JPH04231419A - リードフレーム材の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、エッチング加工性、封
着性並びに成形加工性に優れ、かつ高強度を有するＦｅ
−３３〜５５ｗｔ％Ｎｉ系合金リードフレーム材の製造
方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】一般に、半導体機器類にあっては、使用
されるリード材の特性もその性能やコストに大きな影響
を及ぼすことが知られているが、従来、このような半導
体機器のリード材には、熱膨張係数が低く、かつ半導体
素子やセラミックスと比較的良好な接着性及び封着性を
示すＦｅ−Ｎｉ系合金が好んで使用されてきた。

【０００３】しかし、例えば、ＬＳＩをプラスチックパ
ッケージングするプロセスにおけるレジンモールド工程
後の冷却過程やプリント基板への実装時、更には使用環
境において温度サイクルを受けた時等では、レジンとリ
ード材との間に熱応力がかかるのを避けることが出来ず
、この応力が過大になった場合には、使用するリード材
が従来から用いられてきた実績のあるＦｅ−Ｎｉ系合金
（例えば、４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金）製のものであったと
しても、パッケージにクラックが発生したりまた接着界
面が剥離したりして、パッケージの耐湿信頼性が低下す
るという問題を避けることは難しかった。この問題は、
モールドレジンとリード材との熱膨張係数差に起因した
もので、熱膨張係数差のために上記微小クラックや剥離
界面が生じると、これを通して外部から湿気が侵入し内
部の半導体素子などを損傷する恐れがあったわけである
。従って、ＬＳＩの耐湿信頼性を向上させるためには、
リードフレーム材として熱膨張係数がモールドレジンの
それにできるだけ近い化学組成のものを使用する必要が
あった。

【０００４】一方、最近、上記タイプのＬＳＩにおいて
も高集積化が進められており、この傾向は使用するリー
ドフレームの多ピン化を推進する結果をもたらしている
が、リードフレームの多ピン化に対処するためにより強
度の高い素材を使用することが要求される。なぜなら、
リードフレームが多ピン化されると必然的にピン間隔が
狭くなり、ピン自体の幅も小さくなるが、それを実現す
るには精度が一段と高いエッチング加工あるいはプレス
加工を要することとなる上、ピン幅に比べて厚さが厚く
なるという事態を生じて加工がより一層難しくなる懸念
も生じる。そこで、これに対処すべく素材厚を薄くする
必要が出てくるが、薄板化するためには従来以上の強度
（リード変形に対する抵抗力）を持ったリードフレーム
材が要求されるわけである。

【０００５】また、特に多ピン、超多ピン用のリードフ
レーム材では、成形のための加工はエッチング加工が中
心となるため、エッチング加工性が優れていることも重
要な要求特性となってきた。ここで、Ｆｅ−Ｎｉ系合金
製リードフレーム材のエッチング加工工程は、一般に、
脱脂したリードフレーム材の両面にフォトレジストを塗
布し、パターンを焼き付けて現像した後、塩化第２鉄を
主成分とするエッチング液でエッチング加工し、その後
前記レジストを除去する工程から構成されているのが普
通である。そして、この際のエッチング性を決める要因
としてはレジストの密着性やエッチング速度等が挙げら
れるが、これらの中でも素材のエッチング速度が最も重
要な要因となっており、エッチング速度が速くなるにつ
れてリードフレーム材に形成されるピン幅、ピン間隔の
制御性が容易化することから、エッチング速度によって
エッチング加工性の評価が概ね決定されてしまうと言っ
ても過言ではない。従って、半導体機器の集積度が上昇
するに伴い、リードフレーム材には優れた封着性や強度
特性に加えて、より速いエッチング速度特性（即ち良好
なエッチング加工性）も求められるようになってきたわ
けである。

【０００６】しかしながら、未だ、エッチング加工性、
封着性、強度、更には成形加工性などのいずれをも十分
に満足した材料及び製造方法が見出されていなかったの
が実情であった。

