JPS6025742A - 複合体 - Google Patents

複合体

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Publication number
JPS6025742A
JPS6025742A JP13465183A JP13465183A JPS6025742A JP S6025742 A JPS6025742 A JP S6025742A JP 13465183 A JP13465183 A JP 13465183A JP 13465183 A JP13465183 A JP 13465183A JP S6025742 A JPS6025742 A JP S6025742A
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JP
Japan
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thin film
organic insulating
metal oxide
support plate
oxide thin
Prior art date
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Application number
JP13465183A
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English (en)
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JPS634791B2 (ja
Inventor
山崎 充夫
佐藤 任延
大輔 牧野
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Resonac Corp
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
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Publication of JPS6025742A publication Critical patent/JPS6025742A/ja
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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313Organic insulating material
    • H05K1/032Organic insulating material consisting of one material
    • H05K1/0346Organic insulating material consisting of one material containing N
    • HELECTRICITY
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    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/05Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
    • H05K1/056Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate the metal substrate being covered by an organic insulating layer

Landscapes

  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、複合体に関する。
従来、金属製支持板に有機絶縁膜を設けた複合体として
、たとえば、フンキシプル電子回路用基板として銅箔に
ポリイミドフィルムを接着剤を介してラミネートしたも
の、スピーカー用振動板としてアルミニウム箔とポリイ
ミドフィルムをラミネートしたもの等が知られている。
しかし、このようなラミネートによって製造された金属
製支持板と有機絶縁膜からなる複合体では、金属製支持
板と有機絶縁膜との接着強度に劣る欠点があった。
上記欠点を改善する方法としては、有機絶縁膜の原料溶
液、たとえば、ポリイミドの前駆体であるポリアミック
酸溶液等を金属製支持板上に塗布し、加熱乾燥、硬化さ
せる方法がある。しかし。
この方法は、確かに金属製支持板と有機絶縁膜との接着
強度は改善されるが、有機絶縁膜の原料溶液中に含まれ
る溶剤の蒸発、硬化反応時の脱水等により膜中にピンホ
ールが生じやすく、有機絶縁膜の絶縁性に劣る欠点があ
る。
本発明の目的は、上記の欠点のない複合体を提供するこ
とにある。
本発明は、金属製支持板の両面又は片面に絶縁性金属酸
化物の薄膜を設け、さらにその上に有機絶縁膜を設けて
なる複合体に関する。
本発明に使用される金属製支持板としては、特に制限は
ないが、鉄、鋼、ステンレス鋼、銅、銅合金、アルミニ
ウム、アルミニウム合金、ニッケル、ニッケル合釜、チ
タン1.チタン合金等が挙げられる。これらの金属製支
持板は、その性質、たとえば、熱伝導性、電気伝導性、
熱膨張係数、引張り強度9曲げ強度、衝撃強度、加工性
、耐食性。
価格等をその使用目的に照し合せて選定される。
霊勇袈叉待似の厚さは0.01〜1mmが好lしく。
これよりも薄い場合は9機械的強度が低くて、取扱いに
くい。また、これよりも厚い場合は、加工性に劣る。
本発明で使用される絶縁性金属酸化物の薄膜としては1
例えば5i02を主成分とする薄膜が好ましい。このよ
うな8i02を主成分とする金員酸化物薄膜の製法とし
ては、たとえば、ケイ酸エチル(Si(OEt)4)を
主成分とするアルコール溶液に水を添加して加水分解さ
せて得られるS i (OH4)’)るいは8iChの
オリゴマーを主成分とするアルコール溶液を金属製支持
板上に塗布し加熱乾燥する方法を用いることができる。
また、金属酸化物の薄膜としては例えば、kk03゜T
i0z 、 B2O3、SnO2などの薄膜を挙げるこ
とができる。これらは、SiO2と同様にして、これら
の金属のアルコラード又はモノアルキル金属化合物をア
セチルアセトン等の有機溶剤に溶解した溶液を金属性支
持板上に塗布し、加熱乾燥することにより、これらの金
属酸化物薄膜とすることができる。
このような絶縁性金属酸化物薄膜の膜厚け。
0.001μmより薄くなると絶縁性が損われ、1μm
よりも厚くなると薄膜形成塗中でクラックが入り易くな
り、外観上も、また、絶縁性の点からも好ましくない。
従って、このような金属酸化物薄膜の膜厚は、o、oo
i〜1μmの範囲にあるのが好ましく、0.03〜0.
3μmの範囲にあることがより好ましい。
本発明で使用される有機絶縁膜としては、ポリアミド、
ポリアミドイミド、ポリイミドあるいけ。
こilらの変性体などの膜を用いることができる。
これらのポリマーは、絶縁性、耐熱性、耐薬品性にすぐ
れており、特に、電子部品用として有用である。
このような有機絶縁膜は、上記ポリマーの有機溶媒溶液
、あるいけ、上記ポリマーの前駆体の有機溶媒溶液を前
記した絶縁性金属酸化物薄膜を形成した金属製支持板上
に塗布し、加熱乾燥して形成される。
有機絶縁膜の膜厚は、0.5〜50μmの範囲にらるこ
とが好ましく、これよりも薄い場合は、絶縁不良が発生
し易く、これよりも厚くなると有機絶縁膜形成時の熱履
歴によりはがれ、クラック等を生じやすく、1〜20μ
mの範囲にあることがさらに好ましい。
絶縁性金属酸化物の薄膜の形成及び有機絶縁膜の形成に
用いられる塗布法としては9通常の、塗布法、たとえば
、スプレー塗布、浸漬引上げ法1回転塗布法、刷毛塗り
法、プレードコータるるいはロールコータによる方法等
を用いることができる。
以下、実施例を用いて本発明を説明する。
充分洗浄したステンレスM板(SUS304゜100X
100X0.31mm)を用イ、コれに以下ノヨうにし
て5i02のオリゴマー溶液を浸漬塗布し。
400℃で1時間硬化させて絶縁性金属酸化物の薄膜を
形成した。
5i02ノオリゴマー溶液はケイ酸エチルSi (OB
t)4;ioog、 リy酸シーc f ル(EtO)
 2 PO(OH) pO,59g 、エチルアルコー
ル864.85gを混合溶解し、これに水;34.56
gを加え、70℃で4時間加熱攪拌して調製した。
浸漬塗布は引上げ速度30cm/mjnで行ない。
室温放置して溶剤を風乾したのち、400℃/lh硬化
することにより膜厚約0.07μmの5i02を主成分
とする金属酸化物薄膜を形成することができた。
さらに1両面に5iOzを主成分とする全館酸化物の薄
膜をつけたステンレス鋼板に、以下のようにして調製し
たポリイミドの前駆体、ポリアミック酸の溶液を回転塗
布し、200℃で30分、350℃で1時間加熱・硬化
させて複合体を得た。
ポリアミック酸溶液は、 3.3: 4.4’−ペジゾ
フエノンテトラカルボン酸二無水物61.674 g 
、 4.4’−ジアミノジフェニルエーテル38.32
6gをN−メチルピロリドン400g中で、室温で3時
間攪拌させ、さらに80℃で5時間攪拌し、粘度200
0cpsの溶液として得た。
回転塗布は、共栄セミコンダクターIII製11−(−
3型回転塗布器を用い、約5gのポリアミック酸溶液を
回転中心部に供給し、 2500rpfTIl 30秒
間回転することにより行ない約4μmの表面平滑度、接
着性にすぐれた有機絶縁膜を得た。
こうして得た複合体のポリイミド膜面に、1cm2の島
状にアルミニウム全マスク蒸着し2.となり合わせたア
ルミニウムの島同士及びアルミニウムの島と裏面(Si
O+を主成分とする金属酸化物薄膜)との間の絶縁抵抗
を測定したところ、DClooVでいずれも10120
以上の抵抗を示した。
また、5i02を主成分とする金属酸化物薄膜を設けた
ステンレス鋼板を用いた複合体は350℃。
400℃という高温に放置されても、ステンレス鋼板の
表向の変色は認められなかった。しかし。
金属酸化物薄膜を設けていないステンレス鋼板を用いた
ものはやや、かつ色を呈した。これVよ、ステンレス鋼
板の表面の酸化を金鵡酸化物/I5膜が防いでいるため
と考えられる。
本@男になる複合体は、絶縁性にすぐれ、また。
金属酸化物の薄膜により金P5%製支持板の酸化が抑え
られるため変色がなく、耐食性にすぐれた複合体を得る
ことができ、特に、電子部品、プリント回路基板の信頼
性向上に効果がある。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、 金属製支持板の両面又は片面に絶縁性金属酸化物
    の薄膜を設け、さらにその上に有機絶縁膜を設けてなる
    複合体。
JP13465183A 1983-07-22 1983-07-22 複合体 Granted JPS6025742A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13465183A JPS6025742A (ja) 1983-07-22 1983-07-22 複合体

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13465183A JPS6025742A (ja) 1983-07-22 1983-07-22 複合体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6025742A true JPS6025742A (ja) 1985-02-08
JPS634791B2 JPS634791B2 (ja) 1988-01-30

Family

ID=15133351

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JP13465183A Granted JPS6025742A (ja) 1983-07-22 1983-07-22 複合体

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JP (1) JPS6025742A (ja)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54948A (en) * 1977-06-06 1979-01-06 Hitachi Ltd Data delivery system
JPS5736651A (ja) * 1980-08-14 1982-02-27 Shin Kobe Electric Machinery Insatsuhaisenbanyosekisoban

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54948A (en) * 1977-06-06 1979-01-06 Hitachi Ltd Data delivery system
JPS5736651A (ja) * 1980-08-14 1982-02-27 Shin Kobe Electric Machinery Insatsuhaisenbanyosekisoban

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JPS634791B2 (ja) 1988-01-30

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