JPS6025384B2 - 高密度マグネシア焼結体の製造法 - Google Patents
高密度マグネシア焼結体の製造法Info
- Publication number
- JPS6025384B2 JPS6025384B2 JP53050115A JP5011578A JPS6025384B2 JP S6025384 B2 JPS6025384 B2 JP S6025384B2 JP 53050115 A JP53050115 A JP 53050115A JP 5011578 A JP5011578 A JP 5011578A JP S6025384 B2 JPS6025384 B2 JP S6025384B2
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- Japan
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- magnesia
- density
- firing
- high density
- sintered body
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高純度なマグネシアを高密度に暁結する方法に
関するもので、組成比と量を調整した微少量のＣａ○−
Ｓｉ０２一Ｂ２０３系不純物を焼結促進剤として焼成温
度１３００００以上で高密度３．４９ｇ／の以上のマグ
ネシア糠結体を得ようとするものである。
関するもので、組成比と量を調整した微少量のＣａ○−
Ｓｉ０２一Ｂ２０３系不純物を焼結促進剤として焼成温
度１３００００以上で高密度３．４９ｇ／の以上のマグ
ネシア糠結体を得ようとするものである。
マグネシア焼結体は製鋼炉用耐火材、金属溶解用ルッボ
、光学用透光セラミック、等に用いられており、さらに
将来はＭＨＤ発電のセミホット発電ダクトの内張り村と
しての利用が考えられるが、高温度でアルカリ雰囲気に
曝される場合はとくに高密度で高純度が必要とされる。
、光学用透光セラミック、等に用いられており、さらに
将来はＭＨＤ発電のセミホット発電ダクトの内張り村と
しての利用が考えられるが、高温度でアルカリ雰囲気に
曝される場合はとくに高密度で高純度が必要とされる。
マグネシア競結体は、工業的には１７００ごＣから２１
００ｑＣの高温度の焼成によってＭｇ０純度９９％、高
密度３．３舷／が程度の高級品も製造されるようになっ
たが、なお一層の高密度が要求されている。高密度なマ
グネシァ競結体を得る方法が種々研究されているが、そ
の一つに嫌結促進作用を果す物質を添加して焼成する方
法が挙げられる。例えばＦｅ２０３、ＡＩ２０３、Ｃｒ
２０３、Ｔｉ０２、Ｍｎ０２、Ｓｉ０２、Ｃａ○、Ｌｉ
２０、Ｖ２０５等が糠結速度の促進剤として知られてい
る。これらの物質は焼成過程で、マグネシア結晶に固溶
して空格子点や格子歪みを増加させ、あるいは液相を生
成して、イオン拡散を活発化するので競結速度を促進す
るといわれている。しかしこれら物質の添加は、添加量
を多く必要としてＭｇ０純度を低下する、高温度下で液
相物を多量に形成してマグネシア本来の耐火性を失なわ
せる、さらにはまだ十分な高密度が得られていない等の
問題を抱えている。以上に鑑み、本発明者等は上記問題
点を克服する為鋭意研究をかさねた結果、Ｃａ○、Ｓｉ
０２、Ｂ０３の三者を特定範囲量で用いることにより、
高純度なマグネシァの耐火性を損うことなく従来にない
高密度のマグネシアを一般に行われるより著しく低い温
度の焼成によって経済的に取得しうろことを見出し、本
発明をなすに至った。
００ｑＣの高温度の焼成によってＭｇ０純度９９％、高
密度３．３舷／が程度の高級品も製造されるようになっ
たが、なお一層の高密度が要求されている。高密度なマ
グネシァ競結体を得る方法が種々研究されているが、そ
