JPS60245354A - 接触形イメ−ジセンサ - Google Patents
接触形イメ−ジセンサInfo
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- JPS60245354A JPS60245354A JP59100620A JP10062084A JPS60245354A JP S60245354 A JPS60245354 A JP S60245354A JP 59100620 A JP59100620 A JP 59100620A JP 10062084 A JP10062084 A JP 10062084A JP S60245354 A JPS60245354 A JP S60245354A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、像情報読み取りセンサすなわちイメージセン
サにかかるものであり、特にレンズ系ヲ使用しないで直
接的に情報を読み取る接触形イメージセンサに関するも
のである。
サにかかるものであり、特にレンズ系ヲ使用しないで直
接的に情報を読み取る接触形イメージセンサに関するも
のである。
ファクタばり装置、を子メールあるいは複写機などにお
いては、所定の原稿読み取り装置が必要であるが、かか
る装置としては通常イメージセンサと該イメージセンサ
の撮1象rfJt−焦点面とする縮小投影光学系とが使
用される。
いては、所定の原稿読み取り装置が必要であるが、かか
る装置としては通常イメージセンサと該イメージセンサ
の撮1象rfJt−焦点面とする縮小投影光学系とが使
用される。
このイメージセンサとしては、ccD(電荷結合素子)
などのデバイスが用いられる。しかしこのタイプで杜、
縮小投影光学系及び焦点合せのための調整機構が必要で
゛あることから装置が大型化するという不都合がある。
などのデバイスが用いられる。しかしこのタイプで杜、
縮小投影光学系及び焦点合せのための調整機構が必要で
゛あることから装置が大型化するという不都合がある。
これを改善するため、密着形センサが考案されている。
このタイプでは屈折率分布形微小ロツドンンズアレイあ
るいは光フアイバアレイなどの1:1の光学系が使用さ
れるが、これらの光学系は高価であるとともに、焦点調
整機構が必要であり、また装置の小型化にも限界がある
。
るいは光フアイバアレイなどの1:1の光学系が使用さ
れるが、これらの光学系は高価であるとともに、焦点調
整機構が必要であり、また装置の小型化にも限界がある
。
かかる観点から、原稿読み取り装置の小型化。
低コスト化あるいは製造工程の簡略化を図るために、収
束性光学系や光ファイバなどの導光系管用いることなく
直接的にイメージを読み取る接触形センサが開発されて
いる。この接触形センサとしては例えばボッ2図に示す
ものがある。この図において、センサの中心である受光
部I OA、 10 B。
束性光学系や光ファイバなどの導光系管用いることなく
直接的にイメージを読み取る接触形センサが開発されて
いる。この接触形センサとしては例えばボッ2図に示す
ものがある。この図において、センサの中心である受光
部I OA、 10 B。
10Cは、遮光膜12を介してガラス板、プラスチック
板などの透明基板14上に各々形成されており、透明保
護層16によって覆われている。受光部10A、10B
、10Cの隣接する部分には、遮光膜12が形成されて
いない部分すなわち照明窓18が各々形成されている。
板などの透明基板14上に各々形成されており、透明保
護層16によって覆われている。受光部10A、10B
、10Cの隣接する部分には、遮光膜12が形成されて
いない部分すなわち照明窓18が各々形成されている。
照明光束L1は、一点鎖線で示すように、透明基板14
の下方から入射する。すなわち、照明光束L1は、透明
基板14を通過し、次に照明窓18會通過した後、透明
保護層16を経て原稿面20に達する。なお、この場合
において、遮光膜12により受光部10 A、 10.
B。
の下方から入射する。すなわち、照明光束L1は、透明
基板14を通過し、次に照明窓18會通過した後、透明
保護層16を経て原稿面20に達する。なお、この場合
において、遮光膜12により受光部10 A、 10.
