JPS60262968A - 超高真空用カソ−ド - Google Patents
超高真空用カソ−ドInfo
- Publication number
- JPS60262968A JPS60262968A JP11653784A JP11653784A JPS60262968A JP S60262968 A JPS60262968 A JP S60262968A JP 11653784 A JP11653784 A JP 11653784A JP 11653784 A JP11653784 A JP 11653784A JP S60262968 A JPS60262968 A JP S60262968A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cathode
- flange
- cathode body
- high vacuum
- packing plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はスノぞツタリング装置用カソードに関するもの
である。
である。
従来の技術
スパッタリング装置用の従来のカソードにおいては冷媒
（冷却水）のシールは一般にエラストマＯリングを用い
て行なわｎてきた。そして従来のスパッタリング装置に
おいては要求さ几る到達圧は精精ＩＯ’Ｔｏｒｒ台であ
ったため０リングシールでもガス放出等が問題となるこ
とはなかった。しかし近年残留ガスを少なくする観点か
らスノぞツタリング装置でも到達圧として／ ０””
Ｔｏｒｒ −％−／ に＋−１０Ｔｏｒｒ 程度が要求
さ几る工うになってきている。
（冷却水）のシールは一般にエラストマＯリングを用い
て行なわｎてきた。そして従来のスパッタリング装置に
おいては要求さ几る到達圧は精精ＩＯ’Ｔｏｒｒ台であ
ったため０リングシールでもガス放出等が問題となるこ
とはなかった。しかし近年残留ガスを少なくする観点か
らスノぞツタリング装置でも到達圧として／ ０””
Ｔｏｒｒ −％−／ に＋−１０Ｔｏｒｒ 程度が要求
さ几る工うになってきている。
従来のＯリングシールでは十分に焼出しもできず、ガス
放出が多いため／ ０−” Ｔｏｒｒ台は熱論のこと／
０”Ｔｏｒｒ台にすることも困難であった。
放出が多いため／ ０−” Ｔｏｒｒ台は熱論のこと／
０”Ｔｏｒｒ台にすることも困難であった。
ところで、従来超高真空用フランジとしてコンフラツト
フランジ（商品名）が多く用いら九ており、このコンフ
ラツトフランジは８Ｕ８１１！のフランジのシート面に
エツジ全村け、銅製のガスケット１にハさんで締付ける
ことに２って信頼性の高いシールを保証し、そしてとｎ
ｆｌ焼出しにも耐えることができ、従ってガス放出も少
ない等の利点がある。しかしコンフラツトフランジをそ
のままの形でカソードに用いることはノにツキンプレー
トの材質が鋼であるので困難である。
フランジ（商品名）が多く用いら九ており、このコンフ
ラツトフランジは８Ｕ８１１！のフランジのシート面に
エツジ全村け、銅製のガスケット１にハさんで締付ける
ことに２って信頼性の高いシールを保証し、そしてとｎ
ｆｌ焼出しにも耐えることができ、従ってガス放出も少
ない等の利点がある。しかしコンフラツトフランジをそ
のままの形でカソードに用いることはノにツキンプレー
トの材質が鋼であるので困難である。
発明が解決しようとする問題点
そこで、本発明では、従来スＡツタリング装置用カソー
ドにおいて冷媒のシールに用いら九てきたエラストマＯ
リングに代って超高真空用フランジとして知られている
コンフラツトフランジのシール方式を適用してカソード
を超高真空装置内で使用できる工うにすることを目的と
している。
ドにおいて冷媒のシールに用いら九てきたエラストマＯ
リングに代って超高真空用フランジとして知られている
コンフラツトフランジのシール方式を適用してカソード
を超高真空装置内で使用できる工うにすることを目的と
している。
問題点を解決するための手段
上記目的を達成するために、本発明による超高真空用カ
ソードは、カソード本体と、カソード本体の内側に冷媒
通路を画定、密封する鋼製のパツキンプレートとを有し
、上記カソード本体の上記ノ臂ツキンプレートと圧接す
る周囲部分にコンフラツトシール状のフランジを設け、
上記フランジに対し上記ノＲツキンプレートヲ押え枠部
材で押圧保持し几ことｔ−特徴としている。
ソードは、カソード本体と、カソード本体の内側に冷媒
通路を画定、密封する鋼製のパツキンプレートとを有し
、上記カソード本体の上記ノ臂ツキンプレートと圧接す
る周囲部分にコンフラツトシール状のフランジを設け、
上記フランジに対し上記ノＲツキンプレートヲ押え枠部
材で押圧保持し几ことｔ−特徴としている。
作用
この工うに構成した本発明による超高真空用カソードに
おいては、鋼製のノぞツキンプレートにコンフラツトフ
ランジにおけるガスケットの機能金持たせ、従ってこの
ノ臂ツキ”ンプレートをカソード本体の周囲圧接部分に
設けられたフランジ（エツジ）に圧接することによって
ガス放出の少ない信頼性の高いシールが形成さｎる。
おいては、鋼製のノぞツキンプレートにコンフラツトフ
ランジにおけるガスケットの機能金持たせ、従ってこの
ノ臂ツキ”ンプレートをカソード本体の周囲圧接部分に
設けられたフランジ（エツジ）に圧接することによって