の一つに嫌結促進作用を果す物質を添加して焼成する方
法が挙げられる。例えばＦｅ２０３、ＡＩ２０３、Ｃｒ
２０３、Ｔｉ０２、Ｍｎ０２、Ｓｉ０２、Ｃａ○、Ｌｉ
２０、Ｖ２０５等が糠結速度の促進剤として知られてい
る。これらの物質は焼成過程で、マグネシア結晶に固溶
して空格子点や格子歪みを増加させ、あるいは液相を生
成して、イオン拡散を活発化するので競結速度を促進す
るといわれている。しかしこれら物質の添加は、添加量
を多く必要としてＭｇ０純度を低下する、高温度下で液
相物を多量に形成してマグネシア本来の耐火性を失なわ
せる、さらにはまだ十分な高密度が得られていない等の
問題を抱えている。以上に鑑み、本発明者等は上記問題
点を克服する為鋭意研究をかさねた結果、Ｃａ○、Ｓｉ
０２、Ｂ０３の三者を特定範囲量で用いることにより、
高純度なマグネシァの耐火性を損うことなく従来にない
高密度のマグネシアを一般に行われるより著しく低い温
度の焼成によって経済的に取得しうろことを見出し、本
発明をなすに至った。
即ち、本発明は、マグネシウム化合物を熱分解し仮競し
た後、仮焼マグネシアを加圧成形して焼成する工程にお
いて、マグネシウム化合物あるいは仮焼マグネシァの化
学組成を酸化物の重量に換算して、Ｃａ○とＳｉ０２の
合計が０．０５％から０．３５％までで、かつＣａ○と
Ｓｉ０２の比（Ｃａ○／Ｓｉ０２）が０．５以下、＆○
が０．００５％から０．０８％まで、さらにＮａ２０、
Ｆｅ２０３、山２０３の合計を０．４５％以下に調整し
て用いることを特徴とする高密度マグネシア暁結体の製
造方法に関するものである。
た後、仮焼マグネシアを加圧成形して焼成する工程にお
いて、マグネシウム化合物あるいは仮焼マグネシァの化
学組成を酸化物の重量に換算して、Ｃａ○とＳｉ０２の
合計が０．０５％から０．３５％までで、かつＣａ○と
Ｓｉ０２の比（Ｃａ○／Ｓｉ０２）が０．５以下、＆○
が０．００５％から０．０８％まで、さらにＮａ２０、
Ｆｅ２０３、山２０３の合計を０．４５％以下に調整し
て用いることを特徴とする高密度マグネシア暁結体の製
造方法に関するものである。
ところで試薬級純度のマグネシアにＣａ○あるいはＳｉ
０２を添加した場合はいずれも競結速度は促進されるが
、高温度で焼成しても到達し得る最高密度はむしろ低下
することが知られている。
０２を添加した場合はいずれも競結速度は促進されるが
、高温度で焼成しても到達し得る最高密度はむしろ低下
することが知られている。
また耳０３もマグネシアの高密度化を阻害することが知
られている。このようにＣａ○、Ｓｉ０２、Ｂ２０３が
夫々単独ではマグネシアの焼結を阻害するのに、これら
三者の組成比と含有量を一定範囲に規制した場合に署し
〈焼結を促進して高密度焼結体を与えることは、全く予
期しない驚〈べき結果であるという外はない。本発明に
よれば、焼成温度が１３００００の低温度でも３．４９
ｇ／が以上、特に好ましい組成に調整すれば３．５を／
稀以上の高高密度が容易に得られる。
られている。このようにＣａ○、Ｓｉ０２、Ｂ２０３が
夫々単独ではマグネシアの焼結を阻害するのに、これら
三者の組成比と含有量を一定範囲に規制した場合に署し
〈焼結を促進して高密度焼結体を与えることは、全く予
期しない驚〈べき結果であるという外はない。本発明に
よれば、焼成温度が１３００００の低温度でも３．４９
ｇ／が以上、特に好ましい組成に調整すれば３．５を／
稀以上の高高密度が容易に得られる。
本発明の範囲内および範囲外の組成に調整されたマグネ
シア成形体の室温から１８００００に至る暁給過程につ
いて、高密度の変化および成形体を構成するべリクレー
ス結晶のサイズの変化を調べたところ、本発明品はべり
クレース結晶の活発な成長の起る前に、１２８０００付
近の低温度で急激に繊密化してすでに高密度に達してい
ることが特徴的である。例えば１３００００焼成ではべ