B。
IQCに対する照明光束L1の直接の入射が防止される
。
。
原稿面20に達した照明光束は、例えば点PAにおいて
、該部分のイメージの濃淡に応じた強度で散乱される。
、該部分のイメージの濃淡に応じた強度で散乱される。
これらのうち、散乱光L2Bは、再度透明保護層16會
経て受光部10Bに入射し、ここで点PAのイメージの
濃淡に応じた電気信号に変換される。また、他の散乱光
L2A、L2Cは、受光部10BK隣接する受光部10
A、10Cに各々入射し、電気信号に変換される。従っ
て、各受光部から出力される電気信号は、原稿面2oに
おけるイメージに対する情報が重畳した形で表わされる
こととなる。従って、1つの受光部処着目した場合、読
み取るべき原稿面20の対応部分からの散乱光による信
号と、それ以外の迷光にょるノイズとの比すなわちS/
N比が大きい桿、センサとしての読み取り能力が良いこ
とになる。
経て受光部10Bに入射し、ここで点PAのイメージの
濃淡に応じた電気信号に変換される。また、他の散乱光
L2A、L2Cは、受光部10BK隣接する受光部10
A、10Cに各々入射し、電気信号に変換される。従っ
て、各受光部から出力される電気信号は、原稿面2oに
おけるイメージに対する情報が重畳した形で表わされる
こととなる。従って、1つの受光部処着目した場合、読
み取るべき原稿面20の対応部分からの散乱光による信
号と、それ以外の迷光にょるノイズとの比すなわちS/
N比が大きい桿、センサとしての読み取り能力が良いこ
とになる。
以上のような観点から、透明保護層16の厚み。
照明光束L1の入射角度、照明窓18の面積の大きさな
いしは受光部10A、1013.1DCの面積の大きさ
などの相互関係を考慮したイメージセンサが開発されて
いる。しかしながら、以上のようなレンズ系を持たない
センサ構造ではS/N比が十分でな(分解能は8本/団
が限度である上に、製造上の各部の形状寸法のバラツキ
が読み取り能力管大きく支配することとなり、特性の再
現性も悪いという欠点がある。
いしは受光部10A、1013.1DCの面積の大きさ
などの相互関係を考慮したイメージセンサが開発されて
いる。しかしながら、以上のようなレンズ系を持たない
センサ構造ではS/N比が十分でな(分解能は8本/団
が限度である上に、製造上の各部の形状寸法のバラツキ
が読み取り能力管大きく支配することとなり、特性の再
現性も悪いという欠点がある。
そこで、第16図及び第14図に示すような構造のイメ
ージセンサが考えられた。第16図は断面図であり、こ
の図の二点鎖線で囲んだ部分を矢印X1■から見た図が
第14図である。これら第13図及び第14図において
、受光部3oは、受光部30Aと、30Bとを各々有し
ており、また、受光部32は受光部32Aと32BK−
1受光部64は受光部3dAと3iiBを各々有してい
る。遮光膜36は、隣接する受光部間に形成されている
。
ージセンサが考えられた。第16図は断面図であり、こ
の図の二点鎖線で囲んだ部分を矢印X1■から見た図が
第14図である。これら第13図及び第14図において
、受光部3oは、受光部30Aと、30Bとを各々有し
ており、また、受光部32は受光部32Aと32BK−
1受光部64は受光部3dAと3iiBを各々有してい
る。遮光膜36は、隣接する受光部間に形成されている
。
例えば、受光部30Aと32B、受光部32Aと34B
との間に各々形成されている。従って、照明窓38は、
受光部30,32. 34の中央に形成されることとな
る (第14図参照)。照明光束L3は、透明基板14
.照明窓38及び透明保護層16を各々経て原稿面20
で散乱される。散乱光L4は、例えば受光部30A、3
2A、32B。
との間に各々形成されている。従って、照明窓38は、
受光部30,32. 34の中央に形成されることとな
る (第14図参照)。照明光束L3は、透明基板14
.照明窓38及び透明保護層16を各々経て原稿面20
で散乱される。散乱光L4は、例えば受光部30A、3
2A、32B。
34Bに各々入射する。この例では、照明光束L6の原
稿面20に対する入射角度が上記従来例よりも大となる
ため、散乱光り乙のうち散乱光L4A。
稿面20に対する入射角度が上記従来例よりも大となる
ため、散乱光り乙のうち散乱光L4A。
L4Dによる影響が相対的に低減されることとなる。こ
のような構造によって、あるへ度の分解能の向上は認め
られたが、受光部の受光面積と、照明窓の開口面積とが
上述した従来例より小さくなるため、受光部から出力さ
れる電気信号も小さ゛(なる。もちろん、照明窓の開口
面積を大きくすれば散乱光の光量は増大するが、逆に受
光部の面積が減少するため、結果として得られる電気信
号は増加゛しない。他方、受光部の面積全人き(すれば
散乱光の受光量は増大するものの迷光による影響を受け
やすくなり、S/N比が低下して分解能も低下すること
となる。
のような構造によって、あるへ度の分解能の向上は認め
られたが、受光部の受光面積と、照明窓の開口面積とが
上述した従来例より小さくなるため、受光部から出力さ
れる電気信号も小さ゛(なる。もちろん、照明窓の開口
