JPS60262102A - チツプ型多層干渉フイルタ及びその製造方法 - Google Patents
チツプ型多層干渉フイルタ及びその製造方法Info
- Publication number
- JPS60262102A JPS60262102A JP11877984A JP11877984A JPS60262102A JP S60262102 A JPS60262102 A JP S60262102A JP 11877984 A JP11877984 A JP 11877984A JP 11877984 A JP11877984 A JP 11877984A JP S60262102 A JPS60262102 A JP S60262102A
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- Japan
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- substrate
- mask
- vapor deposition
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、例えば赤外線分析計の検出器として用いられ
るパイロセンサーの受光面に貼り付ける等して用いられ
るチップ型多層干渉フィルタ及びその製造方法に関する
。
るパイロセンサーの受光面に貼り付ける等して用いられ
るチップ型多層干渉フィルタ及びその製造方法に関する
。
〈従来技術〉
公知のようにパイロセンサーの感度はがなり広範な波長
域にわたってフラットである。そのため、このセンサー
を赤外線分析計の検出器として用い特定波長を検出しよ
うとする場合、バンドパスフィルタが必要である。而し
て、パイロセンサーは2〜8n角というように非常に小
さいものであるから、フィルタもそれに応じた小さいも
のが必要となる。
域にわたってフラットである。そのため、このセンサー
を赤外線分析計の検出器として用い特定波長を検出しよ
うとする場合、バンドパスフィルタが必要である。而し
て、パイロセンサーは2〜8n角というように非常に小
さいものであるから、フィルタもそれに応じた小さいも
のが必要となる。
ところで、バンドパスフィルタとして従来より存する多
層干渉フィルタはベンチのセル径が16φか20φとい
う大きなものであり、それをパイロセンサーのフィルタ
に使用するには小チップに切断する必要があった。しか
るに、いかなる切断手段によるにしろフィルタを切断す
ることは、切断端縁の多層膜が剥離しやすく、そのため
歩留りが悪く量産がきかないという欠点があるし、また
性能上も切断によって剥離した部分がフィルタの特性に
悪影響を与えるといった欠点もある。特に小チップのフ
ィルタになる程、剥離部分の占有比率が高くなるので、
上記欠点は顕著になり使用に耐えないものである。
層干渉フィルタはベンチのセル径が16φか20φとい
う大きなものであり、それをパイロセンサーのフィルタ
に使用するには小チップに切断する必要があった。しか
るに、いかなる切断手段によるにしろフィルタを切断す
ることは、切断端縁の多層膜が剥離しやすく、そのため
歩留りが悪く量産がきかないという欠点があるし、また
性能上も切断によって剥離した部分がフィルタの特性に
悪影響を与えるといった欠点もある。特に小チップのフ
ィルタになる程、剥離部分の占有比率が高くなるので、
上記欠点は顕著になり使用に耐えないものである。
〈発明の目的〉
本発明はこのような点にあって、上記欠点をもたないチ
ップ型多l−干渉フィルタ及びそのようなフィルタの製
造方法を提供することを目的とする。
ップ型多l−干渉フィルタ及びそのようなフィルタの製
造方法を提供することを目的とする。
〈発明の構成〉
上記目的を達成するため、本発明に係るチップ型多層干
渉フィルタは、所望の大きさの孔を複数あけたマスクを
基板の上に固定して、基板の切断予定部分に蒸着物質が
着かないようにし、その状態でマスクの孔より露出する
基板上に高屈折率物質と低屈折率物質とを交互に真空蒸
着して製造したことを特徴とする。
渉フィルタは、所望の大きさの孔を複数あけたマスクを
基板の上に固定して、基板の切断予定部分に蒸着物質が
着かないようにし、その状態でマスクの孔より露出する
基板上に高屈折率物質と低屈折率物質とを交互に真空蒸
着して製造したことを特徴とする。
又、本発明に係るチップ型多層干渉フィルタの・(5゜
−Bユ1□、あユ。ヵ、あ。□□あ、、え78りを基板
の上に固定して基板の切断予定部分に蒸着物質が肴かな
いようにし、その状態でマスクの孔より露出する基板上
に高屈折率物質と低屈折率物質とを交互に真空蒸着して
製造することを特徴とする。
−Bユ1□、あユ。ヵ、あ。□□あ、、え78りを基板
の上に固定して基板の切断予定部分に蒸着物質が肴かな
いようにし、その状態でマスクの孔より露出する基板上
