JPS60249300A - 加熱され拡幅されたプラズマジエツトを有するプラズマ流を発生する方法と装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発　明　の　背　狽 本発明は、加熱された拡幅されたプラズマジェットを有
するプラズマ流を発生する方法と装置に関する。さらに
詳しくは、本発明は、誘導コイルを用いてプラズマ溶射
ガンから出てくるプラズマジェットを加熱づ′ることに
関する。

プラズマガンは、被覆または成形すべき物体、８− 即ち普通ターゲットと称される物体上に金属やセラミッ
クのような材料を被着（ｄｅｐｏｓｉｔ　）させるのに
よく用いられる。典型的なプラズマ溶射加工では、被着
させるべき材料を粉末粒子に形成し、この粒子をプラズ
マ中に注入する。理想的には、プラズマ流の高熱ガスに
より粉末粒子を、ターゲット上への被着にそなえてその
融点に加熱し、加速する。注入粒子のすべてが等しく加
熱され加速され、またターゲラ１−まで運ばれる間、粒
子のすべてがプラズマ流内に留まれば、被着された材料
は高い均一な高い密度を持ち且つ高強度のものとなる。

しかし、実際にはこのようなことは起らない。典型的に
は、通常のプラズマ溶射操作から得られる被着物は、被
着物の中心に位置する「スィートスポット」として知ら
れる区域の密度と強度が被着物の中心のまわりの「周縁
区域」の密度と強度より高くなる。

「周縁区域」で材料特性が悪くなる原因の一つは、粉末
粒子の加熱と加速が不均一なことにある。

多（の従来のプラズマガンでは、プラズマの温度がプラ
ズマ流の中心からその外径へ向うにつれ急速に低下する
。注入された粒子の最適な加熱と加速はプラズマ流の中
心から比較的狭い半径以内で起る。さらにプラズマ流の
全体の温度はプラズマがターゲットに向って流れるにつ
れて急速に低下づる。ターゲット近くに位置するプラズ
マ流の半径方向断面の平均温度は、プラズマ流がプラズ
マガンから出るところに位置する同様の断面の平均温度
Ｊ：り著しく低い。従って、プラズマ流の温度は軸線方
向ａ３よび半径方向の両方で低下する。この温度低下の
結束として、プラズマ流の外層に沿ってターゲラ１〜に
運ばれている粒子は、ターゲラ１〜に被着されるとぎに
溶融状態にあるのに十分な程度に加熱されないか、ある
いはプラズマガンから出るときには溶融していたどして
も、ターゲラ１へに達する前に固化することになる。従
って、より大きな半径で最適な粒子の加熱を行い、注入
された粒子をターゲットに被着されるまで溶融状態に維
持するプラズマ流が望ましい。

従って、本発明の目的、プラズマ溶射ガンから吐出され
るプラズマジェットを加熱し拡幅する（すなわち幅を広
げる）方法を提供することにある。

本発明の別の目的は、プラズマ溶射ガンから出てくるプ
ラズマジェットを加熱し拡幅するために誘導コイルを用
いる方法を提供することにある。

本発明の他の目的は、温度分布が改善され、かつ拡幅さ
れたプラズマジェットを有するプラズマ流を発生する方
法を提供することにある。

本発明のさらに他の目的は、プラズマガンから吐出され
るプラズマジェットを加熱し拡幅する装置を提供するこ
とにある。

本発明のさらに他の目的は、通過するガス流を加熱する
誘導コイルを有するプラズマ流ノズルを提供することに
ある。

本発明のさらに他の目的は、加熱され拡幅されたプラズ
マジェットを有するプラズマ流を発生する装置を提供す
ることにある。

発　明　の　要　約 本発明の第１の態様によれば、プラズマガンか１１− ら吐出されるプラズマジェットを加熱し拡幅する方法と
して、プラズマジェットを誘導コイルの中心軸線に沿っ
て導ぎ、この誘導コイルに高周波交番電流を流し、これ
によりプラズマガンツ１〜の外層をその中心よりも一層
多く加熱し、プラズマジェットの平均温度を高くする。