面積を大きくすれば散乱光の光量は増大するが、逆に受
光部の面積が減少するため、結果として得られる電気信
号は増加゛しない。他方、受光部の面積全人き(すれば
散乱光の受光量は増大するものの迷光による影響を受け
やすくなり、S/N比が低下して分解能も低下すること
となる。
本発明は、以上の欠点を解決するためになされたもので
、S/N比が高(十分な分解能分有するとともに、製造
の容易な接触形イメージセンサを提供することケその目
的とするものである。
、S/N比が高(十分な分解能分有するとともに、製造
の容易な接触形イメージセンサを提供することケその目
的とするものである。
本発明は、原稿面から散乱された散乱光が受光素子に入
射するに際して、該受光素子に対する散乱光の入射角度
によって、受光素子への散乱光の入射光量が変化する手
段を設けることによって前記目的を達成しようとするも
のである。
射するに際して、該受光素子に対する散乱光の入射角度
によって、受光素子への散乱光の入射光量が変化する手
段を設けることによって前記目的を達成しようとするも
のである。
以下、本発明にかかる接触形イメージセンサ全添附図面
に示す実施例に基づいて詳細に説明する。
に示す実施例に基づいて詳細に説明する。
まず、第1図ないし第3図に基づいて本発明の第1実施
例について説明する。第2図には、基本的な溝数が示さ
れており、第1図には光の進行の態様が示されている。
例について説明する。第2図には、基本的な溝数が示さ
れており、第1図には光の進行の態様が示されている。
これら@1図及び第2図において、ガラスあるいはプラ
スチックなどで形成された透明基板100上には、適宜
の間隔をおいて遮光膜102が形成されており、この上
には受光部104,106,108が各々形成されてい
る。実際には、図の左右方向に複数の受光部が一次元状
に形成されるが、図はその一部を断面して示すため、受
光部10.i、106.’108が示されている。更に
1これらの受光部IQ4.IQ6゜108上には、角度
フィルタ110が各々形成されている。また、これらの
角度フィルタ110の上には、全体に透明保護層112
が形成されている。原稿114は、紙面に対して垂直の
方向に相別的に移動する。なお、隣接する受光部1o4
゜106.108間には、照明窓116が各々形成され
ている。
スチックなどで形成された透明基板100上には、適宜
の間隔をおいて遮光膜102が形成されており、この上
には受光部104,106,108が各々形成されてい
る。実際には、図の左右方向に複数の受光部が一次元状
に形成されるが、図はその一部を断面して示すため、受
光部10.i、106.’108が示されている。更に
1これらの受光部IQ4.IQ6゜108上には、角度
フィルタ110が各々形成されている。また、これらの
角度フィルタ110の上には、全体に透明保護層112
が形成されている。原稿114は、紙面に対して垂直の
方向に相別的に移動する。なお、隣接する受光部1o4
゜106.108間には、照明窓116が各々形成され
ている。
上述した角度フィルタ110は、高屈折率物質(例えば
TiO2,ZrO2,ZnS等)と低屈折率物質(例え
ハSiO2,MgF’2等)を真空蒸着、イオンブレー
ティング法、スパッタリング法、CVD法等罠より交互
に積層し、例えば第6図に示すような入射角度特性?有
する様に製造したものである。
TiO2,ZrO2,ZnS等)と低屈折率物質(例え
ハSiO2,MgF’2等)を真空蒸着、イオンブレー
ティング法、スパッタリング法、CVD法等罠より交互
に積層し、例えば第6図に示すような入射角度特性?有
する様に製造したものである。
ただしこの特性は、緑色LED (中心波長555nm
。
。
半値幅25nm)を光源として使用した場合の例で、実
線は、光の入射角度θを変化させた場合の光の透過率を
示し、破線は、同様の場合の光の反射率を示す。この第
3図に示すように、光の入射角度θが略30’以上にな
ると、入射光は角度フィルタ110で反射されるように
なる。
線は、光の入射角度θを変化させた場合の光の透過率を
示し、破線は、同様の場合の光の反射率を示す。この第
3図に示すように、光の入射角度θが略30’以上にな
ると、入射光は角度フィルタ110で反射されるように
なる。
次に、上記実施例の全体的作用について説明する。照明
光束LAは、第1図に示すように、透明基板100の下
方から照射される。この照明光束LAは、透明基板10
0から透明窓116及び透明保護層112奮通過して原
稿114の原稿面118に達(1、ここで散乱される。
光束LAは、第1図に示すように、透明基板100の下
方から照射される。この照明光束LAは、透明基板10
0から透明窓116及び透明保護層112奮通過して原
稿114の原稿面118に達(1、ここで散乱される。
このため散乱光LB1.LB2.LB3が各々受光部1
04゜106.108に入射せんとする。この場合にお
いて、散乱光LB1.LB3は、角度フィルタ110に
対する入射角度θが30°以上となるため、角度フィル
