JPH04221020A - リ−ドフレ−ム材の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、エッチング加工性，
封着性並びに成形加工性に優れ、かつ高強度を有したリ
−ドフレ−ム材の製造方法に関するものである。

【０００２】

【背景技術とその課題】一般に、半導体機器類にあって
は、使用されるリ−ド材の特性もその性能やコストに大
きな影響を及ぼすことが知られているが、従来、このよ
うな半導体機器のリ−ド材には、熱膨張係数が低く、か
つ半導体素子やセラミックスと比較的良好な接着性，　
封着性を示すＦｅ−Ｎｉ系合金が好んで使用されてきた
。

【０００３】しかし、例えば『ＬＳＩをプラスチックパ
ッケ−ジングするプロセス』におけるレジンモ−ルド工
程後の冷却過程やプリント基盤への実装時、更には使用
環境において温度サイクルを受けた時等ではレジンとリ
−ド材との間に熱応力がかかるのを避けることができな
いが、この応力が過大になった場合には、使用するリ−
ド材が『従来から用いられてきた実績のあるＦｅ−Ｎｉ
系合金（例えば４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金）製のもの』であ
ったとしてもパッケ−ジにクラックが発生したり、接着
界面が剥離したりしてパッケ−ジの耐湿信頼性が低下す
ると言う問題を避けることは難しかった。この問題は、
モ−ルドレジンとリ−ド材との熱膨張係数差に起因した
もので、熱膨張係数差のために上記微小クラックや剥離
界面が生じると、これを通して外部から湿気が侵入し内
部の半導体素子等を損傷する虞れがあった訳である。従
って、ＬＳＩの耐湿信頼性を向上させるためには、リ−
ドフレ−ム材として熱膨張係数がモ−ルドレジンのそれ
にできるだけ近い化学組成のものを使用する必要があっ
た。

【０００４】一方、最近、上記タイプのＬＳＩにおいて
も高集積化が進められており、この傾向は使用するリ−
ドフレ−ムの多ピン化を推進する結果をもたらしている
が、リ−ドフレ−ムの多ピン化に対処するためにはより
強度の高い素材を使用することが要求される。なぜなら
、リ−ドフレ−ムが多ピン化されると必然的にピン間隔
が狭くなり、ピン自体の幅も小さくなるが、それを実現
するには精度が一段と高いエッチング加工或いはプレス
加工を要することとなる上、ピン幅に比べて厚さが厚く
なると言う事態を生じて加工がより一層難しくなる懸念
も生じる。そこで、これに対処すべく素材厚を薄くする
必要が出てくるが、薄板化するためには従来材以上の強
度（リ−ド変形に対する抵抗力）を持ったリ−ドフレ−
ム材が要求される訳である。また、特に多ピン或いは超
多ピン用のリ−ドフレ−ム材では、成形のための加工は
エッチング加工が中心となるため「エッチング加工性が
優れていること」も重要な要求特性となってきた。

【０００５】ここで、Ｆｅ−Ｎｉ系合金製リ−ドフレ−
ム材のエッチング加工工程は、脱脂したリ−ドフレ−ム
材の両面にフォトレジストを塗布し、パタ−ンを焼き付
けて現像した後、塩化第２鉄を主成分とするエッチング
液でエッチング加工し、その後前記レジストを除去する
工程から構成されているのが一般的である。そして、こ
の際のエッチング性を決める要因としては　”レジスト
の密着性”　や　”エッチング速度”　等が挙げられる
が、これらの中でも素材のエッチング速度が最も重要な
要因となっており、エッチング速度が速くなるにつれて
リ−ドフレ−ム材に形成されるピン幅，ピン間隔の制御
性が容易化することから、該エッチング速度によりエッ
チング加工性の評価が概ね決定されてしまうと言っても
過言ではなかった。従って、リ−ドフレ−ム材には、半
導体機器の集積度が上昇するに伴い、優れた封着性や強
度特性に加えて「より速いエッチング速度特性（即ち良
好なエッチング加工性）」も求められるようになってき
た訳であるが、未だエッチング加工性，封着性，強度、
更には成形加工性等の何れもを十分に満足した材料が見
出されていないのが現状であった。

