JPS6025204A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 49
- 229910001337 iron nitride Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 abstract description 8
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 5
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 abstract description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 150000002843 nonmetals Chemical class 0.000 abstract description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 abstract description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 abstract 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 abstract 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 23
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 10
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 6
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 3
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 2
- 238000009795 derivation Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 2
- 229910000727 Fe4N Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006247 magnetic powder Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 229910006297 γ-Fe2O3 Inorganic materials 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
- C23C14/0036—Reactive sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/221—Ion beam deposition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01J27/00—Ion beam tubes
- H01J27/02—Ion sources; Ion guns
- H01J27/08—Ion sources; Ion guns using arc discharge
- H01J27/14—Other arc discharge ion sources using an applied magnetic field
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
１、産業上の利用分野
本発明は磁気テープ、磁気ディスク等の磁気記録媒体に
関するものである。
関するものである。
２、従来技術
従来、この種の磁気記録媒体は、ビデオ、オーディオ、
ディジタル等の各種電気信号の記録に幅広く利用されて
いる。これらは、基体上に被着形成された磁性層（磁気
記録層）の面内長手方向における磁化を用いる方式とし
て発達してきた。これら公知の磁気記録媒体の磁性層に
は、γ−Ｆｅ２Ｏ３等の酸化鉄系強磁性粉、ＣＯ含有Ｆ