タ110によって90%以上が反射されることとなる。
04゜106.108に入射せんとする。この場合にお
いて、散乱光LB1.LB3は、角度フィルタ110に
対する入射角度θが30°以上となるため、角度フィル
タ110によって90%以上が反射されることとなる。
他方、角度フィルター10に対する入射角度θが30°
以下である散乱光LB2は、角度フィルタ110を通過
して受光部106に入射することとなる。
以下である散乱光LB2は、角度フィルタ110を通過
して受光部106に入射することとなる。
ここで、透明保護層112の厚さt=Mで表わし、受光
部107i、10(S、108の間隙t2Lで表わした
場合、 30’ (jan” (−) の条件1満すようにり、Mの値を決めると、原稿面11
8上の任意の点のイメージに対する情報が複数の受光部
において検出されることはない。本実施例に関して試作
した装置では、受光素子の密度が8個/mm、2L=6
2.5μm、M=50μmであり、S/N比の良好な接
触形イメージセンナが得られている。
部107i、10(S、108の間隙t2Lで表わした
場合、 30’ (jan” (−) の条件1満すようにり、Mの値を決めると、原稿面11
8上の任意の点のイメージに対する情報が複数の受光部
において検出されることはない。本実施例に関して試作
した装置では、受光素子の密度が8個/mm、2L=6
2.5μm、M=50μmであり、S/N比の良好な接
触形イメージセンナが得られている。
次に、本発明の第2実施例について第4図及び第5図を
参照しながら説明する。
参照しながら説明する。
この実施例では、第4図に示すように、照明光源20゛
υの上部にバンドパスフィルタ202が形成されている
。この照明光源260の上方に第1図ないし第2図に示
す構造のイメージセンサ204が配置されており、更に
その上部には原稿206が相対的に移動するように配置
されている。
υの上部にバンドパスフィルタ202が形成されている
。この照明光源260の上方に第1図ないし第2図に示
す構造のイメージセンサ204が配置されており、更に
その上部には原稿206が相対的に移動するように配置
されている。
この実施例では、第6図に示す角度フィルタ110の特
性に、バンドパスフィルタ202の特性が積算されるこ
ととなる。第5図には、この積算された光の透過率の入
射角度特性の一例が示されている。この特性は、原稿2
06に達する照明光束のスベクトル半値幅を約10nm
とした場合のものである。この第5図に示すように、散
乱光LB1゜LB3の如く角度フィルタ110に対する
入射角度θが約15°以上の場合には、角度フィルタ1
10の表面で反射されることとなり、前記散乱光LB2
の如く入射角度θが15°以内の光だけが受光部10コ
に達することとなる。従って、透明保護層112の厚さ
Mを太き(とらなければ、受光部104゜106.10
8のほぼ真上にあるイメージのみを読み取ることが可能
となる。本実施例に関して試作した装置では、受光素子
の密度を10個/171 mとし、2 L −50μm
、M = A OpmとすることKよって優れた解像力
と良好なS、/N比を得ている。
性に、バンドパスフィルタ202の特性が積算されるこ
ととなる。第5図には、この積算された光の透過率の入
射角度特性の一例が示されている。この特性は、原稿2
06に達する照明光束のスベクトル半値幅を約10nm
とした場合のものである。この第5図に示すように、散
乱光LB1゜LB3の如く角度フィルタ110に対する
入射角度θが約15°以上の場合には、角度フィルタ1
10の表面で反射されることとなり、前記散乱光LB2
の如く入射角度θが15°以内の光だけが受光部10コ
に達することとなる。従って、透明保護層112の厚さ
Mを太き(とらなければ、受光部104゜106.10
8のほぼ真上にあるイメージのみを読み取ることが可能
となる。本実施例に関して試作した装置では、受光素子
の密度を10個/171 mとし、2 L −50μm
、M = A OpmとすることKよって優れた解像力
と良好なS、/N比を得ている。
次に、本発明の第6実施例ケ第6図を参照しながら説明
する。この実施例は、第13図に示す従来例に対応する
ものである。第6図において、透明基板300上に形成
された受光部602は受光部302A、302Bi各々
有しており、また受光?fIX301は受光部ろOdA
、504Bを、受光部606は受光部306A、3[]
]6Bt−各々している。遮光膜308f′i、隣接す
る受光部間に形成されている。例えば受光部302Bと
30AA。
する。この実施例は、第13図に示す従来例に対応する
ものである。第6図において、透明基板300上に形成
された受光部602は受光部302A、302Bi各々
有しており、また受光?fIX301は受光部ろOdA
、504Bを、受光部606は受光部306A、3[]
]6Bt−各々している。遮光膜308f′i、隣接す
る受光部間に形成されている。例えば受光部302Bと
30AA。
受光部304Bと306Aの間に各々形成され℃いる。
従って、照明窓310は、受光部602゜304.30