【０００６】このようなことから、本発明が目的とした
のは、強度が高く、しかも優れたエッチング加工性，封
着性並びに成形加工性をも併せ持つところの、集積度の
高い半導体機器への適用を意図した場合でも十分な性能
が発揮されるリ−ドフレ−ム材の工業的量産手段を確立
することであった。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記目的
を達成すべく、特にＦｅ−Ｎｉ系合金リ−ドフレ−ム材
が備えている比較的高い強度特性や低い熱膨張係数等に
着目し、その強度を更に向上させ、かつエッチング加工
性や成形加工性をも顕著に改善すると共に安定して製造
できる製造方法の研究を重ねた結果、次のような新しい
知見を得ることができた。即ち、 （ａ）　リ−ドフレ−ム材として比較的好ましいとされ
てきたＦｅ−Ｎｉ系合金において、そのＣ，　Ｓｉ及び
Ｐの含有量を、更にはＮ含有量をも特定の低い値に制限
した場合には、該合金のエッチング速度が顕著に改善さ
れるようになる。 （ｂ）　しかも、上記合金に幾つかの選ばれた特定の元
素の１種又は２種以上を所定の割合で含有させた場合に
は、リ−ドフレ−ム材としての諸特性に格別な悪影響を
及ぼすことなく材料の強度を効果的に向上させことがで
きる上、Ｎｉ含有量の注意深い調整の下での上記特定元
素の添加は、その熱膨張係数をモ−ルドレジンのそれに
近づけるのに極めて有効な手段となる。 （ｃ）　ところで、上記合金材料においても、その結晶
粒径が強度及び成形加工性に少なからぬ影響を及ぼすが
、該結晶粒径を特定値以下に抑える手立てを講じること
によってリ−ドフレ−ムの多ピン化にとって好ましい「
材料強度の更なる向上」が期待できる上、成形加工性も
改善される。 （ｄ）　上記合金系において、結晶粒径の微細化を混粒
にすることなく安定的に実現するには、最終焼鈍前の圧
延加工度を特定の範囲に制御する必要がある。 （ｅ）　更に、異方性を大きくすることなく強度の向上
を図るには、最終冷間圧延の圧延加工度を特定の範囲に
制御する必要がある。 （ｆ）　また、上記最終冷間圧延後に特定条件を満たす
歪取り熱処理を行った場合には、得られるリ−ドフレ−
ム材の強度及び異方性が一段と改善される。 （ｇ）　従って、Ｆｅ−Ｎｉを基本成分とした合金にお
けるＮｉ，　Ｃ，　Ｓｉ及びＰ等の含有量を総合的に調
整すると共に、必要に応じてこれに特定合金元素の添加
を行い、更に最終焼鈍前の圧延加工度，最終焼鈍時の結
晶粒径，最終圧延の加工度を適正範囲に制御し、最終冷
間圧延後に歪取り熱処理として３００〜６００℃の温度
で１０分〜１０時間の加熱を真空中，不活性ガス中及び
還元性ガス中の雰囲気の下で行うと強度，熱膨張係数，
封着性，成形加工性等の特性に優れ、しかも非常に良好
なエッチング加工性をも備えたリ−ドフレ−ム材を安定
的に製造することが可能となる。

【０００８】本発明は、上記知見事項等を基に完成され
たもので、「Ｆｅ−Ｎｉ系合金リ−ドフレ−ム材を製造
するに際し、　素材としてＣ：０．０１５　％以下　（
以降、　重量割合を表わす％は重量％とする），Ｓｉ：
０．００１　〜０．１５％，　　　　　Ｍｎ：０．１　
〜１．０　％，　　　　　Ｐ：０．０１％以下，Ｓ：０
．００５　％以下，　　　　　　　Ｏ：０．０１０　％
以下，　　　Ｎ：０．００５　％以下，Ｎｉ：３３〜５
５％を含有するか、　或いは更にＣｏ，　Ｃｒ，　Ｍｏ
，　Ｗ，　Ｖ，　Ｎｂ，　Ｔａ，　Ｔｉ，　Ｚｒ，　Ｈ
ｆ，　Ｃｕ，　Ａｌ，　Ｂｅ，　Ｍｇ及びＣａの１種以
上：合計で０．０１〜５．０％，　をも含み、　残部が
Ｆｅ及び他の不可避的不純物から成る合金を用いると共
に、　最終焼鈍は加工度：４０〜９０％　（好ましくは
５０〜８５％）　の圧延を施した後に結晶粒径が３０μ
ｍ以下　（好ましくは２０μｍ以下）　となる条件で実
施し、　続く最終冷間圧延の加工度を４０〜８５％　（
好ましくは５０〜８０％）　に調整した上で、　最終冷
間圧延後に温度：３００〜６００℃， 処理時間：１０分〜１０時間， 処理雰囲気：真空中，不活性ガス中及び還元ガス中の何
れか，なる条件にて歪取り熱処理を施すことにより、　
優れたエッチング加工性，封着性及び成形加工性と高い
強度とを兼備したリ−ドフレ−ム材を安定して製造でき
るようにした点」に大きな特徴を有している。

