JPS60234962A - 耐腐食性薄膜およびその製造方法 - Google Patents
耐腐食性薄膜およびその製造方法Info
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- JPS60234962A JPS60234962A JP9155184A JP9155184A JPS60234962A JP S60234962 A JPS60234962 A JP S60234962A JP 9155184 A JP9155184 A JP 9155184A JP 9155184 A JP9155184 A JP 9155184A JP S60234962 A JPS60234962 A JP S60234962A
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- Japan
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- thin film
- corrosion
- nitrogen
- iron nitride
- chamber
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/0641—Nitrides
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- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
λ嘘匁則す
本発明は、耐腐食ｔ’ｌ薄１模ａ３よびその形成方法に
関し、さらに訂しく Ｇ、Ｌ ｆりれだ耐腐食性を右づ
−る［７（！系耐腐食↑（１薄膜およびその形成方法に
関する。
関し、さらに訂しく Ｇ、Ｌ ｆりれだ耐腐食性を右づ
−る［７（！系耐腐食↑（１薄膜およびその形成方法に
関する。
年１１１１１／） ｊ幻用Ｊ蝦璽μらびにヱー悲護■悼
近イ１、貞空烹７１、スパッタリング、イＡンブレーｊ
イングｈどのドライニｌ−ティング技術の進歩にＪ、す
、金属、レラミック、プラスチックなどからイするノイ
ルｌ＼あるいは成型物品の表面に、金属、半導体、金属
酸化物、セラミックなどの薄膜を形成覆ることが可能と
なってきた。このようなドライ」−アイング技術による
薄膜の形成は、従来のメッキ沫に代表されるウェッ１〜
コーティング技術に比べ、一般に工程数が少なく、また
不純物の混入が制御でき、しかも環境汚染の心配がない
などの利点を右りるため、薄膜の特性に応じて、耐腐食
用、耐熱用、装飾用、表面硬化用、メタライズ用などの
多種多様な目的に利用されつつある。
近イ１、貞空烹７１、スパッタリング、イＡンブレーｊ
イングｈどのドライニｌ−ティング技術の進歩にＪ、す
、金属、レラミック、プラスチックなどからイするノイ
ルｌ＼あるいは成型物品の表面に、金属、半導体、金属
酸化物、セラミックなどの薄膜を形成覆ることが可能と
なってきた。このようなドライ」−アイング技術による
薄膜の形成は、従来のメッキ沫に代表されるウェッ１〜
コーティング技術に比べ、一般に工程数が少なく、また
不純物の混入が制御でき、しかも環境汚染の心配がない
などの利点を右りるため、薄膜の特性に応じて、耐腐食
用、耐熱用、装飾用、表面硬化用、メタライズ用などの
多種多様な目的に利用されつつある。
ところで「Ｃ薄膜は、光沢、導電性、磁気的特性などの
面で優れた性質を有していることに加えて、材料コス］
・が安いという右点がある。ところがＦｅ１ｌｉ膜は耐
腐食性をほとんど有していないため、その使用は著しく