【０００７】こうした観点から、本出願人は先に、Ｆｅ
−Ｎｉ系合金リードフレーム材を製造する方法として、
基本成分として、Ｓｉ：０．００１〜０．１５ｗｔ％、
Ｍｎ：０．１〜１．０ｗｔ％およびＮｉ：３３〜５５％
を含有し、残部がＦｅおよび不可避的不純物から成り、
そしてＣ：０．０１５ｗｔ％以下、Ｐ：０．０１ｗｔ％
以下、Ｓ：０．００５ｗｔ％以下、Ｏ：０．０１０ｗｔ
％以下そしてＮ：０．００５ｗｔ％以下と規制した合金
をリードフレーム素材とし、最終焼鈍及び最終冷間圧延
後、歪取り熱処理を行うに際して、最終焼鈍前に４０〜
９０％の加工度で圧延を施し、最終焼鈍を結晶粒径が３
０μｍ以下となる条件で実施し、続く最終冷間圧延の加
工度を４０〜８５％に調整することをを特徴とする、エ
ッチング加工性、成形加工性および封着性に優れた高強
度リードフレーム材の製造方法を提唱し、多くの成果を
納めてきた。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】その後、上記の要件に
おいて、今後の集積度の高い半導体機器への適用におい
ては、成形（曲げ）加工性を損なわずに一段の強度の向
上を計ることの重要性が更に認識されるようなった。

【０００９】このようなことから、本発明の課題は、優
れたエッチング加工性及び封着性及び成形加工性を有す
ると共に、一段と高い強度をも併せ持つところの、集積
度の高い半導体機器への適用を意図した場合でも十分な
性能が発揮されるリードフレーム材の工業的量産方法を
確立することである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を達成するべく、先に提唱したＦｅ−Ｎｉ系合金リード
フレーム材製造方法において加工性を損なわずに一段の
強度の向上を計る方法について研究を重ねた。

【００１１】ここで、先の提唱方法における要点を整理
すると、 （ａ）リードフレーム材として比較的好ましいとされて
きたＦｅ−Ｎｉ系合金において、そのＣ、Ｓｉ、Ｓ、Ｐ
及びＯ含有量更にはＮ含有量をも特定の低い値に制限し
た場合には、該合金のエッチング速度が顕著に改善され
るようになる。 （ｂ）しかも、上記合金にＣｒ，Ｍｏ，Ｗ等いくつかの
選ばれた特定の元素の１種又は２種以上を所定の割合で
含有させた場合には、リードフレーム材としての諸特性
に格別な悪影響を及ぼすことなく材料の強度を効果的に
向上することができる上、Ｎｉ含有量の注意深い調整の
下での上記特定元素の添加は、その熱膨張係数をモール
ドレジンのそれに近づけるのに極めて有効な手段となる
。 （ｃ）また、上記合金材料においても、その結晶粒径が
強度および成形加工性に少なからぬ影響を及ぼすが、該
結晶粒径を特定値以下に抑える手立てを講じることによ
ってリードフレームの多ピン化にとって好ましい材料強
度の更なる向上が期待できる上、成形加工性も改善され
る。 （ｄ）上記合金系において、結晶粒径の微細化を混粒に
することなく、安定的に製造するには、最終焼鈍前の圧
延加工度を特定の範囲に制御する必要がある。 （ｅ）異方性を大きくすることなく強度の向上を図るに
は、最終冷間圧延の圧延加工度を特定の範囲に制御する
必要がある。

【００１２】こうした手段および要件の下で、曲げ加工
性を損なわずに強度の向上を図るには、最終冷間圧延後
、歪取り熱処理を行い、この後更に５％以下のスキンパ
ス圧延を行うのが最も効果的であることが判明した。

【００１３】こうして、Ｆｅ−Ｎｉを基本成分とした合
金におけるＮｉ、Ｃ、ＳｉおよびＰ等の含有量を総合的
に調整すると同時に、必要に応じてこれに特定合金元素
の添加を行い、更に最終焼鈍前の圧延加工度、最終焼鈍
時の結晶粒径、最終圧延の加工度を適正範囲に制御し、
歪取り熱処理後に５％以下のスキンパス圧延を行うこと
によって、熱膨張係数、封着性、成形加工性などの特性
に優れ、しかも非常に良好なエッチング加工性をも備え
た高強度リードフレーム材を安定的に製造することが可
能となったものである。