りクレース結晶サイズが５ミクロン弱でも高密度は３．
５０ｇ／塊程に達する。本発明の範囲に外れて＆０３が
多い場合は繊密化が十分進まないうちに、１１５０００
〜１３００ｑｏでべリクレース結晶が大きく成長して結
晶間隙に大きな気孔を有する構造を形成し、この後例え
ば１８００００の高温度まで焼成を続けてもこの気孔は
脱げきれず高密度は得られない。Ｂ２０３が本発明範囲
内にあってもＣａ○とＳｉ０２の合計量やＣａ○／Ｓｉ
０２の比が本発明範囲より大ならば１３００ｑ０の低温
度でもある程度の繊密化は進行するが満足する高密度は
得られない。Ｂ２０３が、とくにＣａ○、Ｓｉ０２およ
び＆０３の三成分全てが本発明範囲に外れて少ない場合
は１３００００から１５００ｏｏの温度では繊密化もべ
リクレース結晶の成長も極めて進み難く、さらに高温度
まで焼成を続けても満足すべき高密度は得られ難い。な
お我国ではマグネシアの多くは工業的には海水と消石灰
を原料として得られている。本発明をこの海水マグネシ
アに適用するには原料から混入するＮａ２０、Ｆｅ２０
３および山２０３塁を調整することが必要で、これらの
合計が０．４５％を越えると、Ｃａ○、Ｓｉ０２および
Ｂ２０３を本発明範囲に調整してもその効果は発揮され
ない。本発明の方法によると、工業的に行われている焼
成温度１７００ｏｏ〜２０００ｑｏに較べて著しく低温
度である１３００ｏｏでも高密度３．４５ｇ／地以上、
適正条件下では３．５後／が以上の高密度暁結体が不純
物量０．７％以下の純度で得られる。
シア成形体の室温から１８００００に至る暁給過程につ
いて、高密度の変化および成形体を構成するべリクレー
ス結晶のサイズの変化を調べたところ、本発明品はべり
クレース結晶の活発な成長の起る前に、１２８０００付
近の低温度で急激に繊密化してすでに高密度に達してい
ることが特徴的である。例えば１３００００焼成ではべ
りクレース結晶サイズが５ミクロン弱でも高密度は３．
５０ｇ／塊程に達する。本発明の範囲に外れて＆０３が
多い場合は繊密化が十分進まないうちに、１１５０００
〜１３００ｑｏでべリクレース結晶が大きく成長して結
晶間隙に大きな気孔を有する構造を形成し、この後例え
ば１８００００の高温度まで焼成を続けてもこの気孔は
脱げきれず高密度は得られない。Ｂ２０３が本発明範囲
内にあってもＣａ○とＳｉ０２の合計量やＣａ○／Ｓｉ
０２の比が本発明範囲より大ならば１３００ｑ０の低温
度でもある程度の繊密化は進行するが満足する高密度は
得られない。Ｂ２０３が、とくにＣａ○、Ｓｉ０２およ
び＆０３の三成分全てが本発明範囲に外れて少ない場合
は１３００００から１５００ｏｏの温度では繊密化もべ
リクレース結晶の成長も極めて進み難く、さらに高温度
まで焼成を続けても満足すべき高密度は得られ難い。な
お我国ではマグネシアの多くは工業的には海水と消石灰
を原料として得られている。本発明をこの海水マグネシ
アに適用するには原料から混入するＮａ２０、Ｆｅ２０
３および山２０３塁を調整することが必要で、これらの
合計が０．４５％を越えると、Ｃａ○、Ｓｉ０２および
Ｂ２０３を本発明範囲に調整してもその効果は発揮され
ない。本発明の方法によると、工業的に行われている焼
成温度１７００ｏｏ〜２０００ｑｏに較べて著しく低温
度である１３００ｏｏでも高密度３．４５ｇ／地以上、
適正条件下では３．５後／が以上の高密度暁結体が不純
物量０．７％以下の純度で得られる。
このような効果は塩基性耐水材工業のように大量生産の
分野では焼成熱エネルギーの低減の点で大きな経済的価
値がある。また高密度でしかもべリクレース結晶サイズ
を広範囲に調整しうろことも本発明の大きな利点である
。従来法では十分な高密度が達成されていないにもかか
わらず焼成温度が高い為べリクレース結晶が５０ミクロ
ン程度に成長するが、本発明では高密度が低温度の焼成
ですでに達成されるので、ひき続いて焼成の温度と時間