制限されていた。
面で優れた性質を有していることに加えて、材料コス］
・が安いという右点がある。ところがＦｅ１ｌｉ膜は耐
腐食性をほとんど有していないため、その使用は著しく
制限されていた。
本発明者らは、［Ｃ薄膜の耐腐食性の向上を目的どして
鋭意研究した結果、以下の事実を見出した。
鋭意研究した結果、以下の事実を見出した。
くａ） Ｎ２、Ｎ１」３などの含窒素ガス中で、ＦＣを
イオンブレーティング、スパッタリングなどの方法によ
り基材上に成膜すると、Ｆｅ２Ｎ、Ｆｅ３Ｎ、Ｆｅ４Ｎ
などの窒化鉄を含むＦｅ系薄膜が得られること。
イオンブレーティング、スパッタリングなどの方法によ
り基材上に成膜すると、Ｆｅ２Ｎ、Ｆｅ３Ｎ、Ｆｅ４Ｎ
などの窒化鉄を含むＦｅ系薄膜が得られること。
（ｂ） このような窒化鉄を含むＦｅ系薄膜は、Ｆｅを
アルゴンなどの不活性ガス中での真空蒸着法などにより
基材上に成膜した窒化鉄を含まないＦｅ系薄膜と比べて
、耐腐食性が大幅に向上していること。
アルゴンなどの不活性ガス中での真空蒸着法などにより
基材上に成膜した窒化鉄を含まないＦｅ系薄膜と比べて
、耐腐食性が大幅に向上していること。
発明の目的ならびにその概要
本発明は、上記のような知見に基いて完成されたもので
あって、Ｆｅ系薄膜でありながら、優れた耐腐食性を右
りる「ｅ系薄膜Ｊ”ｉよびぞの製造方法を提供り゛るこ
とを１］的としている。
あって、Ｆｅ系薄膜でありながら、優れた耐腐食性を右
りる「ｅ系薄膜Ｊ”ｉよびぞの製造方法を提供り゛るこ
とを１］的としている。
本発明に係る耐腐食性薄膜は、基材」：に設【プられた
Ｆｃ系薄ＷＡであって、この［ｅ系薄膜は「ｅｘＮ（式
中Ｘは２〜８である）で示される窒化鉄を５％以」−好
ましくは２０％以上さらに好ましくは５０％含んでいる
ことを特徴としている。
Ｆｃ系薄ＷＡであって、この［ｅ系薄膜は「ｅｘＮ（式
中Ｘは２〜８である）で示される窒化鉄を５％以」−好
ましくは２０％以上さらに好ましくは５０％含んでいる
ことを特徴としている。
また本発明に係る耐１＠食＋４薄膜の！！７造方法は、
ブＡ！ンバー内でＦＣまたはＦａ系合金を蒸盾源または
ターグツ１〜どして、反応性イオンブレーティング払ま
たは反応性スパッタリング法にＪ、す、以−トの条件＜
ａ ） ヘ（ｂ ）下でＦｅｘＮ（ｘは２へ・８であ
る）で示される窒化鉄を５％以上含む［ｅ基金属薄膜を
基材上に成膜することを特徴としている。
ブＡ！ンバー内でＦＣまたはＦａ系合金を蒸盾源または
ターグツ１〜どして、反応性イオンブレーティング払ま
たは反応性スパッタリング法にＪ、す、以−トの条件＜
ａ ） ヘ（ｂ ）下でＦｅｘＮ（ｘは２へ・８であ
る）で示される窒化鉄を５％以上含む［ｅ基金属薄膜を
基材上に成膜することを特徴としている。
（ｎ） ５Ｖンハー内の含窒素ガス圧を反応性イオンブ
レーティング払の場合には２×１０’ 〜１ 、 Ｏｘ
１０−２Ｔｏｒｒノ範囲に、また反応性スパッタリン
グ法の場合には１×１０−３〜１ 、 Ｏｘ １０’Ｔ
ｏｒｒの範囲に保つこと、 （ｂ） ａｌ！、！の成膜速度を反応性イオンブレーテ
ィング払の場合には０．５〜２００八／ｓｅｃの範囲に
、また反応性スパッタリング法の場合には０．１〜２０
０八／ ｓｅｃの範囲に保つこと。
レーティング払の場合には２×１０’ 〜１ 、 Ｏｘ
１０−２Ｔｏｒｒノ範囲に、また反応性スパッタリン
グ法の場合には１×１０−３〜１ 、 Ｏｘ １０’Ｔ
ｏｒｒの範囲に保つこと、 （ｂ） ａｌ！、！の成膜速度を反応性イオンブレーテ
ィング払の場合には０．５〜２００八／ｓｅｃの範囲に
、また反応性スパッタリング法の場合には０．１〜２０