に高屈折率物質と低屈折率物質とを交互に真空蒸着して
製造することを特徴とする。
〈実施例〉
第1図はチップ型多層干渉フィルタを製造する工程及び
その工程によって製造されたフィルタを示し、(1)は
基板として例えばサファイヤ基板、(2)は所望の大き
さの孔(3)・・・を複数あけたマスクである。孔(3
)・・・の大きさは、必要とするフィルタの大きさに応
じて決定すればよい。パイロセンサに用いるフィルタを
製作する場合であれば、前記孔(3)・・・は2〜8E
11角とすればよい。孔(3)・・・の数は出来得る限
り多いのが望ましい。その方が量産によるコスト低減が
図れるからである。マスク(2)の表面側の孔周辺は、
第2図及び第8図に示すように段差(4)・・・をつけ
ることによって薄く形成しである。
その工程によって製造されたフィルタを示し、(1)は
基板として例えばサファイヤ基板、(2)は所望の大き
さの孔(3)・・・を複数あけたマスクである。孔(3
)・・・の大きさは、必要とするフィルタの大きさに応
じて決定すればよい。パイロセンサに用いるフィルタを
製作する場合であれば、前記孔(3)・・・は2〜8E
11角とすればよい。孔(3)・・・の数は出来得る限
り多いのが望ましい。その方が量産によるコスト低減が
図れるからである。マスク(2)の表面側の孔周辺は、
第2図及び第8図に示すように段差(4)・・・をつけ
ることによって薄く形成しである。
このように段差(4)を設けたのは次のような理由から
である。即ち、マスク(2)が厚いと、基板に向けて蒸
着物質を飛ばす際、蒸着物質の飛ぶ方向が第4図に示す
如く斜めの方向であった場合、孔(3)・・・の縁に陰
になる部分Aができ、その部分に蒸着物質が着かないよ
うになるからである。従って、マスクは薄い方が良いの
であるが、逆に薄いと、真空蒸着の際基板温度が200
°C以上に達するためマスクが熱によってたわみを生じ
、基板とマスクの密着性が悪くなるという不都合がある
。そこで、マスク自体は厚くして基板温度によってはた
わみが生じないようにすると共に、孔(3)・・・の縁
に蒸着物質が蒸着されない陰が出来ることのないよう段
差(4)・・・によって孔周縁を薄く形成し、上記マス
クが厚いことによる不都合とマスクが薄いことによる不
都合の双方を一挙に解消したのである。尚、段差(4)
は例えばエツチング処理によって形成することができる
。
である。即ち、マスク(2)が厚いと、基板に向けて蒸
着物質を飛ばす際、蒸着物質の飛ぶ方向が第4図に示す
如く斜めの方向であった場合、孔(3)・・・の縁に陰
になる部分Aができ、その部分に蒸着物質が着かないよ
うになるからである。従って、マスクは薄い方が良いの
であるが、逆に薄いと、真空蒸着の際基板温度が200
°C以上に達するためマスクが熱によってたわみを生じ
、基板とマスクの密着性が悪くなるという不都合がある
。そこで、マスク自体は厚くして基板温度によってはた
わみが生じないようにすると共に、孔(3)・・・の縁
に蒸着物質が蒸着されない陰が出来ることのないよう段
差(4)・・・によって孔周縁を薄く形成し、上記マス
クが厚いことによる不都合とマスクが薄いことによる不
都合の双方を一挙に解消したのである。尚、段差(4)
は例えばエツチング処理によって形成することができる
。
チップ型多層干渉フィルタを製造するに際しては、前記
マスク(2)を基板(1)に位置合せした状態で固定す
る。両者の固定はポリイミド粘着テープを周部数箇所に
貼着することによって行うことができる。マスク(2)
を基板(1)に固定すると、その状態で第1図(ロ)(
ハ)に示すようにホルダー(5)に固定し、それを真空
蒸着装置のドーム(6ン上所定位置に取り付ける。そし
て、蒸発源(7)より高屈折率物質と低屈折率物質とを
交互に飛ばし、真空蒸着するっこの場合、基板(1)は
孔(3)・・・のあいたマスク(2)が固定しであるの
で、蒸着物質はマスクの孔(3)・・・から露出した基
板(1)上にのみ蒸着する。しかも、マスク(2)の孔
周辺は上述したように段差(4)・・・がつけであるた
め、孔周辺に陰が出来ることなく孔から露出した基板(
1)上に余すところなく蒸着することとなる。前記高屈
折率物質としては例えばGe、低屈折率物質としては例
えばZnS を用いる。
マスク(2)を基板(1)に位置合せした状態で固定す
る。両者の固定はポリイミド粘着テープを周部数箇所に
貼着することによって行うことができる。マスク(2)
を基板(1)に固定すると、その状態で第1図(ロ)(
ハ)に示すようにホルダー(5)に固定し、それを真空
蒸着装置のドーム(6ン上所定位置に取り付ける。そし
て、蒸発源(7)より高屈折率物質と低屈折率物質とを
交互に飛ばし、真空蒸着するっこの場合、基板(1)は
孔(3)・・・のあいたマスク(2)が固定しであるの
で、蒸着物質はマスクの孔(3)・・・から露出した基
板(1)上にのみ蒸着する。しかも、マスク(2)の孔