【０００９】なお、この場合、 ａ）　Ｃ含有量を　０．００５％以下に規制する，ｂ）
　Ｓｉ含有量を　０．００１〜０．０５％に調整する，
ｃ）　Ｐ含有量を　０．００３％以下に規制する，　な
る条件を単独或いは組み合わせて採用すると、得られる
リ−ドフレ−ム材の成形加工性やエッチング加工性の改
善効果は一段と顕著になり、多ピンリ−ドフレ−ム材の
製造にもより一層十分に対応できるようになる。続いて
、本発明において素材合金の成分組成，　最終焼鈍前に
おける圧延の加工度，最終焼鈍時の結晶粒径，最終冷間
圧延の加工度、並びに歪取り熱処理の条件を前記の如く
に限定した理由を、その作用と共に説明する。

【０００１０】

【作用】Ａ）　素材合金の成分組成 Ｎｉ Ｎｉはリ−ドフレ−ム材の熱膨張係数を決定するのに重
要な成分であり、封着時や封着後におけるパッケ−ジと
の熱膨張差を小さくして優れた封着性，耐湿信頼性を確
保するためには、Ｎｉ含有量を３３〜５５％の範囲に調
整する必要がある。従って、Ｎｉ含有量は３３〜５５％
と定めたが、特に好ましい範囲は４０〜５３％である。

【０００１１】Ｃ リ−ドフレ−ム材中のＣ含有量が　０．０１５％を超え
ると、鉄炭化物の生成が起こり、これがリ−ドフレ−ム
材のエッチング性を害する。従って、Ｃ含有量の上限を
０．０１５　％と定めたが、固溶Ｃもエッチング加工性
に悪影響を与えることからＣ含有量は低ければ低いほど
良く、出来れば　０．００５％以下にまで抑制するのが
望ましい。

【０００１２】Ｓｉ Ｓｉは脱酸剤として必要な元素であるが、一方でリ−ド
フレ−ム材のエッチング加工性に大きな影響を及ぼす。 即ち、Ｓｉ含有量が増加するとエッチング速度が遅くな
ってエッチング加工性が悪化する。このため、良好なエ
ッチング加工性を確保するためにはＳｉ含有量を０．１
５％以下に調整する必要がある。特に、多ピンタイプの
リ−ドフレ−ム材の場合には一段と良好なエッチング加
工性が要求されることから、Ｓｉ含有量は０．０５％以
下にまで低減するのが望ましい。ただ、Ｓｉ含有量を０
．００１　％未満の領域にまで低減すると脱酸効果が認
められなくなってしまう。 従って、Ｓｉ含有量は　０．００１〜０．１５％と定め
たが、上述したように出来れば０．００１〜０．０５％
に調整するのが望ましい。

【０００１３】Ｍｎ Ｍｎはリ−ドフレ−ム材の脱酸及び熱間加工性を確保す
るために添加される成分であるが、その含有量が　０．
１％未満では所望の脱酸効果が得られないばかりか、熱
間加工性も劣るようになる。一方、　１．０％を超えて
Ｍｎを含有させるとリ−ドフレ−ム材の硬さが上昇し過
ぎて加工性の悪化を招き、更には熱膨張係数も大きくな
ってしまう。 従って、Ｍｎ含有量は０．１〜１．０％と定めた。