【００１４】本発明は、上記知見に基づいて完成された
ものであり、Ｆｅ−３３〜５５ｗｔ％Ｎｉ系合金リード
フレーム材を製造するに際し、Ｆｅ−３３〜５５ｗｔ％
Ｎｉ系合金リードフレーム素材を、最終焼鈍及び最終冷
間圧延後、歪取り熱処理を行い、この後更に５％以下の
スキンパス圧延を行うことを特徴とする、エッチング加
工性、曲げ加工性および封着性に優れた高強度リードフ
レーム材の製造方法を提供するものである。

【００１５】本発明は、より特定的には、リードフレー
ム素材がＳｉ：０．００１〜０．１５ｗｔ％、Ｍｎ：０
．１〜１．０ｗｔ％及びＮｉ：３３〜５５ｗｔを含有し
、あるいは更にＣｏ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ
、Ｔｉ、ＺｒおよびＨｆの１種類以上を合計で０．０１
〜５．０重量％および／あるいはＣｕ、Ａｌ、Ｂｅ、Ｍ
ｇおよびＣａの１種類以上を合計で０．０１〜５．０重
量％含み、そしてＣ：０．０１５ｗｔ％以下、Ｐ：０．
０１ｗｔ％以下、Ｓ：０．００５ｗｔ％以下、Ｏ：０．
０１０ｗｔ％以下そしてＮ：０．００５ｗｔ％以下と規
制した合金であり、そして最終焼鈍前に４０〜９０％、
好ましくは５０〜８５％の加工度で圧延を施し、最終焼
鈍を結晶粒径が３０μｍ以下、好ましくは２０μｍ以下
となる条件で実施し、続く最終冷間圧延の加工度を４０
〜８５％、好ましくは５０〜８０％に調整し、この後更
に５％以下のスキンパス圧延を行うことを特徴とする、
エッチング加工性、曲げ加工性および封着性に優れた高
強度リードフレーム材の製造方法を提供するものである
。

【００１６】なお、この場合、（ａ）Ｃ含有量を０．０
０５％以下に規制すること、（ｂ）Ｓｉ含有量を０．０
０１〜０．０５％に調整すること、および（ｃ）Ｐ含有
量を０．００３％以下に規制することの条件を単独或い
は組み合わせて採用すると、得られるリードフレーム材
の成形加工性やエッチング加工性改善効果は一段と顕著
になり、多ピンリードフレーム材の製造にも一層十分対
応できるようになる。

【００１７】

【作用】続いて、本発明において素材合金の成分組成、
最終焼鈍前における圧延の加工度、最終焼鈍時の結晶粒
径、並びに最終冷間圧延の加工度を前記の如くに数値限
定した理由を、その作用と共に説明する。

【００１８】Ａ）素材合金の成分組成

【００１９】Ｎｉ：Ｎｉは、リードフレーム材の熱膨張
係数を決定するのに重要な成分であり、封着時や封着後
におけるパッケージとの熱膨張差を小さくして、優れた
封着性従って優れた耐湿信頼性を確保するためには、Ｎ
ｉ含有量を３３〜５５％に調整する必要がある。従って
、Ｎｉ含有量は３３〜５５％と決めた。

【００２０】Ｓｉ：Ｓｉは、脱酸剤として必要な元素で
あるが、一方でリードフレーム材のエッチング加工性に
大きな影響を及ぼす元素でもある。即ち、Ｓｉ含有量が
増加すると、エッチング速度が遅くなってエッチング加
工性が悪化する。このため、良好なエッチング加工性を
確保するためにはＳｉ含有量を０．１５％以下に調整す
る必要がある。特に、多ピンタイプのリードフレーム材
の場合には一段と良好なエッチング加工性が要求される
ことから、Ｓｉ含有量は０．０５％以下にまで低減する
のが望ましい。ただ、Ｓｉ含有量を０．００１％未満の
領域まで低減すると脱酸効果が認められなくなってしま
う。従って、Ｓｉ含有量は０．００１〜０．１５％と定
めたが、上述したように、Ｓｉ含有量を０．００１〜０
．０５％に調整するのが望ましい。