０八／ ｓｅｃの範囲に保つこと。
３、発明の詳細な説明
以下本発明を図面により説明で−で・。
本発明に係るＦｅ系耐腐食性薄膜１は、第１図に示され
るように、基材２上に設りられている。
るように、基材２上に設りられている。
Ｆｅ系耐腐食性薄膜１は、「ｅｘＮ（式中Ｘは２〜８で
ある）で示される窒化鉄を５％以上、好ましくは２０％
以上、さらに好ましく５０％以上含んでいる。
ある）で示される窒化鉄を５％以上、好ましくは２０％
以上、さらに好ましく５０％以上含んでいる。
Ｆｅ系薄膜における窒化鉄の量が５％未満であると、充
分な耐腐食性が得られないため好ましくない。
分な耐腐食性が得られないため好ましくない。
なおＦｅ系薄膜３におけるＦ（！ＸＮで示される窒化鉄
の鉛が５〜２０％である場合には、４０℃湿度９０％の
室内に１週間放置しても腐蝕が認められない程度の耐腐
蝕性を有しており、また前記窒化鉄の吊が２０〜５０％
である場合には、ＮａＣｌを含む蒸気に１週間接触させ
ても腐蝕が認められない程度の耐腐蝕性を有しており、
さらに前記窒化鉄の量が５０％以」−である場合には、
５％ＮａＣ１水溶液に′１週間浸漬しても腐蝕が認めら
れない程度の腐蝕性を右している。
の鉛が５〜２０％である場合には、４０℃湿度９０％の
室内に１週間放置しても腐蝕が認められない程度の耐腐
蝕性を有しており、また前記窒化鉄の吊が２０〜５０％
である場合には、ＮａＣｌを含む蒸気に１週間接触させ
ても腐蝕が認められない程度の耐腐蝕性を有しており、
さらに前記窒化鉄の量が５０％以」−である場合には、
５％ＮａＣ１水溶液に′１週間浸漬しても腐蝕が認めら
れない程度の腐蝕性を右している。
基材２として（，１、あらゆるタイプの物体が基材２ど
なりうるが、具体的には、ポリエチレン、ポリ塩化ビニ
ル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース７ルアー１〜、ポ
リスチレン、ポリメチルメタクリレ−１−、ポリプロピ
レン、ポリエチレンテレフタレ−１−、メブルペンテン
樹脂、ポリアミド、ポリカーボネー１−、ポリフェニレ
ンオキシド、ポリサルホン、ポリフッ化Ｊチレン、ポリ
フッ化エチレンブ［１ピレン、ポリ１−デルイミド、ポ
リイミド、アクリル樹脂、１ボキシ樹脂、メラミン樹脂
、尿Ｚ・５樹脂などのプラスブーツタ類、鉄、銅、アル
ミニラ１１４【どの金属類、ガラス、セラミック類など
が用いられ）る。これらの基材は、フィルム状、シート
状、箔状、成型体などのあらゆる形状をとりうる。また
場合によっては、本発明に係るＦｅ系耐腐食性薄膜を、
半導体または磁性体上に直接設置プることもできる。
なりうるが、具体的には、ポリエチレン、ポリ塩化ビニ
ル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース７ルアー１〜、ポ
リスチレン、ポリメチルメタクリレ−１−、ポリプロピ
レン、ポリエチレンテレフタレ−１−、メブルペンテン
樹脂、ポリアミド、ポリカーボネー１−、ポリフェニレ
ンオキシド、ポリサルホン、ポリフッ化Ｊチレン、ポリ
フッ化エチレンブ［１ピレン、ポリ１−デルイミド、ポ
リイミド、アクリル樹脂、１ボキシ樹脂、メラミン樹脂
、尿Ｚ・５樹脂などのプラスブーツタ類、鉄、銅、アル
ミニラ１１４【どの金属類、ガラス、セラミック類など
が用いられ）る。これらの基材は、フィルム状、シート
状、箔状、成型体などのあらゆる形状をとりうる。また
場合によっては、本発明に係るＦｅ系耐腐食性薄膜を、
半導体または磁性体上に直接設置プることもできる。