ガス放出の少ない信頼性の高いシールが形成さｎる。
実施例
以下添附図面を参照して本発明の超高真空用カソードの
一実施例について説明する。
一実施例について説明する。
図示装置においてｌはカソードで電源接続導体２に結合
さ几、Ｊ、４Ｃは冷媒（好ましくは冷却水）の導入、導
出路であり、カソード本体ｌの内側に形成さｆ１４冷媒
通路！に連通している。この冷媒通路！は銅製のＪツキ
ンプレー）４で画定さ１かつ密封されている。すなわち
図示した工うにカソード本体ｌの周囲圧接面部分／ｍＫ
はコンフラツト７ランク状のフランジ／ｂが形成さ几、
この上にガスケットとして作用する鋼製のパツキンプレ
ート乙のシール面Ａｍが当接し、そしてパツキンプレー
）７の上から押え枠７によって締付はゼルトｒでカソー
ド本体／に対して締付けることにぶって確実なシールが
得らｎる。
さ几、Ｊ、４Ｃは冷媒（好ましくは冷却水）の導入、導
出路であり、カソード本体ｌの内側に形成さｆ１４冷媒
通路！に連通している。この冷媒通路！は銅製のＪツキ
ンプレー）４で画定さ１かつ密封されている。すなわち
図示した工うにカソード本体ｌの周囲圧接面部分／ｍＫ
はコンフラツト７ランク状のフランジ／ｂが形成さ几、
この上にガスケットとして作用する鋼製のパツキンプレ
ート乙のシール面Ａｍが当接し、そしてパツキンプレー
）７の上から押え枠７によって締付はゼルトｒでカソー
ド本体／に対して締付けることにぶって確実なシールが
得らｎる。
ｔた図面においてＰはターゲットであり％ １０はシー
ルド部材である０図面では簡明にするためカソード本体
／の内部構造およびその他の部分の関連構造は本発明の
要旨全構成してないので省略した。従って各構成要素の
形状や寸法等は実際の使用目的に合わせて任意に設計す
ることができる。
ルド部材である０図面では簡明にするためカソード本体
／の内部構造およびその他の部分の関連構造は本発明の
要旨全構成してないので省略した。従って各構成要素の
形状や寸法等は実際の使用目的に合わせて任意に設計す
ることができる。
このように構成することに工って従来のエラストマＯリ
ングでは不可能であったｌ″０−”Ｔｏｒｒ〜／ ０”
Ｔｏｒｒ台の到達圧の装置内においても十分使用可能な
シールが得られる。
ングでは不可能であったｌ″０−”Ｔｏｒｒ〜／ ０”
Ｔｏｒｒ台の到達圧の装置内においても十分使用可能な
シールが得られる。
効果
以上説明してきたように、本発明によ几ば次のような効
果が得らｎる。
果が得らｎる。
（１） 従来のエラストマＯリング管用いたものに比べ
てガス放出の少ない （−２） 鋼製のノぞツキンプレート自体をシール面と
しているので構造が簡単化さ几しかもカソード本体上に
設けたエツジとの圧接で確実なシールが保証できる。
てガス放出の少ない （−２） 鋼製のノぞツキンプレート自体をシール面と
しているので構造が簡単化さ几しかもカソード本体上に
設けたエツジとの圧接で確実なシールが保証できる。
（３）従来困難であつ九焼出しを十分性なうことができ
るので／ ０−” −、−／ ０”Ｔｏｒｒ台の到達圧
をもつ真空装置内でも十分に使用できる。
るので／ ０−” −、−／ ０”Ｔｏｒｒ台の到達圧
をもつ真空装置内でも十分に使用できる。
図面は本発明の一実施例による超高真空用カソードを示
す概略断面図である。 図中、ｌ：カソード本体、／ｂ＝フランジ、！；冷媒通
路、６：銅製ノぞツキンプレート、７：押え枠、ｔ：締
付はゼルト。 昭和５９年７月３日 特許庁長官殿 １、事件の表示 昭和５９ 年特許願第１１６５３７号 ２、発明の名称 超高真空用カソード ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 柱 所 神奈川県茅ケ崎市萩１２６００番地Ｓ、補正の
対象 明細書の特許請求の範囲の欄、発明の 詳細な説明の欄および図面の簡単な説 明の欄 ム補正の内容 （１）特許請求の範囲を別紙の通り補正します。 ■ 明細書第２頁第１７行、同第３頁第９〜１０．１１
．１３．１７．１９行、同第４頁第１０．１４〜１５．
１５〜１６行、同第５頁第１４行および同第６頁第５行
中の「・クツキンプレート」ヲ「バッキング プレート
」と補正します。 ２特許請求の範囲 カソード本体とカソード本体の内側に冷媒通路を査定、
密封する鋼製のバッキング プレートとを有し、上記カ
ソード本体の上記バッキング プレートと圧接する周囲
部分にコンフラツトシール状のフランジを設け、上記フ
ランジに対し上記バッキング プレートを押え枠部材で
抑圧保持したことを特徴とする超高真空用カソード。
す概略断面図である。 図中、ｌ：カソード本体、／ｂ＝フランジ、！；冷媒通
路、６：銅製ノぞツキンプレート、７：押え枠、ｔ：締
付はゼルト。 昭和５９年７月３日 特許庁長官殿 １、事件の表示 昭和５９ 年特許願第１１６５３７号 ２、発明の名称 超高真空用カソード ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 柱 所 神奈川県茅ケ崎市萩１２６００番地Ｓ、補正の
対象 明細書の特許請求の範囲の欄、発明の 詳細な説明の欄および図面の簡単な説 明の欄 ム補正の内容 （１）特許請求の範囲を別紙の通り補正します。 ■ 明細書第２頁第１７行、同第３頁第９〜１０．１１
．１３．１７．１９行、同第４頁第１０．１４〜１５．