ｅ等のメタル磁性粉の如き磁性体が含有されている。又
、高密度化のために垂直磁気記録方式も検討されている
。
ディジタル等の各種電気信号の記録に幅広く利用されて
いる。これらは、基体上に被着形成された磁性層（磁気
記録層）の面内長手方向における磁化を用いる方式とし
て発達してきた。これら公知の磁気記録媒体の磁性層に
は、γ−Ｆｅ２Ｏ３等の酸化鉄系強磁性粉、ＣＯ含有Ｆ
ｅ等のメタル磁性粉の如き磁性体が含有されている。又
、高密度化のために垂直磁気記録方式も検討されている
。
３、発明の目的
高耐食性の磁性層を有する磁気記録媒体を提供すること
にある。
にある。
４、発明の構成
即ち、本発明は、アモルファス窒化鉄を主成分として含
有した磁性層を有することを特徴とする磁気記録媒体に
係るものである。
有した磁性層を有することを特徴とする磁気記録媒体に
係るものである。
本発明で使用するアモルファス窒化鉄（Ｆｅ１−にＮｘ
）は、その組織中には相分離の生じていない（即ち単−
相でグレインバウンダリのない）アモルファス状態とな
っているものであり、後述するように磁性体としての要
求性能を充二分に満たしている。この観点から、上記Ｆ
ｅｌ−ｙ、 Ｎ ｘの組成はＸ≧０．４であるのが望
ましく、ｘ＜Ｑ、４では窒素量が少なくてアモルファス
となり難くなる傾向がある。
）は、その組織中には相分離の生じていない（即ち単−
相でグレインバウンダリのない）アモルファス状態とな
っているものであり、後述するように磁性体としての要
求性能を充二分に満たしている。この観点から、上記Ｆ
ｅｌ−ｙ、 Ｎ ｘの組成はＸ≧０．４であるのが望
ましく、ｘ＜Ｑ、４では窒素量が少なくてアモルファス
となり難くなる傾向がある。
５、実施例
以下、本発明の実施例を図面について詳細に説明する。
まず、本例による磁気記録媒体の構成を説明する。
第１図の磁気記録媒体は、基体（例えばアルミニウム、
ポリエチレンテレフタレート等）Ｓ上に、上記のアモル
ファスＦｅｌ−，（Ｎｘを主成分とする磁気記録層１４
を設けたものからなっている。ここで、「主成分」とは
、Ｆ ｅｌ−ｇＮ ｘが実質的に１００％を占める場合
以外にも、他の第２成分（例えばＮｉ、Ａｊ２、Ｔｉ、
Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、、Ｃｕ、Ｗ、、Ｐ ｔ。
ポリエチレンテレフタレート等）Ｓ上に、上記のアモル
ファスＦｅｌ−，（Ｎｘを主成分とする磁気記録層１４
を設けたものからなっている。ここで、「主成分」とは
、Ｆ ｅｌ−ｇＮ ｘが実質的に１００％を占める場合
以外にも、他の第２成分（例えばＮｉ、Ａｊ２、Ｔｉ、
Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、、Ｃｕ、Ｗ、、Ｐ ｔ。
Ｚｒ、Ｎｂ、、ＭＯなどの金属、Ｆ、Ｎｅ、Ｐ、、Ｓ。
Ａｓ、Ｓｅなどの非金属、さらにＣ，Ｓｉ、Ｇｅなどの
半金属等）も含んでいてよいことを意味する。上記Ｆｅ
ニーＸＮＸは特にＸ≧０．４であるのがよく、例えばＦ
ｅ ｈａ Ｎ４４〜Ｆ ｅ ｐｏ Ｎｐｏ （Ｘ −
０，４〜０．５）からなっている。このＦ ｅ、、Ｎ
ｘは相分離のないアモルファス窒化鉄であり、磁気記録
にとって充分な抗磁力（Ｈｏ） ＝６００〜４０００ｅ
を示し、かつ高飽和磁化（例えば１２ Ｋ Ｇａｕｓｓ
）を示すものである。しかも、Ｆｅ１−ｇＮｘは窒素
の含有によって耐食性にも優れたものとなっている。
半金属等）も含んでいてよいことを意味する。上記Ｆｅ
ニーＸＮＸは特にＸ≧０．４であるのがよく、例えばＦ
ｅ ｈａ Ｎ４４〜Ｆ ｅ ｐｏ Ｎｐｏ （Ｘ −
０，４〜０．５）からなっている。このＦ ｅ、、Ｎ
ｘは相分離のないアモルファス窒化鉄であり、磁気記録
にとって充分な抗磁力（Ｈｏ） ＝６００〜４０００ｅ
を示し、かつ高飽和磁化（例えば１２ Ｋ Ｇａｕｓｓ
）を示すものである。しかも、Ｆｅ１−ｇＮｘは窒素
の含有によって耐食性にも優れたものとなっている。
第２図は、他の磁気記録媒体、例えば磁気ディスクを示
し、上記のアモルファスＦｅ□−＜ Ｎ ｘからなる磁
性膜１４が基体Ｓの表、裏に設けられている。
し、上記のアモルファスＦｅ□−＜ Ｎ ｘからなる磁
性膜１４が基体Ｓの表、裏に設けられている。