次に本発明に係るＦｅ系耐腐食性薄膜１の形成方法につ
いで説明する。
いで説明する。
Ｆｅ系耐腐食性薄膜１を基材２土に設けるには、従来の
イオンブレーティング装置またはスパッタリング装置を
用い、この装置内にアルゴンなどの不活性ガスの代わり
に窒素、アンモニウムなどの含窒素ガスを導入し、Ｆｅ
またはＦｅ系合金をターゲットとして、反応性イオンプ
レーディング法または反応性スパッタリング法にＪ：す
「Ｃ系耐腐食性薄膜を基材上に被着させればよい。
イオンブレーティング装置またはスパッタリング装置を
用い、この装置内にアルゴンなどの不活性ガスの代わり
に窒素、アンモニウムなどの含窒素ガスを導入し、Ｆｅ
またはＦｅ系合金をターゲットとして、反応性イオンプ
レーディング法または反応性スパッタリング法にＪ：す
「Ｃ系耐腐食性薄膜を基材上に被着させればよい。
あるいはまた、第２図に示されるようなイＡ−ンブレー
ティング装置を用いてもよい。このイオンブレーティン
グ装置３は、底部にバルブ５を有する真空ライン４を具
備しており、また側部にバルブ７を有する含窒素ガスの
導入ライン６を具備している。イオンブレーティング装
置３の内部ずなわちブｌｌンバー８の下部には、蒸着踪
であるＦＣまたは「Ｃ系合金９を入れるためのルツボ１
０が設りられており、このルツボ１０の下部には、電子
銃よ／、＝ ４１抵抗加熱装置を含んで構成される電子
ヒーム加熱装買１１が設【プられている。またチャンバ
ー８内の前記ガス導入ライン６どほぼ水平位；ｉ″１゛
（あり、しかｂルツボ１０の上方に、イオン化電極 る。さらに、ｆトンバー８内のイオン化電極１２のはは
真上４：ｔ Ｖ’ｆには、ホルダー１４が設【）られ（
Ｊ５す、この！Ｊ＼ルダー１１よ耐腐食性薄膜が被着ざ
ねる３ｒＬ ＋Ａ ２を保持１−る役割を果たしＣいる
。
ティング装置を用いてもよい。このイオンブレーティン
グ装置３は、底部にバルブ５を有する真空ライン４を具
備しており、また側部にバルブ７を有する含窒素ガスの
導入ライン６を具備している。イオンブレーティング装
置３の内部ずなわちブｌｌンバー８の下部には、蒸着踪
であるＦＣまたは「Ｃ系合金９を入れるためのルツボ１
０が設りられており、このルツボ１０の下部には、電子
銃よ／、＝ ４１抵抗加熱装置を含んで構成される電子
ヒーム加熱装買１１が設【プられている。またチャンバ
ー８内の前記ガス導入ライン６どほぼ水平位；ｉ″１゛
（あり、しかｂルツボ１０の上方に、イオン化電極 る。さらに、ｆトンバー８内のイオン化電極１２のはは
真上４：ｔ Ｖ’ｆには、ホルダー１４が設【）られ（
Ｊ５す、この！Ｊ＼ルダー１１よ耐腐食性薄膜が被着ざ
ねる３ｒＬ ＋Ａ ２を保持１−る役割を果たしＣいる
。
このようなイオンブレーティング装置にＪ３いでは、ル
ツボ１０内のＦｅまたはＦｅ系合金９は、電子ビーム加
熱装置１１から放出されるとともに加速集束されＩこ電
子ビーム１５により加熱され、ＦｅまたはＦｃ系合金の
蒸気流１６が上方に向けて発生する。一方前記イオン化
電極１２は、フィラメント１３に対して正電位にバイア
スされており、このイオン化電極１２とフィラメント１
３との間には、−フィラメント１３からイオン化電極１
２に向けて熱電子流１７が発生覆る。また、前記の含窒
素ガスの導入ライン６からは、含窒素ガス１８がチャン
バー８内に＞９人される。そしてＦｅまたはＦｅ系合金
の蒸気流１６および含窒素ガス１８は、前記の熱電子流
１７と衝突してイオン化され、ＦｃまたはＦｅ系合金の
蒸気流１６と含窒素ガス１８とは反応して、Ｆｃまたは
Ｆｅ系合金の一部は窒化鉄となり、基材２上に被着され
る。