を選べばべリクレース結晶を数ミクロンから５０ミクロ
ン程度まで任意に調節できる。機械的強度や耐熱衝撃性
には高密度で小結晶の暁結体が必要とされるので、これ
らの特性が要求される分野、例えば製鋼における溶鋼の
流れに会う場所の耐熱材等に本発明品は適している。以
下本発明を具体的に説明する。
分野では焼成熱エネルギーの低減の点で大きな経済的価
値がある。また高密度でしかもべリクレース結晶サイズ
を広範囲に調整しうろことも本発明の大きな利点である
。従来法では十分な高密度が達成されていないにもかか
わらず焼成温度が高い為べリクレース結晶が５０ミクロ
ン程度に成長するが、本発明では高密度が低温度の焼成
ですでに達成されるので、ひき続いて焼成の温度と時間
を選べばべリクレース結晶を数ミクロンから５０ミクロ
ン程度まで任意に調節できる。機械的強度や耐熱衝撃性
には高密度で小結晶の暁結体が必要とされるので、これ
らの特性が要求される分野、例えば製鋼における溶鋼の
流れに会う場所の耐熱材等に本発明品は適している。以
下本発明を具体的に説明する。
本発明にいうマグネシウム化合物とは熱分解してマグネ
シアを生ずるものを指すが、とくに水酸化マグネシウム
、炭酸マグネシウム、酢酸マグネシウム、および塩化マ
グネシウムが適している。
シアを生ずるものを指すが、とくに水酸化マグネシウム
、炭酸マグネシウム、酢酸マグネシウム、および塩化マ
グネシウムが適している。
また仮競マグネシアとしては上記マグネシウム化合物を
熱分解して仮暁されたものを指すが、とくにＸ線回折の
半価中法で測定して結晶サイズが、０．１ミクロン以下
のマグネシアが望ましい。組成調整に用いるＣａ○源、
Ｓｉ０２源、およびＺ０３源としては、該酸化物の他に
熱分解によつて談酸化物を生じる化合物であればよい。
Ｃａ○源として水酸化カルシウム、酢酸カルシウム、炭
酸カルシウムが、Ｓｉ０２源としては水ガラス、シリカ
ゲル、微粒子石英が、Ｂ２０３源としてはほう酸、ほう
酸ナトリウムがとくに適している。組成調整用として上
記酸化物源をマグネシウム化合物あるいは仮糠マグネシ
アに添加し混合するときは、均一に分散させる為にスラ
リー状態にして蝿拝混合するのが良い。このとき酸化物
源の粒度はスラリー母液中で飾って１５ミクロン筋通過
が８５％以上、４４ミクロン筋通過が９５％以上である
ことが望ましい。あるいはあらかじめ該酸化物源を溶解
させた液体にマグネシウム化合物あるいはマグネシアを
加えて縄拝しながら該酸化物源を吸着または沈澱させる
ことが最も望ましい。マグネシウム化合物あるいは仮嫁
マグネシアの組成は酸化物換算で以下の如く調整する。
熱分解して仮暁されたものを指すが、とくにＸ線回折の
半価中法で測定して結晶サイズが、０．１ミクロン以下
のマグネシアが望ましい。組成調整に用いるＣａ○源、
Ｓｉ０２源、およびＺ０３源としては、該酸化物の他に
熱分解によつて談酸化物を生じる化合物であればよい。
Ｃａ○源として水酸化カルシウム、酢酸カルシウム、炭
酸カルシウムが、Ｓｉ０２源としては水ガラス、シリカ
ゲル、微粒子石英が、Ｂ２０３源としてはほう酸、ほう
酸ナトリウムがとくに適している。組成調整用として上
記酸化物源をマグネシウム化合物あるいは仮糠マグネシ
アに添加し混合するときは、均一に分散させる為にスラ
リー状態にして蝿拝混合するのが良い。このとき酸化物
源の粒度はスラリー母液中で飾って１５ミクロン筋通過
が８５％以上、４４ミクロン筋通過が９５％以上である
ことが望ましい。あるいはあらかじめ該酸化物源を溶解
させた液体にマグネシウム化合物あるいはマグネシアを
加えて縄拝しながら該酸化物源を吸着または沈澱させる
ことが最も望ましい。マグネシウム化合物あるいは仮嫁
マグネシアの組成は酸化物換算で以下の如く調整する。
Ｃａ○とＳｉ０２の合計量は０．０５％から０．３５％
までとし、かつＣａ○／Ｓｉ０２比を０．５以下に調整