次に、本例の磁気記録媒体の製造方法を第３図〜第８図
について説明する。
について説明する。
第３図に示す装置は基本的には、対向クーゲットスパッ
タ部Ａと、このスパッタ部からイオン化粒子を導出する
イオンビーム導出部Ｂとからなっている。
タ部Ａと、このスパッタ部からイオン化粒子を導出する
イオンビーム導出部Ｂとからなっている。
スパッタ部Ａにおいて、１は真空槽、２は真空槽１内に
所定のガス（Ａ ｒ ＋ Ｎ ２ ）を導入してガス圧
力を１０〜１０Ｔｏｒｒ程度に設定するガス導入管であ
る。真空槽１の排気系は図示省略した。ターゲット電極
は、ターゲットホルダー４によりＦｅ製の一対のターゲ
ットＴ、、 Ｔ、を互いに隔てて平行に対向配置した対
向ターゲット電極として構成されている。これらのター
ゲット間には、外部の磁界発生手段（マグネットコイル
）３による磁界が形成される。なお、図中の５は冷却水
導入管、６は同導出管−であり、１３は加速用の電極で
ある。
所定のガス（Ａ ｒ ＋ Ｎ ２ ）を導入してガス圧
力を１０〜１０Ｔｏｒｒ程度に設定するガス導入管であ
る。真空槽１の排気系は図示省略した。ターゲット電極
は、ターゲットホルダー４によりＦｅ製の一対のターゲ
ットＴ、、 Ｔ、を互いに隔てて平行に対向配置した対
向ターゲット電極として構成されている。これらのター
ゲット間には、外部の磁界発生手段（マグネットコイル
）３による磁界が形成される。なお、図中の５は冷却水
導入管、６は同導出管−であり、１３は加速用の電極で
ある。
このように構成されたスパッタ装置において、平行に対
向し合った両ターゲソｌ−Ｔ、、Ｔ、の各表面と垂直方
向に磁界を形成し、この磁界により陰極降下部（即ち、
第４図に明示する如く、ターゲラ）Ｔ、−７間に発生し
たプラズマ雰囲気７と各ターゲットＴ１及びＴｉとの間
の領域８．９）での電界で加速されたスパッタガスイオ
ンのターゲット表面に対する衝撃で放出されたγ電子を
ターゲット間の空間にとじ込め、対向した他方のターゲ
ット方向へ移動させる。他方のターゲット表面へ移動し
たγ電子は、その近傍の陰極降下部で反射される。
向し合った両ターゲソｌ−Ｔ、、Ｔ、の各表面と垂直方
向に磁界を形成し、この磁界により陰極降下部（即ち、
第４図に明示する如く、ターゲラ）Ｔ、−７間に発生し
たプラズマ雰囲気７と各ターゲットＴ１及びＴｉとの間
の領域８．９）での電界で加速されたスパッタガスイオ
ンのターゲット表面に対する衝撃で放出されたγ電子を
ターゲット間の空間にとじ込め、対向した他方のターゲ
ット方向へ移動させる。他方のターゲット表面へ移動し
たγ電子は、その近傍の陰極降下部で反射される。
こうして、γ電子はターゲットＴ、−Ｔ、間において磁
界に束縛されながら往復運動を繰返すことになる。この
往復運動の間に、γ電子は中性の雰囲気ガスと衝突して
雰囲気ガスのイオンと電子とを生成させ、これらの生成
物がターゲットからのγ電子の放出と雰囲気ガスのイオ
ン化を促進させる。
界に束縛されながら往復運動を繰返すことになる。この
往復運動の間に、γ電子は中性の雰囲気ガスと衝突して
雰囲気ガスのイオンと電子とを生成させ、これらの生成
物がターゲットからのγ電子の放出と雰囲気ガスのイオ
ン化を促進させる。
従って、ターゲラｌ−Ｔ、 −Ｔ、間の空間には高密度
のプラズマが形成され、これに伴ってターゲット物質が
充分にスパッタされることになる。
のプラズマが形成され、これに伴ってターゲット物質が
充分にスパッタされることになる。
この対向クーゲットスパッタ装置は、他の飛翔手段に比
べて、高速スパッタによる高堆積速度の製膜が可能であ
り、また基体がプラズマに直接曝されることがな（、低
い基体温度での製膜が可能である。
べて、高速スパッタによる高堆積速度の製膜が可能であ
り、また基体がプラズマに直接曝されることがな（、低
い基体温度での製膜が可能である。
第３図の装置で注目されるべき構成は、スバ、７り部Ａ
においてターゲットから叩き出されたＦｅと反応ガス（
Ｎ２）とが反応してイオン化された粒子、即ちＦ ｅｌ
−Ｘ Ｎにのイオンを効率良く外部へ導出するための導
出部Ｂを有していることである。
においてターゲットから叩き出されたＦｅと反応ガス（