ツボ１０内のＦｅまたはＦｅ系合金９は、電子ビーム加
熱装置１１から放出されるとともに加速集束されＩこ電
子ビーム１５により加熱され、ＦｅまたはＦｃ系合金の
蒸気流１６が上方に向けて発生する。一方前記イオン化
電極１２は、フィラメント１３に対して正電位にバイア
スされており、このイオン化電極１２とフィラメント１
３との間には、−フィラメント１３からイオン化電極１
２に向けて熱電子流１７が発生覆る。また、前記の含窒
素ガスの導入ライン６からは、含窒素ガス１８がチャン
バー８内に＞９人される。そしてＦｅまたはＦｅ系合金
の蒸気流１６および含窒素ガス１８は、前記の熱電子流
１７と衝突してイオン化され、ＦｃまたはＦｅ系合金の
蒸気流１６と含窒素ガス１８とは反応して、Ｆｃまたは
Ｆｅ系合金の一部は窒化鉄となり、基材２上に被着され
る。
上２の操作の手順ならびに条件について説明すると、ま
ずヂトンバー８内を１０ ’Ｔｏｒｒ程度の高真空にま
ぐ排気する。次に含窒素ガス１８をガス導入ライン６か
ら数１０Ｔｏｒｒまで導入してチャンバー８内を含窒素
ガスで満たし、この含窒素ガスの流量をバルブ７により
コントロールしながら再び排気を行なって、チャンバー
内の含窒素ガス圧を２Ｘ１０’ 〜１．ＯＸ１０−２Ｔ
ｏｒＨ）範囲に保つ。
ずヂトンバー８内を１０ ’Ｔｏｒｒ程度の高真空にま
ぐ排気する。次に含窒素ガス１８をガス導入ライン６か
ら数１０Ｔｏｒｒまで導入してチャンバー８内を含窒素
ガスで満たし、この含窒素ガスの流量をバルブ７により
コントロールしながら再び排気を行なって、チャンバー
内の含窒素ガス圧を２Ｘ１０’ 〜１．ＯＸ１０−２Ｔ
ｏｒＨ）範囲に保つ。
チャンバー８内の含窒素ガス圧は、得られるＦｅ系薄膜
中での窒化鉄の組成ならびに但に対して犬さへ影響をｒ
ａｔえる。、 ｆｔ・ンバー内の含窒素ガス几か２ Ｘ
１０ ’Ｔｏｒｒ未満では、窒化鉄のイ１“成が不充
分どなり、耐Ｍ食性に優れＩこ薄膜が青られないため好
ましくない。また含窒素ガス圧が１．０×１０−２Ｔｏ
ｒｒを超えるど、成膜性が悪くなり、得られる薄膜表面
が粗面化するとともに基Ｉと薄膜との密着性が低下する
ため好ましくない。
中での窒化鉄の組成ならびに但に対して犬さへ影響をｒ
ａｔえる。、 ｆｔ・ンバー内の含窒素ガス几か２ Ｘ
１０ ’Ｔｏｒｒ未満では、窒化鉄のイ１“成が不充
分どなり、耐Ｍ食性に優れＩこ薄膜が青られないため好
ましくない。また含窒素ガス圧が１．０×１０−２Ｔｏ
ｒｒを超えるど、成膜性が悪くなり、得られる薄膜表面
が粗面化するとともに基Ｉと薄膜との密着性が低下する
ため好ましくない。
ルツボ１０内のｌ”ｅまたはＦｅ系合金９に照射される
電子ビーム１５の量は、電子銃を含んで構成される電子
ビーム加熱装置１１にｈｌえられる電力によりコントロ
ールされるが、この電子ビーム加熱装置１１に加えられ
る電力に応じて「゛ｅ系薄膜の成膜速度が決定される。
電子ビーム１５の量は、電子銃を含んで構成される電子
ビーム加熱装置１１にｈｌえられる電力によりコントロ
ールされるが、この電子ビーム加熱装置１１に加えられ
る電力に応じて「゛ｅ系薄膜の成膜速度が決定される。
Ｆｅ系ＩＷＡの成膜速度は０．５〜２００人／ｓｅｃの
範囲に保つことが好ましい。成膜速度もまた得られるＦ
ｅ系薄膜中での窒化鉄の組成ならびに量に対して大きな
影響を与え、この成膜速度が２００人／ｓｅｃを超える
と、ＦｅまたはＦｅ系合金の窒化が充分に行なえないた
め好ましくない。また成膜速度が０．５Ａ／ｓｅｃ未満
であると、成膜が安定化しないため好ましくない。
範囲に保つことが好ましい。成膜速度もまた得られるＦ
