようとすると素子を破壊してしま
うので、このような過電流からGTOを保護することが
重要である。
第1図は従来の保護回路の一実施例である。回路構成は
、GTOIに通電しているアノード電流を検出する電流
検出器2、検出したアノード電流エムとIAがいくらに
なったときGTOを消弧するかの基準電流I tag 
を比較しIA) I−t となるときのみハイレベル信
号を出力する比較器3、比較器3よりハイレベル信号が
出力されたときオフゲート電流をGTOIのゲートへ流
すオフゲート制御回路4よ構成る。GTOlに過電流が
流れた局合には、まず回路電流が電流検出器2により検
出され、比較器3により過電流通電が検知されてゲート
消弧信号がオフゲート制御回路4へ出力され、その後オ
フゲート電流I OFFがG’l’01に供給されて回
路電流をしゃ断する。
前記従来例では電流検出器として電流変流器、いわゆる
CTを用いられることが多く、このCTには大電流用で
ありかつ誤動作を防ぐために高精度のものが要求される
。そして、このようなCTは大型で高コストである。電
流検出方式で過電流通電を検知する従来例の保護方式は
前記のような欠点を持っている。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、GTOの過電流保護回路において、過
電流通電をGTOのアノード電圧により検知することに
より小型で低コストの保護回路を提供することにある。
〔発明の概要〕
本発明は、GTOの過電流を検知する手段として、従来
例の電流検出方式に代えて、アノード電圧が基準電圧よ
り大きくなることにより検知する電圧検出方式を採用し
、かつ誤動作を防止するため過電流通電を検知している
継続時間が所定時間以上に達したときのみオフゲート電
流をGTOのゲートに供給して回路電流をしゃ断しよう
とするものである。
〔発明の実施例〕
第2図は、本発明に係るGTOの過電流保護回路の基本
的一実施例である。回路構成は、GTOlのアノード電
圧VAと11’Aがいくら以上のとき 。
を過電流通電状態と判断するかの基準電圧V re(を
比較し、VA )V−t となるときのみノ・イレペル
信号を出力する比較器5、GTolのグー1L点弧信号
8ONが発生しているときのみノ〜イレベル信号を出力
する点弧信号発生回路6、比較器5と点弧信号発生回路
6の出力の論理積をめるAND回路7、AND回路7か
ら出力されるノ・イレペル信号により起動されて該信号
の出力継続時間Ill 、、 0を測り所定時間T r
ef に達したならばオフゲート信号S artを発生
するタイマー8、前記オフゲート信号S OFF f:
受けたときにオフゲート電流IorrをGTOIに供給
するオフゲート制御回路4より成る。このうち比較器5
、AND回路7、タイマー8が過電流検出回路zO″f
、構成する。
第3図は、第2図に示した回路の各部動作波形である。
以下、時刻を追って第3図を説明する。
いま、時刻toでゲート点弧信号SoNが発生すると、
図示しないオンゲート回路によりGTOIがターンオン
する。それとともに、アンド回路7の出力S ANDに
よりタイマー8が起動される。タイマー8の時間+f*
Toは図示のようになり、ターンオン遅れ期間が過ぎた
直後、すなわち時刻1.でタイマー8が停止する。この
場合、GTOのスイッチング時間が数μsと短いのでタ
イマー8の時間積T c oも小さいが、TCoがT 
rafを超えて保護回路を誤動作させることがないよう
にT、−を設定しておく。次に時刻t2で何らかの原因
により過電流が発生したとする。すると回路電流の増加
とともにGTOIのアノード電圧■ムが緩やかに増大し
、時刻t3でV A> V−r となってタイマー8が
再び起動され、時刻t4でTco) ’l’ 、、1 
となりオフゲート信号5artが発生し、オフゲート制
御回路4によりオフゲート電流I OFFがGTOlに
供給されることになる。
前記実施例によれば、過電流の′電流検出方式において
必要なCTが省略されるので、保護回路の小型化、低コ
スト化が図れる。
第4図は、他の一実施例である。
本実施例は、第2図のタイマー8を、AND回路6から
のノ・イレベル信号により起動される時間積分器9と、
この時間積分器9により測定した時間iff、 T c
 oとT yel とを比較し、TcoがT rafに
達したならばオフゲート信号5OFFを発生する比較器
10とから構成したものである。回路動作は、第2図の
回路と同じである。
〔発明の効果〕
本発明に工れば、小型で低コストのGTOの過電流保護
回路を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来実施例の回路図、第2図は本発明の実施例
を示す回路図、第3図は第2図図示実施例の各部動作波
形、第4図は本発明の他の実施例を示す回路図でめる。 1・・・G’I’0. 2・・・電流検出器、3・・・
比較器、4・・・オフゲート制御回路、5・・・比較器
、6・・・点弧信号発生回路、7・・・AND回路、8
・・・タイマー、9・・・時間積分器、10・・・比較
器。 代理人 弁理士 高橋明夫 茅 1 目 第2 目 某3図 ど。、c、 tx ’s t4

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、ゲートターンオフサイリスタに流れる過電流を検出
    する過電流検出回路と、この回路の検出出力に応じて上
    記ゲートターンオアサイリスタにオフゲート電流を供給
    するオフゲート制御回路とを備えたものにおいて、上記
    過電流検出回路は、上記ケートターンオフサイリスタの
    アノード電圧と基準電圧とを比較する比較器、この比較
    器の出力と上記ゲートターンオフサイリスタの点弧信号
    との論理積をとるAND回路、このAND回路の出力継
    続時間を測定し所定時間継続した時点で出力を発生する
    タイマーとから成ることを特徴とするゲートターンオア
    サイリスクの過電流保護回路。
JP13103683A 1983-07-20 1983-07-20 ゲ−トタ−ンオフサイリスタの過電流保護回路 Pending JPS6026460A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0867999A1 (en) * 1997-03-24 1998-09-30 Asea Brown Boveri Ab A method and a device for detecting and handling short-circuit phenomena for power semiconductor devices
JP2013169030A (ja) * 2012-02-14 2013-08-29 Denso Corp スイッチング素子の制御回路及びスイッチング素子の制御方法
CN111253165A (zh) * 2020-03-19 2020-06-09 西安澳秦新材料有限公司 一种低成本多孔氮化硅耐火砖的制备方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0867999A1 (en) * 1997-03-24 1998-09-30 Asea Brown Boveri Ab A method and a device for detecting and handling short-circuit phenomena for power semiconductor devices
JP2013169030A (ja) * 2012-02-14 2013-08-29 Denso Corp スイッチング素子の制御回路及びスイッチング素子の制御方法
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