JPS60247951A - プラスチツク・パツケ−ジ半導体装置 - Google Patents

プラスチツク・パツケ−ジ半導体装置

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Publication number
JPS60247951A
JPS60247951A JP59103819A JP10381984A JPS60247951A JP S60247951 A JPS60247951 A JP S60247951A JP 59103819 A JP59103819 A JP 59103819A JP 10381984 A JP10381984 A JP 10381984A JP S60247951 A JPS60247951 A JP S60247951A
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JP
Japan
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plastic
semiconductor device
antistatic agent
plastic package
film
Prior art date
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Pending
Application number
JP59103819A
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English (en)
Inventor
Seiichi Iwamatsu
誠一 岩松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp, Suwa Seikosha KK filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP59103819A priority Critical patent/JPS60247951A/ja
Publication of JPS60247951A publication Critical patent/JPS60247951A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H01L23/60—Protection against electrostatic charges or discharges, e.g. Faraday shields
    • H—ELECTRICITY
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、プラスチック・パッケージ半導体装置におけ
るプラスチック・パッケージの摩擦帯電防止のためのプ
ラスチック・パッケージ表面構造及び材料構成に関する
。
〔従来技術〕
従来、プラスチック・パッケージ半導体装置は、プラス
チックとしてエポキシ樹脂に石英製バインダーを入れた
材料等が用いられ、プラスチック・パッケージ表面が捺
印あるいは検電時にトレー治具等と摩擦し、静電気を発
生し、そのため、該静電気の放電時半導体装置とりわけ
ＭＯ８型Ｉ、Ｓ工のゲート絶縁膜破壊等の静電破壊を起
す欠点があった。
〔目的〕
本発明は、かかる従来技術の欠点をなくシ、摩擦帯電の
ないプラスチック・パッケージ半導体装置を提供するこ
とを目的とする。
〔概要〕
上記目的を達成するための本発明の基本的な構成は、プ
ラスチツタ・パッケージ半導体装置に於て１ （１）　プラスチック・パッケージ表面には少くとも部
分的に導電性膜が形成されて成る事を特徴とする事、及
び、 （２）　プラスチック・パッケージ表面にはベンゼン・
スルホン酸等の絶縁性帯電防止剤が塗布されて成る事を
特徴とする事、及び、 （３）　プラスチック・パッケージのプラスチックには
ベンゼン・スルホン酸等の帯電防止剤が混入されて成る
事、 等である。
〔実施例〕
以下、実施例により本発明を詳述する。
第１図は、本発明の一実施例を示すプラスチック・パン
ケージ半導体装置の断面口である。すなわち、半導体チ
ップ１はフレーム２にワイヤー３等により組立てられ、
その周辺をエポキシ樹脂等プラスチック４によって封止
され、該プラスチック４の表面及び裏面あるいはそのい
ずれかの一面にＡｔ膜あるいは導電性帯電防止剤膜５等
が形成されて成る。
本発明の他の実施例としてプラスチック・ノ％ｙケージ
表面に絶縁性帯電防止剤を塗布する事や、プラスチック
に絶縁性帯電防止剤を混入させる方法等がある。
〔効果〕
本発明の如く、少くとも摩擦面に帯電防止処理、加工を
施すことにより、プラスチック・パッケージの帯電が防
止され、プラスチック・パッケージ半導体装置の静電破
壊が防止出来る効果がある
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を示すプラスチック・パッケ
ージ半導体装置の断面口である。 １・・・・・・半導体装置チップ ２・・・・・・フレーム ５・・・・・・リー　ド線 ４・・・・・・プラスチック ５・・・・・・導電性膜 第１

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 （１）　プラスチック・パッケージ表面には少くとも部
    分的に導電性膜が形成されて成る事を特徴とするプラス
    チック・パッケージ半導体装置。 （２）　プラスチック・パッケージ表面にはベンゼン・
    スルホン酸等の絶縁性帯電防止剤が塗布されて成る事を
    特徴とするプラスチック・バクケージ半導体装置。 （８）　プラスチック・パッケージのプラスチックには
    ベンゼン・スルホン膜等の絶縁性帯電防止剤が混入され
    て成る事を特徴とするプラスチック・パッケージ半導体
    装置。
JP59103819A 1984-05-23 1984-05-23 プラスチツク・パツケ−ジ半導体装置 Pending JPS60247951A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59103819A JPS60247951A (ja) 1984-05-23 1984-05-23 プラスチツク・パツケ−ジ半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59103819A JPS60247951A (ja) 1984-05-23 1984-05-23 プラスチツク・パツケ−ジ半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS60247951A true JPS60247951A (ja) 1985-12-07

Family

ID=14364015

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59103819A Pending JPS60247951A (ja) 1984-05-23 1984-05-23 プラスチツク・パツケ−ジ半導体装置

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JP (1) JPS60247951A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63127135U (ja) * 1987-02-10 1988-08-19
JPH0325960A (ja) * 1989-06-23 1991-02-04 Nec Kyushu Ltd 半導体装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63127135U (ja) * 1987-02-10 1988-08-19
JPH0325960A (ja) * 1989-06-23 1991-02-04 Nec Kyushu Ltd 半導体装置

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