Ｎ２）とが反応してイオン化された粒子、即ちＦ ｅｌ
−Ｘ Ｎにのイオンを効率良く外部へ導出するための導
出部Ｂを有していることである。
即ち、この導出部Ｂは、ターゲットＴ２の外側近傍に配
されたスクリーングリッドＧを有し、これらのターゲッ
トＴ２及びグリッドＧは夫々所定の電位に保持されると
同時に、イオン化粒子１０を通過させるための小孔１１
．１２が夫々対応した数及びパターンに形成されている
。これは、第５図及び第６図に夫々明示した。各小孔１
１．１２は例えば２ｍ’ｍφであって５ｍｍの間隔を置
いて形成され、グリッドＧの厚みは１ｍｍであってよい
。
されたスクリーングリッドＧを有し、これらのターゲッ
トＴ２及びグリッドＧは夫々所定の電位に保持されると
同時に、イオン化粒子１０を通過させるための小孔１１
．１２が夫々対応した数及びパターンに形成されている
。これは、第５図及び第６図に夫々明示した。各小孔１
１．１２は例えば２ｍ’ｍφであって５ｍｍの間隔を置
いて形成され、グリッドＧの厚みは１ｍｍであってよい
。
第７図は、上記装置を動作させる際の電気回路系を概略
的に示すが、加速電極１３に加速電圧Ｖｐを印加した状
態で、両ターゲットＴ１、Ｔ２に負電圧Ｖｔを与え、か
つグリッドＧを接地している。
的に示すが、加速電極１３に加速電圧Ｖｐを印加した状
態で、両ターゲットＴ１、Ｔ２に負電圧Ｖｔを与え、か
つグリッドＧを接地している。
また、イオンビーム導出部Ｂ側に配した基板Ｓも接地し
ている。第８図は各部のポテンシャル分布を示し、Ｖｐ
は０〜２ｏｏＶに、ｖｔは５ｏｏ〜１ｏｏ。
ている。第８図は各部のポテンシャル分布を示し、Ｖｐ
は０〜２ｏｏＶに、ｖｔは５ｏｏ〜１ｏｏ。
Ｖに設定される。
このような条件で上記装置を動作させると、スー斗
バッタ部Ａ（真空度１０ Ｔｏｒｒ以下）において発生
したプラズマ中のイオンは下部ターゲットＴ２の陰極降
下部９ （第４図参照）で加速電極１３によって加速さ
れた後、ターゲットＴ２−グリッドＧ間の電界によって
減速されながら上記小孔１１．１２を通過し、基板Ｓと
プラズマとの間の電位差に相当するエネルギーを以って
導出される。導出されたイオンビーム１０は、導出部Ｂ
（真空度１０ Ｔｏｒｒ以上）側に形成される電界Ｅ（
第３図参照）の作用で効果的に集束せしめられ、上記エ
ネルギーを以って基板Ｓに入射することになる。こうし
て加速電極（又は陽極）１３に加える陽極電圧Ｖｐを変
化させることにより、基板Ｓ上への堆積イオン（Ｆｅ）
−Ｘ、Ｎ ｘ ）のエネルギーを制御しながら、グリッ
ドＧの作用で効率良くイオンビーム１０を引出し、基板
Ｓ上へ導びくことができる。また、基板Ｓのある側は１
０ Ｔｏｒｒ以上の高真空に引かれているので、クリー
ンで不純物の少ない磁性膜を堆積させることができる。
したプラズマ中のイオンは下部ターゲットＴ２の陰極降
下部９ （第４図参照）で加速電極１３によって加速さ
れた後、ターゲットＴ２−グリッドＧ間の電界によって
減速されながら上記小孔１１．１２を通過し、基板Ｓと
プラズマとの間の電位差に相当するエネルギーを以って
導出される。導出されたイオンビーム１０は、導出部Ｂ
（真空度１０ Ｔｏｒｒ以上）側に形成される電界Ｅ（
第３図参照）の作用で効果的に集束せしめられ、上記エ
ネルギーを以って基板Ｓに入射することになる。こうし
て加速電極（又は陽極）１３に加える陽極電圧Ｖｐを変
化させることにより、基板Ｓ上への堆積イオン（Ｆｅ）
−Ｘ、Ｎ ｘ ）のエネルギーを制御しながら、グリッ
ドＧの作用で効率良くイオンビーム１０を引出し、基板
Ｓ上へ導びくことができる。また、基板Ｓのある側は１
０ Ｔｏｒｒ以上の高真空に引かれているので、クリー
ンで不純物の少ない磁性膜を堆積させることができる。
しない方がよいが、あまり大きくするとスパッタ部Ａと
導出部Ｂとのガス圧差によって基板Ｓ側へ不要なガスが
リークして堆積膜の純度低下が生じ易く、或いはターゲ
ットＴ２及びグリッドＧの強度面でも望ましくなく、し
かもターゲット面積が減少してスパッタ効率も低下し易
くなることが考えられる。
導出部Ｂとのガス圧差によって基板Ｓ側へ不要なガスが
リークして堆積膜の純度低下が生じ易く、或いはターゲ
ットＴ２及びグリッドＧの強度面でも望ましくなく、し