する。
までとし、かつＣａ○／Ｓｉ０２比を０．５以下に調整
する。
とくに望ましいのはＣａ○が０．０２％から０．０５％
、Ｓｉ０２が０．１０％から０．１８％でかつＣａ○／
Ｓｉ０よ七が０．２から０．４の範囲である。Ｂ２０３
は０．００５％から０．０８％までがよいが、とくに望
ましくは０．０２％から０．０５％である。＆０３は１
４００ｏｏ付近以上の温度の焼成で輝散によってマグネ
シアからかなり除去されるが、輝敬量にかかわらずマグ
ネシウム化合物あるいは仮焼マグネシアで上記範囲に調
整しなければならない。マグネシアの工業原料例えば海
水−消石灰法水酸化マグネシウムや天然マグネサィトは
、Ｎａ２０やＦｅ２０３、ＡＩ２０３を多く含み易いが
、Ｃａ○−Ｓｉ０２一Ｂ２０３の暁結促進効果を発揮さ
せるにはＮａ２０とＦｅ２０３とＮ２０３の合計を０．
４５％以下に調整しなければならないが、とくに望まし
いのは０．２５％以下である。本発明の組成のマグネシ
アは焼成時に大きな収縮速度を示すので、収縮による焼
成体の割れを防ぐ為仮嫌マグネシァ粉を嵩密度１．３ｇ
／が以上に加圧成形することが望ましい。
、Ｓｉ０２が０．１０％から０．１８％でかつＣａ○／
Ｓｉ０よ七が０．２から０．４の範囲である。Ｂ２０３
は０．００５％から０．０８％までがよいが、とくに望
ましくは０．０２％から０．０５％である。＆０３は１
４００ｏｏ付近以上の温度の焼成で輝散によってマグネ
シアからかなり除去されるが、輝敬量にかかわらずマグ
ネシウム化合物あるいは仮焼マグネシアで上記範囲に調
整しなければならない。マグネシアの工業原料例えば海
水−消石灰法水酸化マグネシウムや天然マグネサィトは
、Ｎａ２０やＦｅ２０３、ＡＩ２０３を多く含み易いが
、Ｃａ○−Ｓｉ０２一Ｂ２０３の暁結促進効果を発揮さ
せるにはＮａ２０とＦｅ２０３とＮ２０３の合計を０．
４５％以下に調整しなければならないが、とくに望まし
いのは０．２５％以下である。本発明の組成のマグネシ
アは焼成時に大きな収縮速度を示すので、収縮による焼
成体の割れを防ぐ為仮嫌マグネシァ粉を嵩密度１．３ｇ
／が以上に加圧成形することが望ましい。
仮暁マグネシア成形体の焼成は酸化雰囲気下で行っても
還元雰囲気下で行ってもよい。
還元雰囲気下で行ってもよい。
べリクレース結晶サイズを発達させずに高密度を得たい
ときは１２５０ｑｏ〜１４００ＣＯで約２０分間焼成す
れば、ベリクレース結晶が５ミクロン以下で高密度３．
４繋／が以上が得られる。べリクレース結晶の発揮した
高密度体を得たいときはさらに焼成の温度と時間を必要
なだけとればよく、例えば１８００℃で２び分間焼成す
れば約５０ミクロンの結晶サイズに達する。次に実施例
を示す。実施例 １ 試薬特級の硝酸マグネシウムの０．０５ｍｏｌ／そ水溶
液と特級アンモニア水の２ｍｏｌ／そ水溶液をｌｍｏｌ
対３ｍｏｌの比率で連続的に反応器に供給し水酸化マグ
ネシウムを沈澱させた。
ときは１２５０ｑｏ〜１４００ＣＯで約２０分間焼成す
れば、ベリクレース結晶が５ミクロン以下で高密度３．
４繋／が以上が得られる。べリクレース結晶の発揮した
高密度体を得たいときはさらに焼成の温度と時間を必要
なだけとればよく、例えば１８００℃で２び分間焼成す
れば約５０ミクロンの結晶サイズに達する。次に実施例
を示す。実施例 １ 試薬特級の硝酸マグネシウムの０．０５ｍｏｌ／そ水溶
液と特級アンモニア水の２ｍｏｌ／そ水溶液をｌｍｏｌ
対３ｍｏｌの比率で連続的に反応器に供給し水酸化マグ
ネシウムを沈澱させた。
なお反応中濃集した生成物の一部を反応器に循環させて
、水酸化マグネシウムの沈降性と炉過性の改善を行った
。水酸化マグネシウムはイオン交換水で十分洗糠し、第
１表に示す組成の水酸化マグネシウムを得た。第１表 上記水酸化マグネシウムの濃厚スラリーに１５仏バスに
分級した水酸化カルシウム、シリカ水ゾルおよび棚酸水