ｅ系薄膜中での窒化鉄の組成ならびに量に対して大きな
影響を与え、この成膜速度が２００人／ｓｅｃを超える
と、ＦｅまたはＦｅ系合金の窒化が充分に行なえないた
め好ましくない。また成膜速度が０．５Ａ／ｓｅｃ未満
であると、成膜が安定化しないため好ましくない。
フィラメント１３に電圧が印加されて熱電子流１７が発
生するが、この印加電圧はフィラメンｉ・１３の大きさ
によって変化するが、一般にフィラメント１３が白色光
を放つ程爪に加熱すれば充分である。この際フィラメン
ト１３の一方端は接地しておくことが好ましい。まｌζ
イオン電極１２に印加する電圧は、ＦｅまたはＦｅ系合
金の蒸気流１６および含窒素ガス１８のイオン化状態を
良好に保つため、フィラメント１３に対して正に数１０
Ｖ程度印加することが好ましい。
生するが、この印加電圧はフィラメンｉ・１３の大きさ
によって変化するが、一般にフィラメント１３が白色光
を放つ程爪に加熱すれば充分である。この際フィラメン
ト１３の一方端は接地しておくことが好ましい。まｌζ
イオン電極１２に印加する電圧は、ＦｅまたはＦｅ系合
金の蒸気流１６および含窒素ガス１８のイオン化状態を
良好に保つため、フィラメント１３に対して正に数１０
Ｖ程度印加することが好ましい。
なお、ルツボ１０およびホルダー１４は、一般には接地
することが好ましいが、ホルダー１４には関しては大地
に対して負の電圧を印加してもよい。
することが好ましいが、ホルダー１４には関しては大地
に対して負の電圧を印加してもよい。
一方、スパッタリング法によりＦｅ系薄膜１を基材２上
に成膜するには、チ１１ンバー内の圧力を１ ｘ １０
〜Ｉ Ｘ １０ ”Ｔｏｒｒ（７）範囲に保ち、成膜
３ 速度を０．１〜２０〇八／ＳＣＣの範囲に保つことが好
ましい。
に成膜するには、チ１１ンバー内の圧力を１ ｘ １０
〜Ｉ Ｘ １０ ”Ｔｏｒｒ（７）範囲に保ち、成膜
３ 速度を０．１〜２０〇八／ＳＣＣの範囲に保つことが好
ましい。
蒸着源であるＦｅ系合金としては「０を主体とした合金
たとえばＦｅ −Ｎｉ 、Ｆｅ −Ｇｏ 、Ｆｅ−Ｎｉ
−Ｃｏ ＳＦｅ −Ｒｈ 、Ｆｃ −Ｃｒ 、Ｆｅ
−８ｍ 、Ｆｅ−Ｃｒ 、Ｆｅ−８ｉなどが用いられう
る。
たとえばＦｅ −Ｎｉ 、Ｆｅ −Ｇｏ 、Ｆｅ−Ｎｉ
−Ｃｏ ＳＦｅ −Ｒｈ 、Ｆｃ −Ｃｒ 、Ｆｅ
−８ｍ 、Ｆｅ−Ｃｒ 、Ｆｅ−８ｉなどが用いられう
る。
／、ＴおＦＣ系薄膜の膜厚は、広い範囲で変化しろるが
、一般に５００人〜１０μｍ好ましく【よ１００〇八・
〜・２μｍであることが好ましい。ただし、磁性体を基
材として用いる場合には、１′θ系薄膜の膜厚は５００
八〜１５００八であることが好ましい。
、一般に５００人〜１０μｍ好ましく【よ１００〇八・
〜・２μｍであることが好ましい。ただし、磁性体を基
材として用いる場合には、１′θ系薄膜の膜厚は５００
八〜１５００八であることが好ましい。
含窒素ガスとしては、窒素ガス、アンモニアガス、また
はこれらの混合物あるいはこれらのガスとヘリウム、ネ
オン、アルゴンなどの不治付ガスとの混合物などが用い
られうるが、特に窒素ガスが好ましい。
はこれらの混合物あるいはこれらのガスとヘリウム、ネ
オン、アルゴンなどの不治付ガスとの混合物などが用い
られうるが、特に窒素ガスが好ましい。
なお本明細書においで「ｅ系薄膜中の窒化鉄の％は、メ
スバウアー法に基づいて決定された値である。
スバウアー法に基づいて決定された値である。
以下水弁１１を実施例により説明するが、本発明はこれ
らの実施例に限定されるものではない。
らの実施例に限定されるものではない。
実施例１
１ｉｔ １，４どしＣ厚さ５０μｍのポリイミドフィル