【０００１４】Ｐ Ｐも、Ｓｉと同様、含有量が多くなるとリ−ドフレ−ム
材のエッチング加工性に害を与える元素である。そして
、上記エッチング加工性への悪影響はＰ含有量が０．０
１％を超えるとより顕著化することから、Ｐ含有量は０
．０１％以下と定めた。しかし、Ｐ含有量を　０．００
３％以下にまで低減するとエッチング加工性改善効果が
一層顕著となって多ピンタイプのリ−ドフレ−ムへ適用
する場合でも十分満足できる結果が安定して確保できる
ようになることから、望ましくは　０．００３％以下に
調整するのが良い。ＳＳ含有量が　０．００５％を超え
るとリ−ドフレ−ム材中に硫化物系介在物が多くなり、
エッチング加工時の欠陥となってピン折れ等を引き起こ
すようになる。従って、Ｓ含有量は０．００５％以下と
限定した。ＯＯ含有量が　０．０１０％を超えるとリ−
ドフレ−ム材中に酸化物系介在物が多くなり、やはりエ
ッチング加工時の穿孔欠陥となることから、Ｏ含有量は
０．０１０％以下と限定した。ＮＮ含有量が　０．００
５％を超えてもリ−ドフレ−ム材のエッチング加工性が
悪化することから、Ｎ含有量の上限は０．００５％と定
めた。

【０００１５】Ｃｏ，　Ｃｒ，　Ｍｏ，　Ｗ，　Ｖ，　
Ｎｂ，　Ｔａ，　Ｔｉ，　Ｚｒ，　Ｈｆ，　Ｃｕ，　Ａ
ｌ，　Ｂｅ，　Ｍｇ及びＣａこれらの元素は何れもリ−
ドフレ−ム材の強度や熱膨張係数を上昇させる作用を有
しているため、「材料強度の向上」並びに「熱膨張係数
を上げてレジンモ−ルドのそれに近付けることで封着性
をより改善する」との目的で必要に応じ１種又は２種以
上が含有せしめられる。特に、Ｃｏ，　Ｃｒ，　Ｍｏ，
　Ｗ，Ｖ，　Ｎｂ，　Ｔａ，　Ｔｉ，　Ｚｒ及びＨｆは
、炭化物を形成して固溶炭素を減少させるためにエッチ
ング性向上効果も有しており、また炭化物の分散によっ
て結晶粒を微細化し、強度上昇及び曲げ性改善の効果を
ももたらす。しかし、それらの含有量が合計で０．０１
％未満であると前記作用による所望の効果が得られず、
一方、合計の含有量が　５．０％を超えた場合には材料
が硬くなり過ぎて成形加工性の劣化を招くほか、適正な
熱膨張係数の確保も困難となることから、上記成分の含
有量は合計量で０．０１〜５．０％と定めた。

【０００１６】Ｂ）　最終焼鈍前における圧延の加工度
最終焼鈍前の圧延加工度はリ−ドフリ−ム材に所望強度
を確保する上で重要であるが、その加工度を特に４０〜
９０％に限定する理由は、圧延加工度が４０％未満の場
合には最終焼鈍時に安定して所望の微細な結晶粒が得ら
れずに混粒となってしまい、一方、９０％を超える圧延
加工度になると最終焼鈍時に立方体組織が発達し過ぎて
異常な組織となり、この結果、異方性が発達し最終冷間
圧延，歪取り焼鈍を行っても所望する強度が得られなく
なることにある。

【０００１７】Ｃ）　最終焼鈍時の結晶粒径最終焼鈍条
件もリ−ドフレ−ム材に所望強度を確保する上で重要で
あり、またエッチング性やプレス加工性にも大きく影響
する因子となるが、特に得られる結晶粒径が３０μｍ以
下となる条件で最終焼鈍を実施する理由は、結晶粒径の
微細化が高強度化に大きく寄与する上、エッチング性や
プレス加工性にも好結果が得られて高精度リ−ドフレ−
ムの実現に有効であるのに対して、結晶粒径が３０μｍ
を超えるとこれらの効果を確保することができなくなる
ためである。なお、最終焼鈍時の結晶粒径の調整は、周
知のように焼鈍温度及び処理時間を調節することによっ
て容易に行うことができる。

【０００１８】Ｄ）　最終冷間圧延の加工度最終圧延で
の加工度もリ−ドフレ−ム材の強度に大きな影響を与え
るが、該加工度を特に４０〜８５％と限定する理由は、
該圧延加工度が４０％未満の場合には強度改善に顕著な
効果が得られず、一方、８５％を超えると強度の異方性
が顕著となるためである。

【０００１９】Ｅ）　歪取り熱処理 最終圧延後に適正な歪取り焼鈍を行うことによってＫｂ
値（ばね限界値）が向上し、その異方性も飛躍的に改善
されると共に、曲げ加工性及び封着性も改善される。た
だ、歪取り熱処理による上記効果は、歪取り熱処理が３
００〜６００℃の温度で１０分〜１０時間の加熱を真空
中，不活性ガス中又は還元性ガス中で行うことによって
初めて十分となるが、この条件を外れると工業的に所望
特性を安定して確保することが難しくなる。次いで、本
発明の効果を実施例により更に具体的に説明する。

