JPS60251252A - 耐食性の優れたicリ−ドフレ−ム用合金 - Google Patents
耐食性の優れたicリ−ドフレ−ム用合金Info
- Publication number
- JPS60251252A JPS60251252A JP10592584A JP10592584A JPS60251252A JP S60251252 A JPS60251252 A JP S60251252A JP 10592584 A JP10592584 A JP 10592584A JP 10592584 A JP10592584 A JP 10592584A JP S60251252 A JPS60251252 A JP S60251252A
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- Japan
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- alloy
- corrosion resistance
- lead frame
- superior corrosion
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はICリードフレームに使用されるFe−Ni合
金の耐食性の改良に関するものである。
金の耐食性の改良に関するものである。
従来より半導体装置のリードフレーム用材料としては半
導体素子、ガラスあるいはセラミックス等との熱膨張整
合性の点で42合金(Fe−41%Ni )が広く使用
されている。
導体素子、ガラスあるいはセラミックス等との熱膨張整
合性の点で42合金(Fe−41%Ni )が広く使用
されている。
しかしながらこの合金は耐食性が充分でなく、半導体装
置の製造工程中あるいは各種電子機器に組み込まれた後
の使用中にしばしば応力腐食割れによるリードの折損事
故が発生することが知られている。
置の製造工程中あるいは各種電子機器に組み込まれた後
の使用中にしばしば応力腐食割れによるリードの折損事
故が発生することが知られている。
特に最近ではこれら半導体装置は原子力や航空機などの
分野でこれまで以上に高い信頼性を要求されるようにな
り、半導体装置メーカーでも応力腐食割れのひとつの要
因となる腐食性物質による汚染(たとえばフォトエツチ
ング液、酸洗液、めっき液等の残存あるいは封止用樹脂
中の不純物等)を最小限に抑えるための努力がなされて
いる。
分野でこれまで以上に高い信頼性を要求されるようにな
り、半導体装置メーカーでも応力腐食割れのひとつの要
因となる腐食性物質による汚染(たとえばフォトエツチ
ング液、酸洗液、めっき液等の残存あるいは封止用樹脂
中の不純物等)を最小限に抑えるための努力がなされて
いる。
しかしこれら腐食性物質による汚染を完全に排除するこ
とは不可能であり、業界では従来の42合金よりもさら
に耐食性の優れた合金の開発が待ち望まれていた。
とは不可能であり、業界では従来の42合金よりもさら
に耐食性の優れた合金の開発が待ち望まれていた。
本発明は42合金の耐食性を改善し前述のような欠点を
解消するためになされたもので、重量係にてNi35〜
55%、co、os%以下、 Mn2.0%以下にQe
およびSiを1種あるいは2種合計で0.005〜0.
5チ含郁残部が実質的にFeよりなることを特徴とする
耐食性の優れたICIJ−ドフレーム用合金および上記
合金にさらVCCr、Mo、Nb、V、Zr、Ti、T
aのうち1種または2種以上を合計で0.01〜4.0
%含有してなることを特徴とする耐食性の優れたICリ
ードフレーム用合金である。
解消するためになされたもので、重量係にてNi35〜
55%、co、os%以下、 Mn2.0%以下にQe
およびSiを1種あるいは2種合計で0.005〜0.
5チ含郁残部が実質的にFeよりなることを特徴とする
耐食性の優れたICIJ−ドフレーム用合金および上記
合金にさらVCCr、Mo、Nb、V、Zr、Ti、T
aのうち1種または2種以上を合計で0.01〜4.0
%含有してなることを特徴とする耐食性の優れたICリ
ードフレーム用合金である。
次に本発明合金の成分限定理由について述べる。
N:は本合金の基本成分でありNiが35%未満の場合
または55%を越える場合には合金の熱膨張係数が大き
くなり過ぎ半導体素子、ガラスあるいはセラミックスと
の整合性が保てなくなる。このためNiは35〜55%
とした。
または55%を越える場合には合金の熱膨張係数が大き
くなり過ぎ半導体素子、ガラスあるいはセラミックスと
の整合性が保てなくなる。このためNiは35〜55%
とした。
Cはあまり多く含有すると合金中に炭化物を形成し耐食
性を劣化させるため0.05%以下とした。
性を劣化させるため0.05%以下とした。
Mnは合金の熱間加工性向上に効果を有するが、過度に
多く含有せしめると本合金の基本特性である熱膨張係数
の増大をまねくため2.Oq6以下に限定した。
多く含有せしめると本合金の基本特性である熱膨張係数
の増大をまねくため2.Oq6以下に限定した。
(ト)およびSiは本発明の目的である耐食性の向上に
大きな効果を有するものであるがいずれか1種または2
種合計で0.005’lA未満では充分なる効果が得ら
れず、〜方0,5%を越えるとその効果は飽和するとと
もに熱間加工性を著しく害するようになるため0.00