周辺は上述したように段差(4)・・・がつけであるた
め、孔周辺に陰が出来ることなく孔から露出した基板(
1)上に余すところなく蒸着することとなる。前記高屈
折率物質としては例えばGe、低屈折率物質としては例
えばZnS を用いる。
上記の如くして真空蒸着を所定回数交互に行なえば、今
度は基板(1)の裏面に対しても同様に真空蒸着を行な
う。この場合、基板(1)の裏面にマスク(1)を位置
合せして固定し、基板(1)の表裏両面の同一位置に蒸
着物質が蒸着するようにする。
度は基板(1)の裏面に対しても同様に真空蒸着を行な
う。この場合、基板(1)の裏面にマスク(1)を位置
合せして固定し、基板(1)の表裏両面の同一位置に蒸
着物質が蒸着するようにする。
かくして基板(1)の両面に対して真空蒸着を終了する
と、基板(1)をホルダー(5)から外し、マスク(2
)を基板(1ンから取り外して(第1図に)参照)、最
後に基板(1)上で蒸着物質(8)が蒸着していない切
断予定部分(9)に沿って基板(1)を切断する(同図
(利参照鬼切断は蒸着物質(8)の蒸着していないとこ
ろに沿って行なえるので、蒸着物質が剥離するといった
問題は生じない。
と、基板(1)をホルダー(5)から外し、マスク(2
)を基板(1ンから取り外して(第1図に)参照)、最
後に基板(1)上で蒸着物質(8)が蒸着していない切
断予定部分(9)に沿って基板(1)を切断する(同図
(利参照鬼切断は蒸着物質(8)の蒸着していないとこ
ろに沿って行なえるので、蒸着物質が剥離するといった
問題は生じない。
〈発明の効果〉
以上説明したように本発明によれば、複数の孔のあいた
マスクを基板に固定して基板の切断予定部分に蒸着物質
が着かないようにした状態で真空蒸着を行なうので、真
空蒸着を終了した後、基板を小チップに切断しても蒸着
物質が剥離するといった問題が生じることが゛なく、従
って歩留まりの向上が図れると共に、性能の良いフィル
タを得ることができる。
マスクを基板に固定して基板の切断予定部分に蒸着物質
が着かないようにした状態で真空蒸着を行なうので、真
空蒸着を終了した後、基板を小チップに切断しても蒸着
物質が剥離するといった問題が生じることが゛なく、従
って歩留まりの向上が図れると共に、性能の良いフィル
タを得ることができる。
第1図は本発明の一実施例として、チップ型多層干渉フ
ィルタの製造工程及びその工程によって製造されたフィ
ルタを示す図、第2図はマスクを・・ゝ 表面からみた
図、第3図は前記マスクの切断断面1 図、第4図はマスクの孔周辺に段差が設けていない場合
に生じる不都合を説明する図である。 (1)・・・基板、(2)・・・マスク、(3)・・・
孔、(8)・・・蒸着物質、(9)・・・切断予定部分
。 第1図 7− 第2図 第4図 −8−
ィルタの製造工程及びその工程によって製造されたフィ
ルタを示す図、第2図はマスクを・・ゝ 表面からみた
図、第3図は前記マスクの切断断面1 図、第4図はマスクの孔周辺に段差が設けていない場合
に生じる不都合を説明する図である。 (1)・・・基板、(2)・・・マスク、(3)・・・
孔、(8)・・・蒸着物質、(9)・・・切断予定部分
。 第1図 7− 第2図 第4図 −8−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■ 所望の大きさの孔を複数あけたマスクを基板の上に
固定して基板の切断予定部分に蒸着物質が着かないよう
にし、その状態でマスクの孔より露出する基板上に高屈
折率物質と低屈折率物質とを交互に真空蒸着して製造し
たことを特徴とするチップ型多層干渉フィルタ。 ■ 所望の大きさの孔を複数あけたマスクを基板の上に
固定して基板の切断予定部分に蒸着物質が着かないよう
にし、その状態でマスクの孔より露出する基板上に高屈
折率物質と低屈折率物質とを交互に真空蒸着して製造す
ることを特徴とするチップ型多層干渉フィルタの製造方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59118779A JPH0616122B2 (ja) | 1984-06-09 | 1984-06-09 | チップ型多層干渉フィルタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59118779A JPH0616122B2 (ja) | 1984-06-09 | 1984-06-09 | チップ型多層干渉フィルタの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60262102A true JPS60262102A (ja) | 1985-12-25 |
JPH0616122B2 JPH0616122B2 (ja) | 1994-03-02 |
Family
ID=14744867