従来前られるものよりも一層熱くＨつ幅の広いジェット
を有するプラズマ流を発生ずる好適な方法は、第１の上
流側の誘導コイルに高周波交番電流を流すことにより、
この誘導コイルの中心軸線に沿って流れるガスにプラズ
マ放電を確立１ノ；ガスとプラズマ放電の少なくとも一
部とをのど付き通路に導くことによりプラズマガンッ１
〜を作り；そして前述の方法で第２の下流側の誘導コイ
ルを用いてのど付き通路から放出されたプラズマガンツ
ｌ−を加熱する段階を有する。

本発明の別の態様によれば、本発明の方法を実施するた
めの装置が、入口と出口を持つプラズマガンを備え、こ
のプラズマガン内でプラズマ放電を確立して、プラズマ
ジェットがプラズマガン出１２− 口から吐出されるようにする。内部に流路を形成したヒ
ータハウジングがプラズマガンの出口と流体連通関係で
連結され、こうしてプラズマジェットを上記流路に導く
。装置はさらに、プラズマジェットを加熱するため、上
記流路の外側のまわりに設番ノた加熱用誘導コイルおよ
びこのコイルに高周波交番電流を流す手段も含む。好適
例では、上記装置に用いたプラズマガンが入口開口と出
口開口を持つ流路を有するハウジング、流路の入口端と
出口端との間ののど領域、および流路の人目端のまわり
に設けた別の誘導コイルを含む。加熱され拡幅されたプ
ラズマジェットを有するプラズマ流を発生する装置は、
上述した装置を含むと共に、さらにプラズマガンに高速
ガス流を導入する手段および各誘導コイルに高周波交番
電流を流す手段を備える。

ｌ１辿構成の説明 発明と考えている要旨は本明細書の特許請求の範囲に明
確に特定しである。しかし、本発明自体はその構成およ
び実施方法について、その目的および利点ともども、添
付図面を参照した以下の説明からもつともよく理解でき
るであろう。

本発明者は、プラズマ溶削により「スィートスポット」
をより大きクシ１周縁区域」を減じた被着物を作るため
には、被着物を作るのに用いるプラズマ溶射ガンから出
てくるプラズマジェットをさらに加熱おにび拡幅する必
要があることを見出した。本発明によれば、プラズマジ
エツ］〜を加熱し拡幅する方法として、プラズマジェッ
トを下流側の誘導コイルの中心軸線に沿ってさし向け、
下流側の誘導コイルに高周波交番電流を流してプラズマ
ジェットの外層を加熱するとともにジェットの平均温度
を−にげろ。好ましくは、誘導コイルに流れる高周波交
番電流の大ぎさと周波数を、電流の流れにより約２０〜
１００キロワツトの出ノＪが生じるように選択する。電
流の周波数は約５００Ｋ　ｌ−１ｚ〜約１０　Ｍ　Ｈｚ
とするのが好ましい。第１図の概略側面断面図に例示す
るように、プラズマジェット１４がプラズマ溶射ガン１
０から吐出されて、数個の誘導コイル巻線ターンよりな
る下流側の誘導コイル１２の中心軸線に沿って流れる。

高周波交番電流を誘導コイル１２に流すと、高周波磁界
が生じ、この磁界を介してエネルギーがプラズマジェッ
ト１４に伝えられる。このエネルギー伝達はプラズマジ
ェット１４の中心よりも外層をにり多く加熱し、これに
より半径方向におけるプラズマジェット１４の温度低下
を少なくする。