5〜0.5俤とした。
大きな効果を有するものであるがいずれか1種または2
種合計で0.005’lA未満では充分なる効果が得ら
れず、〜方0,5%を越えるとその効果は飽和するとと
もに熱間加工性を著しく害するようになるため0.00
5〜0.5俤とした。
またC r + Mo + N b a V * Z
r B T tおよびTaも本合金の耐食性を向上させ
るために含有せしめる合金元素であるが1種または2種
以上合計で0.01%未満ではその効果が得られず、逆
に4.0%を越えると熱膨張特性に与える影響が無視で
きなくなるため0.01〜4.0チとした。
r B T tおよびTaも本合金の耐食性を向上させ
るために含有せしめる合金元素であるが1種または2種
以上合計で0.01%未満ではその効果が得られず、逆
に4.0%を越えると熱膨張特性に与える影響が無視で
きなくなるため0.01〜4.0チとした。
以下本発明を実施例により説明する。
表に示す組成の合金を真空高周波誘導炉で溶解鋳造した
後1000℃〜1100℃の温度で鍛造、熱間圧延を行
い、さらに冷間圧延と軟化焼鈍を繰り返し、最終冷間圧
延率3鳴で厚さ0.10.の板材に仕上げた。しかるの
ち本材料から幅11II+!、長さ’lo+mの試料を
フォトエツチングにより切り出し、150℃〜200℃
の温度にて図に示すような形に樹脂封止を行ったものを
温度85℃相対湿度95チの高温高湿中1C2000時
間放置しその時の試料の割れ発生頻度を調査した。なお
試験は各合金毎にそれぞれ50個づつの試料について行
った。結果を表にあわせて示す。
後1000℃〜1100℃の温度で鍛造、熱間圧延を行
い、さらに冷間圧延と軟化焼鈍を繰り返し、最終冷間圧
延率3鳴で厚さ0.10.の板材に仕上げた。しかるの
ち本材料から幅11II+!、長さ’lo+mの試料を
フォトエツチングにより切り出し、150℃〜200℃
の温度にて図に示すような形に樹脂封止を行ったものを
温度85℃相対湿度95チの高温高湿中1C2000時
間放置しその時の試料の割れ発生頻度を調査した。なお
試験は各合金毎にそれぞれ50個づつの試料について行
った。結果を表にあわせて示す。
表の結果より明らかなように従来合金(合金番号1)に
くらべ本発明合金(合金番号2〜21)は割れの発生頻
度が低く、良好なる耐食性を有していることがわかる。
くらべ本発明合金(合金番号2〜21)は割れの発生頻
度が低く、良好なる耐食性を有していることがわかる。
以上説明したように本発明によればICリードフレーム
用42合金の熱膨張特性や熱間加工性を害することなく
耐食性を著しく改善することができ、半導体装置の高信
頼化ひいてはエレクトロニクス製品の高信頼化が図れ工
業上の効果は極めて太き℃z 。
用42合金の熱膨張特性や熱間加工性を害することなく
耐食性を著しく改善することができ、半導体装置の高信
頼化ひいてはエレクトロニクス製品の高信頼化が図れ工
業上の効果は極めて太き℃z 。
第1図は試料の斜視図である。
1:試料、2:封止用樹脂
、6
第10
2Ql−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 重量%でNi35〜55%、CD、051以下、
Mn2.0%以下にGeおよびSiを1種あるいは2種
合計で0.005〜0.5%含有し残部が実質的にFe
よりなることを特徴とする耐食性の優れたICIJ−ド
フレーム用合金。 2 重量%でNi35〜55%、C0,05%以下、
Mn2.0%以下にGeおよび8iを1種あるいは2種
合計で0.005〜0.5%含有しさらic Cr、M
o、Nb、V、Zr、Ti。 Taのうち1種または2種以上を合計で0,01〜4.
0チ含有し残部が実質的にFeよりなることを特徴とす
る耐食性の優れたICリードフレーム用合金。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10592584A JPS60251252A (ja) | 1984-05-25 | 1984-05-25 | 耐食性の優れたicリ−ドフレ−ム用合金 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10592584A JPS60251252A (ja) | 1984-05-25 | 1984-05-25 | 耐食性の優れたicリ−ドフレ−ム用合金 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60251252A true JPS60251252A (ja) | 1985-12-11 |
Family
ID=14420432
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10592584A Pending JPS60251252A (ja) | 1984-05-25 | 1984-05-25 | 耐食性の優れたicリ−ドフレ−ム用合金 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60251252A (ja) |
-
1984
- 1984-05-25 JP JP10592584A patent/JPS60251252A/ja active Pending
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