JPS60234410A - 素線絶縁撚線導体の絶縁皮膜除去方法 - Google Patents

素線絶縁撚線導体の絶縁皮膜除去方法

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JPS60234410A
JPS60234410A JP59086581A JP8658184A JPS60234410A JP S60234410 A JPS60234410 A JP S60234410A JP 59086581 A JP59086581 A JP 59086581A JP 8658184 A JP8658184 A JP 8658184A JP S60234410 A JPS60234410 A JP S60234410A
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JP
Japan
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conductor
film
insulating film
stranded wire
wire conductor
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Application number
JP59086581A
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English (en)
Inventor
忠之 植松
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Furukawa Electric Co Ltd
Original Assignee
Furukawa Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は酸化鋼の絶縁皮NXを設けた素線からなる撚線
導体全導体とする電気ケーブルの接続部における導体端
末部の該ll9R皮#を除去する方法の改良に関するも
のである。
一般に酸化第2 @(Cub)からなる絶縁皮Mを設け
た絶縁素線を撚合せた撚合せ導体の端末を接続する場合
、導体端末部の各素線の絶縁皮膜?除去する必要がある
。その方法としては次の如き方法によって行っているも
のである。
(1)緊線絶縁皮膜除液中に浸漬する。
(2) サンドブラスト等の機械的研磨による。
然しなからこれらの方法を適用する場合、特に大導体撚
線の絶縁皮膜を除去するには次の如き問題があった。即
ち撚線導体を直接素線絶綬除去液に浸漬すると毛細・管
現象によって導体の内部にまで液が浸入するといういわ
ゆる導体間隙内部への水走りを防止することが出来ず、
そのため絶縁皮膜の除去全必要としない部分の皮膜まで
も除去するというおそれがあった。又サンドゲラスト等
による機械的研磨による場合には研層材が試料表面にぶ
つかジ、その物理的衝撃により該皮膜を除去するため、
予め撚線導体をほぐして各層の素線導体全仏けた状態と
じた後、研磨材が素線導体内部に衝突するようにする必
要があった。従って素線表面の酸化絶縁皮膜を除去する
ためには出来るだけ素線相互の間隙を拡げる必要がある
が、一方絶縁皮膜を除去した後、再度スリーブ圧縮によ
って元の状態に復元しなければならず、その操作に煩雑
な手数を必要とするものであった。
本発明はかかる現状に鑑み鋭意研究全行った結果、絶縁
皮膜の除去を必要とする部分のみを簡便に除去しうる方
法を開発したものである。
即ち本発明方法は酸化鋼の絶縁皮膜を設けた素線からな
る撚線導体を350℃以上に加熱して亜酸化銅皮膜とな
した後、機械的加工金施して該皮膜を除去するものであ
る。
本発明方法の原理について説明すると、素線表面に酸化
第2銅(Cub)の絶縁皮ノ摸が形成されている燃線導
体を350℃以上の高温に加熱すると、該皮膜の酸化第
2 @ (Cub)から1服化第1銅(Cu 20 )
へと変化する。このCu 20は下地のCuとの結合力
が弱くしかも皮膜がもろいという性質に基き、この皮膜
を機械的加工によって容易に剥離せんとするものでちる
とのCuOの皮膜をCu 20に生成するには、加熱温
度を出来るだけ高くすることにより急速に進行するもの
である。更に加熱後急冷せしめることによシCu2Oの