こうすればプラズマジェット１４に実質的に均一な半径
方向温度分布をもたせることができる。このようにプラ
ズマジェット１４を加熱する結果、第１図にプラズマジ
ェット層１６で示されるように、一層幅の広い、より大
きな直径のプラズマジェット流が得られる。より大きな
直径のプラズマジェット流であれば、このジェット流中
に注入される粒子を一層容易にプラズマ流の境界内に留
めることができる。さらに、より大きな直径のプラズマ
ジエツ］へ流であれば、プラズマ温度が最適であるプラ
ズマジェット流内の区域が一層大きな半径をもつ。誘導
コイル１２からのエネルギー伝達ににるプラズマジエッ
１へ１４の加熱はプラズマジー　Ｉ　〇　− エツト１４の平均温度も高めて、軸線方向にお【ノる温
度低下による粒子の溶融に対する影響を小ざくする。こ
れらの３つの効果、即ち半径方向の温度低下を小さくす
ること、プラズマガンッ１〜を拡幅すること、および平
均温ｉを高めることの結果として、プラズマ流中に注入
された粒子はターゲット上に被着される前に一層均一に
加熱され一層完全に溶融する。この結果は境界層の区域
中の粒子について特に顕著である。本発明の方法に３１
：るようなプラズマジェットの加熱および拡幅を行わな
ければ、溶融状態に加熱されないか、またはターゲット
に達する前に再凝固してしまうような粒子が、本発明を
使用した場合には、Ｊ：り適切に加熱されより完全に溶
融する。本発明により得られるもう一つの利点は下流側
の誘導コイルに高周波交番電流を流すことにＪ：って生
じるプラズマジェットの外側のまわりのガスの加熱によ
り、プラズマジェットとこれを囲むガスとの間の摩擦が
増加し、これによりプラズマジェットの速度が減少する
。このプラズマジェットの速度の減少の結果、１６− ブラズマジエツ］〜の高熱ガス流における注入粒子の滞
留時間が長くなり、従って粒子の加熱が改良される。従
って、本発明の方法の結果、一層多数の適切に加熱され
た粒子がターゲットにあたることがわかる。

プラズマガンからのプラズマジェットを加熱および拡幅
する上述した方法を実施するのに適当な装置の１実施例
を、第２図の側面断面図に示す。

プラズマガン１８は高速ガス流（第２図に図示せず）を
受【プ入れる入口２２を含む。プラズマガン１８は電気
アークを発生ずるための陰極２６と陽極２０も含み、こ
れにより第２図にアーク放電２８として示されるように
ガス中にプラズマ放電を開始する。プラズマガン１８は
プラズマ放電の少なくとも一部をプラズマガン１８から
プラズマジエッ！−３２として吐出する出口２４も含む
。内部に流路３０を形成したヒータハウジング３４がプ
ラズマガン１８に連結されており、流路３０はプラズマ
ガン１８の出口２４と流体連通し、このためプラズマジ
ェット３２は流路３０を通るように導かれる。加熱用誘
導コイル３６が流路３０の外側に配置されている。第２
図に示す実施例では、誘導コイル３６はその長さ方向軸
線が流路３０の長さ方向軸線と同軸に位置するように配
置されている。また図示例では、流路３０が円筒形であ
り、誘導コイル３６が流路３０の外側のまわりにら旋状
に巻かれている。この装置はさらに、（第２図には示し
ていないが）誘導コイル３６に電気接続された普通の給
電手段を含み、これにより誘導：コイル３６に高周波交
番電流を流して、プラズマガンツ１〜３２の外層をその
中心より−ｂ多く加熱するとともに、プラズマガンツ１
−３２の平均温度を高める。

第２図では、プラズマガン１８は直流アークジェット・
プラズマガンよりなるものとして示したが、第３図に示
寸ような無Ｎ極無線周波（ＲＦ）プラズマガンで構成す
ることもできる。第３図は、本発明のさらに別の実施例
によるプラズマ流ノズルを概略的に示す側面断面図であ
る。このノズルは内部に主流路４２を形成したハウジン
グ４０を備え、入口開口／Ｉ４が流路４２の一端に位置
しかつ流路４２と流体連通関係にあり、また出口開口４
８が流路４２の反対端に位置しかつ流路４２と流体連通
関係にある。図示の実施例では、流れ断面積を減じるの
ど領域４６が流路４２内に配置されて、入口開口４４と
出口開口４８との中間に位置し、こののど領域４６を通
過するガスを加速してその下流にジエツ１〜流を形成す
る作用をなす。