溶液を添加して良く混合し、第２表のＳ−１、Ｓ−２、
Ｓ−３に示す組成物とした。
、水酸化マグネシウムの沈降性と炉過性の改善を行った
。水酸化マグネシウムはイオン交換水で十分洗糠し、第
１表に示す組成の水酸化マグネシウムを得た。第１表 上記水酸化マグネシウムの濃厚スラリーに１５仏バスに
分級した水酸化カルシウム、シリカ水ゾルおよび棚酸水
溶液を添加して良く混合し、第２表のＳ−１、Ｓ−２、
Ｓ−３に示す組成物とした。
上記Ｓ−１、Ｓ−２、Ｓ−３の組成物を９００ｑｏの電
気炉で１時間仮擁し、得られた仮鱗マグネシァ３雌を３
肋◇金型で加圧成形し、高密度１．５ｇ／榊の成形体を
得た。この成形体を１３００ｏｏの電気炉に投入し、２
０分間保持して取出し、高密度を測定し、破断面を走査
型電子顕微鏡で観察してべリクレース結晶サイズを測定
した。また同じ操作による仮競マグネシァ成形体を酸素
プロパン炉によって１８００ｑ○で１時間焼成したマグ
ネシア競結体の高密度およびべリクレース結晶サイズを
測定し、上記結果と共に第２表に並記する。
気炉で１時間仮擁し、得られた仮鱗マグネシァ３雌を３
肋◇金型で加圧成形し、高密度１．５ｇ／榊の成形体を
得た。この成形体を１３００ｏｏの電気炉に投入し、２
０分間保持して取出し、高密度を測定し、破断面を走査
型電子顕微鏡で観察してべリクレース結晶サイズを測定
した。また同じ操作による仮競マグネシァ成形体を酸素
プロパン炉によって１８００ｑ○で１時間焼成したマグ
ネシア競結体の高密度およびべリクレース結晶サイズを
測定し、上記結果と共に第２表に並記する。
なおＳ−３の仮焼成形体については焼成温度と高密度や
べリクレース結晶サイズの関係を調べるため、１３００
００と１８００ｏｏの他に１４００ｏ０、１５００００
、および１６００ＣＯでも２０分間電気炉で焼成した。
べリクレース結晶サイズの関係を調べるため、１３００
００と１８００ｏｏの他に１４００ｏ０、１５００００
、および１６００ＣＯでも２０分間電気炉で焼成した。
その結果を第１図および第２図に示す。実施例 ２
海水を炉遇し、次いでＢ２０３吸着樹脂（米国Ｄｏｗ社
ＡｍはｒｌｉにＸＥ−２４３）を充填したカラムを通し
て脱Ｂ２０３し、塩酸を加えてｐＨ３とした後エアーレ
ーションにより脱炭酸した。
ＡｍはｒｌｉにＸＥ−２４３）を充填したカラムを通し
て脱Ｂ２０３し、塩酸を加えてｐＨ３とした後エアーレ
ーションにより脱炭酸した。
この海水および精製した消石灰水溶液を反応器に連続的
に供給し、ｐＨＩＯ．６に調節して水酸化マグネシウム
を生成させた。反応中、生成水酸化マグネシウムの一部
を反応器に循環し、水酸化マグネシウムの沈降性、炉過
性の改善を行った。水酸化マグネシウムはイオン交換水
で十分洗総し、シリカゲル、棚酸を添加し、第２表の実
施例Ｓ−４に示す組成物とした。さらにＳ−４の水酸化
マグネシウムに苛性ソーダ、塩化鉄および塩化アルミニ
ウムを加えてＳ−５に示す組成物とした。上記Ｓ−４、
Ｓ−５を９００００電気炉で１時間仮焼し、得られた水
酸化マグネシウム３０ｇを３仇肋◇金型で加圧成形し、
高密度１．５５ｇ／地を成形体を得た。
に供給し、ｐＨＩＯ．６に調節して水酸化マグネシウム
を生成させた。反応中、生成水酸化マグネシウムの一部
を反応器に循環し、水酸化マグネシウムの沈降性、炉過
性の改善を行った。水酸化マグネシウムはイオン交換水
で十分洗総し、シリカゲル、棚酸を添加し、第２表の実
施例Ｓ−４に示す組成物とした。さらにＳ−４の水酸化
マグネシウムに苛性ソーダ、塩化鉄および塩化アルミニ
ウムを加えてＳ−５に示す組成物とした。上記Ｓ−４、
Ｓ−５を９００００電気炉で１時間仮焼し、得られた水
酸化マグネシウム３０ｇを３仇肋◇金型で加圧成形し、
高密度１．５５ｇ／地を成形体を得た。
本成形体を１３００ｑ０電気炉に投入し、２０分間保持
して取出し高密度の測定および破断面を走査型電子顕微