6の中央に形成されるこことなる(第14図参照)。ま
た、受光部302,304゜306の上には、角度フィ
ルタ612が各々形成されている。
6の中央に形成されるこことなる(第14図参照)。ま
た、受光部302,304゜306の上には、角度フィ
ルタ612が各々形成されている。
この角度フィルタ612は、例えば光源として緑色LE
D (中心波長555 nm、半値幅25nm)?用い
たとき、第3図の実肩で示す透過率−入射角度特性c以
下「α特性」という)を持っている。
D (中心波長555 nm、半値幅25nm)?用い
たとき、第3図の実肩で示す透過率−入射角度特性c以
下「α特性」という)を持っている。
また第4図に示すバンドパスフィルタ202を光源に設
けた場合には第5図に示す透過率−入射角If特性c以
下「β特性」という)1有することとなる。
けた場合には第5図に示す透過率−入射角If特性c以
下「β特性」という)1有することとなる。
この実施例では、受光部302,304.306に入射
する原稿面311による散乱光の光量は若干減少するこ
ととなる。しかし、受光素子の密度18個/rmme
2 L = 62.5 pm、 M= 50 μmとし
、また、照明窓610の開口長D=20μmとして試作
した装置によれば、前述したα特性、β特性のいずれに
対しても高い分解能を得ることができた。
する原稿面311による散乱光の光量は若干減少するこ
ととなる。しかし、受光素子の密度18個/rmme
2 L = 62.5 pm、 M= 50 μmとし
、また、照明窓610の開口長D=20μmとして試作
した装置によれば、前述したα特性、β特性のいずれに
対しても高い分解能を得ることができた。
次に1本発明の第4実施例を第7図を参照しながら説明
する。第7図において、透明基板Ao。
する。第7図において、透明基板Ao。
上&IJlt、適宜の間隔をおいて遮光膜7102が形
成されており、この上には、受光部404. 406゜
408が各々形成されている。これらの受光部AQA、
AO6,408上には、角度フィルタ410が各々形成
されている。また、これらの角度フィルタ410の上に
は、透明保護層412が形成されている。更に1隣接す
る受光部404゜406.408間には、照明窓414
が各々形成されている。以上の構成は、第1図又は第2
図に示す実施例と同様である。
成されており、この上には、受光部404. 406゜
408が各々形成されている。これらの受光部AQA、
AO6,408上には、角度フィルタ410が各々形成
されている。また、これらの角度フィルタ410の上に
は、透明保護層412が形成されている。更に1隣接す
る受光部404゜406.408間には、照明窓414
が各々形成されている。以上の構成は、第1図又は第2
図に示す実施例と同様である。
本実施例では、透明基板400の照明窓414が凹凸状
に散乱加工されている。この加工は、透明基板400の
表面にエツチングを施すことによって行なわれる。その
他、81(h、 Ti(h、 AttOs;&どの材料
を蒸着、スパッタリングあるいはCVD(Chemic
al Vapor Depoaitlon )などの方
法により薄膜形成した散乱膜管用いるようKしてもよい
。
に散乱加工されている。この加工は、透明基板400の
表面にエツチングを施すことによって行なわれる。その
他、81(h、 Ti(h、 AttOs;&どの材料
を蒸着、スパッタリングあるいはCVD(Chemic
al Vapor Depoaitlon )などの方
法により薄膜形成した散乱膜管用いるようKしてもよい
。
照明光束LBのうち、h切窓414に対して垂直tic
入射すル成分は、受光部404. 7i06,408の
上方に位置する原稿面416上の点PB、PC。
入射すル成分は、受光部404. 7i06,408の
上方に位置する原稿面416上の点PB、PC。
PD付近に散乱されて達することとなる。また、照明光
束LBのうち、照明窓414に対して垂直に入射しない
成分もあるため、原稿面416の照明は有効に行なわれ
ることとなる。このように、照明窓414に光の散乱特
性を持たせることにょリ、原稿面416の照明効率が向
上する。
束LBのうち、照明窓414に対して垂直に入射しない
成分もあるため、原稿面416の照明は有効に行なわれ
ることとなる。このように、照明窓414に光の散乱特
性を持たせることにょリ、原稿面416の照明効率が向
上する。
更に、角度フィルタ410によるα特性により、S/N
比9分解能の大幅な向上を図ることができる。また、第
6図に示した実施例のように、受光部302,304,
506内に照明窓310が設けられている構造であって
も、上述した散乱特性を持たせることKより同様の効果
を得ることができる0 以上の第1ないしm4の実施例では、受光素子間又は受
光素子内に照明窓が形成されているが、第8図ないし第
9図に示すように、原稿面の主走査方向すなわち受光素
子の配列方向に照明窓が形成されている場合にも本発明
は適用されるものである。
比9分解能の大幅な向上を図ることができる。また、第