しかし、他の慣例手段によってもジェット流を形成でき
ることを理解すべきである。第１の上流側の誘導コイル
５０が流路４２の入口端に位置し、第２の下流側の誘導
」イル５２が流路４２の出口端に位置する。第１の誘導
コイル５０および第２の誘導コイル５２はそれぞれ流路
４２の外側に設けられている。第３図に示す実施例にお
いて、第１の誘導コイル５０および第２の誘導コイル５
２はさらに、それぞれの長さ方向軸線が流路４２の長さ
方向軸線に対して同軸に位置するように配置されている
。また図示の実施例では、流路４２が円筒形であり、第
１の誘導コイル５０および第２１９− 誘導コイル５２がそれぞれ流路４２の外側のまわりにら
旋状に巻かれている。所望に応じて、第１の誘導コイル
５０と第２の誘導コイル５２はこれらが単一電気回路を
形成するように電気接続することができる。

本発明の別の実施例によれば、加熱され拡幅されたプラ
ズマジェットを有するプラズマ流を発生する方法として
、その内部にプラズマを確立しなければならないガス流
を第１の上流側の誘導コイルの中心軸線に沿って高速で
導き、第１の誘導コイルに高周波交番電流を流してガス
を加熱するとともにそこにプラズマ放電を開始させる段
階を含む。この方法はガス流およびプラズマ放電の少な
（とも一部からプラズマジェットを形成する段階を含む
。プラズマジェットを形成する１つの方法では、ガス流
およびプラズマ放電の一部を、流れ断面積を減じたのど
イ」き通路に導いていて、のど付き通路を通るガス流を
加速してプラズマジェットを作る。この方法はさらに、
得られたプラズマジェットを第２の下流側の誘導コイル
の中心軸線−２０＝ に沿って導く。高周波交番電流を第２の誘導コイルに流
して、プラズマジェットの外層を中心よりも多く加熱し
、プラズマジェットの平均温度を高める。好適実施例で
は、第１の誘導コイルに流れる高周波交番電流により約
２０〜１００キロワツトの出力を生じさせ、また同様に
第２の誘導コイルに流れる高周波交番電流により約２０
〜１００キロワツトの出力を生じさせる。各コイルに流
れる電流は約５００に１１７〜約１０Ｍ１ｌＺの周波数
の電流とするのが好ましい。また、第１の誘導コイルの
中心軸線に沿ってのガス流の速度を約５ｍ／秒〜５０　
ｌ／秒とするのが好ましい。第３図のプラズマ流ノズル
は本発明のこの実施例を実施するのに特に適当である。

加熱され拡幅されたプラズマジェットを有するプラズマ
流を発生する装置は、ここに示したプラズマ流ノズルと
共に、さらに（第３図には示していないが）入口開口４
４と流体連通関係に連結された、高速ガス流を流路４２
に導入するための慣例手段を備える。この装置はさらに
、（同じく第３図には示していないが）第１の誘導コイ
ル５０に電気接続された普通の給電手段を含み、これに
より同コイルに高周波交番電流を流してコイル５０の中
心軸線に沿って流れるガスを加熱するとともに、流路４
２に流れるガス中にプラズマ放電５６を開始さける。こ
の装置はさらに、（同じく第３図には示していないが）
第２の誘導コイル５２に電気接続された普通の給電手段
を含み、これにＪ：り同コイルに高周波交番電流を流し
て、のど領域５６を通過するガスから形成されるジエン
１−流５８の外層をジツエット流５８の中心よりも多く
加熱」ノ、ジェット流５８の平均温度を高める。本発明
のこの実施例に従って発生したプラズマ流は、上述した
望ましい特徴に加えて、はとんど均一な半径方向温度分
布を有する幅の広い長いプラズマ放電を特徴とする利点
を有する。さらに、プラズマが確立されるガスの流速を
非常に低くすることができ、従ってプラズマ中に注入さ
れた粒子の滞留時間が非常に長くなる。

またプラズマ密度を非常に高くすることができ、これに
よりプラズマから注入粒子への熱伝達を容易にし、さら
に粒子の溶融と加速、並びにターゲラ１−の仕上り特性
を改良する。

以上、プラズマ溶射ガンから出てくるプラズマジェット
を、下流側の誘導コイルを用いて加熱し拡幅する方法を
説明した。本発明はまた、半径方向および軸線方向の両
方での温度低下が少ないプラズマ流を発生刃る方法も提
供する。本発明はさらに、そこを流れるガス流を加熱す
る誘導コイルを有するプラズマ流ノズル、ならびに加熱
され拡幅されたプラズマジェットを有するプラズマ流を
発生する装置も提供する。

本発明をいくつかの好適実施例について説明したが、当
業者であれば多数の変更、改変を加えることができる。

例えば、この装置がはマ円形断面をもつものとして説明
し図示したが、長方形やだ円断面のような他の断面形状
を採用できることを理解すべきである。さらに、誘導コ
イル巻線を第２および３図ではハウジング中に埋設され
ているものとして示したが、巻線をハウジングの内面ま
たは外面に取付けることもできる。そのほかに、−とｄ
− 第２図のハウジング３４および第３図のハウジング４０
は石英で構成したが、その他の耐熱雷気絶縁材判も使用
できる。誘導コイルにより発生する無線周波エネルギー
がハウジング３４および４０それぞれに吸収されるのを
最小にするような手段を設ければ、ハウジング３４およ
び４０を金属製とすることさえ可能である。また、第２
図の陰極２６と陽極２０が金属よりなるものとして示し
たが、他の導電材料も使用できる。従って特許請求の範
囲はこのような変更例および改変すべてをその範囲内に
包含するものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１実施例の概略側面断面図、第２図
は本発明の第２実施例の第１図と同様の断面図、そして 第３図は本発明の第３実施例の第１図と同様の断面図で
ある。 １０．１８・・・プラズマ溶射ガン、 １２．３６．５０．５２・・・誘導コイル、１４．３２
．５８・・・プラズマジェット、−２５−、、。 ２４− １６・・・プラズマジェット層、 ２２．４．４・・・入　口、 ２８、／１８・・・出　口、 ３０．４．２・・・流　路、 ３４、／１０・・・ハウジング、 ４６．５６・・・のど領域。 特許出願人 ゼネラル・エレク１〜リック・カンパニイ代理人　（７
６３０）　生　沼　徳　二２６一