１５〜１６行、同第５頁第１４行および同第６頁第５行
中の「・クツキンプレート」ヲ「バッキング プレート
」と補正します。 ２特許請求の範囲 カソード本体とカソード本体の内側に冷媒通路を査定、
密封する鋼製のバッキング プレートとを有し、上記カ
ソード本体の上記バッキング プレートと圧接する周囲
部分にコンフラツトシール状のフランジを設け、上記フ
ランジに対し上記バッキング プレートを押え枠部材で
抑圧保持したことを特徴とする超高真空用カソード。
Claims (1)
- カソード本体とカソード本体の内側に冷媒通路を画定、
密封する鋼製のＡツキンプレートとを有し、上記カソー
ド本体の上記ノぞツキンプレートと圧接する周囲部分に
コンフラツトシール状のフランジを設け、上記フランジ
に対し上記ノぞツキンプレートを押え枠部材で抑圧保持
したことを特徴とする超高真空用カソード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11653784A JPS60262968A (ja) | 1984-06-08 | 1984-06-08 | 超高真空用カソ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11653784A JPS60262968A (ja) | 1984-06-08 | 1984-06-08 | 超高真空用カソ−ド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60262968A true JPS60262968A (ja) | 1985-12-26 |
| JPS6342702B2 JPS6342702B2 (ja) | 1988-08-25 |
Family
ID=14689575
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11653784A Granted JPS60262968A (ja) | 1984-06-08 | 1984-06-08 | 超高真空用カソ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60262968A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0413354A1 (en) * | 1989-08-17 | 1991-02-20 | Mitsubishi Kasei Corporation | Sputtering target for DC magnetron reactive sputtering, process for forming thin layer by use of the target, and optical disk having a layer formed by the process |
| US5433835A (en) * | 1993-11-24 | 1995-07-18 | Applied Materials, Inc. | Sputtering device and target with cover to hold cooling fluid |
| US6199259B1 (en) | 1993-11-24 | 2001-03-13 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Autoclave bonding of sputtering target assembly |
-
1984
- 1984-06-08 JP JP11653784A patent/JPS60262968A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0413354A1 (en) * | 1989-08-17 | 1991-02-20 | Mitsubishi Kasei Corporation | Sputtering target for DC magnetron reactive sputtering, process for forming thin layer by use of the target, and optical disk having a layer formed by the process |
| US5433835A (en) * | 1993-11-24 | 1995-07-18 | Applied Materials, Inc. | Sputtering device and target with cover to hold cooling fluid |
| US6199259B1 (en) | 1993-11-24 | 2001-03-13 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Autoclave bonding of sputtering target assembly |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6342702B2 (ja) | 1988-08-25 |
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