6図に示した実施例のように、受光部302,304,
506内に照明窓310が設けられている構造であって
も、上述した散乱特性を持たせることKより同様の効果
を得ることができる0 以上の第1ないしm4の実施例では、受光素子間又は受
光素子内に照明窓が形成されているが、第8図ないし第
9図に示すように、原稿面の主走査方向すなわち受光素
子の配列方向に照明窓が形成されている場合にも本発明
は適用されるものである。
第8図には、本発明の第5実施例が示されている。この
図において、透明基板500上には、左右方向に形成さ
れる照明窓5020部分を除いて遮光膜504が形鴫さ
れており、図の下方の遮光膜504上には、適宜の間隔
をおいて受光部506が形成されている。この受光部5
06には、図の上方から透明共通電極508が、図の下
方から個別電極510が各々形成されている。なお、受
光部506上には、角度フィルタが形成される(図示せ
ず)。また、照明窓502に上述した散乱特性を与えて
も良い。このような構成であっても、角度フィルタのα
特性あるいは照明窓502の散乱特性によって上記実施
例と同様の効果を得ることができる。
図において、透明基板500上には、左右方向に形成さ
れる照明窓5020部分を除いて遮光膜504が形鴫さ
れており、図の下方の遮光膜504上には、適宜の間隔
をおいて受光部506が形成されている。この受光部5
06には、図の上方から透明共通電極508が、図の下
方から個別電極510が各々形成されている。なお、受
光部506上には、角度フィルタが形成される(図示せ
ず)。また、照明窓502に上述した散乱特性を与えて
も良い。このような構成であっても、角度フィルタのα
特性あるいは照明窓502の散乱特性によって上記実施
例と同様の効果を得ることができる。
第9図には、本発明の第6実施例が示されている。この
図において、透明基板600上には、左右方向に形成さ
れる照明窓602の部分を除いて遮光膜604が形成さ
れており、図の下方の遮光膜604上には、適宜の間隔
全おいて個別電極606が形成されている。各個別電極
606上には受光部(図示せず)が形成され、この上に
は、図の上方から透明共通電極608が形成されている
。なお受光部又は透明共通電極608上には角度フィル
タが形成される(図示せず)。また、照明窓602に上
述した散乱特性を与えても良い。
図において、透明基板600上には、左右方向に形成さ
れる照明窓602の部分を除いて遮光膜604が形成さ
れており、図の下方の遮光膜604上には、適宜の間隔
全おいて個別電極606が形成されている。各個別電極
606上には受光部(図示せず)が形成され、この上に
は、図の上方から透明共通電極608が形成されている
。なお受光部又は透明共通電極608上には角度フィル
タが形成される(図示せず)。また、照明窓602に上
述した散乱特性を与えても良い。
このような受光部を電極でサンドインチ状にした構成で
あっても、上記実施例と同様の効果を得ることができる
。
あっても、上記実施例と同様の効果を得ることができる
。
次に1本発明の第7実施例について説明する。
この実施例では、第10図に示すように1透明基板70
0上に発光素子702が設けられている。
0上に発光素子702が設けられている。
他の部分は、例えば第1図又は第2図に示す実施例と同
様である。なお、遮光膜102は、Ir10図では省略
され℃いる。この場合であっても、角度フィルタ110
を使用することにより良好なイメージの読み取り特性が
得られる。
様である。なお、遮光膜102は、Ir10図では省略
され℃いる。この場合であっても、角度フィルタ110
を使用することにより良好なイメージの読み取り特性が
得られる。
次忙、本発明の第8実施例について@11図を参照しな
がら説明する。この第11図において、透明基板800
上には、上述した第1実施例と同様に、遮光膜802會
介して受光部80.Ii、806゜808が各々形成さ
れている。更に、受光部8o4゜806.808上には
、角度フィルタ810,812゜814が各々形成され
ている。この角度フィルタ810.812,814の特
性は、第6図に示す如くである。詳述すると、角度フィ
ルタ8’10iJ:、例えば緑色LEDの中心波長55
5nmK対して16図に示す特性1有する。角度フィル
タ812は、例えば赤色LEDの中心波長650nmに
対して第6図に示す特性を有する。また、角度フィルタ
817iは、例えば長波長カットフィルタ使用の螢光管
の中心波長500nmに対して第3図に示す特性を有す
る。
がら説明する。この第11図において、透明基板800
上には、上述した第1実施例と同様に、遮光膜802會
介して受光部80.Ii、806゜808が各々形成さ
れている。更に、受光部8o4゜806.808上には
、角度フィルタ810,812゜814が各々形成され
ている。この角度フィルタ810.812,814の特
性は、第6図に示す如くである。詳述すると、角度フィ
ルタ8’10iJ:、例えば緑色LEDの中心波長55
5nmK対して16図に示す特性1有する。角度フィル
タ812は、例えば赤色LEDの中心波長650nmに
対して第6図に示す特性を有する。また、角度フィルタ
817iは、例えば長波長カットフィルタ使用の螢光管
の中心波長500nmに対して第3図に示す特性を有す
る。
従って、照明光源として、緑色r、ED(中心波長55
5nm)、赤色LED(中心波長610nm)及び螢光
管(中心波長500nm)k使用すれば、カラー原稿の
イメージの読み取りを高いS/N比で良好に行うことが
できる。更に、各照明光源に対して第6図に示すバンド
パス、フィルタラ使用すれば、第5図に示すよう々鋭敏
な入射角度依存性を持たせることができるので、受光素
子の密lit高<シ、より高分解能なカラーイメージセ
ンサを得ることができる。この実施例のように、角度フ
ィルタは、任意の中心波長に対して任意のα特性を持つ
よう忙設計、製作することが容易にできる。
5nm)、赤色LED(中心波長610nm)及び螢光
管(中心波長500nm)k使用すれば、カラー原稿の
イメージの読み取りを高いS/N比で良好に行うことが
できる。更に、各照明光源に対して第6図に示すバンド
パス、フィルタラ使用すれば、第5図に示すよう々鋭敏
な入射角度依存性を持たせることができるので、受光素
子の密lit高<シ、より高分解能なカラーイメージセ
ンサを得ることができる。この実施例のように、角度フ
ィルタは、任意の中心波長に対して任意のα特性を持つ
よう忙設計、製作することが容易にできる。
従って本発明は、光源の種類に制限されず、幅広い応用
が可能である。
が可能である。
次に、上述した実施例のうち、第1実施例に示すイメー
ジセンサの製造方法について説明する。
ジセンサの製造方法について説明する。
なお、他の実施例に示すイメージセンサについてもほぼ
同様である。
同様である。
まず、透明基板100としては、例えばガラス。
プラスチック力どが使用される。次VC遮光膜102は
、例えばCr、 Atなとの低抵抗薄膜層を形成し、こ
の上に% 5t(h、 A12osなどの高絶縁性材料
を形成した構成となっている。これらの層は、真空蒸着
法又はスパッタリング法々とによって形成される。次に
受光部101.10(S、108としては、例えば水素
を含んだアモルファスシリコンが使用され、真空蒸着、
スパッタリングあるいはプラズマCVDなどの方法で形
成される。
、例えばCr、 Atなとの低抵抗薄膜層を形成し、こ
の上に% 5t(h、 A12osなどの高絶縁性材料
を形成した構成となっている。これらの層は、真空蒸着
法又はスパッタリング法々とによって形成される。次に
受光部101.10(S、108としては、例えば水素
を含んだアモルファスシリコンが使用され、真空蒸着、
スパッタリングあるいはプラズマCVDなどの方法で形
成される。
その他、電極としては、At、 Cu、 Crなどの材
料が使用され、真空蒸着あるいはスパッタリングなどの
方法で形成される。特に透明電極とする場合には、Sn
ug 、 I n203 などの材料が使用される。
料が使用され、真空蒸着あるいはスパッタリングなどの
方法で形成される。特に透明電極とする場合には、Sn
ug 、 I n203 などの材料が使用される。
なお、上記いずれの実施例においても、各部の寸法形状
は特に限定されるものではなく、また図面は内容の理解
を容易にする観点から必ずしも実際の装置と寸法が一致
しないものである。
は特に限定されるものではなく、また図面は内容の理解
を容易にする観点から必ずしも実際の装置と寸法が一致
しないものである。
以上説明したように1本発明による接触形イメージセン
サによれば、受光素子に入射する光量を散乱光の入射角
度によって変化させることとしたので、受光素子の配列
密度を高めることができるとともに、十分な分解能を得
ることができ、更にはS/N比の向上を図ることもでき
、また、容易に製造することができる−という効果があ
る。
サによれば、受光素子に入射する光量を散乱光の入射角
度によって変化させることとしたので、受光素子の配列
密度を高めることができるとともに、十分な分解能を得
ることができ、更にはS/N比の向上を図ることもでき
、また、容易に製造することができる−という効果があ
る。
第1図は本発明妃かかる接触、形イメージセンサの第1
実施例を示す断面の端面図、第2図は第1実施例の構造
全示す断面の端面図、第3図は角度フィルタの特性例を
示す線図、第4図は本発明の第2実施例を示す一部破断
した斜視図、第5図は第2実施例におけるβ特性の一例
を示す線図、第6図は本発明の第3実施例を示す断面の
端面図、襄7図は本発明の第4実施例を示す断面の端面
図、第8図は本発明の第5実施例を示す部分平面図、第
9図は本発明のm6実施例を示す部分平面図、第10図
は本発明の第7実施例を示す断面の端面図、第11図は
本発明の第8実施例を示す断面の端面図、第12図は従
来のイメージセンサの一例を示す断面の端面図、第13
図は他の従来のイメージセンサの一例を示す断面の端面
図、第14図は第13図の矢印xIvからみた平面を表
わす平面図である。 1oo: 300.aoo、500.600.700.