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、プラズマ溶射ガンから出てくるプラズマジェットを
   加熱し拡幅する方法であって、プラズマジェットを誘導
   コイルの中心軸線に沿って導き、 この誘導コイルに高周波交番電流を流して、上記プラズ
   マジェットの外層をその中心よりも多く加熱し、かつ上
   記プラズマ放電ッ１−の平均温度を高めることを特徴と
   する方法。 ２、上記誘導コイルに流れる高周波交番電流により約２
   ０〜１００キロワツトの出力を生じさせる特許請求の範
   囲第１項記載の方法。 ３、上記高周波交番電流が約５００に＋−１２−’ｌｌ
   ｌ０　Ｍ　Ｈｚの周波数の電流である特許請求の範囲第
   １項記載の方法。 ４、プラズマを生じさせるべぎガス流を第１の誘導コイ
   ルの中心軸線に沿って高速で導き、上記第１の誘導コイ
   ルに高周波交番電流を流して、上記ガスを加熱し、かつ
   このガス中にプラズマ放電を開始させ、 上記ガス流および上記プラズマ放電の少なくとも一部か
   らプラズマジェットを形成し、上記プラズマジェットを
   第２の誘導コイルの中心軸線に沿って導き、 上記第２の誘導コイルに高周波交番電流を流して上記プ
   ラズマジェットの外層をその中心よりも多く加熱し、か
   つプラズマジェットの平均温疾を高めることを特徴とす
   る、加熱され拡幅されたプラズマジェットを有するプラ
   ズマ流を発生する方法。 ５、上記第１の誘導コイルの中心軸線に沿ったガス流の
   速麿が約５〜５０ｍ／秒である特許請求の範囲第４項記
   載の方法。 ６、上記第１の誘導コイルに流れる高周波交番電流によ
   り約２０〜１００キロワツトの出力を生じさせ、上記第
   ２の誘導＝１イルに流れる高周波交番電流により約２０
   〜１００〜１−ロワッ１〜の出力を生じさせる特許請求
   の範囲第４項記載の方法。 ７、上記第１の誘ｌｊ］イルに流れる高周波交番電流が
   約５００Ｋｌ−１７〜１０　Ｍ　ｌ−Ｉ　Ｚの周波数の
   電流であり、上記第２の誘導コイルに流れる高周波交番
   電流が約５００ＫＩ−１ｚ　〜１　ｏＭｌ−１ｚの周波
   数の電流である特許請求の範囲第４項記載の方法。 ８、上記プラズマジェットを形成する段階が、上記ガス
   流および上記プラズマ放電の少なくとも一部を、流れ断
   面積を小さくしたのど付き通路に導いて、こののどイー
   １き通路を流れるガス流を加速してプラズマジェットを
   生じさせることよりなる特許請求の範囲第４項記載の方
   法。 ９、入口および出口を持つプラズマガンであって、高速
   ガス流を受けて、このガス中にプラズマ放電を開始させ
   、このプラズマ放電の少なくとも一部を上記出口を介し
   てプラズマジェットの形態で吐出するプラズマガン、 内部に流路を形成したヒータハウジングであって、この
   流路が上記プラズマガンの出口と流体連通していて、上
   記プラズマジェットを上記流路に導くヒータハウジング
   、 」１記流路の外側に配置された加熱用誘導コイル、およ
   び この加熱用誘導コイルに電気接続されていて、この加熱
   用誘導コイルに高周波交番電流を流して、上記プラズマ
   ジェットの外層をその中心よりも多く加熱し、かつ上記
   プラズマジェットの平均温度を高める手段 を有するプラズマジェット発生装置。 １０、上記加熱用誘導コイルを、このコイルの長さ方向
   軸線が上記流路の長さ方向軸線と同軸に位置するように
   配置した特許請求の範囲第９項記載の装置。 １１、上記流路が円筒形であり、上記加熱用誘導コイル
   が上記流路の外側にら旋状に巻かれている特許請求の範
   囲第１０項記載の装置。 １２、上記プラズマガンが直流アークジェット・プラズ
   マガンである特許請求の範囲第９項記載の装置。 ３− １３、上記プラズマガンが無電極無線周波プラズマガン
   である特許請求の範囲第９項記載の装置。 １４、内部に主流路を形成したハウジング、上記流路の
   一端に位置し、上記流路と流体連通している入口開口、 上記流路の反対端に位置し、上記流路と流体連通してい
   る出口開口、 上記流路の入口端に位置し、上記流路の外側に設けられ