鏡で観察し、ベリクレース結晶サイズを測定した。また
同じ操作による仮焼マグネシア成形体を酸素プロパン炉
によって、１８０００○で１時間焼成したマグネシア焼
結体の高密度およびべリクレース結晶サイズを測定し、
上記結果と共に第２表に並記する。
して取出し高密度の測定および破断面を走査型電子顕微
鏡で観察し、ベリクレース結晶サイズを測定した。また
同じ操作による仮焼マグネシア成形体を酸素プロパン炉
によって、１８０００○で１時間焼成したマグネシア焼
結体の高密度およびべリクレース結晶サイズを測定し、
上記結果と共に第２表に並記する。
実施例 ３
試薬炭酸ソーダ水溶液および試薬塩化マグネシウム水溶
液を反応させて得た炭酸マグネシウムをイオン交換水で
十分洗液した後炉過してケークを得た。
液を反応させて得た炭酸マグネシウムをイオン交換水で
十分洗液した後炉過してケークを得た。
このケークを９００００電気炉で１時間仮焼し、仮競マ
グネシアに水を加えてマグネシアスラリーとした。さら
に水酸化カルシウム、シリカ水ゾルおよび棚酸を加えて
実施例Ｓ−６の組成とした。炉過後再び８００ｑｏ電気
炉で１時間仮焼し、１．鱒ノ地に加圧成形した後１３０
の電気炉で２０分間焼成して、暁給体の嵩密度とべリク
レース結晶サイズを測定し、結果は第２表に並託した。
比較例 １ 実施例１で得た原料水酸化マグネシウムスラリーに試薬
炭酸カルシウム、シリカゾルおよび棚酸を添加し、第２
表の比較例Ｃ−１、Ｃ−２、Ｃ−３に示す組成物とした
。
グネシアに水を加えてマグネシアスラリーとした。さら
に水酸化カルシウム、シリカ水ゾルおよび棚酸を加えて
実施例Ｓ−６の組成とした。炉過後再び８００ｑｏ電気
炉で１時間仮焼し、１．鱒ノ地に加圧成形した後１３０
の電気炉で２０分間焼成して、暁給体の嵩密度とべリク
レース結晶サイズを測定し、結果は第２表に並託した。
比較例 １ 実施例１で得た原料水酸化マグネシウムスラリーに試薬
炭酸カルシウム、シリカゾルおよび棚酸を添加し、第２
表の比較例Ｃ−１、Ｃ−２、Ｃ−３に示す組成物とした
。
上記Ｃ−１、Ｃ−２、Ｃ−３、を９００℃電気炉で１時
間仮競し、以下実施例１と同じ操作条件で嵩密度および
べリクレース平均粒径を測定した。
間仮競し、以下実施例１と同じ操作条件で嵩密度および
べリクレース平均粒径を測定した。
なおＣ−２試料について、焼成温度と高密度、焼成温度
とべリクレースサィズの関係を第１図および第２図に示
す。比較例 ２ 実施例３で得た炭酸マグネシウムスラリーを比較例Ｃ−
４として第２表に示す。
とべリクレースサィズの関係を第１図および第２図に示
す。比較例 ２ 実施例３で得た炭酸マグネシウムスラリーを比較例Ｃ−
４として第２表に示す。
Ｃ−４を９００℃電気炉で１時間仮暁し、以下実施例１
と同じ操作条件で嵩密度およびべリクレース平均粒径を
測定した。なおＣ−４試料について、焼成温度と高密度
、焼成温度とべリクレース粒蓬の関係を第１図、第２図
に示す。豹２表 ※１嵩密度９／み ※２ べリクレースサィズ ミ
クロン
と同じ操作条件で嵩密度およびべリクレース平均粒径を
測定した。なおＣ−４試料について、焼成温度と高密度
、焼成温度とべリクレース粒蓬の関係を第１図、第２図
に示す。豹２表 ※１嵩密度９／み ※２ べリクレースサィズ ミ
クロン
第１図は高密度と焼成温度との関係を示すグヲフ、第２
図はべりクレース結晶サイズと焼成温度との関係を示す
グラフである。 第１図 第２図
図はべりクレース結晶サイズと焼成温度との関係を示す
グラフである。 第１図 第２図
Claims (1)
- １ マグネシウム化合物を熱分解して仮焼したマグネシ
アを加圧成形し、該成形体を焼成してマグネシア焼結体
を得る製造工程において、マグネシウム化合物あるいは
仮焼マグネシアの化学組成を酸化物の重量に換算して（
ａ）ＣａＯとＳｉＯ＿２の合計量が０．０５％から０．