soo・・・透明基板、104.10.!S、108,
302.304.606゜AOA、1106.118,
506,804,806,808・・・受光部、110
,312.410,810,812.814・・・角度
フィルタ、116,310,411,502.602・
・・照明窓、118,311.A16 ・・・原稿面、
200・・・照all]光源、202・・・バンドパス
フィルタ、LA、 LB・・・入射光束、LBl、LB
2.LB3 ・・・散乱光、θ・・・入射角度。 代理人 弁理士 木 村 三 朗 第、5図 八り゛J月贋θ
実施例を示す断面の端面図、第2図は第1実施例の構造
全示す断面の端面図、第3図は角度フィルタの特性例を
示す線図、第4図は本発明の第2実施例を示す一部破断
した斜視図、第5図は第2実施例におけるβ特性の一例
を示す線図、第6図は本発明の第3実施例を示す断面の
端面図、襄7図は本発明の第4実施例を示す断面の端面
図、第8図は本発明の第5実施例を示す部分平面図、第
9図は本発明のm6実施例を示す部分平面図、第10図
は本発明の第7実施例を示す断面の端面図、第11図は
本発明の第8実施例を示す断面の端面図、第12図は従
来のイメージセンサの一例を示す断面の端面図、第13
図は他の従来のイメージセンサの一例を示す断面の端面
図、第14図は第13図の矢印xIvからみた平面を表
わす平面図である。 1oo: 300.aoo、500.600.700.
soo・・・透明基板、104.10.!S、108,
302.304.606゜AOA、1106.118,
506,804,806,808・・・受光部、110
,312.410,810,812.814・・・角度
フィルタ、116,310,411,502.602・
・・照明窓、118,311.A16 ・・・原稿面、
200・・・照all]光源、202・・・バンドパス
フィルタ、LA、 LB・・・入射光束、LBl、LB
2.LB3 ・・・散乱光、θ・・・入射角度。 代理人 弁理士 木 村 三 朗 第、5図 八り゛J月贋θ
Claims (4)
- (1)基板上に受光素子が複数個配列されており、光源
からの照明光は前記基板に形成された照明窓を通過して
原稿面に達するとともに原稿面で散乱され、この散乱光
が前記受光素子に入射することによって情報の読み取り
が行なわれる接触形イメージセンサにおいて、 前記受光素子に対する前記散乱光の入射角度によって該
散乱光の透過光量が変化する手段を含むことを特徴とす
る接触形イメージセンサ。 - (2)前記手段は、前記受光素子の受光面に形成された
角度フィルタである特許請求の範囲第1項記載の接触形
イメージセンサ。 - (3)前記手段は、前記受光素子の受光面に形成された
角度フィルタと、前記照明光の光路に設けられたバンド
パスフィルタとによって構成されている特許請求の範囲
第1項記載の接触形イメージセンサ。 - (4)前記照明窓には、前記照明光を散乱させる手段が
形成されている特許請求の範囲第1項ないし第3項のい
ずれかに記載の接触形イメージセンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59100620A JPS60245354A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | 接触形イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59100620A JPS60245354A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | 接触形イメ−ジセンサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60245354A true JPS60245354A (ja) | 1985-12-05 |
Family
ID=14278880
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59100620A Pending JPS60245354A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | 接触形イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60245354A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62142461A (ja) * | 1985-12-17 | 1987-06-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置 |
JPS62142460A (ja) * | 1985-12-17 | 1987-06-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置 |
WO2022041990A1 (zh) * | 2020-08-29 | 2022-03-03 | 华为技术有限公司 | 一种摄像头模组及电子设备 |
-
1984
- 1984-05-21 JP JP59100620A patent/JPS60245354A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62142461A (ja) * | 1985-12-17 | 1987-06-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置 |
JPS62142460A (ja) * | 1985-12-17 | 1987-06-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置 |
WO2022041990A1 (zh) * | 2020-08-29 | 2022-03-03 | 华为技术有限公司 | 一种摄像头模组及电子设备 |
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