かもターゲット面積が減少してスパッタ効率も低下し易
くなることが考えられる。
以上に説明した方法及び装置によって、例えば第１図に
示す如く、基板Ｓ上に厚さ例えば２０００人のＦｌ−に
Ｎｘ磁性膜１４を有する磁気テープ、磁気ディスク等の
磁気記録媒体を作成することができる。
示す如く、基板Ｓ上に厚さ例えば２０００人のＦｌ−に
Ｎｘ磁性膜１４を有する磁気テープ、磁気ディスク等の
磁気記録媒体を作成することができる。
この磁気記録媒体は、特に高密度の面内長手磁気記録用
や垂直磁気記録用として好適な磁性膜１４を有したもの
となっている。
や垂直磁気記録用として好適な磁性膜１４を有したもの
となっている。
次に、上記の磁化膜（Ｆ ｅ１４Ｎ ｘ ）について、
実験結果に基いて更に詳述する。
実験結果に基いて更に詳述する。
（Ａ）、Ｆｅ□−ｙＮｘ膜の構造
形成された膜は、すべてアモルファス状であり、構造は
窒素ガス混合率、基板温度（Ｔ、ｓ）およびイオン加速
電圧（Ｖｐ）に依存して変化した。
窒素ガス混合率、基板温度（Ｔ、ｓ）およびイオン加速
電圧（Ｖｐ）に依存して変化した。
第９図に、全圧Ｐｔｏｔａｌ ＝ ５ ＸＩＯＴｏｒｒ
、 Ｖ ｐ＝２０Ｖ （一定）の条件で作製した膜の結
晶構造と、ｐＮ２、Ｔｓの関係を示す（但、基板は（１
１１，）Ｓｔ基板）。Ｔｓ−２００℃の場合、形成され
る結晶相はＰＮ２の上昇とともに、α−Ｆｅと７’ Ｆ
ｅ４Ｎの混相−ｒ’ Ｆ ｅ４Ｎ単相−ｇ −Ｆ ｅ、
Ｎとζ−Ｆｅ、Ｎの混相−ζ−Ｆｅ、ＮＪ変化し、膜の
窒化度が高まっていく。また、α−Ｆｅ、γ’Ｆ＋−＋
Ｎの混相膜には、面間隔１．９〜２．０人を持つ不明の
結晶相（Ｕ、に、 ）が存在していた。Ｔｓが２００℃
以上に上昇すると、各領域間の境界は高ＰＮＺ側に移動
する。Ｔｓが２００℃以下の場合にも、Ｔｓが減少する
と膜の窒化度が減少する傾向が見られ、Ｔｓ＝８０℃３
、ＰＮ２≦４Ｘ１０ Ｔｏｒｒでは、α−Ｆｅ相のみが
形成された。
、 Ｖ ｐ＝２０Ｖ （一定）の条件で作製した膜の結
晶構造と、ｐＮ２、Ｔｓの関係を示す（但、基板は（１
１１，）Ｓｔ基板）。Ｔｓ−２００℃の場合、形成され
る結晶相はＰＮ２の上昇とともに、α−Ｆｅと７’ Ｆ
ｅ４Ｎの混相−ｒ’ Ｆ ｅ４Ｎ単相−ｇ −Ｆ ｅ、
Ｎとζ−Ｆｅ、Ｎの混相−ζ−Ｆｅ、ＮＪ変化し、膜の
窒化度が高まっていく。また、α−Ｆｅ、γ’Ｆ＋−＋
Ｎの混相膜には、面間隔１．９〜２．０人を持つ不明の
結晶相（Ｕ、に、 ）が存在していた。Ｔｓが２００℃
以上に上昇すると、各領域間の境界は高ＰＮＺ側に移動
する。Ｔｓが２００℃以下の場合にも、Ｔｓが減少する
と膜の窒化度が減少する傾向が見られ、Ｔｓ＝８０℃３
、ＰＮ２≦４Ｘ１０ Ｔｏｒｒでは、α−Ｆｅ相のみが
形成された。
（Ｂ ） 、Ｆ ｅｌ−％ Ｎ ｘ膜の飽和磁化膜の飽
和磁化（４πＭ ｓ ）は、磁気天秤によって測定した
。
和磁化（４πＭ ｓ ）は、磁気天秤によって測定した
。
一
第１０図にＰｔｏ、ｔａｌ ＝ ５ ｘｉｏ Ｔｏｒｒ
、Ｖ ｐ ＝２０Ｖ（一定）の条件で作製した膜の４
πＭｓのＰＮ２およびＴｓ依存性を示す。４πＭｓは、
膜の結晶構造がｃｔ−Ｆｅ＋ｒ’−Ｆｅ４Ｎ＋Ｕ、 Ｋ
、（υｎｋｎｏｗｎ ）の混相の場合およびγ′相単相
の領域で、純鉄の４πＭｓ （２１，６ＫＧ）を上回る
値を示し、特に両頭域の境界近傍では約２５ＫＧと非常
に高い値となっている。この高い４πＭｓは、γ′相お
よびＵ、Ｋ。
、Ｖ ｐ ＝２０Ｖ（一定）の条件で作製した膜の４
πＭｓのＰＮ２およびＴｓ依存性を示す。４πＭｓは、
膜の結晶構造がｃｔ−Ｆｅ＋ｒ’−Ｆｅ４Ｎ＋Ｕ、 Ｋ
、（υｎｋｎｏｗｎ ）の混相の場合およびγ′相単相
の領域で、純鉄の４πＭｓ （２１，６ＫＧ）を上回る
値を示し、特に両頭域の境界近傍では約２５ＫＧと非常
に高い値となっている。この高い４πＭｓは、γ′相お
よびＵ、Ｋ。
相に起因していると言える。
ところが、第１０図において、窒素分圧ＰＮ２を高めて
いくと、抗磁力（Ｈｃ）が更に大きくなり、磁気記録に
とって充分な６００〜４０００ｅ（例えば５０００ｅ）
のものが得られることが分かった。これと同時に、Ｎ２
量と共に一旦飽和磁化（４πＭ ｓ ）は低下するが、
更にＰＮ２を増やすと再び上昇し、１２ Ｋ Ｇａｕｓ