【００２１】Ｍｎ：Ｍｎは、リードフレーム材の脱酸お
よび熱間加工性を確保するために添加される成分である
が、その含有量が０．１％未満では所望の脱酸効果が得
られないばかりか、熱間加工性にも劣るようになる。一
方、１．０％を超えて含有させると、リードフレーム材
の硬さが上昇し過ぎて加工性の悪化を招き、更には熱膨
張係数も大きくなってしまう。従って、Ｍｎ含有量は０
．１〜１．０％と定めた。

【００２２】Ｃ：リードフレーム材中のＣ含有量が０．
０１５％を超えると鉄炭化物の生成が起こり、これがリ
ードフレーム材のエッチング性を害する。従って、Ｃ含
有量の上限を０．０１５％と定めたが、固溶Ｃもエッチ
ング加工性に悪影響を与えることからＣ含有量は低いほ
ど良く、０．００５％以下にまで抑制するのが望ましい
。

【００２３】Ｐ：Ｐも、Ｓｉと同様、含有量が多くなる
とリードフレーム材のエッチング加工性に害を与える元
素である。そして、上記エッチング加工性への悪影響は
Ｐ含有量が０．０１％を超えるとより顕在化することか
ら、Ｐ含有量は０．０１％以下と定めた。しかし、Ｐ含
有量を０．００３％以下にまで低減すると、エッチング
加工性改善効果が一層顕著となって多ピンタイプのリー
ドフレームへ適用する場合でも十分満足できる結果が安
定して確保できるようになることから、望ましくは０．
００３％以下に調整するのがよい。

【００２４】Ｓ：Ｓ含有量が０．００５％を超えるとリ
ードフレーム材中に硫化物系介在物が多くなり、エッチ
ング加工時の欠陥となってピン折れ等を引き起こすよう
になる。従って、Ｓ含有量は０．００５％以下と限定し
た。

【００２５】Ｏ：Ｏ含有量が０．０１０％を超えると、
リードフレーム材中に酸化物系介在物が多くなり、やは
りエッチング加工時の穿孔欠陥となってピン折れ等を引
き起こすようになることからＯ含有量を０．０１０％以
下と限定した。

【００２６】Ｎ：Ｎ含有量が０．００５％を超えた場合
もリードフレーム材のエッチング加工性が悪化すること
から、Ｎ含有量の上限を０．００５％と定めた。

【００２７】Ｃｏ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，
Ｔｉ，ＺｒおよびＨｆ並びにＣｕ，Ａｌ，Ｂｅ，Ｍｇお
よびＣａ：これらの元素は何れもリードフレーム材の強
度や熱膨張係数を上昇させる作用を有しているため、材
料強度の向上、並びに熱膨張係数を上げてレジンモール
ドのそれに近づけることで、封着性をより改善する目的
で必要に応じ１種または２種以上が含有せしめられる。 特に、前者のグループのＣｏ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎ
ｂ，Ｔａ，Ｔｉ，ＺｒおよびＨｆは、炭化物を形成し、
固溶炭素を減少させるため、エッチング性改善の効果も
あり、また、炭化物の分散によって結晶粒が微細化する
ので、強度上昇および曲げ性改善の効果をももたらす。 しかし、それらの含有量が合計で０．０１％未満である
と前記作用による所望の効果が得られず、一方それらの
合計の含有量が５．０％を超えた場合には材料が硬くな
り過ぎて成形加工性の劣化を招くほか、適正な熱膨張係
数の確保も困難となることから、上記成分の含有量を合
計量で０．０１〜５．０％と定めた。