皮膜はより竜d4なものとなる。
本発明方法において加熱温度金350℃以上に限定した
理由は350℃未満ではCuO皮膜が生成して成長する
のみであって、CuoがCu2Oに変化しないためであ
る。
なお加熱温度としては望ましくは400〜500℃程度
に行うことが好ましく、この温度範囲にて加熱すること
により CuOからCu2Oへの変化が特に著しいもの
である。
又、本発明方法はこの脆くて密着性の悪いCu2Oの皮
膜を機械的加工によって除去するものであυ、その方法
としては例えば贋造加工、超斤波加工、振動加工等によ
ジ行うものである。
更に、上記の方法により絶縁皮膜全除去した後、接続し
ようとする各々の導体をスリーブを用いて圧縮する。
次に本発明の実施例について説明する。
実施例(す 3000 mm2.5分割の素線絶縁導体(酸化第2銅
皮膜、平均度膜厚2.0μm)からなる撚線導体におい
て、絶縁皮膜の除去を必要とする端末部をグロ・ぐンパ
ーナで導体温度45CICにて3分間加熱してCu2O
の皮膜とした後空冷した。然る後その加熱空冷部をスウ
ェーソングマシーンで鍛造加工を行ってこのCu 20
の皮膜を除去し下地の銅を露出させ、この部分をスリー
ブにて圧縮した。
実施例(2) 実施例(1)において絶縁皮膜の除去を必要とする端末
部を高周波加熱装置を用いて導体温度500℃にて1分
間加熱してCu2Oの皮膜とした後、冷却した。然る後
、微粉炭内に該導体を突き込みその囲9から超音波(2
0kC)を照射してこのCu 20の皮膜全除去した後
、スリーブにて圧縮した。
実施例(3) 実施例(1)において絶縁皮膜の除去を必要とする端末
部を電気炉を用いて導体温度500℃にて5分間加熱し
てCu2Oの皮膜とした後、冷却した。然る後千鳥に配
置したロールにてしごきをあたえ、このCu 20の皮
膜を除去し、スリーブにて圧縮した。
比較例(1) 実施例(3)において導体温度を300℃にて10分間
加熱後冷却し、同様に千鳥に配置したロールにてしごき
をあたえた後スリーブにて圧縮した。
比較例(2ン 実施例(2)において導体温度を200℃にて゛10分
間加熱した後、冷却し同様に微粉炭内にて超音波(20
kC)を照射した後、スリーブ圧縮した。
斯くして本発明方法差に比較例方法にまり、直流抵抗R
DCをそれぞれ測定し、両者の比(RAc/koc )
 請求めた。その結果は第1表に示す通シである。尚同
表には、素線絶縁導体の端末部の絶縁皮膜を全く除去せ
ず、そのまま圧縮スリーブで接続したものについても同
様の測定をしその結果を併記した。
第1表 上表よシ明らかな如く本発明方法によシ得た燃線導体の
接続部のRAC/RDCは素線絶縁導体のRAC/RD
Cとほぼ同様な値を示し、ジヨイント部において発熱量
が特に大きくなることはなかった。これに対して比較例
のものは、この抵抗比が大きく絶縁皮膜が多量に残存し
ていることが判る。
以上詳述した如く本発明方法によれば簡単な作業にてし
かも絶縁皮膜の除去を必要とする部分のみを確実に除去
しうるため、端末接続において極めて濱用なものである
【図面の簡単な説明】
図面は撚線導体の接続部におけるRAC/RDc抵抗比
全測定するだめの概略説明図である。 1・・・撚線導体、2・・・圧縮スリーブ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1)酸化鋼の絶縁皮膜を設けた素線からなる撚線導体
    を350℃以上に加熱して、亜酸化銅皮膜となした後、
    機械的加工を施して該被膜を除去することを特徴とする
    素線絶縁撚線導体の絶縁皮膜除去方法。 (2ン 機械的加工として鍛造加工、超音波加工又は振
    動加工を行うことを特徴とする特許請求の範囲第1項記
    載の素線絶縁撚線導体の絶縁皮膜除去方法。 (3) 加熱温度として400〜500℃の範囲にて行
    うことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の素線絶
    縁撚線導体の絶縁皮膜除去方法。
JP59086581A 1984-04-28 1984-04-28 素線絶縁撚線導体の絶縁皮膜除去方法 Pending JPS60234410A (ja)

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