【０００２０】

【実施例】まず、真空溶解・鋳造によって表１及び表２
に示される如き化学成分組成のＦｅ−Ｎｉ系合金インゴ
ットを得た後、これらに熱間圧延，酸洗を施し、次に冷
間圧延と焼鈍とを繰り返して板厚：０．１２５ｍｍの冷
延板を製造し、最終冷間圧延後に還元性雰囲気中で４０
０℃，３時間の歪取り熱処理を行った。なお、この時の
『最終焼鈍前の冷間圧延』の加工度，最終焼鈍時の結晶
粒径、並びに最終冷間圧延の加工度は前記表１及び表２
に示した通りであった。

【表１】

【表２】

【０００２１】続いて、このように製造されたＦｅ−Ｎ
ｉ系合金リ−ドフレ−ム材につき　”機械的特性”，　
”エッチング性”，　”曲げ加工性”　及び　”封着性
”　を調査し、その結果を表１及び表２に併せて示した
。ここで、機械的特性については、曲げモ−メントに対
する材料の強度をＫｂ値（ばね限界値）でもって評価し
た。エッチング性については、製造された前記各冷延板
を脱脂してからレジスト膜を塗布し、パタ−ンを焼付け
て現像した後、塩化第２鉄にて１２８ピンのリ−ドフレ
−ムを全て同一条件下でエッチング加工したものにつき
、アウタ−リ−ドピン幅とそのバラツキを測定して評価
した。曲げ加工性は、９０度繰り返し曲げ試験を行って
評価した。そして、封着性の評価は、樹脂封着後に熱サ
イクルを付与してクラックが生じるかどうかを調べるこ
とによって行った。

【０００２２】表１及び表２に示される結果からは次の
事項が明らかである。即ち、本発明例１〜４に係わる材
料は、比較例２３〜３９に係わるものに比べ機械的性質
，エッチング性，　曲げ加工性，封着性の全てに優れて
いる。 その中でも、本発明例１に係わるものはＣ，　Ｓｉ，　
Ｐの各含有量ともより好ましい範囲にコントロ−ルされ
ているため、本発明例２〜４に係わるものと比較しても
エッチング性が更に優れている。また、本発明例５〜２
２に係わるものは、Ｎｂ，　Ｍｏ，　Ｔｉ等を添加して
いるために強度が一層向上している。

【０００２３】一方、比較例２３に係わるものは、最終
焼鈍前圧延の加工度が低すぎるためにその後の焼鈍によ
って小さい結晶粒径を実現することができず、Ｋｂ値が
低くなっている。逆に、比較例２４に係わるものは、最
終焼鈍前圧延の加工度が大きすぎるため、その後の焼鈍
により立方体組織が発達してしまい、Ｋｂ値が低くなっ
ている。比較例２５に係わるものは、最終冷間圧延の加
工度が小さすぎるためにＫｂ値が低くなっている。比較
例２６に係わるものは、最終焼鈍時の結晶粒径が大きか
ったためにＫｂ値が低くなっている。比較例２７に係わ
るものは、最終圧延加工度が大きすぎたために曲げ加工
性が劣っている。

【０００２４】比較例２８〜３０に係わるものは、Ｃ，
Ｓｉ及びＰの含有量が多いためにエッチング加工性，曲
げ加工性及び封着性が劣るものとなっている。比較例３
１〜３４に係わるものは、Ｗ，Ｍｏ，　Ｃｏ等の添加量
が多すぎたために曲げ加工性や封着性が劣る結果となっ
ている。比較例３５〜３６に係わるものは、最終圧延後
に歪取り焼鈍を行わないためにＫｂ値が低い上に、その
異方性が大きく、曲げ加工性及び封着性が劣っている。

【０００２５】なお、図１は、本発明例１と比較例３７
及び３８に係わるものの『曲げモ−メントとへたり量と
の関係』を示したグラフである。ここで、比較例３７に
係わるものは板厚が　０．１２５ｍｍ、比較例３８に係
るものは板厚が０．１５ｍｍであって、何れも従来の製
造方法により作成したものである。この図１からは、本
発明で規定された通りの条件で製造されたリ−ドフレ−
ム材は、その板厚を０．１５ｍｍから　０．１２５ｍｍ
に薄くしたとしても同じ曲げモ−メントに対するへたり
量が少なく、変形に対する材料強度が強いことを確認す
ることができる。

