JPS60242049A - 機能性積層体 - Google Patents

機能性積層体

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JPS60242049A
JPS60242049A JP9751584A JP9751584A JPS60242049A JP S60242049 A JPS60242049 A JP S60242049A JP 9751584 A JP9751584 A JP 9751584A JP 9751584 A JP9751584 A JP 9751584A JP S60242049 A JPS60242049 A JP S60242049A
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JP
Japan
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amorphous silicon
silicon layer
laminate
functional laminate
gas barrier
Prior art date
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Pending
Application number
JP9751584A
Other languages
English (en)
Inventor
健司 中谷
洋一 斉藤
宏 岡庭
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Teijin Ltd
Original Assignee
Teijin Ltd
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Filing date
Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [利用分野] 本発明はガスバリヤ−性及び/もしくは紫外線カット能
を有する機能性積層体に関づる。詳しくは、可視域に透
明な高分子樹脂の基体、具体的には成型体、シート、フ
ィルム等の少なくともその一方の面に機能性薄膜を積層
して、前記機能性を付与した機能性積層体に関する。
[従来技術] 近年、高分子樹脂基体は、ボトル、容器等の成型体、あ
るいは、シート、フィルム等の薄膜としてその用途の拡
大につれ、水蒸気、炭酸ガスなどに対するガスバリヤ−
性や紫外線カット能などの機能性を有する事がめられ、
又機能竹林斜として注目されている。
ところで、かかる高分子樹脂基体にガスバリV−能を付
与する方法としては、従来より高分子樹脂基体上にフッ
素系化合物あるいはシリコーン系化合物等の有機物質、
有機金属化合物をコーティングづる方法が知られている
が、ボトル等の成型体上に均一に塗布する事が難しく、
又、塗りむら。
ピンホールの発生などによって十分なガスバリヤ−性を
発揮し得る緻密な層を得る事が難しい問題がある。
また、蒸着やスパッタリング法などの物理的方法、メッ
キ等の化学的方法によって高分子樹脂基体上に金属酸化
物層や金属薄層を設けてガスバリヤ−性を付与する方法
も知られているが、透明性を十分前る為には膜を薄くす
る必要が有り、そのため十分なガスバリヤ−性が得られ
なかったり、金属層の腐食やピンホールの発生といった
問題が有る。
一方、紫外線カット能を付与する方法どしては、紫外線
吸収剤をあらかじめ高分子樹脂中に混ぜ合わせたり、塗
布したりする方法が知られているが、この高分子樹脂を
用いた成型体及び薄膜ではその使用用途によっては紫外
線吸収剤の溶出か生じる欠点が有る。
[発明の目的コ 本発明はかかる問題点に鑑みなされたもので、ガスバリ
ヤ−性及び/もしくは紫外線カット能を有し、成型物等
にも容易に適用できる高分子樹脂を基体とする機能性積
層体を提供する−6のである。
[発明の構成及び作用] 即ち本発明は、可視光に透明な高分子樹脂基体と、少な
くともその一方の面に積層されたガスバリヤ−性及び/
もしくは紫外線カット能を付与(る非晶質シリコン層と
からなることを特徴とする機能性積層体である。
上述の本発明は、種々の検討の結果、驚くべきことに非
晶質シリコン薄膜がガスバリV−性、特に水蒸気及び炭
酸ガスに対づるガスバリヤ−性に優れると共に紫外線カ
ット能を有することを見出しなされたものである。
ところで、本発明の高分子樹脂基体に適用Cきる高分子
樹脂としては、ポリエチレンテレフクレート、ポリブチ
レンテレフタレート、ポリ]−チレンナフタレート等の
各種ポリエステル系樹脂、ポリアミド、ポリイミド系樹
脂、ボリアリレート。
ポリエーテルケトン、ポリカーボネー1〜等が挙げられ
る。このうち特に好ましくは、ポリエステル系樹脂及び
ポリアミド、ポリイミド系樹脂が挙げられる。又、基体
の形状としては、フィルム、シートは勿論、ボトル、容
器等の成型体も挙げられる。
高分子樹脂基板上に設ける非晶質シリコン層はシリコン
原子を主成分とし、水素、ハロゲン、炭素、窒素、酸素
から選ばれた単一あるいは複数の原子を副成分どして含
有する層であり、他にリン。
ホウ素の微倒成分を含む場合もある。この非晶質シリコ
ン層を設ける方法としては、シランガスあるいは高次シ
ランガスを主成分とする雰囲気中での公知のプラズマC
VD法若しくは光CVD法。
又は水素原子、ハロゲン原子を含んだ雰囲気中でのスパ
ッタリング法、イオンブレーティング法等があげられる
。これらの中でもプラズマCVD法。
光CVD法は欠陥のない均一な非晶質シリコン層を得る
のに特に好ましい。又、これらCVD法によれば、ボト
ル等の成型体基体にも欠陥のない均一な非晶質シリコン
岐が形成できる。
この非晶質シリコン層は、驚くべきことに後の実施例に
示す通り、紫外線カッl−能を有し、又優れたガスバリ
ヤ−性、特に水蒸気、炭酸ガスに対する優れたガスバリ
ヤ−性を有するのである。
なお、この非晶質シリコン層の膜厚は、紫外線カット能
の面からは数100Å以上、特に450Å以上が好まし
く、ガスバリヤ−性の面からは1000Å以上、特に2
000Å以上が好ましく、可視域での透明性の面からは
5μm以下が121ましい。又、ガスバリヤ−性、紫外
線カット能及び透明性の三機能を同時に満足させる膜厚
どして1000Å以上3μm以下が特にりYましい。
以下に実施例及び比較例をあげて本発明を具体的に説明
する。
[実施例1,2及び比較例1] 厚さ75μmのポリエチレンテレツタレートフィルム<
PETフィルム)をプラズマCVD用の平行平板型グロ
ー放電反応装置内のアノード電極上にセットした。基板
温度を200℃に設定し、到達真空度が10″Gtor
r台になった俊、Arガスを導入し4 torrの圧ツ
ノ下で10分間、その後H2ガスを導入し1torrで
5分間、それぞれグロ放散電を発生させPEl−フィル
ムの表面を清浄化した。その後、t」2希釈シランガス
(10容闇%)を導入し0.3torrの圧力下、20
Vt/の^周波電力を投入しグロー敢電分解し非晶質シ
リコン層を1「積した。非晶質シリコン層の膜厚をグロ
ー放電の詩間によって調整し、厚み2000人と400
0人の膜厚の実施例1.2の積層体を得た。このPET
/非晶買非晶−シリからなる実施例1.2の積層体の2
4時間及び72時間の水蒸気透過量(g/Td)をカッ
プ法によって測定した。条件は55℃、92%RHどし
た。比較の為に比較例1として非晶質シリコン層を設け
ない75μmPETフィルムのみの値も測定し表1に示
した。
表1から、実施例1.実施例2共にI) E Tフィル
ムに対して箸しく水蒸気にヌ・1づるバリヤーP[が向
上していることが理解でさる。
表 1 [実施例3.比較例2] 75μm厚のPETフィルム上に非晶質シリコン層を前
記実施例1と同じくプラズマCVD法によって3500
人厚に堆積して実施例3の積層体を形成し、酸素ガス及
び炭酸ガスのガス透過係数を測定した。その結果を、比
較例2として30μrn厚のPETフィルムのみの結果
も含め、表2に示した。
表2より、PET/非晶質シリコン層からなる本光明の
積層体は特に炭酸ガスに対してすぐれたガスバリヤ−性
を示−寸ことが理解できる。
(以下余白) 表 2 (以下余白) [実施例4,5及び比較例3] 75μm厚のPETフィルム上に非晶質シリコンwJ膜
を前記実施例1と同様のプラズマCVDff1によって
堆積し、膜厚450人(実施例4)と2000人(実施
例5)の積層体を形成し、400nm以下の紫外光域で
の透過率ど可視域での曇度を測定した。
結果を表3に、PETフィルムのみ(比較例3)の値と
一緒に示した。
表3より、本発明の積層体は、優れた紫外線カット能を
有し、非晶質シリコン層が薄い場合には曇度もそれ程低
下しないことが理解できる。
(以下余白) 表 3 特許出願人 帝 人 株 式 会 社