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59118779A Expired - Fee Related JPH0616122B2 (ja) | 1984-06-09 | 1984-06-09 | チップ型多層干渉フィルタの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0616122B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01276739A (ja) * | 1988-04-28 | 1989-11-07 | Tokin Corp | Ld励起固体レーザ素子の製造方法 |
US4957371A (en) * | 1987-12-11 | 1990-09-18 | Santa Barbara Research Center | Wedge-filter spectrometer |
JPH04211203A (ja) * | 1990-02-13 | 1992-08-03 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 誘電体多層膜フィルタおよびその製造方法並びにこれを用いた光学要素 |
JPH1048401A (ja) * | 1996-07-29 | 1998-02-20 | Sanyo Electric Co Ltd | 光学部品のコーティング方法 |
JP2009157273A (ja) * | 2007-12-27 | 2009-07-16 | Nippon Shokubai Co Ltd | 光選択透過フィルター |
JP2009154489A (ja) * | 2007-12-27 | 2009-07-16 | Nippon Shokubai Co Ltd | 積層フィルム、積層体、光選択透過フィルター及びその積層フィルムの製造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55115004A (en) * | 1979-02-27 | 1980-09-04 | Nec Corp | Preparation of microfilter |
JPS5873127A (ja) * | 1981-10-28 | 1983-05-02 | Hitachi Ltd | Icチツプのはんだ溶融接続方法 |
-
1984
- 1984-06-09 JP JP59118779A patent/JPH0616122B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55115004A (en) * | 1979-02-27 | 1980-09-04 | Nec Corp | Preparation of microfilter |
JPS5873127A (ja) * | 1981-10-28 | 1983-05-02 | Hitachi Ltd | Icチツプのはんだ溶融接続方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4957371A (en) * | 1987-12-11 | 1990-09-18 | Santa Barbara Research Center | Wedge-filter spectrometer |
JPH01276739A (ja) * | 1988-04-28 | 1989-11-07 | Tokin Corp | Ld励起固体レーザ素子の製造方法 |
JPH0658982B2 (ja) * | 1988-04-28 | 1994-08-03 | 株式会社トーキン | Ld励起固体レーザ素子の製造方法 |
JPH04211203A (ja) * | 1990-02-13 | 1992-08-03 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 誘電体多層膜フィルタおよびその製造方法並びにこれを用いた光学要素 |
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JP2009157273A (ja) * | 2007-12-27 | 2009-07-16 | Nippon Shokubai Co Ltd | 光選択透過フィルター |
JP2009154489A (ja) * | 2007-12-27 | 2009-07-16 | Nippon Shokubai Co Ltd | 積層フィルム、積層体、光選択透過フィルター及びその積層フィルムの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0616122B2 (ja) | 1994-03-02 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |