JPS60255692A - 高解離圧化合物半導体単結晶引き上げ装置 - Google Patents
高解離圧化合物半導体単結晶引き上げ装置Info
- Publication number
- JPS60255692A JPS60255692A JP10963284A JP10963284A JPS60255692A JP S60255692 A JPS60255692 A JP S60255692A JP 10963284 A JP10963284 A JP 10963284A JP 10963284 A JP10963284 A JP 10963284A JP S60255692 A JPS60255692 A JP S60255692A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vessel
- container
- high dissociation
- single crystal
- dissociation pressure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ＩＣ用高抵抗基板、レーザー用高ドープ材の
製造に最も適した高解離圧化合物半導体単結晶処理＠置
に関する。
製造に最も適した高解離圧化合物半導体単結晶処理＠置
に関する。
従来の技術
高解離圧化合物単結晶の製造に於て、結晶のストイキオ
メトリの制御は重要である。原料融液にストイキオメト
リのずれがあると結晶、内に点欠陥が導入され、さらに
点欠陥は凝縮して転位となる。これらの格子欠陥はデバ
イスの性能に大きく影響することが知られている。スト
イキオメトリ−を最適に制御するには、結晶成長の際原
料融液を最適圧力の高解離圧成分雰囲気で覆うことの他
結晶ウェハーをそのような雰囲気のもとで熱処理するこ
とも効果があると考えられる。その目的に使われる装置
にとって高温で高解離圧成分を密封することが重要な技
術となる。以下にＧａ Ａｓの引き上げ法を例にとって
述べる。
メトリの制御は重要である。原料融液にストイキオメト
リのずれがあると結晶、内に点欠陥が導入され、さらに
点欠陥は凝縮して転位となる。これらの格子欠陥はデバ
イスの性能に大きく影響することが知られている。スト
イキオメトリ−を最適に制御するには、結晶成長の際原
料融液を最適圧力の高解離圧成分雰囲気で覆うことの他
結晶ウェハーをそのような雰囲気のもとで熱処理するこ
とも効果があると考えられる。その目的に使われる装置
にとって高温で高解離圧成分を密封することが重要な技
術となる。以下にＧａ Ａｓの引き上げ法を例にとって
述べる。
Ｑａ ＡＳ単結晶の成長法として引き上げ法が知られて
おり、＜ １００＞方位の結晶の育成が可能であるとこ
ろから、ＩＣ用高抵抗基板などの製造に最も適した方法
とされている。
おり、＜ １００＞方位の結晶の育成が可能であるとこ
ろから、ＩＣ用高抵抗基板などの製造に最も適した方法
とされている。
一般には、高解離圧成分である砒素の飛散を避けるため
、るつぼ内のＧａ Ａｓ融液の上に、８２０３液体によ
って封止するＬＥＣ法が行なわれているが、この方法で
は欠陥密度の低減化と制御が困難である。すなわち、原
料の元素配分以上のストイキオメトリの厳密な制御が不
可能で、結晶中に非ストイキオメトリ由来の点欠陥が多
量に導入される上、結晶表面からの砒素の飛散を防ぐた
めに、固液界面直上での温度勾配は小さくできないこと
も、同化の際の熱歪の効果で転位密度を高める原因とな
っている。
、るつぼ内のＧａ Ａｓ融液の上に、８２０３液体によ
って封止するＬＥＣ法が行なわれているが、この方法で
は欠陥密度の低減化と制御が困難である。すなわち、原
料の元素配分以上のストイキオメトリの厳密な制御が不
可能で、結晶中に非ストイキオメトリ由来の点欠陥が多
量に導入される上、結晶表面からの砒素の飛散を防ぐた
めに、固液界面直上での温度勾配は小さくできないこと
も、同化の際の熱歪の効果で転位密度を高める原因とな
っている。
このようなＬＥＣ法の欠点を改良するためには、制御さ
れた砒素圧力のもとて結晶の引き上げを行なう必要があ
る。そのような引き上げを可能にし、かつ大口径結晶の
育成を可能にする引き上げ装置を先に開発し特許出願し
たく特願昭５８−１５７８８３）。
れた砒素圧力のもとて結晶の引き上げを行なう必要があ
る。そのような引き上げを可能にし、かつ大口径結晶の
育成を可能にする引き上げ装置を先に開発し特許出願し
たく特願昭５８−１５７８８３）。
その具体的内容は第４図に示すように、砒素ガス密封容
器を上部容器１と下部容器２とに分割し得るようにし、
その接合部には液体シール保持部３を設け、液体Ｂ２・
０３を保持し、その中に上部容器１の下端を浸すことに
より、砒素ガスを容器内に密封している。そしてルツボ
４を回転させながら、引き上げ軸５によって、結晶６を
引き上げるものである。
器を上部容器１と下部容器２とに分割し得るようにし、
その接合部には液体シール保持部３を設け、液体Ｂ２・
０３を保持し、その中に上部容器１の下端を浸すことに
より、砒素ガスを容器内に密封している。そしてルツボ
４を回転させながら、引き上げ軸５によって、結晶６を
引き上げるものである。
密封容器内の砒素圧は、砒素圧制御炉１０の温度を制御
しこの部分に砒素を凝縮させ、かつ、密封容器の伯のい
かなる部分の温度もこれよりも高く保つことで制御され
る。
しこの部分に砒素を凝縮させ、かつ、密封容器の伯のい
かなる部分の温度もこれよりも高く保つことで制御され
る。
この装置は分割式としたため容器のくり返し使用が可能
となったが、問題は分割箇所のシールにある。すなわち
、液体シール保持部３の中に保持した液体Ｂ２０３の中
に上部容器下端を浸すことで容器の密封が行なわれるが
、この構造のシールは、容器内外の圧力に差が生じたと
き、Ｂ２０３液があふれて砒素を損失するので、容器内
外の圧力の均衡に充分注意する必要がある。特に原料融
解に至る胃渇時および引き上げ完了後の降温時の内部砒
素圧が大巾に変セるときか問題で、容器内外圧の均衡を
常にとるよう、圧力を充分ゆっくり変える必要がある。
となったが、問題は分割箇所のシールにある。すなわち
、液体シール保持部３の中に保持した液体Ｂ２０３の中
に上部容器下端を浸すことで容器の密封が行なわれるが
、この構造のシールは、容器内外の圧力に差が生じたと
き、Ｂ２０３液があふれて砒素を損失するので、容器内
外の圧力の均衡に充分注意する必要がある。特に原料融
解に至る胃渇時および引き上げ完了後の降温時の内部砒
素圧が大巾に変セるときか問題で、容器内外圧の均衡を
常にとるよう、圧力を充分ゆっくり変える必要がある。
特に昇温時にお番プる容器内外圧の不均衡が大きいと結
晶のストイキオメトリ制御を致命的な失敗に至らせる。
晶のストイキオメトリ制御を致命的な失敗に至らせる。
従って操作性の向上の為には密封容器の分割箇所のシー
ルの改善が不可欠である。
ルの改善が不可欠である。
問題点を解決するための手段
本発明は、容器内に密封した高解離圧ｌＪ２分ガスの圧
力を制御しつつ高解離圧化合物半導体単結晶を処理する
装置において、該容器を分割可能に構成し、その分割箇
所の接合部に固体又は液体のシール材を適用し、かつ、
該接合部に対する応力印加機構を備えたことを特徴とす
る高解離圧化合物半導体単結晶処理装置である。
力を制御しつつ高解離圧化合物半導体単結晶を処理する
装置において、該容器を分割可能に構成し、その分割箇
所の接合部に固体又は液体のシール材を適用し、かつ、
該接合部に対する応力印加機構を備えたことを特徴とす
る高解離圧化合物半導体単結晶処理装置である。
上記において容器の分割個所は１箇所とは限らず、２箇
所あるいはそれ以上でもよい。
所あるいはそれ以上でもよい。
シール材として・用いられるものは、熱膨張性黒鉛の如
き固体シール材、Ｂ２Ｏ３、Ｇａの如き液体シール材が
用いられる。ただし、Ｑａは高温で高解離圧成分ガスと
反応して化合物（Ａｓガスの場合はＧａ ＡＳ ）の皮
をつくるので、シールのくり返し使用のためには、Ｂ２
Ｏ３がより優れている。
き固体シール材、Ｂ２Ｏ３、Ｇａの如き液体シール材が
用いられる。ただし、Ｑａは高温で高解離圧成分ガスと
反応して化合物（Ａｓガスの場合はＧａ ＡＳ ）の皮
をつくるので、シールのくり返し使用のためには、Ｂ２
Ｏ３がより優れている。
固体シール材はシール部の構造を簡単にし、また周囲の
材質を選ばない利点があり、保守が簡単である。
材質を選ばない利点があり、保守が簡単である。
固体シール材と液体シール材とを組合せて、シール液体
中に浸した固体シールで密封することも可能である。こ
の場合には、密封はさらに完全となり、同時に固体シー
ル材からの不純物元素の汚染を防ぐことができる。
中に浸した固体シールで密封することも可能である。こ
の場合には、密封はさらに完全となり、同時に固体シー
ル材からの不純物元素の汚染を防ぐことができる。
そしてこの接合部には、常に応力を印加するようにした
機構を備える。−例を挙げると下部容器をバネによって
弾性的に支持する手段がある。
機構を備える。−例を挙げると下部容器をバネによって
弾性的に支持する手段がある。
この場合バネの強さを適当なものとし、容器の可動部の
位置検出を行なって適正な押し付けをすることによって
目的を達することができる。他の方法としてはバネのか
わりにロードセルを入れ接合部に一定の力がかかるよう
に自動制御しつつ応力印加することが考えられる。
位置検出を行なって適正な押し付けをすることによって
目的を達することができる。他の方法としてはバネのか
わりにロードセルを入れ接合部に一定の力がかかるよう
に自動制御しつつ応力印加することが考えられる。
容器には、必要に応じて内部観察用の光学窓を備え、結
晶成長状況を常に観察する。
晶成長状況を常に観察する。
また容器を構成する材質は、下記（Ａ）〜（Ｄ＞のうち
の１種または数種のものから選ばれる。
の１種または数種のものから選ばれる。
（Ａ＞セラミックス（炭化硅素、窒化硅素、サイアロン
、窒化ボロン、窒化アルミニウム、アルミナ、ジルコニ
ア、炭化チタン、窒化チタン） （Ｂ）ガス不透過性カーボン （Ｃ）耐熱金属材料（モリブデン、モリブデン合金、タ
ングステン、タングステン合金） （Ｄ）カーボンまたは耐熱金属材料［（Ｃ）に記載のも
ののほか、ステンレス、ニッケル基合金、コバルト基合
金］の表面に（Ａ）記載のセラミックスをコーティング
したもの これらの材料の選択は以下のようにして行なった。すな
わち１気圧の砒素雰囲気中６００〜１２５０℃に各材料
の試験片を約２０時間保った後徐冷した。かかる方法に
よった場合、通常容器材料として知られている耐熱鋼（
Ｋ−６３）、コバルト基台金（Ｈ８２５）、ニッケル基
台金（ハステロイ）は、素材のままでは容易に砒素雰囲
気におかされてしまい不適であったが、多くの試験研究
の結果、上記材質が適当であることが判った。同様に他
の高解離圧成分である燐雰囲気についても調べたが上記
材料は使用可能であった。
、窒化ボロン、窒化アルミニウム、アルミナ、ジルコニ
ア、炭化チタン、窒化チタン） （Ｂ）ガス不透過性カーボン （Ｃ）耐熱金属材料（モリブデン、モリブデン合金、タ
ングステン、タングステン合金） （Ｄ）カーボンまたは耐熱金属材料［（Ｃ）に記載のも
ののほか、ステンレス、ニッケル基合金、コバルト基合
金］の表面に（Ａ）記載のセラミックスをコーティング
したもの これらの材料の選択は以下のようにして行なった。すな
わち１気圧の砒素雰囲気中６００〜１２５０℃に各材料
の試験片を約２０時間保った後徐冷した。かかる方法に
よった場合、通常容器材料として知られている耐熱鋼（
Ｋ−６３）、コバルト基台金（Ｈ８２５）、ニッケル基
台金（ハステロイ）は、素材のままでは容易に砒素雰囲
気におかされてしまい不適であったが、多くの試験研究
の結果、上記材質が適当であることが判った。同様に他
の高解離圧成分である燐雰囲気についても調べたが上記
材料は使用可能であった。
作 用
応力印加装置によって、上、下容器が適当な応力をかけ
られた状態で密着されるようにし、また、接触面全体で
均一に密着が行なわれるようにする。さらに接触面の密
着後、容器温度の上昇による容器の熱膨張に対してもバ
ネ係数を選ぶことにより、又はロードセルによる自動制
御により容器にかかる応力を充分安全な範囲に保つこと
ができる。
られた状態で密着されるようにし、また、接触面全体で
均一に密着が行なわれるようにする。さらに接触面の密
着後、容器温度の上昇による容器の熱膨張に対してもバ
ネ係数を選ぶことにより、又はロードセルによる自動制
御により容器にかかる応力を充分安全な範囲に保つこと
ができる。
液体シールを使用した場合でも接合部は充分緊密に密着
しているので、容器内外の圧力差が生じても、シール液
体が急に溢れ出ることがない。
しているので、容器内外の圧力差が生じても、シール液
体が急に溢れ出ることがない。
実施例
実施例を図面に基づいて説明する。第１図は引き上げ装
置における密封容器の分割箇所を液体シールで密封した
例であり、モリブデンでつくった上部容器１とアルミナ
によってつくった下部容器２との接合部において、下部
容器２に液体シール保持部３を設け、そこに液体８２０
３７を入れ、上部容器１の下端を浸す。このとき、下部
容器２はバネ８により弾性的に支持されている。バネ８
としてコイルバネを用い接触部に２０〜３０ｋｇ／ ａ
ｌの応力がかかるようにした。このバネ８は、上下容器
に適当な応力をかけた状態で密着が行なわれるようにし
、又、密着が接触面全体で均一に行なわれることを容易
にする。さらに接触面の密着後、容器温度の上昇による
容器の熱膨張に対してもバネ係数を選ぶことにより、容
器壁にかかる応力を充分安全な範囲に保つことができる
。
置における密封容器の分割箇所を液体シールで密封した
例であり、モリブデンでつくった上部容器１とアルミナ
によってつくった下部容器２との接合部において、下部
容器２に液体シール保持部３を設け、そこに液体８２０
３７を入れ、上部容器１の下端を浸す。このとき、下部
容器２はバネ８により弾性的に支持されている。バネ８
としてコイルバネを用い接触部に２０〜３０ｋｇ／ ａ
ｌの応力がかかるようにした。このバネ８は、上下容器
に適当な応力をかけた状態で密着が行なわれるようにし
、又、密着が接触面全体で均一に行なわれることを容易
にする。さらに接触面の密着後、容器温度の上昇による
容器の熱膨張に対してもバネ係数を選ぶことにより、容
器壁にかかる応力を充分安全な範囲に保つことができる
。
なお、図面中９は光学窓であり、石英ロッドよりなり、
先端を８５０℃に保ち結晶引き上げ時の状態を外部から
観測し得るようにしである。１０は砒素圧制御炉であり
、１１はヒーターである。
先端を８５０℃に保ち結晶引き上げ時の状態を外部から
観測し得るようにしである。１０は砒素圧制御炉であり
、１１はヒーターである。
かかる装置を使用するには、るつぼはＰ、ＢＮ製のもの
を用い、Ｇａ＋Ａ３１ｋ（］をチャージし、密封容器中
で直接合成した後、砒素圧力を一定に保った状態でＱａ
Ａｓ単結晶を育成した。容器が破損することなく、光
学窓の曇りもなかった。また引き上げ操作前後の砒素の
損失は１％以下であった。
を用い、Ｇａ＋Ａ３１ｋ（］をチャージし、密封容器中
で直接合成した後、砒素圧力を一定に保った状態でＱａ
Ａｓ単結晶を育成した。容器が破損することなく、光
学窓の曇りもなかった。また引き上げ操作前後の砒素の
損失は１％以下であった。
第２図は引き上げ装置にお（プる密封容器の接合部の密
封に固体シール１２を用いた例で、高温で弾力性があり
、気体を密、封するのに充分密着性の良いシール材とし
て熱膨販性黒鉛を選んだものである。このシールに７対
しても上記強さのバネを介して下部容＠２を弾性的に支
持し固体シール１２に常に適正な応力を均一にかけ、熱
膨張による容器の破損を避けた。
封に固体シール１２を用いた例で、高温で弾力性があり
、気体を密、封するのに充分密着性の良いシール材とし
て熱膨販性黒鉛を選んだものである。このシールに７対
しても上記強さのバネを介して下部容＠２を弾性的に支
持し固体シール１２に常に適正な応力を均一にかけ、熱
膨張による容器の破損を避けた。
さらに容器にかけられる応力を有効にシール面に働かせ
るために接触面積を小さくするのが望ましく、そのため
上部容器の下端は曲率をつけである。
るために接触面積を小さくするのが望ましく、そのため
上部容器の下端は曲率をつけである。
第３図は熱処理装置の実施例で実施例２と同じく、固体
ガスケットでシールし、かつ、下部容器の駆動軸にバネ
を介しである。
ガスケットでシールし、かつ、下部容器の駆動軸にバネ
を介しである。
上記各具体例では高解離圧化合物の代表としてＧａＡＳ
の例を説明したがＧａＡｓと限・定されるものではなく
、他の高解離圧化合物、例えばＡＳ化合物である■ｎＡ
ＳやＰ化合物であるｒｎＰについても適用可能である。
の例を説明したがＧａＡｓと限・定されるものではなく
、他の高解離圧化合物、例えばＡＳ化合物である■ｎＡ
ＳやＰ化合物であるｒｎＰについても適用可能である。
１１丸ＩＬ
高解離圧成分雰囲気密封容器を分割可能にして結晶の取
出しを容易にし、接合部における固体又は液体シールを
密着させることにより容器内外の圧力バランスをとる際
の操作性を高めた。そして、本発明装置は、単結晶を育
成する高温において充分な強度を有し、かつ高解離圧成
分雰囲気に対して耐える材質で作られ、繰返し使用が可
能となった。これにより常に均質な高品質高解離圧化合
物半導体単結晶が得られる。
出しを容易にし、接合部における固体又は液体シールを
密着させることにより容器内外の圧力バランスをとる際
の操作性を高めた。そして、本発明装置は、単結晶を育
成する高温において充分な強度を有し、かつ高解離圧成
分雰囲気に対して耐える材質で作られ、繰返し使用が可
能となった。これにより常に均質な高品質高解離圧化合
物半導体単結晶が得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の実施例を示す断面図、第２図は接合
部の変形例を示す断面図、第３図は熱処理装置の実施例
を示す断面図、第４図は先行例の断面図をそれぞれ示す
。 １・・・上部容器、２・・・下部容器、３・・・液′体
シール保持部、４・・・回転ルツボ、５・・・引き上げ
軸、６・・・結晶、 ７・・・液体Ｂ２０３．８・・・バネ、９・・・光学窓
、１０・・・砒素圧制御炉、１１・・・ヒーター、１２
・・・固体シール、１３・・・容器駆動軸、１４・・・
ルツボ回転下軸、１５・・・回転シール、１６・・・高
解離圧化合物単結晶ウェハ。 特許出願人 ″新技術開発事業団 （ほか２名） 代理人 弁理士 小 松 秀 岳 ２１ 図 才 ２ 内 才 ３図 才 ４ 図 手続補正書 （自発） 昭和５９年８月３０日 特許庁長官 志 賀 学 殿 １、事件の表示 昭和５９年特許願第１０９６３２号 ２、発明の名称 高解離圧化合物半導体単結晶処理装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 新技術開発事業団 くほか２名）４、代 理
人 〒１０７（電話５８Ｇ−８８５４）住所 東京都港
区赤坂４丁目１３番５号５、補正命令の日付 （自 発
） ６、補正の対象 明細書中、発明の詳細な説明の欄 ７、補正の内容 （１）明細書第６頁第１１〜１２行の「熱膨張性」を１
膨張」と訂正する。 （２）第１１頁第１４行の「熱膨張性」を「膨張」と訂
正する。
部の変形例を示す断面図、第３図は熱処理装置の実施例
を示す断面図、第４図は先行例の断面図をそれぞれ示す
。 １・・・上部容器、２・・・下部容器、３・・・液′体
シール保持部、４・・・回転ルツボ、５・・・引き上げ
軸、６・・・結晶、 ７・・・液体Ｂ２０３．８・・・バネ、９・・・光学窓
、１０・・・砒素圧制御炉、１１・・・ヒーター、１２
・・・固体シール、１３・・・容器駆動軸、１４・・・
ルツボ回転下軸、１５・・・回転シール、１６・・・高
解離圧化合物単結晶ウェハ。 特許出願人 ″新技術開発事業団 （ほか２名） 代理人 弁理士 小 松 秀 岳 ２１ 図 才 ２ 内 才 ３図 才 ４ 図 手続補正書 （自発） 昭和５９年８月３０日 特許庁長官 志 賀 学 殿 １、事件の表示 昭和５９年特許願第１０９６３２号 ２、発明の名称 高解離圧化合物半導体単結晶処理装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 新技術開発事業団 くほか２名）４、代 理
人 〒１０７（電話５８Ｇ−８８５４）住所 東京都港
区赤坂４丁目１３番５号５、補正命令の日付 （自 発
） ６、補正の対象 明細書中、発明の詳細な説明の欄 ７、補正の内容 （１）明細書第６頁第１１〜１２行の「熱膨張性」を１
膨張」と訂正する。 （２）第１１頁第１４行の「熱膨張性」を「膨張」と訂
正する。
Claims (2)
- （１） 容器内に密封した高解離圧成分ガスの圧力を制
御しつつ高解離圧化合物半導体単結晶を処理する装置に
おいて、該容器を分割可能に構成し、その分割箇所の接
合部に固体又は液体のシール材を適用し、かつ、該接合
部に対する応力印加機構を備えたことを特徴とする高解
離圧化合物半導体単結晶処理装置。 - （２） 容器゛を構成する材料が下記（Ａ）〜（Ｄ）の
材料のうちの１種または数種によって構成される特許請
求の範囲（１）記載の高解離圧化合物半導体単結晶処理
装置。 （Ａ）セラミックス（炭化硅素、窒化硅素、サイアロン
、窒化ボロン、窒化アルミニウム、アルミナ、ジルコニ
ア、炭化チタン、窒化チタン） （Ｂ）ガス不透過性カーボン （Ｃ）耐熱金属材料（モリブデン、モリブデン合金、タ
ングステン、タングステン合金） （Ｄ）カーボンまたは耐熱金属材料［（Ｃ）に記載のも
ののほか、ステンレス、ニッケル基合金、コバルト基台
金］の表面に（Ａ）記載のセラミックスをコーティング
したもの。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10963284A JPS60255692A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 高解離圧化合物半導体単結晶引き上げ装置 |
| EP84109948A EP0139157B1 (en) | 1983-08-31 | 1984-08-21 | Apparatus for growing single crystals of dissociative compounds |
| DE8484109948T DE3472577D1 (en) | 1983-08-31 | 1984-08-21 | Apparatus for growing single crystals of dissociative compounds |
| DE198484109948T DE139157T1 (de) | 1983-08-31 | 1984-08-21 | Vorrichtung zur zuechtung von einkristallinen zersetzbaren verbindungen. |
| US06/644,840 US4704257A (en) | 1983-08-31 | 1984-08-28 | Apparatus for growing single crystals of dissociative compounds |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10963284A JPS60255692A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 高解離圧化合物半導体単結晶引き上げ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60255692A true JPS60255692A (ja) | 1985-12-17 |
| JPS6341879B2 JPS6341879B2 (ja) | 1988-08-19 |
Family
ID=14515195
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10963284A Granted JPS60255692A (ja) | 1983-08-31 | 1984-05-31 | 高解離圧化合物半導体単結晶引き上げ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60255692A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62197390A (ja) * | 1986-02-25 | 1987-09-01 | Mitsubishi Metal Corp | 二重構造容器 |
| JPS62297291A (ja) * | 1986-06-18 | 1987-12-24 | Res Dev Corp Of Japan | 砒化ガリウム単結晶引き上げ装置 |
| US5074953A (en) * | 1988-08-19 | 1991-12-24 | Mitsubishi Materials Corporation | Method for monocrystalline growth of dissociative compound semiconductors |
| US5091043A (en) * | 1988-08-19 | 1992-02-25 | Mitsubishi Materials Corporation | Method for monocrystaline growth of dissociative compound semiconductors |
| JPH05238884A (ja) * | 1992-09-22 | 1993-09-17 | Mitsubishi Materials Corp | 化合物半導体引き上げ装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2571555Y2 (ja) * | 1992-11-27 | 1998-05-18 | 松下電工株式会社 | コンセントユニット |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS516871A (ja) * | 1974-06-03 | 1976-01-20 | Little Inc A | Mukikagobutsunoyojugoseinotamenohannoyoki oyobi sochi |
-
1984
- 1984-05-31 JP JP10963284A patent/JPS60255692A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS516871A (ja) * | 1974-06-03 | 1976-01-20 | Little Inc A | Mukikagobutsunoyojugoseinotamenohannoyoki oyobi sochi |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6341879B2 (ja) | 1988-08-19 |
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