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、ガスバリヤ−性及び/もしくは紫外線ノJット能を
    有する機能性積層体において、可視光に透明な高分子樹
    脂基体と、少なくともその一方の面に積層された前記機
    能を付与する非晶質シリコン層とからなることを特徴と
    する機能性積層体。 2、非晶質シリコン層がシリコン原子を主成分とし、水
    素、ハロゲン、炭素、窒素、酸素から選ばれた単一ある
    いは複数の原子を副成分として含有する特許請求の範囲
    第1項記載の機能性積層体。 3、非晶質シリコン層がシランガスあるいは高次シラン
    ガスを主成分とする雰囲気中でのプラズマCVD法ある
    いは光CVD法によって形成された特許請求の範囲第1
    項若しくは第2項記載の機能性積層体。
JP9751584A 1984-05-17 1984-05-17 機能性積層体 Pending JPS60242049A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5042049A (en) * 1989-01-10 1991-08-20 Hitachi, Ltd. Semiconductor optical device
WO1998007566A1 (fr) * 1996-08-21 1998-02-26 Pernod Ricard Conditionnement pour boisson a base d'anethole
US5800880A (en) * 1997-03-26 1998-09-01 Tetra Laval Holdings & Finance, S.A. Process for coating the interior wall of a container with a SiOx barrier layer

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