ムを用い、その表面にＦｅを蒸着源として第２図に示し
たイオンプレーディング装置により以下の条件でＦＯ系
金金属薄膜形成した。
ムを用い、その表面にＦｅを蒸着源として第２図に示し
たイオンプレーディング装置により以下の条件でＦＯ系
金金属薄膜形成した。
比較例１
実施例１において、Ｎ２ガスを導入せず真空度を５ Ｘ
１０−５Ｔｏｒｒに保った以外は、実施例１と同様に
してＦｅ金属薄膜を形成した。
１０−５Ｔｏｒｒに保った以外は、実施例１と同様に
してＦｅ金属薄膜を形成した。
上記実施例１および比較例１′ｃ得られたＦｅ系金１４
薄膜の組成および耐腐食性を表に示Ｊ６なお膜の組成は
メスバウアー分光法により分析した。
薄膜の組成および耐腐食性を表に示Ｊ６なお膜の組成は
メスバウアー分光法により分析した。
実施例２
実施例１におい一’ｃ、Ｎ２ガスを導入しながら真空度
をイれぞれ４ Ｘ １０ ’Ｔｏｒｒ、６ Ｘ １０−
’Ｔｏｒｒ、８Ｘ １０ Ｔｏｒｒ、 １．５ｘ １０
”３Ｔｏｒｒに保ツｌζ以４ 外は実施例１と同様にしてＦｅ系金属薄膜を形成した。
をイれぞれ４ Ｘ １０ ’Ｔｏｒｒ、６ Ｘ １０−
’Ｔｏｒｒ、８Ｘ １０ Ｔｏｒｒ、 １．５ｘ １０
”３Ｔｏｒｒに保ツｌζ以４ 外は実施例１と同様にしてＦｅ系金属薄膜を形成した。
冑られたＦｅ系金属薄膜における［ｅ２〜３Ｎの合格は
それぞれ２５％、２５％、４７％、５７％Ｃ・あった。
それぞれ２５％、２５％、４７％、５７％Ｃ・あった。
また５％ＮａＣｊ水溶液中に４日間放間しＣも、腐食は
全く認められなかった。
全く認められなかった。
第１図は本発明に係るＦｅ系金属１ＩＩＩＩＩの断面図
であり、第２図はＦｅ系金属薄膜を形成づる％ ’ＩＮ
に用いられるイオンブレーティングｌｆｉ！’２の断面
図である。 １・・・Ｆｅ系金属薄膜、２・・・基材、３・・・イＡ
ンプレーティング装置。 出願人代理人 猪 股 清
であり、第２図はＦｅ系金属薄膜を形成づる％ ’ＩＮ
に用いられるイオンブレーティングｌｆｉ！’２の断面
図である。 １・・・Ｆｅ系金属薄膜、２・・・基材、３・・・イＡ
ンプレーティング装置。 出願人代理人 猪 股 清
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 基材上に設Ｃノられたｌ”Ｃ系簿膜であって。 コ（７） Ｆ Ｃ系簿膜【、１、ＦｅＸＮ（式中Ｘは２
〜８である）で示される窒化鉄を５％以上含んでいるこ
とを特徴どづる耐腐食性薄膜。 ２、 Ｘが２．３または４である特許請求の範囲第１項
に記載の耐腐食性薄膜。 ３、 チャンバー内でＦｅまたはＦｅ系合金を蒸首源ど
しＣ１反応性イオンプレーディング法または反応刊スパ
ッタリング法により、以下の条件１・（［−ＣＸＮ（式
中ｘ ＬＪ ２へ・８ ’ｉｎ”ある）で示される窒化
鉄を５１％以上含む「Ｃ系簿膜を基材上に成膜りること
を特徴とりる、耐腐食性薄膜の製造方法（ｊｌ） ｆマ
・ンバー内の含窒素ガス圧を２×１０ ・〜１ 、 Ｏ
ｘ Ｉ Ｑ’Ｔｏｒｒの範囲に保つ４ こと、 （ｂ） ｉｌｌの成膜速度を０．５”−２００人／ｓｅ
ｃ範囲に保つこと。 ４、 チャンバー内でＦｅまたはＦｅ系合金をターゲッ
トとして、反応性スパッタリング法により、以下の条件
下でＦＯＸＮ（式中Ｘは２〜８である）で示される窒化
鉄を５％以上含むＦｅ系会合薄膜基材上に成膜（ること
を特徴とする、耐腐蝕性薄膜の製造方法： （ａ） チャンバー内の含窒素ガス圧を１×３ １０〜１×１Ｏ−１１Ｏｒｒノ範囲に保ツコト、（ｂ）
薄膜の成膜速度を０．１〜２００八／ｓｅｃの範囲に