【０００２６】

【効果の総括】以上に説明した如く、この発明によれば
、エッチング加工性，封着性，成形加工性に優れ、かつ
強度の高いリ−ドフレ−ム材を安定して製造することが
でき、半導体機器の更なる高集積化を可能とするなど、
産業上極めて有用な効果がもたらされる。

【図面の簡単な説明】

【図１】「曲げモ−メントとへたり量との関係」を本発
明法に係わる材料と比較法に係わる材料とで対比したグ
ラフである。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　Ｆｅ−Ｎｉ系合金リ−ドフレ−ム材を
   製造するに際し、素材としてＣ：０．０１５　％以下，
   　　　　Ｓｉ：０．００１　〜０．１５％，　　　　Ｍ
   ｎ：０．１　〜１．０　％，Ｐ：０．０１％以下，　　
   　　　　Ｓ：０．００５　％以下，　　　　　　Ｏ：０
   ．０１０　％以下，Ｎ：０．００５　％以下，　　　　
   Ｎｉ：３３〜５５％（何れも重量％）を含み残部がＦｅ
   及び他の不可避的不純物から成る合金を用いると共に、
   最終焼鈍は加工度：４０〜９０％の圧延を施した後に結
   晶粒径が３０μｍ以下となる条件で実施し、続く最終冷
   間圧延の加工度を４０〜８５％に調整した上で、最終冷
   間圧延後に 温度：３００〜６００℃， 処理時間：１０分〜１０時間， 処理雰囲気：真空中，不活性ガス中及び還元ガス中の何
   れか， なる条件にて歪取り熱処理を施すことを特徴とする、エ
   ッチング加工性、曲げ加工性及び封着性に優れた高強度
   リ−ドフレ−ム材の製造方法。
2. 【請求項２】　　素材として、重量割合でＣ：０．０１
   ５　％以下，　　　　Ｓｉ：０．００１　〜０．１５％
   ，　　　　Ｍｎ：０．１　〜１．０　％，Ｐ：０．０１
   ％以下，Ｓ：０．００５　％以下，　　　　　　Ｏ：０
   ．０１０　％以下，Ｎ：０．００５　％以下，　　　　
   Ｎｉ：３３〜５５％を含有すると共に、更にＣｏ，　Ｃ
   ｒ，　Ｍｏ，　Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，　Ｔａ，　Ｔｉ，　Ｚｒ
   及びＨｆの１種以上：合計で０．０１〜５．０％をも含
   み、残部がＦｅ及びその他不可避的不純物から成る合金
   を用いる、請求項１に記載のエッチング加工性及び封着
   性に優れた高強度リ−ドフレ−ム材の製造方法。
3. 【請求項３】　　素材として、重量割合でＣ：０．０１
   ５　％以下，　　　　Ｓｉ：０．００１　〜０．１５％
   ，　　　　Ｍｎ：０．１　〜１．０　％，Ｐ：０．０１
   ％以下，Ｓ：０．００５　％以下，　　　　　　Ｏ：０
   ．０１０　％以下，Ｎ：０．００５　％以下，　　　　
   Ｎｉ：３３〜５５％を含有すると共に、更にＣｕ，　Ａ
   ｌ，　Ｂｅ，　Ｍｇ，及びＣａの１種以上：合計で０．
   ０１〜５．０　％をも含み、残部がＦｅ及びその他不可
   避的不純物から成る合金を用いる、請求項１に記載のエ
   ッチング加工性及び封着性に優れた高強度リ−ドフレ−
   ム材の製造方法。
4. 【請求項４】　　素材としてＣ含有量が　０．００５重
   量％以下の合金を使用する、請求項１乃至３の何れかに
   記載のエッチング加工性及び封着性に優れた高強度リ−
   ドフレ−ム材の製造方法。
5. 【請求項５】　　素材としてＳｉ含有量が　０．００１
   〜０．０５重量％の合金を使用する、請求項１乃至４の
   何れかに記載のエッチング加工性及び封着性に優れた高
   強度リ−ドフレ−ム材の製造方法。
6. 【請求項６】　　素材としてＰ含有量が　０．００３重
   量％以下の合金を使用する、請求項１乃至５の何れかに
   記載のエッチング加工性及び封着性に優れた高強度リ−
   ドフレ−ム材の製造方法。