【００２８】Ｂ）最終焼鈍前における圧延の加工度：最
終焼鈍前の圧延加工度は、リードフレーム材に所望強度
を確保する上で重要であるが、その加工度を特に４０〜
９０％に限定する理由は、圧延加工度が４０％未満の場
合には最終焼鈍時に安定して所望の微細な結晶粒が得ら
れずに混粒となってしまい、逆に９０％を超える圧延加
工度になると最終焼鈍時に立方体組織が発達し過ぎて異
常な組織となり、この結果、異方性が発達し、最終冷間
圧延および歪取り焼鈍を行っても所望する強度が得られ
なくなるからである。

【００２９】Ｃ）最終焼鈍時の結晶粒径：最終焼鈍条件
もリードフレーム材に所望強度を確保する上で重要であ
り、またエッチング性やプレス加工性にも大きく影響す
る因子となるが、特に得られる結晶粒径が３０μｍ以下
となる条件で最終焼鈍を実施する理由は、結晶粒径の微
細化が高強度化に大きく寄与する上、エッチング性やプ
レス加工性にも好結果が得られて高精度のフレームの実
現に有効であるのに対して、結晶粒径が３０μｍを超え
るとこれらの効果を確保することが出来なくなるためで
ある。なお、最終焼鈍時の結晶粒径の調整は、周知のよ
うに焼鈍温度および時間を調節することによって容易に
行うことが出来る。

【００３０】Ｄ）最終冷間圧延の加工度：最終圧延での
加工度もリードフレーム材の強度に大きな影響を与える
が、該加工度を特に４０〜８５％と限定する理由は、圧
延加工度が４０％未満の場合には強度改善に顕著な効果
が得られず、一方８５％を超えると強度の異方性が顕著
となるためである。

【００３１】Ｅ）歪取り熱処理：最終圧延後に適正な歪
取り熱処理を行うことによってＫｂ値が向上し、その異
方性も飛躍的に改善されるとともに、曲げ加工性および
封着性が改善されるため、歪取り焼鈍を行う。例えば、
還元性雰囲気中での連続焼鈍炉において、炉温：５００
℃〜９００℃そして材料の炉内滞留時間：１０秒間〜１
２０秒間で熱処理することによって上記効果が得られる
。

【００３２】Ｆ）スキンパス圧延：歪取り熱処理後に適
正な加工度でスキンパス圧延することによって、曲げ加
工性を損なわずに強度の向上を図ることが可能になる。 該加工度を特に５％以下と限定する理由は、該圧延加工
度が５％を超える場合には曲げ加工性が劣化する上、残
留応力が大きくなり、リードフレーム加工時に変形が生
じるためである。

【００３３】次いで、本発明の効果を実施例および比較
例により更に具体的に説明する。

【００３４】

【実施例および比較例】まず、真空溶解・鋳造によって
表１および２に示される化学成分組成のＦｅ−Ｎｉ系合
金インゴットを得た後、これらに熱間圧延および酸洗を
施し、次に冷間圧延と焼鈍を繰り返して板厚：０．１２
５ｍｍの冷延板（試料Ｎｏ．３６のみ例外として板厚は
０．１５ｍｍとした）を製造し、最終冷間圧延後に還元
性雰囲気中で７００℃、３０秒間の歪取り熱処理を行な
った。なお、この時の「最終焼鈍前の冷間圧延の加工度
」、「最終焼鈍時の結晶粒径」、並びに「最終冷間圧延
の加工度」および「スキンパス圧延の加工度」は、表３
および４に示した通りであった。

【００３５】続いて、このようにして製造されたＦｅ−
Ｎｉ系合金リードフレーム材について、「機械的特性」
、「エッチング性」、「曲げ加工性」および「封着性」
を調査し、その結果を表３および４に併せて示した。

【００３６】ここで、機械的性質については、曲げモー
メントに対する材料の強度をＫｂ値（ばね限界値）でも
って評価した。Ｋｂ値の異方性は、試料の長手方向を圧
延方向に平行な方向および直角な方向にとり、直角方向
のＫｂ値と平行方向のＫｂ値との比によって異方性を示
すものである。即ち、Ｋｂ値の異方性＝「直角方向のＫ
ｂ値」／［平行方向のＫｂ値」であり、この値が１に近
いほど、異方性が少ない。