３５％まででかつＣａＯとＳｉＯ＿２の比（ＣａＯ／Ｓ
ｉＯ＿２）が０．５以下、（ｂ）Ｂ＿２Ｏ＿３が０．０
０５％から０．０８％まで、（ｃ）Ｎａ＿２ＯとＦｅ＿
２Ｏ＿３とＡｌ＿２Ｏ＿３の合計が０．４５％以下、に
調整して用いることを特徴とする高密度マグネシア焼結
体の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53050115A JPS6025384B2 (ja) | 1978-04-28 | 1978-04-28 | 高密度マグネシア焼結体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53050115A JPS6025384B2 (ja) | 1978-04-28 | 1978-04-28 | 高密度マグネシア焼結体の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54142212A JPS54142212A (en) | 1979-11-06 |
| JPS6025384B2 true JPS6025384B2 (ja) | 1985-06-18 |
Family
ID=12850102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53050115A Expired JPS6025384B2 (ja) | 1978-04-28 | 1978-04-28 | 高密度マグネシア焼結体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6025384B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61292712A (ja) * | 1985-06-21 | 1986-12-23 | Tokyo Keiki Co Ltd | デジタル流体制御弁 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09238367A (ja) * | 1996-02-29 | 1997-09-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | テレビジョン信号送信方法，テレビジョン信号送信装置，テレビジョン信号受信方法，テレビジョン信号受信装置，テレビジョン信号送信受信方法，テレビジョン信号送信受信装置 |
| EP4159679A1 (en) | 2020-05-27 | 2023-04-05 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Inorganic structure and method for producing same |
-
1978
- 1978-04-28 JP JP53050115A patent/JPS6025384B2/ja not_active Expired
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| TRANSACTIONS AND JOURNAL OF THE BRITISH CERAMIC SOCIETY=1976 * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61292712A (ja) * | 1985-06-21 | 1986-12-23 | Tokyo Keiki Co Ltd | デジタル流体制御弁 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54142212A (en) | 1979-11-06 |
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