ｓ以上の望ましい値が得られることも分った。これは、
ＰＮ２の増大（全圧の上昇）に伴なるものと考えられる
。
いくと、抗磁力（Ｈｃ）が更に大きくなり、磁気記録に
とって充分な６００〜４０００ｅ（例えば５０００ｅ）
のものが得られることが分かった。これと同時に、Ｎ２
量と共に一旦飽和磁化（４πＭ ｓ ）は低下するが、
更にＰＮ２を増やすと再び上昇し、１２ Ｋ Ｇａｕｓ
ｓ以上の望ましい値が得られることも分った。これは、
ＰＮ２の増大（全圧の上昇）に伴なるものと考えられる
。
第１１図は、上記のアモルファスＦｅ１−χＮｘのヒス
テリシス曲線（公知の試料振動型磁力計で測定）を示す
が、磁気記録にとって好適な特性を有することが分かる
。
テリシス曲線（公知の試料振動型磁力計で測定）を示す
が、磁気記録にとって好適な特性を有することが分かる
。
また、上記のＦ ｅｌ−メＮｘ膜は、窒素の含有によっ
て耐食性が充分となっており、この点でも優れたもので
ある。
て耐食性が充分となっており、この点でも優れたもので
ある。
セットし、イオンビームの制御を種々に行なうこともで
きる。また、下部ターゲットＴ２に小孔１１を形成せず
、両ターゲッ）Ｔ、−７２間の側方に上述した如きスク
リーングリッドを（縦に）配し、ここからイオンビーム
を側方へ引出すようにしてもよい。第３図の例では、基
板Ｓ上に直接Ｆ ｅｌ−ｘ Ｎｙ膜を堆積せしめたが、
基板Ｓの代わりに仮想線で示す如くに第３のターゲット
Ｔ３を配し、このターゲットＴ３にイオンビーム１０を
衝撃せしめ、叩き出された（スパッタされた）別のイオ
ン化粒子を上記Ｆ ｅｌ−ｘ Ｎｙ、粒子と一緒に基板
Ｓ′上に導き、両者の混合膜を基板Ｓ′上に堆積させる
ことができる。
きる。また、下部ターゲットＴ２に小孔１１を形成せず
、両ターゲッ）Ｔ、−７２間の側方に上述した如きスク
リーングリッドを（縦に）配し、ここからイオンビーム
を側方へ引出すようにしてもよい。第３図の例では、基
板Ｓ上に直接Ｆ ｅｌ−ｘ Ｎｙ膜を堆積せしめたが、
基板Ｓの代わりに仮想線で示す如くに第３のターゲット
Ｔ３を配し、このターゲットＴ３にイオンビーム１０を
衝撃せしめ、叩き出された（スパッタされた）別のイオ
ン化粒子を上記Ｆ ｅｌ−ｘ Ｎｙ、粒子と一緒に基板
Ｓ′上に導き、両者の混合膜を基板Ｓ′上に堆積させる
ことができる。
例えば、ターゲットＴ３としてＮｂを用いると、Ｆｅ１
−ｘ−ｙＮｂｙＮｘからなる磁性膜を基板Ｓ′上に形成
することができる。
−ｘ−ｙＮｂｙＮｘからなる磁性膜を基板Ｓ′上に形成
することができる。
６、発明の効果
本発明は上述した如く、アモルファス窒化鉄を主成分と
する磁性層を設けているので、アモルファス窒化鉄特有
の高Ｈｃ、高磁化、耐食性を発揮せしめた高性能の磁気
記録媒体を提供できる。
する磁性層を設けているので、アモルファス窒化鉄特有
の高Ｈｃ、高磁化、耐食性を発揮せしめた高性能の磁気
記録媒体を提供できる。
図面は本発明の実施例を示すものであって、第１図、第
２図は磁気記録媒体の二側の各断面図、 第３図はイオンビーム発生装置の断面図、第４図は対向
ターゲットスパッタの原理図、第５図はイオンビーム導
出側のターゲット及びグリッドの平面図、 第６図は第５図のＸ−Ｘ線断面図、 第７図は上記装置の電気回路系を示す図、第８図は各部
のポテンシャル分布図、 第９図は堆積膜の結晶構造と窒素分圧、基板温度との関
係を示す図、 第１０図は堆積膜の飽和磁化及び抗磁力と窒素分圧との
関係を示すグラフ、 第１１図は堆積膜のヒステリシス曲線図である。 なお、図面に示した符号において、 ２・・・・・・・・・ガス導入管 ３・・・・・・・・・マグネットコイル１０・・・・・
・・・・イオンビーム １１．１２・・・小孔 １３・・・・・・・・・陽極（加速電極）１４・・・・
・・・・・磁性（化）膜 Ｔ１、Ｔ２・・・・・・・・・ターゲットＧ・・・・・
・・・・スクリーングリッドＡ・・・・・・・・・スパ
ッタ部 Ｂ・・・・・・・・・イオンビーム導出部Ｓ・・・・・
・・・・基板（基体） である。 代理人 弁理士 逢 坂 宏（化１名）第７図 第８図 ターグツ）Ｔ＋、Ｔ２
２図は磁気記録媒体の二側の各断面図、 第３図はイオンビーム発生装置の断面図、第４図は対向