【００３７】エッチング性については、製造された前記
各冷延板を脱脂してからレジスト膜を塗布し、パターン
を焼き付けて現像した後、塩化第２鉄にて１２８ピンの
リードフレームをすべて同一条件下でエッチング加工し
たものにつき、アウターリードピン幅とそのばらつきを
測定して評価した。

【００３８】曲げ加工性は、９０度繰り返し曲げ試験を
行って評価した。

【００３９】封着性の評価は、樹脂封着後に熱サイクル
を付与してクラックが生じるかどうかを調べることによ
って行った。

【００４０】

【表１】

【００４１】

【表２】

【００４２】

【表３】

【００４３】

【表４】

【００４４】加工度５％のスキンパス圧延を行った本発
明例はすべて、曲げ加工性を損なわずにスキンパス圧延
を行わなかったものに比べてほぼ１０％の強度の向上を
示した。

【００４５】表に示される結果から次の事項が明らかで
ある。

【００４６】本発明例Ｎｏ．１〜４に係わる材料は、比
較例Ｎｏ．２２〜３６に比べ、機械的性質、エッチング
性、曲げ加工性および封着性に優れている。その中でも
、本発明例Ｎｏ．１に係わるものは、Ｃ，Ｓｉ，Ｐの各
含有量ともより好ましい範囲にコントロールされている
ため、本発明例Ｎｏ．２〜４に係わるものと比較しても
エッチング性が更に優れている。

【００４７】また、本発明例Ｎｏ．５〜２１に係わるも
のは、Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔｉ等を添加しているために強度が
一層向上している。

【００４８】一方、比較例Ｎｏ．２２に係わるものは、
最終焼鈍前圧延加工度が低すぎるためにその後の焼鈍に
よって小さい結晶粒径を実現することができず、Ｋｂ値
が低くなっている。

【００４９】逆に比較例Ｎｏ．２３に係わるものは、最
終焼鈍前圧延加工度が大きすぎるためにその後の焼鈍に
より、立方体組織が発達してしまい、Ｋｂ値が低くなっ
ている。

【００５０】比較例Ｎｏ．２４に係わるものは、最終圧
延加工度が小さすぎるためにＫｂ値が低くなっている。

【００５１】比較例Ｎｏ．２５に係わるものは、最終焼
鈍時の結晶粒径が大きかったためにＫｂ値が低くなって
いる。

【００５２】比較例Ｎｏ．２６に係わるものは、最終圧
延加工度が大きすぎるために曲げ加工性が劣っている。

【００５３】比較例Ｎｏ．２７〜２９に係わるものは、
Ｃ，ＳｉおよびＰの含有量が多いためにエッチング加工
性、曲げ加工性および封着性が劣るものとなっている。

【００５４】比較例Ｎｏ．３０〜３３に係わるものは、
Ｗ，Ｍｏ，Ｃｏ等の添加量が多すぎるために曲げ加工性
や封着性が劣る結果となっている。

【００５５】比較例Ｎｏ．３４に係わるものは、歪取り
熱処理後のスキンパス圧延の加工度が１５％と大きかっ
たために、Ｋｂ値の異方性が大きく、曲げ加工性が劣っ
ている。

【００５６】なお、図１は、本発明例Ｎｏ．１と比較例
Ｎｏ．３５および３６に係わるものの「曲げモーメント
とへたり量との関係」を示したグラフである。ここで、
比較例Ｎｏ．３５に係わるものは、板厚が０．１２５ｍ
ｍ、比較例Ｎｏ．３６に係わるものは、板厚が０．１５
ｍｍであって、何れも従来の製造方法により作製したも
のである。この図１から、本発明で規定された通りの条
件で製造されたリードフレーム材は、その板厚を０．１
２５ｍｍに薄くしたとしても曲げモーメントに対するへ
たり量が少なく、変形に対する材料強度が強いことを確
認することが出来る。