   た第１の誘導コイル、および 」：記流路の出目端に位置し、上記流路の外側に設けら
   れた第２の誘′ｆ４コイル を有するプラズマ流ノズル。 １５　、．１：２第１および第２の誘導コイルを、各誘
   導コイルの長さ方向軸線が上記流路の長さ方向軸線と同
   軸に位置するように配置した特許請求の範囲第１４項記
   載のプラズマ流ノズル。 １６、上記流路が円筒形であり、上記第１および第２の
   誘導コイルがそれぞれ上記流路の外側にら旋状に巻かれ
   ている特許請求の範囲第１５項記載のプラズマ流ノズル
   。 ４− １７、上記第１および第２の誘導コイルが電気接続され
   て単一電気回路を形成している特許請求の範囲第１４項
   記載のプラズマ流ノズル。 １８、上記主流路内に配置され、該流路の人目端と出口
   端との間に位置する流れ断面積の減少したのど領域を含
   み、こののど領域を通過するガスを加速してこののど領
   域の下流にプラズマ流を形成する特許請求の範囲第１４
   項記載のプラズマ流ノズル。 １９、特許請求の範囲第１４項記載のプラズマ流ノズル
   を含むと共に、さらに 一ト記流路の入口開口と流体連通関係で連結され、上記
   流路に高速ガス流を導入する手段、上記第１の誘導コイ
   ルに電気接続され、この第１の誘導コイルに高周波交番
   電流を流して、この第１の誘導コイルの中心軸線に沿っ
   て上記流路内に流れるガスを加熱し、かつこのガス中に
   プラズマ放電を開始させる手段、および 上記第２の誘導コイルに電気接続され、この第２の誘導
   コイルに高周波交番電流を流して、上記流路内に流れる
   既にプラズマ放電が開始しているガスから形成されるプ
   ラズマ流の外層を加熱し、このプラズマ流の平均温度を
   高める手段を含んでいる、加熱され拡幅されたプラズマ
   ジェットを有するプラズマ流を発生ずる装置。 ２、特許請求の範囲第１６項記載のプラズマ流ノズルを
   含むと共に、さらに 上記流路の入口開口と流体連通関係で連結され、上記流
   路に高速ガス流を導入する手段、上記第１の誘導コイル
   に電気接続され、この第１の誘導コイルに高周波交番電
   流を流して、この第１の誘導コイルの中心軸線に沿って
   上記流路内に流れるガスを加熱し、かつこのガス中にプ
   ラズマ放電を開始させる手段、および 上記第２の誘導コイルに電気接続され、この第２の誘導
   コイルに高周波交番電流を流して、上記流路内に流れる
   既にプラズマ放電が開始しているガスから形成されるプ
   ラズマ流の外層を加熱し、かつこのプラズマ流の平均温
   度を高める手段を含んでいる、加熱され拡幅されたプラ
   ズマジェットを有するプラズマ流を発生する装置。 ２、特許請求の範囲第１７項記載のプラズマ流ノズルを
   含むと共に、さらに 上記流路の入口開口と流体連通関係で連結され、上記流
   路に高速ガス流を導入する手段、および上記単一電気回
   路に電気接続されていて、電気接続された上記第１およ
   び第２の誘導コイルに高周波交番電流を流して、上記流
   路内に流れるガスを加熱し、かつこのガス中にプラズマ
   放電を開始させ、また上記流路内に流れる既にプラズマ
   放電が開始しているガスから形成されるプラズマ流を加
   熱して、上記プラズマ流の外層をその中心より多く加熱
   し、かつプラズマ流の平均温度を高める手段 を含んでいる、加熱され拡幅されたプラズマジェットを
   有するプラズマ流を発生する装置。 ２、特許請求の範囲第１８項記載のプラズマ流ノズルを
   含むと共に、さらに 上記流路の入口開口と流体連通関係で連結され、上記流
   路に高速ガス流を導入する手段、７− 上記第１の誘導コイルに電気接続され、この第１の誘導
   コイルに高周波交番電流を流して、これにより−Ｖ配流
   路内を上記第１の誘導コイルの中心軸線に沿って流れる
   ガスを加熱し、かつこのガス中にプラズマ放電を開始さ
   せる手段、および上記第２の誘導コイルに電気接続され
   、どの第２の誘導コイルに高周波交番電流を流して、上
   記のど領域を通過するガスから形成されたプラズマジェ
   ット流の外層を加熱し、かつこのプラズマジェット流の
   平均温度を高める手段 を含んでいる、加熱され拡幅されたプラズマジェットを
   有するプラズマ流を発生する装置。