ターゲットスパッタの原理図、第５図はイオンビーム導
出側のターゲット及びグリッドの平面図、 第６図は第５図のＸ−Ｘ線断面図、 第７図は上記装置の電気回路系を示す図、第８図は各部
のポテンシャル分布図、 第９図は堆積膜の結晶構造と窒素分圧、基板温度との関
係を示す図、 第１０図は堆積膜の飽和磁化及び抗磁力と窒素分圧との
関係を示すグラフ、 第１１図は堆積膜のヒステリシス曲線図である。 なお、図面に示した符号において、 ２・・・・・・・・・ガス導入管 ３・・・・・・・・・マグネットコイル１０・・・・・
・・・・イオンビーム １１．１２・・・小孔 １３・・・・・・・・・陽極（加速電極）１４・・・・
・・・・・磁性（化）膜 Ｔ１、Ｔ２・・・・・・・・・ターゲットＧ・・・・・
・・・・スクリーングリッドＡ・・・・・・・・・スパ
ッタ部 Ｂ・・・・・・・・・イオンビーム導出部Ｓ・・・・・
・・・・基板（基体） である。 代理人 弁理士 逢 坂 宏（化１名）第７図 第８図 ターグツ）Ｔ＋、Ｔ２
Claims (1)
- １、アモルファス窒化鉄を主成分として含有した磁性層
を有することを特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58133033A JPS6025204A (ja) | 1983-07-20 | 1983-07-20 | 磁気記録媒体の製造方法 |
| US06/630,514 US4690744A (en) | 1983-07-20 | 1984-07-13 | Method of ion beam generation and an apparatus based on such method |
| EP84304963A EP0132398B1 (en) | 1983-07-20 | 1984-07-20 | A method and apparatus for ion beam generation |
| DE8484304963T DE3480039D1 (en) | 1983-07-20 | 1984-07-20 | A method and apparatus for ion beam generation |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58133033A JPS6025204A (ja) | 1983-07-20 | 1983-07-20 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6025204A true JPS6025204A (ja) | 1985-02-08 |
| JPH0313731B2 JPH0313731B2 (ja) | 1991-02-25 |
Family
ID=15095233
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58133033A Granted JPS6025204A (ja) | 1983-07-20 | 1983-07-20 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6025204A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0371420A (ja) * | 1989-08-10 | 1991-03-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 |
-
1983
- 1983-07-20 JP JP58133033A patent/JPS6025204A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0371420A (ja) * | 1989-08-10 | 1991-03-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0313731B2 (ja) | 1991-02-25 |
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