保つこと。 ５、 含窒素ガスが、窒素ガスまたはアンモニアガスあ
るいはこれらの混合物もしくはこれらのガスとヘリウム
、ネオンまたはアルゴンとの混合物である特許請求の範
囲第３項または第４項に記載の耐腐食性薄膜の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59091551A JPH0726194B2 (ja) | 1984-05-08 | 1984-05-08 | 耐腐食性薄膜およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59091551A JPH0726194B2 (ja) | 1984-05-08 | 1984-05-08 | 耐腐食性薄膜およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60234962A true JPS60234962A (ja) | 1985-11-21 |
| JPH0726194B2 JPH0726194B2 (ja) | 1995-03-22 |
Family
ID=14029631
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59091551A Expired - Lifetime JPH0726194B2 (ja) | 1984-05-08 | 1984-05-08 | 耐腐食性薄膜およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0726194B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52149281A (en) * | 1976-06-07 | 1977-12-12 | Tsuneo Nishida | Deposition process for titanium nitride coating film |
| JPS52149234A (en) * | 1976-06-07 | 1977-12-12 | Tsuneo Nishida | Surface treatment |
| JPS5945911A (ja) * | 1982-03-09 | 1984-03-15 | Nippon Mining Co Ltd | 高飽和磁化磁性材料およびその製造方法 |
-
1984
- 1984-05-08 JP JP59091551A patent/JPH0726194B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52149281A (en) * | 1976-06-07 | 1977-12-12 | Tsuneo Nishida | Deposition process for titanium nitride coating film |
| JPS52149234A (en) * | 1976-06-07 | 1977-12-12 | Tsuneo Nishida | Surface treatment |
| JPS5945911A (ja) * | 1982-03-09 | 1984-03-15 | Nippon Mining Co Ltd | 高飽和磁化磁性材料およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0726194B2 (ja) | 1995-03-22 |
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