【００５７】

【発明の効果】以上に説明した如く、本発明によれば、
Ｆｅ−Ｎｉを基本成分とした合金におけるＮ、Ｃ、Ｓｉ
およびＰ等の含有量を総合的に調整すると同時に、必要
に応じてこれに特定合金元素の添加を行い、更に最終焼
鈍前の圧延加工度、最終焼鈍時の結晶粒径、最終圧延の
加工度を適正範囲に制御し、歪取り熱処理後に５％以下
のスキンパス圧延を行う段階を採用することによって、
熱膨張係数、封着性、成形加工性などの特性に優れ、し
かも非常に良好なエッチング加工性をも備えた高強度リ
ードフレーム材を安定的に製造することが可能となった
ものであり、半導体機器の一層の高集積化を可能にする
など、産業上極めて有効な効果がもたらされる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明例に係わる材料と比較例に係わる材料と
で曲げモーメントとへたり量との関係を対比したグラフ
である。

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　Ｆｅ−３３〜５５ｗｔ％Ｎｉ系合金リ
   ードフレーム材を製造するに際し、Ｆｅ−３３〜５５ｗ
   ｔ％Ｎｉ系合金リードフレーム素材を最終焼鈍及び最終
   冷間圧延後、歪取り熱処理を行い、この後更に５％以下
   のスキンパス圧延を行うことを特徴とする、エッチング
   加工性、曲げ加工性および封着性に優れた高強度リード
   フレーム材の製造方法。
2. 【請求項２】　　リードフレーム素材がＳｉ：０．００
   １〜０．１５ｗｔ％、Ｍｎ：０．１〜１．０ｗｔ％及び
   Ｎｉ：３３〜５５ｗｔを含有し、残部がＦｅおよび不可
   避的不純物から成り、そしてＣ：０．０１５ｗｔ％以下
   、Ｐ：０．０１ｗｔ％以下、Ｓ：０．００５ｗｔ％以下
   、Ｏ：０．０１０ｗｔ％以下そしてＮ：０．００５ｗｔ
   ％以下と規制した合金であり、最終焼鈍前に４０〜９０
   ％の加工度で圧延を施し、最終焼鈍を結晶粒径が３０μ
   ｍ以下となる条件で実施し、続く最終冷間圧延の加工度
   を４０〜８５％に調整したことを特徴とする請求項１の
   リードフレーム材の製造方法。
3. 【請求項３】　　リードフレーム素材がＳｉ：０．００
   １〜０．１５ｗｔ％、Ｍｎ：０．１〜１．０ｗｔ％及び
   Ｎｉ：３３〜５５ｗｔを含有し、更にはＣｏ、Ｃｒ、Ｍ
   ｏ、Ｗ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、ＺｒおよびＨｆの１種
   類以上を合計で０．０１〜５．０重量％含み、そしてＣ
   ：０．０１５ｗｔ％以下、Ｐ：０．０１ｗｔ％以下、Ｓ
   ：０．００５ｗｔ％以下、Ｏ：０．０１０ｗｔ％以下そ
   してＮ：０．００５ｗｔ％以下と規制した合金であり、
   最終焼鈍前に４０〜９０％の加工度で圧延を施し、最終
   焼鈍を結晶粒径が３０μｍ以下となる条件で実施し、続
   く最終冷間圧延の加工度を４０〜８５％に調整したこと
   を特徴とする請求項１のリードフレーム材の製造方法。
4. 【請求項４】　　リードフレーム素材が更にＣｕ、Ａｌ
   、Ｂｅ、ＭｇおよびＣａの１種類以上を合計で０．０１
   〜５．０重量％含む請求項２あるいは３のリードフレー
   ム材の製造方法。
5. 【請求項５】　　リードフレーム素材のＣ含有量が０．
   ００５重量％以下である請求項２乃至４のいずれかのリ
   ードフレーム材の製造方法。
6. 【請求項６】　　リードフレーム素材のＳｉ含有量が０
   ．００１〜０．０５重量％である請求項２乃至５のいず
   れかのリードフレーム材の製造方法。
7. 【請求項７】　　リードフレーム素材のＰ含有量が０．
   ００３重量％以下である請求項２乃至６のいずれかのリ
   ードフレーム材の製造方法。